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Introduccin

La electrnica es una parte de la electricidad que estudia el funcionamiento de los circuitos


formados por una serie de componentes llamados semiconductores. Los materiales
semiconductores tienen un comportamiento intermedio entre los aislantes y los conductores
y se construyen bsicamente de silicio, selenio y germanio. Gracias a la electrnica se
pueden realizar de forma automtica procesos muy complejos utilizando pequeos circuitos.
Existe en el mercado una gran variedad de circuitos electrnicos que desempean diferentes
funciones. Todos ellos estn formados por un conjunto de componentes que se diferencian
por su forma, su funcin y sus caractersticas. Algunos de estos componentes son conocidos
porque tambin intervienen en los circuitos elctricos (componentes pasivos). Otros son
especficos de los circuitos electrnicos (semiconductores). Entre los componentes pasivos
podemos destacar las resistencias y los condensadores. Dentro de los componentes
electrnicos los ms importantes son el diodo y el transistor aunque existen otros como el
diodo LED, la LDR, las termorresistencias, etc. Al igual que sucede en los circuitos
elctricos, cualquier circuito electrnico se representa mediante esquemas en los que
aparecen los smbolos de los diferentes componentes.

2. Teora de los semiconductores


Antes de conocer los materiales semiconductores, solo se conocan dos tipos:

Los materiales aislantes, que no conducen electricidad.


Los materiales conductores, que permiten el paso de la corriente elctrica.

Con la llegada de los semiconductores se produjo un importante avance, ya que en ellos se puede regular la
corriente elctrica que pueden conducir. Ello permiti la aparicin de nuevos tipos de dispositivos, que son
la base de la electrnica actual.
2.1. Estructura del tomo
Toda la materia que nos rodea forma agrupaciones que pueden ser muy grandes (planetas, estrellas, etc.) o
muy pequeas (arena, polvo, etc.). Pero tanto si la materia es pequea como si es grande, podemos dividirla
en partes cada vez ms pequeas hasta llegar a un lmite.
El tomo es la unidad ms pequea en que se puede dividir la materia sin que pierda sus
propiedades qumicas.
El tomo, por su parte, est formado por un ncleo, que est constituido por elementos con
carga positiva (protones) y elementos sin carga (neutrones). El nmero de protones que
contiene el ncleo es lo que identifica sus propiedades qumicas y a que elemento pertenece.
As, un ncleo de hidrogeno es el que tiene un protn en su ncleo, mientras que un ncleo
de oxigeno tiene ocho. En un tomo podemos definir dos parmetros muy importantes:

El nmero atmico (representado como una Z) corresponde al nmero de protones de


un tomo y, por tanto, define el elemento al que corresponde el tomo.
El numero msico (representado por la letra A) es la suma del numero de protones y
neutrones de un tomo.

En los tomos tambin se encuentran partculas de carga negativa (electrones) que orbitan
alrededor del ncleo. Un elemento neutro tiene el mismo nmero de electrones que de
protones.
En resumen, un tomo contiene tres tipos de partculas:

Los protones, con carga positiva, se encuentran en el ncleo y determinan el elemento


qumico al que corresponde el tomo.
Los neutrones, que tambin estn en el ncleo junto con los protones, no tienen carga
elctrica.
Los electrones tienen carga elctrica negativa y se encuentran orbitando alrededor del
ncleo.

En los tomos, los electrones estn ligados a su ncleo,


debido a la fuerza elctrica de atraccin que se produce
entre los protones (que tienen carga positiva) y los
electrones (que tienen carga negativa).
En la figura 1 se puede ver una representacin
esquemtica de un tomo de helio, que tiene dos protones
su ncleo. Observar en la misma figura que el ncleo del
tomo tambin contiene dos neutrones y que hay dos
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en

electrones orbitando a su alrededor. Esta representacin corresponde a un modelo antiguo del


tomo, pero es til para ver cmo estn dispuestas las diferentes partculas en el tomo.

Los electrones orbitan alrededor del ncleo dispuestos en niveles discretos de energa. En los tomos, los
electrones tienden a ocupar los niveles de energa ms baja. A medida que van ocupando los niveles de ms
baja energa, los electrones del tomo se van situando en los niveles superiores.
Cuando se unen diversos tomos para formar un s olido, los electrones se van situando en niveles de energa
nuevos, de manera que cuantos ms tomos se unan, mas niveles de energa habr. Cuando el nmero de
tomos que se han unido es muy grande, ya no tiene sentido hablar de niveles discretos de energa (debido a
su gran nmero), pero observamos que los electrones se sitan de forma agrupada en unos ciertos intervalos
de energa. Estos intervalos de energa en los que se sitan los electrones se denominan bandas.
En la figura 2 podemos ver una distribucin esquemtica de
las bandas en las que se sitan los electrones cuando
tenemos un slido. Fijaos en que las bandas en las que se
distribuyen los electrones no son continuas, sino que hay
una cierta separacin (en trminos de energa) entre las
bandas.
En esta figura se hace mencin, adems, de dos bandas muy
importantes:

La banda de valencia es la banda de energa ms


elevada en la que se sitan los electrones cuando no
se aplica sobre el material ninguna energa externa. En esta banda los electrones estn ligados al
tomo.
La banda de conduccin es una banda de energa superior a la de valencia. En la banda de
conduccin los electrones se pueden mover libremente y no estn ligados a ningn tomo.

Para que un electrn de un tomo abandone la banda de valencia y pase a la de conduccin es preciso
aplicarle una cierta energa, correspondiente a la separacin en que hay entre dichas dos bandas.
Las bandas con energa inferior a la de valencia no afectan a la conduccin, por lo que no las tendremos en
cuenta de aqu en adelante.
En este tema hemos visto cuales son los elementos que componen los tomos (protones, neutrones y
electrones), y que los electrones se sitan en estados discretos de energa. Cuando se unen muchos tomos
para formar un material solido, el nmero de estados se vuelve muy grande, y observamos que los electrones
se agrupan en bandas de energa. De estas hemos destacado la de valencia y la de conduccin. En el prximo
tema veremos que son los materiales semiconductores.
2.2. Los semiconductores
Hay materiales que conducen la corriente elctrica mejor que otros. En funcin de su comportamiento con
respecto a la corriente elctrica, tenemos tres tipos de materiales:

Los materiales aislantes no dejan pasar la corriente elctrica.


Los materiales conductores (generalmente, los metales) tienen muchos electrones en la banda de
conduccin, y estos electrones se mueven libremente.
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Los materiales semiconductores tienen unas caractersticas especiales que nos permiten regular la
corriente que circula a travs de ellos.

Un material ser de un tipo u otro dependiendo de cmo tenga las


bandas de valencia y conduccin. En los materiales conductores, la
banda de valencia y la de conduccin se superponen parcialmente.
En los materiales aislantes, la banda de valencia y la de conduccin
estn muy alejadas (en trminos de energa), de manera que hay
que aportar mucha energa a los electrones en la banda de valencia
para que puedan pasar a la banda de conduccin. En cambio, en los
materiales semiconductores las bandas de valencia y de conduccin
estn ms prximas, de manera que no es preciso aplicar mucha
energa para que los electrones en la banda de valencia pasen a la de
conduccin.
En la figura 3 podemos ver esta distribucin de las bandas de valencia y conduccin en los materiales
conductores, aislantes y semiconductores. Fijarse en la distancia en trminos de energa que hay entre la
banda de valencia (la banda superior de color gris) y la de conduccin (la banda de color blanco).
En este modulo centraremos nuestro estudio en los materiales semiconductores. Los elementos
semiconductores ms utilizados son el silicio (uno de los elementos ms presentes en la corteza terrestre) y
el germanio.
Los tomos en los materiales semiconductores estn dispuestos formando una red cristalina. Una red
cristalina es una estructura muy simtrica y peridica en el espacio en la que cada tomo tiene una posicin
determinada.
2.3. Electrones libres y huecos
En los materiales semiconductores, los tomos tienen los electrones situados en la banda de valencia. Cada
electrn ocupa una posicin determinada en la banda de valencia. Cuando a un electrn que se encuentra en
esta banda se le aplica una cierta energa puede pasar a la banda de conduccin.
Los electrones que se encuentran en la banda de conduccin se denominan electrones libres, y en esta
banda no estn ligados a ningn tomo.
En la figura 4 podemos observar cmo, en la banda de valencia,
cada electrn (crculo negro) ocupa una posicin (crculo blanco).
Tambin podemos ver como un electrn, al que se le ha aplicado
la energa necesaria, ha dejado la banda de valencia para pasar a
la de conduccin, donde se puede mover libremente. En esta
figura solo estn dibujadas las bandas de valencia y de
conduccin porque, como hemos comentado antes, las bandas
inferiores no afectan a la conduccin.
Al pasar a la banda de conduccin, el electrn ha dejado una
posicin vaca. El tomo que ha perdido ese electrn se queda con un electrn menos que su nmero de
protones, de manera que tiene una carga elctrica global igual a la de un electrn, pero con signo
positivo.
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El tomo que ha quedado con carga positiva ejerce una fuerza de atraccin sobre los electrones que
tiene cerca. Estos electrones tendern a ocupar la posicin vaca que haba quedado en este tomo. En
muchos casos, esa posicin la ocupara algn electrn de un tomo cercano, pero entonces dejara una
posicin vaca en el tomo que ocupaba hasta entonces. Esta posicin vaca tambin tendera a estar
ocupada por otro electrn, y as sucesivamente.
En condiciones normales, tanto el movimiento de electrones libres en la banda de conduccin como el de
electrones en la banda de valencia para ocupar posiciones vacas sucesivas se produce en todas las
direcciones, de manera aleatoria. Por tanto, no se forma una corriente elctrica. Sin embargo, si el material
semiconductor est atravesado por un campo elctrico (como el que genera una fuente de tensin conectada
a los extremos del material) los electrones se movern en esta direccin concreta, pero en sentido
contrario, ya que son cargas negativas.
En la figura
5 podemos ver un esquema
unidimensional del movimiento de los electrones en
un material semiconductor en presencia de un campo
elctrico.
Observar que, en la figura 5, se producen dos tipos de
movimientos:

Los electrones libres


de la banda de
conduccin se mueven libremente en direccin
contraria al campo elctrico.
Los electrones de la banda de valencia van
ocupando sucesivamente las posiciones que
van
quedando vacas. Este movimiento
tambin se produce en sentido contrario al campo elctrico.

Fijarse en que este segundo tipo de movimiento equivale


a considerar que en la banda de valencia, en vez de tener
electrones sucesivos que se mueven en sentido contrario al
campo elctrico, tenemos una partcula (la posicin vaca)
que se mueve en el mismo sentido que el campo elctrico.
En la figura 6 puedes ver, en la banda de valencia, este
movimiento aparente de la posicin vaca, que llamaremos
hueco.
Los huecos son las posiciones vacas que han dejado los
electrones en la banda de valencia. Aunque fsicamente un
hueco no es ms que la posicin donde haba un electrn,
elctricamente tiene la consideracin de partcula que posee
la misma carga que un electrn, pero con signo positivo.
Ya hemos visto hasta ahora dos efectos que confirman esta consideracin del hueco como partcula
elctrica positiva:

Cuando un electrn deja la banda de valencia, deja en su lugar un hueco.Como hemos visto, este
hueco atrae a los electrones de los tomos prximos, como har una partcula elctrica positiva.
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Cuando tenemos un campo elctrico en un material semiconductor, en la banda de valencia se


produce un movimiento sucesivo de electrones en sentido contrario al campo elctrico. Este
movimiento es equivalente a un movimiento aparente de un hueco en el mismo sentido que el
campo elctrico, como har una partcula elctrica positiva.

Tanto el movimiento de electrones libres en la banda de conduccin como el de huecos en banda de


valencia en presencia de un campo elctrico conforman una corriente elctrica en el mismo sentido que el
campo.
En los materiales semiconductores la corriente elctrica se puede producir por el movimiento de electrones
libres o por el de huecos.
Denominamos portadoras las partculas (electrones libres o huecos) que en un material semiconductor
producen la corriente elctrica.
En los materiales en los que hay un flujo de electrones libres se crea una corriente elctrica en sentido
contrario a estos electrones. En cambio, en los materiales en los que hay un movimiento de huecos, la
corriente elctrica generada tiene el mismo sentido que los huecos que se mueven.
Hasta aqu hemos visto que son los materiales semiconductores y como conducen la corriente elctrica. En
el siguiente tema veremos cmo podemos modificar, mediante el dopaje, sus caractersticas elctricas para
controlar la conduccin en ellos.
2.4. Dopaje
Ya hemos visto como se produce la corriente elctrica en un semiconductor a partir del movimiento de los
electrones libres o de los huecos. De todos modos, se ha de tener en cuenta que, para llegar a producir
esta corriente elctrica, hemos tenido que aplicar una cierta energa a un electrn para que dejara la banda
de valencia y pasara a la de conduccin n y conseguir de esta manera obtener un hueco. Adems, para
obtener una corriente elctrica suficientemente importante nos interesa tener un nmero considerable de
electrones libres o de huecos en movimiento. Si no aplicamos energa a los electrones de valencia,
conseguiremos un material que tendr todas las posiciones de la banda de valencia ocupadas por un
electrn (es decir, no tendremos ningn hueco) y con la banda de conduccin vaca (sin ningn electrn
libre), y no se podr producir corriente elctrica.
En estas condiciones, podemos sustituir uno de los tomos del material semiconductor, colocando en su
posicin de la red cristalina un tomo de un material diferente, que tenga un electrn menos. Eso dejara en
el material un hueco, que se podr mover en presencia de un campo elctrico. Por otro lado, tambin
podemos sustituir ese tomo por otro que tenga un electrn ms, que se podr mover libremente en la
banda de conduccin si le aplicamos un campo elctrico. Si, en vez de sustituir un solo tomo, lo hacemos
con varios, estaremos favoreciendo la conduccin elctrica (de electrones libres o de huecos, segn el tipo
de material que aadamos) en el semiconductor. Esta es la base del dopaje, como veremos en este parte.
Una de las ventajas de trabajar con semiconductores es que podemos modificar su comportamiento
elctrico si le aadimos una pequea cantidad de tomos diferentes al semiconductor, con el objetivo de
favorecer la presencia de portadores, ya sean electrones libres o huecos.
Los tomos que se aaden al semiconductor para aumentar la presencia de portadores se denominan
impurezas.
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Llamamos dopaje al proceso de aadir a un material semiconductor impurezas que contienen electrones
libres o huecos. De un material al que se ha inyectado impurezas se dice que esta dopado.
Al dopar un material semiconductor, estamos aumentando el nmero de electrones libres o de huecos que
contiene. Al tener ms densidad de portadores, aumenta la conductividad de dicho material. Es decir,
favorecemos el paso de corriente a travs de l.
Hay dos tipos de dopaje, dependiendo del tipo de impurezas que aadamos a un material semiconductor:

En el dopaje de tipo P aadimos al semiconductor impurezas con huecos.


En el dopaje de tipo N aadimos al semiconductor impurezas con electrones libres.

Segn el tipo de dopaje que se haya aplicado a un material semiconductor tambin se habla de
semiconductores de tipo P y semiconductores de tipo N, respectivamente.
En los semiconductores de tipo P la corriente elctrica la produce de forma mayoritaria el movimiento de
huecos. En cambio, en los semiconductores de tipo N la corriente elctrica la produce mayoritariamente el
movimiento de electrones libres.
Para dopar un material, se aade un nmero de impurezas muy reducido. Por ejemplo, se dice que un
material tiene un dopaje alto o fuerte cuando por cada 10.000 tomos de semiconductor hay un tomo de
impureza. En los dopajes normales, el nmero de tomos de impurezas es an menor.
En esta parte hemos visto como, por medio del dopaje, podemos modificar las caractersticas elctricas
de los materiales semiconductores. En el siguiente tema estudiaremos el efecto que se produce en los
semiconductores si unimos un material de tipo P con otro de tipo N.
2.5. La unin PN
Una unin PN es el resultado de unir dos materiales semiconductores, uno con un dopaje de tipo P y el
otro con un dopaje del tipo N.
En la figura 7 podemos ver qu pasa cuando unimos un
semiconductor de tipo P con otro de tipo N para formar
una unin PN. Para simplificar, en esta figura solo hemos
representado las partculas portadoras, es decir, los huecos
(con un crculo blanco) y los electrones libres (con un
crculo negro).
En la figura 7a podemos observar la distribucin de los
portadores en los semiconductores P y N antes de unirlos.
Como ya hemos visto, los portadores mayoritarios en el
semiconductor P son los huecos (crculos blancos),
mientras que en el semiconductor N lo son los electrones
libres (crculos negros).
Es importante tener en cuenta que el semiconductor de tipo
P, aunque la mayora de los portadores son huecos, es elctricamente neutro. No tiene una carga global
positiva. De forma anloga, el semiconductor de tipo N tambin es neutro y no tiene carga global negativa.

Cuando unimos los dos semiconductores, se produce un proceso de difusin entre sus respectivos
portadores. Es decir, como se puede ver en la figura 7 b), en las zonas prximas a la unin de los dos
materiales, los electrones libres del semiconductor N se mueven hacia el semiconductor P. Entonces, los
huecos de la regin P se mueven hacia la regin N. En las dos regiones se produce un proceso de
recombinacin.
La recombinacin es el proceso por el que un electrn libre (que se encuentra en la banda de conduccin)
pasa a la banda de valencia y se une con un hueco. Dicho electrn queda, pues, ligado al tomo en la
banda de valencia.
Fijarse en que, cuando un electrn libre se recombina con un hueco, obtenemos un electrn en banda de
valencia, que est ligado al tomo y no conduce corriente elctrica. Es decir, se pierden dos portadores
elctricos (el hueco y el electrn libre que se han recombinado).
En la zona N, algunos de sus electrones libres se recombinan con los huecos que provienen de la zona P.
Entonces, en la zona P tambin se recombinan algunos de sus huecos con electrones libres provenientes de
la zona N. Es decir, mediante esta recombinacin el semiconductor P pierde huecos y el semiconductor N
pierde electrones libres, que pasan a ser electrones en la banda de Valencia.
El semiconductor P, que al principio era elctricamente neutro, ha perdido huecos (cargas positivas) en la
zona prxima a la unin. De este modo, mientras se va produciendo la difusin, en esta zona se va
generando una carga global negativa. Dicha carga ejerce una fuerza de repulsin sobre los electrones
libres del semiconductor N que va frenando el proceso de difusin.
En el semiconductor N hay un proceso anlogo. Al principio, tambin era elctricamente neutro, pero ha
ido perdiendo electrones libres (cargas negativas) en la zona prxima a la unin. A medida que se va
produciendo la difusin, en las zonas prximas a la unin del semiconductor N va quedando una carga
global positiva que ejerce una fuerza de repulsin sobre los huecos del semiconductor P. Este hecho
tambin frena el propio proceso de difusin.
El proceso de difusin continua hasta que se llega a un estado de equilibrio, que podemos ver en la figura
7 c. Fijarse en que en la zona central de la unin PN no hay portadores, pero ha quedado con carga
elctrica (negativa en el semiconductor P y positiva en el semiconductor N). Esta zona cargada, pero libre
de portadores, se denomina zona de carga espacial (ZCE).
As pues, en esta zona de carga espacial aparece un campo elctrico que provoca una diferencia de
potencial entre la zona N y la zona P. Esta tensin que aparece, llamada barrera de potencial, es pequea,
generalmente de unas cuantas decimas de voltio, aunque su valor depende del material semiconductor
utilizado. La barrera de potencial, en ausencia de fuentes de
tensin externas, evita que los electrones libres de la zona N
se muevan hacia la zona P y que los huecos de la zona P se
puedan mover hacia la zona N.
En la figura 8 podemos ver la unin PN una vez llegada al
equilibrio, tal como ya hablamos visto en la figura 7 c.
Debajo de la unin PN podemos observar la diferencia de
potencial que forma la barrera de potencial (marcada como V
), que se produce entre las zonas P y N de la unin PN.

En este apartado hemos visto que son los materiales semiconductores. Estos materiales conducen la
corriente elctrica mediante el movimiento de electrones libres en la banda de conduccin o el de huecos
en la banda de valencia. Por medio del dopaje, podemos regular su conductividad. Finalmente, hemos visto
que podemos unir dos materiales semiconductores, uno de tipo P y el otro de tipo N, para obtener la unin
PN.
3. El diodo semiconductor
3.1 Caracterizacin del diodo
El diodo como acabamos de decir es la unin de dos materiales semiconductores dopados de tipo n y de tipo
p, formando una unin p-n. Antes de la unin, y considerando cada uno de los materiales semiconductores
por separado, el semiconductor de tipo p tiene una concentracin de huecos mucho mayor que la de
electrones y el de tipo n tiene una concentracin de electrones mucho mayor que la de huecos. Adems, cada
uno de estos materiales permanece elctricamente neutro. El hecho de unir ambos tipos de material provoca
un elevado gradiente de concentracin de portadores en las proximidades de la unin observndose por un
lado, una corriente de difusin de huecos de la regin p a la n y, por otro, una corriente de difusin de
electrones de la regin n a la p. Pero adems, la marcha o difusin de estos portadores de su regin inicial
deja al descubierto algunos iones fijos en la red cristalina, dando lugar a una regin que contiene tomos
ionizados positivamente a un lado y tomos ionizados negativamente al otro lado llamada zona de
agotamiento o regin espacial de carga. Dicha zona de agotamiento es elctricamente neutra de manera que,
si una de las dos partes (positiva o negativa) tiene una concentracin de iones mayor, sta es ms corta. La
presencia de estas cargas fijas da lugar a la aparicin de un fuerte campo elctrico dirigido desde la zona n
hacia la zona p, es decir, desde la zona de carga positiva a la zona de carga negativa. En ausencia de
polarizacin, la presencia de este campo elctrico provoca unas corrientes de arrastre (de electrones de la
zona p a la n y de huecos de la n a la p que atraviesan la zona de agotamiento "arrastrados" por dicho intenso
campo elctrico) que se oponen a las de difusin siendo nulas las corrientes netas de electrones y de huecos
y, por tanto, no circula corriente a travs del dispositivo. La presencia del campo elctrico provoca una
diferencia de potencial o barrera de potencial cuyo valor es del orden de 0,3 V en compuestos de Ge, 0,7 V
en compuestos de Si y de 1,2 V a 1,8 V en compuestos de Ga.
En polarizacin directa, la parte p se somete a un potencial positivo respecto de la n reducindose la barrera
de potencial en dicha cantidad. Se reduce adems la anchura de la zona de agotamiento, la cual depende de
la diferencia de potencial a la que est sometida la unin. La reduccin de la barrera de potencial (y por
tanto del campo elctrico en la unin) permite que los portadores mayoritarios atraviesen la unin
facilitando el proceso de difusin y dando lugar a una corriente mensurable. Se tiene, por tanto, una
inyeccin de portadores minoritarios, es decir, de electrones en la zona p y de huecos en la n. Para, en
condiciones de polarizacin directa, obtener una corriente significativa es necesaria una tensin mnima del
orden de dicha barrera de potencial.
En polarizacin inversa la parte n tiene una tensin positiva aplicada con respecto de la p. La barrera de
potencial se ve aumentada en dicha cantidad vindose, por tanto, muy reducidas las corrientes de difusin.
Por otra parte, la anchura de la zona de agotamiento aumenta. El resultado es que nicamente una pequea
corriente inversa o de prdidas atraviesa el dispositivo. Se dice que el diodo est cortado.

Esta
corriente inversa es despreciable en la mayora de las ocasiones pero hay que conocerla para prevenir
funcionamientos no deseados, por ejemplo en aplicaciones de precisin. La componen dos trminos: la
corriente inversa debido a portadores minoritarios y la corriente de prdidas sobre la superficie del cristal.
La corriente inversa debido a portadores minoritarios la producen los portadores minoritarios que son
"arrastrados" por el fuerte campo elctrico existente atravesando la zona de agotamiento. Esta corriente tiene
una fuerte dependencia con la temperatura y se llama tambin corriente de saturacin inversa. Por otro lado
la corriente de prdidas es debida a las imperfecciones de la estructura cristalina sobre la superficie del
cristal. Dichas imperfecciones aparecen debido a la discontinuidad que supone el hecho de que al "otro lado"
no haya cristal. Si, por ejemplo, estas imperfecciones provocan la aparicin de huecos, se podr desplazar
por ellas un electrn dando lugar a una corriente. Esta corriente no depende de la temperatura.
Por ltimo introducir el esquema elctrico del diodo de unin, que se muestra en la siguiente figura.

3.1. Efectos de la temperatura en el diodo


Ya hemos visto que la corriente de saturacin depende de la temperatura y tambin de los niveles de dopado
y del rea de la unin. La dependencia con la temperatura es el efecto que ms nos interesa al variar
normalmente la temperatura en nuestro entorno. Se puede demostrar que la corriente de saturacin inversa se
duplica cada incremento de 10C y que aproximadamente sigue la siguiente expresin:

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La caracterstica directa del diodo tambin se ve afectada por la temperatura, siendo el efecto ms
importante la influencia sobre la barrera de potencial. Conforme aumenta la temperatura, la tensin directa
necesaria para polarizar el diodo disminuye y por tanto decimos que tiene un coeficiente de temperatura
negativo (en ingls "tempco" negativo). El valor de esta variacin en diodos de seal tanto de silicio como
de germanio es de 2mV por grado centgrado. Matemticamente podemos decir:

3.3. Capacidades parsitas del diodo


La zona de agotamiento del diodo tambin afecta a su comportamiento de forma capacitiva. Cuando el diodo
est polarizado directamente, conduce por difusin y existe una concentracin de portadores minoritarios en
las zonas neutras prximas a la zona de agotamiento. Cuando se corta el diodo, aplicndole una tensin
inversa, se deben extraer estas cargas de la zona de agotamiento para que el diodo bloquee la tensin
inversa. La presencia de estas cargas almacenadas equivale a un comportamiento capacitivo y se llama en el
diodo, capacidad de difusin. Esta capacidad depende de la corriente directa que est circulando por l y de
la vida media de los portadores minoritarios inyectados y, por tanto, del tipo de dopado. Su expresin es:

Por otra parte, cuando le aplicamos una tensin inversa al diodo la zona de agotamiento ajusta su anchura a
esta tensin. En este caso la zona de agotamiento hace de dielctrico que bloquea la tensin inversa.
Tendremos un comportamiento capacitivo que se denomina capacidad de unin del diodo, asociado a la
carga almacenada en la zona de agotamiento. Esta capacidad de unin depender de la tensin inversa
aplicada pues al variar sta, vara la anchura de la zona de agotamiento. Este es el principio de
funcionamiento del diodo varactor. La capacidad de unin viene dada por la siguiente expresin:

La capacidad de difusin aparece nicamente en el caso de polarizacin directa y la de unin en polarizacin


inversa y polarizaciones directas inferiores a Vk (pero, en este ltimo caso, es mucho menor que la
capacidad de difusin).
3.4 Curvas caractersticas
Habiendo visto de forma cualitativa el funcionamiento del diodo nos queda por conocer sus curvas
caractersticas. Las curvas caractersticas representan la relacin entre la tensin y la corriente del diodo
durante su funcionamiento. De ellas se puede determinar fcilmente la no-linealidad del diodo y de hecho su
comportamiento se describe matemticamente por la ecuacin de Shockley:
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Esta expresin no tiene en cuenta todos los fenmenos adicionales como son la ruptura y la resistencia serie
propia del diodo, entre otros. Si obtenemos prcticamente la curva v-i del diodo midiendo la corriente que
circula por l para diferentes tensiones aplicadas en sus bornes podemos observar que la ecuacin de
Shockley no coincide con la curva real del diodo.
Esto se aprecia en la figura A.1.4 de la caracterstica v-i del diodo de silicio 1N914B comparada con la
ecuacin de Shockley.

No se ha de olvidar aadir una resistencia en serie con el diodo en la prctica al realizar estas medidas para
limitar la corriente, si no tenemos una fuente de alimentacin de precisin, ya que la corriente crece de
forma exponencial con la tensin y por tanto tomar rpidamente valores que destruirn el diodo.
3.5. Rectificacin
La rectificacin es un proceso por el cual se obtiene corriente y tensin unidireccional, partiendo de una
tensin alterna.
Para dicho proceso se utilizan diodos, ya que los mismos conducen corriente en un slo sentido.
En todo circuito rectificador interesa definir:

La forma de onda de la corriente y la tensin sobre la carga.


La eficiencia del sistema rectificador, que es la relacin de la potencia de salida , a la potencia
tomada de la fuente.
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El valor mximo o de cresta de la corriente por el diodo. El valor mximo de la tensin a travs del
elemento rectificador en el sentido inverso (Tensin de pico cresta inversa).

3.6. Circuito rectificador monofsico de media onda

Como el elemento rectificador D, solo permite el paso de corriente en un solo sentido, nicamente
circular corriente por la resistencia de carga, en los momentos en los cuales el borne u es ms positivo
que el borne v.
Si la tensin de salida del transformador es de forma senoidal:

Podemos observar que durante el intervalo de 0 - , el borne u es ms positivo, con lo cual el diodo D
conduce, y sobre la resistencia de carga RC , circula una corriente cuyo valor esta dado por:

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A los fines prcticos conviene conocer el valor medio de las ondas de salida:

El valor eficaz de la corriente en la carga va a estar dado por:

Anlogamente la tensin eficaz sobre la carga es:


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La potencia de salida sobre la carga es:

La potencia a la salida del transformador es:

La eficiencia de la rectificacin ser:

El valor mximo de la tensin inversa que aparece sobre el diodo cuando esta bloqueado, es la tensin del
secundario del transformador en su valor mximo:

3.7. Circuito rectificador monofsico de onda completa

En este caso el transformador adaptador debe tener un punto medio en su secundario. Cuando el potencial de
u es ms positivo que el de v, el diodo D1 est en condiciones de conducir, mientras que el diodo D2 se
encuentra bloqueado, lo cual se muestra en la figura 11.9.

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Anlogamente en la figura 11.10 observamos que cuando el punto v es ms positivo que l u, el diodo
D2 se encuentra en situacin de conduccin mientras que el D1 est bloqueado.

Los valores medios y eficaces de las tensiones y corrientes sobre la carga son:

Anlogamente se obtienen los valores eficaces:

La potencia de salida sobre la resistencia de carga est dada por:

La potencia de salida del transformador es:

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La tensin de pico inversa en los diodos est dada por la tensin mxima a la salida del transformador
(Bornes u - v), ya que cuando uno de los diodos se bloquea, uno de sus terminales coincide con uno de los
bornes terminales del transformador, y el otro borne del diodo coincide con el otro borne del transformador a
travs del diodo que est conduciendo.

Formas de onda:

3.8. Circuito rectificador monofsico de onda completa puente


El esquema es el que se muestra en la figura 11.12:

17

Este circuito rectificador tiene una respuesta similar al anterior pero el transformador no tiene punto medio,
lo cual lo hace ms econmico, ya que el costo de los diodos es relativamente bajo con respecto al
transformador.
Cuando el borne u del secundario del transformador es ms positivo que l v, los diodos D1 y D2 estn
en condiciones de conduccin y los diodos D3 y D4 se bloquean. Luego en el semiciclo positivo la corriente
circula saliendo desde el borne u pasa por el diodo D1 , por la carga RC y a travs del diodo D2 retorna al
transformador por el borne v. Esto se puede observar en la figura 11.13.

En el siguiente semiciclo el borne v es ms positivo que l u, con lo cual el proceso es similar, pero los
diodos que conducen son los D3 y D4 y se bloquean los diodos D1 y D2 , siendo el sentido de circulacin de
la corriente en la carga igual en ambos casos, segn lo mostrado en la figura 11.14.

18

Los valores medios y eficaces sobre la carga son anlogos a los del circuito rectificador de onda completa
con transformador con punto medio anterior.

La tensin de pico inversa sobre los diodos es:

Ya que los bornes de un diodo cuando no conduce estn al mismo potencial que los bornes del transformador
(u - v).
Formas de onda:

3.9. Limitadores-Limitador positivo


Esta es la forma de un limitador positivo:
19

Se tomo RL >> R para que en el semiciclo negativo vaya todo a la salida.

Recorta los semiciclos positivos, limita o recorta. Si se usa la 2 aproximacin:

No recorta de forma perfecta por no ser ideal el diodo.


3.10. Limitador positivo polarizado
Es como el anterior pero con una pila.

Simulacin:
En la simulacin se puede ver la seal de salida del circuito. Se utiliza la segunda aproximacin de los
diodos.
Cada vez que introduzcamos nuevos datos, pulsaremos el botn "Calcular" para ver la nueva grfica con sus
respectivos valores mximos y mnimos.
20

Si la grfica se sale de los limites, podemos variar la escala con la opcin de "escala eje y".
Para realizacin de esta simulacin se han tomado estas equivalencias:
RL = Rload

VL = Vload

3.11. Limitador negativo


La diferencia con el limitador positivo radica en el cambio de direccin del diodo.

Para explicar el comportamiento del limitador negativo vamos a analizar un limitador doble, que esta
compuesto por un limitador polarizado positivo y otro limitador polarizado negativo.

Esto era para RL >> R. Si no se cumpliera esto no sera una senoidal cuando no conducen los diodos.
Es un circuito recortador (limitador), es un circuito limitador positivo polarizado y limitador negativo
polarizado.

21

Aplicacin: Si se mete una onda de pico muy grande


a la entrada, aparece una onda prcticamente
cuadrada a la salida, que aunque no sea tan parecida
se toma como si fuese una onda cuadrada (es
imposible hacer una onda cuadrada perfecta).
Primera aplicacin: "Transformar una Senoidal a
Cuadrada".
Si recorto en + 5 V y en 0 V.
Puedo aprovechar esto para electrnica digital

Aplicacin: Si tenemos un circuito que da alterna a su salida que es variable y nosotros queremos transmitir
esa onda a la carga, podemos estropear la carga si conectamos directamente la carga a ese circuito.

Por eso ponemos un recortador o limitador entre la carga y ese circuito para que no se estropee la carga. Es
para proteccin de la carga (se puede limitar la parte positiva, la negativa o las dos dependiendo del
limitador que se utilice).

3.12. El diodo zener


El diodo Zener, que recibe este nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin Zener, es un diodo de silicio
que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de
ruptura, el diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia
22

de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura. El Dr.
Clarence Melvin Zener de Southern Illinois University invent el diodo Zener.
El diodo zener es un tipo especial de diodo, que siempre se utiliza polarizado inversamente.
Recordar que los diodos comunes, como el diodo rectificador (en donde se aprovechan sus
caractersticas de polarizacin directa y polarizacin inversa).
En este caso la corriente circula en contra de la flecha que representa el diodo. Si el diodo
zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo rectificador comn.
Cuando el diodo zener funciona polarizado inversamente mantiene entre sus terminales un voltaje constante.
En el grfico se ve el smbolo de diodo zener (A - nodo, K - ctodo) y el sentido de la corriente para que
funcione en la zona operativa. Se analizar el diodo Zener, no como un elemento ideal, si no como un
elemento real y se debe tomar en cuenta que cuando ste se polariza en modo inverso si existe una corriente
que circula en sentido contrario a la flecha del diodo, pero de muy poco valor.
En esencia, un diodo zener es exactamente igual a un diodo comn como los que ya se han estudiado, es
decir, pueden ser polarizados directa e indirectamente, tienen un voltaje de umbral (generalmente de 0,6 a
0,7v) corriente directa mxima, potencia de disipacin o temperatura de empaque y un voltaje de ruptura o
voltaje zener. Es precisamente en esta ltima caracterstica en donde nace la diferencia. Un diodo Zener es
construido de manera que el voltaje de ruptura no sea tan elevado si no ms pequeo de manera que pueda
ser ms fcilmente alcanzable. Si se recuerda, en un diodo comn, cuando se sobrepasaba el voltaje de
ruptura del diodo simple se quemaba por sobretensin, en el diodo zener al sobrepasar este voltaje no ocurre
esto debido a dos razones: primero a la forma de dopar el material
Semiconductor y segundo por que las tensiones no son tan altas como antes (600V, 1000V, 1300V)
3.13. El efecto Zener
Cuando el diodo esta polarizado inversamente, una pequea
corriente circula por l, llamada corriente de saturacin Is, esta
corriente permanece relativamente constante mientras aumentamos
la tensin inversa hasta que el valor de sta alcanza Vz, llamada
tensin Zener (que no es la tensin de ruptura zener), para la cual el
diodo entra en la regin de colapso. La corriente empieza a
incrementarse rpidamente por el efecto avalancha.
En esta regin pequeos cambios de tensin producen grandes
cambios de corriente. El diodo zener mantiene la tensin
prcticamente constante entre sus extremos para un amplio rango de
corriente inversa.
Obviamente, hay un drstico cambio de la resistencia efectiva de la
unin PN.

Si ahora vamos disminuyendo la tensin inversa se volver a restaurar la corriente de saturacin Is, cuando
la tensin inversa sea menor que la tensin zener. El diodo podr cambiar de una zona a la otra en ambos
sentidos sin que para ello el diodo resulte daado, esto es lo que lo diferencia de un diodo de unin como el
que estudiamos en la prctica anterior y es lo que le da al diodo zener su caracterstica especial.
23

El progresivo aumento de la polarizacin inversa hace crecer el nivel de corriente y no debe sobrepasarse un
determinado nivel de tensin especificado por el fabricante pues en caso contrario se daara el diodo,
adems siempre debemos tener en cuenta la mxima potencia que puede disipar el diodo y trabajar siempre
en la regin de seguridad.
Aplicacin de Diodos Zener
Una de las aplicaciones ms usuales de
los diodos zener es su utilizacin como
reguladores de tensin. La figura
muestra el circuito de un diodo usado
como regulador.
Este circuito se disea de tal forma que
el diodo zener opere en la regin de
ruptura, aproximndose as a una
fuente ideal de tensin. El diodo zener
est en paralelo con una resistencia de
carga RL y se encarga de mantener
constante la tensin entre los extremos
de la resistencia de carga (Vout=VZ), dentro de unos limites requeridos en el diseo, a pesar de los cambios
que se puedan producir en la fuente de tensin VAA, y en la corriente de carga IL.
Analicemos a continuacin el funcionamiento del circuito:
Consideremos primero la operacin del circuito cuando la fuente de tensin proporciona un valor VAA
constante pero la corriente de carga varia. Las corrientes IL = VZ/RL e IZ estn ligadas a travs de la ecuacin:
IT = I L + I Z

(1)

Y para las tensiones:


VAA=IT * R + VZ =VR + VZ

(2)

Por lo tanto, si VAA y VZ permanecen constantes, VR debe de serlo tambin (VR = IT * R). De esta forma la
corriente total IT queda fijada a pesar de las variaciones de la corriente de carga. Esto lleva a la conclusin de
que si IL aumenta, IZ disminuye y viceversa (debido a la ecuacin (1)). En consecuencia V Z no permanecer
absolutamente constante, variar muy poco debido a los cambios de IZ que se producen para compensar los
cambios de IL.
Si ahora lo que permanece constante es la corriente de carga y la fuente de tensin V AA vara, un aumento de
sta produce un aumento de IT y por tanto de IZ pues IL permanece constante, y lo contrario si se produjera
una disminucin de VAA. Tendramos lo mismo que antes, una tensin de salida prcticamente constante, las
pequeas variaciones se produciran por las variaciones de IZ para compensar las variaciones de VAA.
3.14. Diseo del Regulador Zener
Es importante conocer el intervalo de variacin de la tensin de entrada (V AA) y de la corriente de carga (I L)
para disear el circuito regulador de manera apropiada. La resistencia R debe ser escogida de tal forma que
el diodo permanezca en el modo de tensin constante sobre el intervalo completo de variables.
24

La ecuacin del nodo para el circuito de la figura del punto anterior nos dice que:

Para asegurar que el diodo permanezca en la regin de tensin constante (ruptura), se examinan los dos
extremos de las condiciones de entrada salida:
1. La corriente a travs del diodo I Z es mnima cuando la corriente de carga I L es mxima y la fuente de
tensin VAA es mnima.
2. La corriente a travs del diodo I Z es mxima cuando la corriente de carga I L es mnima y la fuente de
tensin VAA es mxima.
Cuando estas caractersticas de los dos extremos se insertan en la ecuacin (3), se encuentra:

Igualando las ecuaciones (4) y (5) llegamos a que:

En un problema prctico, es razonable suponer que se conoce el intervalo de tensiones de entrada, el


intervalo de corriente de salida y el valor de la tensin zener deseada. La ecuacin (6) representa por tanto
una ecuacin con dos incgnitas, las corrientes zener mxima y mnima.
Se encuentra una segunda ecuacin examinando la siguiente figura (curva I d / Vd) Para evitar la porcin no
constante de la curva caracterstica una regla prctica que constituye un criterio de diseo aceptable es
escoger la mxima corriente zener 10 veces mayor que la mnima, es decir:

La ecuacin (6) se podr entonces reescribir de la siguiente manera:

25

Resolviendo entonces para la mxima corriente zener, se obtiene:

Ahora que se tiene la mxima corriente zener, el valor de R se puede calcular de cualquiera de las
ecuaciones (4) (5). No es suficiente con especificar el valor de R, tambin se debe seleccionar la
resistencia apropiada capaz de manejar la potencia estimada. La mxima potencia vendr dada por el
producto de la tensin por la corriente, utilizando el mximo de cada valor.

3.15. Valores ms utilizados en el calculo de Reguladores con Diodos Zener


En el clculo para el diseo de Reguladores con diodos Zener, se mantienen exactamente los mismos
parmetros utilizados para el clculo de un circuito rectificador con filtro, ms la adicin de los parmetros
del diodo zener que se explican a continuacin y que pueden ser observados en la curva caracterstica:

Voltaje Zener Nominal (VZ): Como su nombre lo indica, este es el voltaje al cual el diodo zener se
enciende en polarizacin inversa y bajo condiciones de temperatura normales. Los zener vienen para
tensiones entre 1,8V y 200V. Este parmetro se usa de referencia para comprar el diodo zener.
Tolerancia: Similar a la utilizada para resistencias, nos indica el rango de error que se puede esperar
en el voltaje zener nominal, son comunes tolerancias del 20%, 10%, 5% y 1% (Ej. Un zener de 10V /
20% puede tener un voltaje zener entre 8V y 12V). Obviamente a menor tolerancia mayor costo.
Intensidad Zener Mnima: A diferencia del diodo comn, el zener aparte de necesitar un voltaje
mayor al de ruptura para funcionar, necesita una corriente mnima de encendido. Debido a la
dificultad de obtener este valor se considera siempre que tiene un valor de 5mA (Ver calculo).
Intensidad Zener Mxima (IZ MAX): Es la mxima intensidad que soporta el zener en polarizacin
inversa. Este parmetro es muy importante ya que existirn ocasiones en que la carga sea
desconectada, por lo que la corriente de la carga pasar al zener y si es demasiado alta, el zener se
quemar.
Potencia Disipada Mxima (PZ): Este parmetro es ms comnmente utilizado que la intensidad
zener mxima y especifica la mxima potencia que puede disipar el empaque del zener en forma de
calor. Los zener vienen en potencias entre 0.25W a 50W. Este es el segundo parmetro que se usa de
referencia para comprar el diodo zener. Si la potencia calculada es muy alta se puede utilizar diodos
zener en paralelo con el fin de dividir la corriente total, consiguiendo menos disipacin de potencia
por zener.

4. Transistor bipolar o BJT


Regiones operativas y configuraciones:
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente en cada caso, lo
indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor.
26

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E),
coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor.

Transistor NPN

Transistor PNP

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de
corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra
(emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama
amplificacin.
Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada
transistor. Entonces:
1. Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a
(factor de amplificacin) por Ib (corriente que pasa por la
patilla base).
2. Ic = * Ib
3. Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que, la corriente en un caso
entra al transistor y en el otro caso sale de l, o viceversa.
Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del
voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si
lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se
cambia Vcc. Ver figura.
En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son
ejemplos para poder entender que a ms corriente la curva es
ms alta
Regiones operativas del transistor:

Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando:


corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic =
Ie = 0). En este caso el voltaje entre el colector y el
emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no
hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de
base = 0 (Ib =0)
Regin
de
saturacin:
Un
transistor
est
saturado
cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = I mxima). En este caso la
magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de los resistores
conectados en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de
colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib)
27

Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte


entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente de un amplificador,
es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta
regin es la mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

4.1. Configuraciones del transistor bipolar


Hay tres tipos de configuraciones tpicas en los amplificadores con transistores, cada una de ellas con
caractersticas especiales que las hacen mejor para cierto tipo de aplicacin. y se dice que el transistor no
est conduciendo. Normalmente este caso se presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0)
Amplificador emisor comn
Amplificador colector comn
Amplificador base comn

4.2. Polarizacin del transistor BJT

La seleccin del punto de trabajo de un transistor se realiza a travs de diferentes circuitos de


polarizacin que fijen sus tensiones y corrientes.

La polarizacin con una fuente sin resistencia de emisor es poco recomendable por carecer de
estabilidad; bajo ciertas condiciones se puede producir deriva trmica que autodestruye el transistor.

La polarizacin con una fuente es mucho ms estable aunque el que ms se utiliza con componentes
discretos es el circuito de auto polarizacin.

La polarizacin de colector-base asegura que el transistor nunca entra en saturacin al mantener su


tensin colector-base positiva.

A continuacin se muestran esquemas de polarizacin y algunas formulas para poder implementar estos
circuitos.
La polarizacin con una fuente (con resistencia de emisor):

La polarizacin con dos fuentes (con resistencia de emisor):

28

La polarizacin con divisor de tensin (con resistencia de emisor):

Auto polarizacin (con resistencia de emisor):

4.3. Polarizacin por divisor de voltaje


Este tema es una continuacin del anterior, por ello primeramente vamos a hacer un breve resumen de lo
visto antes para situarnos mejor en el tema. Hasta ahora hemos visto estos circuitos:
Circuito de polarizacin de base (resistencia en la base):

Figura 129. Polarizacin base.


Circuito de polarizacin de emisor (resistencia en emisor):
29

Figura 130. Polarizacin en emisor.


En este tema analizaremos este ltimo circuito ms que ningn otro.

Figura 131. Polarizacin por divisor de voltaje.


Pero es muy caro instalar 2 fuentes de alimentacin por eso se suele modificar el circuito de tal forma que
solo se use una fuente de alimentacin. Como se ha dicho ahora nos ahorraremos una fuente de
alimentacin.

Figura 132. Circuito equivalente para polarizacin por divisor de voltaje.


Ahora se mueve lo de la izquierda hacia arriba y como tenemos 10V en los dos lados se pueden
unir:

30

Figura 133. Polarizacin por divisin de voltaje.


Y as nos hemos ahorrado una fuente de alimentacin, este es el "Circuito de polarizacin por divisin de
tensin"
Anlisis aproximado:

As despreciamos IB:

5. Amplificadores Operacionales
El nombre de amplificador operacional proviene de una de las utilidades bsicas de este, como son la de
realizar operaciones matemticas en computadores analgicos (caractersticas operativas).
Originalmente los amplificadores operacionales (AO) se empleaban para operaciones matemticas (Suma,
Resta, Multiplicacin, Divisin, Integracin, Derivacin, etc.) en calculadoras analgicas, de ah su nombre.
El amplificador operacional es un dispositivo lineal de propsito general el cual tiene la capacidad de
manejo de seal desde f=0 Hz hasta una frecuencia definida por el fabricante, tiene adems limites de seal
que van desde el orden de los nV, hasta unas docenas de voltio (especificacin tambin definida por el
fabricante). Los amplificadores operacionales se caracterizan pro su entrada diferencial y una ganancia muy
alta, generalmente mayor que 105 equivalentes a 100dB.
31

El amplificador operacional (AO) es un amplificador de alta ganancia directamente acoplado, que en general
se alimenta con fuentes positivas y negativas, lo cual permite que tenga excursiones tanto por arriba como
por debajo de tierra (o el punto de referencia que se considere).
5.1. Origen del Amplificador Operacional
El concepto del amplificador operacional procede del campo de los computadores analgicos, en los que
comenzaron a usarse tcnicas operacionales en una poca tan temprana como en los aos 40. El nombre del
amplificador operacional deriva del concepto de un amplificador dc (amplificador acoplado en continua) con
una entrada diferencial y ganancia extremadamente alta, cuyas caractersticas de operacin estaban
determinadas por los elementos de realimentacin utilizados.
Cambiando los tipos y disposicin de los elementos de realimentacin, podan implementarse diferentes
operaciones analgicas; en gran medida, las caractersticas globales del circuito estaban determinadas solo
por estos elementos de realimentacin.
De esta forma, el mismo amplificador era capaz de realizar diversas operaciones y el desarrollo gradual de
los amplificadores operacionales dio lugar al nacimiento de una nueva era en los conceptos de diseo de
circuitos.
Los primeros amplificadores operacionales usaban el componente bsico de su tiempo: la vlvula de vaco.
El uso generalizado de los amplificadores operacionales no comenz realmente hasta los aos 60, cuando
empezaron a aplicarse las tcnicas de estado slido al diseo de circuitos amplificadores operacionales,
fabricndose mdulos que realizaban la circuiteria interna del amplificador operacional mediante el diseo
discreto de estado slido. Entonces, a mediados de los 60, se introdujeron los primeros amplificadores
operacionales de circuito integrado. En unos pocos aos los amplificadores operacionales integrados se
convirtieron en una herramienta estndar de diseo, abarcando aplicaciones mucho ms all del mbito
original de los computadores analgicos.
Con la posibilidad de produccin en masa que las tcnicas de fabricacin de circuitos integrados
proporcionan, los amplificadores operacionales integrados estuvieron disponibles en grandes cantidades, lo
que contribuyo a rebajar su coste. Hoy en da el precio de un amplificador operacional integrado de
propsito general, con una ganancia de 100 dB, una tensin offset de entrada de 1mV, una corriente de
entrada de 100 nA, y un ancho de banda de 1 MHz es inferior a 1 euro. El amplificador, que era un sistema
formado antiguamente por muchos componentes discretos, ha evolucionado para convertirse en un
componente discreto el mismo, una realidad que ha cambiado por completo el panorama del diseo de
circuitos lineales.
Con componentes de ganancia altamente sofisticados disponibles al precio de los componentes pasivos, el
diseo mediante componentes activos discretos se ha convertido en una perdida de tiempo y de dinero para
la mayora de las aplicaciones dc y de baja frecuencia. Claramente el amplificador operacional integrado ha
redefinido las "reglas bsicas" de los circuitos electrnicos acercando el diseo de circuitos al de sistemas.
Lo que ahora debemos de hacer es conocer bien los AO (amplificadores operacionales), como funcionan,
cules son sus principios bsicos y estudiar sus aplicaciones.
5.2. Esquemas y configuraciones externas
El smbolo de un amplificador operacional es el siguiente:
Los Terminales son:
32

V+: Entrada no inversora


V-: Entrada Inversora
Vout: Salida
Vs+: Alimentacin positiva
Vs-: Alimentacin negativa
Normalmente los pines de alimentacin son omitidos en los
diagramas elctricos por razones de claridad.
Lazo Abierto:
Si no existe realimentacin, la salida del AO ser la resta de sus 2 entradas multiplicada por un factor. Este
factor suele ser del orden de 100000 (que se considera infinito en clculos con el componente ideal). Por lo
tanto si la diferencia entre las 2 tensiones es de 1mV la salida debera de ser 100V. Debido a la limitacin
que supone no poder entregar ms tensin de la que hay en la alimentacin, el AO estar saturado si se da
este caso. Si la tensin mas alta es la aplicada a la Terminal positiva la salida ser la que corresponde a la
alimentacin Vs+, mientras que si la tensin ms alta es la de la Terminal negativa la salida ser la
alimentacin VsLazo Cerrado:
Se conoce como lazo a la retroalimentacin en un circuito. Aqu se supondr realimentacin negativa. Para
conocer el funcionamiento de esta configuracin se parte de las tensiones en las 2 entradas exactamente
iguales, se supone que la tensin en la Terminal positiva sube y por lo tanto la tensin en la salida tambin se
eleva. Como existe la realimentacin entre la salida y la Terminal negativa, la tensin en esta Terminal
tambin se eleva, por tanto la diferencia entre las 2 entradas se reduce, disminuyndose tambin la salida
este proceso pronto se estabiliza y se tiene que la salida es la necesaria para mantener las 2 entradas,
idealmente con el mismo valor.
Siempre que hay realimentacin negativa se aplican estas 2 aproximaciones para analizar el circuito:
V+ = VI+ = I- = 0
Alimentacin:
El amplificador operacional puede ser polarizado, tanto con tensiones simples como con tensiones
simtricas, si utilizamos tensiones simples, a la salida no podremos conseguir valores menores de 0V. El
valor de estas tensiones no suele ser fijo, dando los fabricantes un margen entre un mximo y un mnimo, no
teniendo ninguna consecuencia en el funcionamiento del amplificador el valor de tensin que se escoja,
nicamente las tensiones de salida nunca superaran las tensiones de alimentacin.
5.3. Configuracin Interna de un Amplificador Operacional
Internamente el AO contiene un gran numero de transistores, resistores, capacitares, etc.
Hay varios tipos de presentaciones de los amplificadores operacionales, como el paquete dual en lnea (DIP)
de 8 pines o terminales. Para saber cual es el pin 1, se ubica una muesca entre los pines 1 y 8, siendo el
33

numero 1 el pin que esta a la izquierda de una muesca cuando se pone integrado. La distribucin de los
terminales del amplificador operacional integrado DIP de 8 pines es:
- Pin 2: entrada inversora (-)
- Pin 3: Entrada no inversora (+)
- Pin 6: Salida (out)
Para alimentar un amplificador operacional se utilizan 2
fuentes de tensin:
- Una positiva conectada al Pin 7
- Una negativa conectada al Pin 4
Tambin existe otra presentacin con 14 pines, en algunos casos no hay muesca, pero hay un circuito
pequeo cerca del Pin numero 1.
5.4. Amplificador Operacional Ideal
Este es un dispositivo de acoplo directo, con entrada
diferencial y un nico Terminal de salida. El amplificador
solo responde a la diferencia de tensin entre los 2
terminales de entrada, no a su potencia comn. Una seal
positiva en la entrada inversora (-), produce una seal
negativa a la salida, mientras que la misma seal en la
entrada no inversora (+) produce una seal positiva en la
salida. Con una tensin de entrada diferencial, Vd, donde a es la ganancia del amplificador. Ambos
terminales de entrada del amplificador se utilizaran siempre independientemente de la aplicacin. La seal d
salida es de un solo Terminal y esta referida a masa, por consiguiente, se utilizan tensiones de alimentacin
bipolares (+).
V0 = a Vd, a = infinito, Ri = Infinito, R0 = 0, BW (Ancho de banda) = infinito, V0 = 0 si Vd = 0
Teniendo en mente las funciones de la entrada y la salida, se puede definir las propiedades del amplificador
ideal:
1.
2.
3.
4.
5.

La ganancia de tensin es infinita: a =


La resistencia de entrada es infinita: Ri =
La resistencia de salida es 0: Ro = 0
El ancho de banda es infinito: BW =
La tensin offset de entrada es 0: V0 = 0 Si Vd = 0

A partir de estas caractersticas del AO, podemos deducir otras 2 importantes propiedades adicionales.
Puesto que, la ganancia de tensin es infinita, cualquier seal de salida que se desarrolle ser el resultado de
una seal de entrada infinitesimalmente pequea
Luego, en resumen:
La tensin de entrada diferencial es nula.

34

Tambin, si la resistencia de entrada es infinita. No existe flujo de corriente en ninguno de los termnales de
entrada.
Estas dos propiedades pueden considerarse como axiomas, y se emplearan repetidamente en el anlisis y
diseo del circuito del AO. Una vez entendidas estas propiedades, se puede, lgicamente, deducir el
funcionamiento de casi todos los circuitos amplificadores operacionales
5.5. Funcionamiento en Modo Diferencial y Modo Comn
Una tercera configuracin del amplificador operacional es conocida como el amplificador diferencial, es una
combinacin de la configuracin inversa y no inversa. Aunque est basado en los otros 2 circuitos, el
amplificador diferencial tiene caractersticas nicas. A continuacin se muestra un esquema de un
amplificador operacional diferencial:

El circuito anterior tiene aplicadas seales en ambos terminales de entrada, y utiliza la amplificacin
diferencial natural del amplificador operacional.
Para comprender el circuito, primero se estudiarn las dos seales de entrada por separado, y despus
combinadas. Como siempre Vd = 0 y la corriente de entrada en los terminales es cero.
Se debe recordar que Vd = V(+) - V(-) ==> V(-) = V(+)
La tensin a la salida debida a V1 la llamaremos V01:

Y como V(-) = V(+) la tensin de salida debida a V1 (suponiendo V2 = 0) valdr:

Y la salida debida a V2 (suponiendo V1 = 0) ser, usando la ecuacin de la ganancia para el circuito


inversor, V02:

Y dado que, aplicando el teorema de la superposicin la tensin de salida V0 = V01 + V02 y haciendo que
R3 sea igual a R1 y R4 igual a R2 tendremos que:
35

Por lo que concluiremos:

Que expresando en trminos de ganancia:

Que es la ganancia de la etapa para seales en modo diferencial


Esta configuracin es nica porque puede rechazar una seal comn a ambas entradas. Esto se debe a la
propiedad de tensin de entrada diferencial nula, que se explica a continuacin.
En el caso de que las seales V1 y V2 sean idnticas, el anlisis es sencillo. V1 se dividir entre R1 y R2,
apareciendo una menor tensin V(+) en R2. Debido a la ganancia infinita del amplificador, y a la tensin de
entrada diferencial cero, una tensin igual V (-) debe aparecer en el nudo suma (-). Puesto que la red de
resistencias R3 y R4 es igual a la red R1 y R2, y se aplica la misma tensin a ambos terminales de entrada,
se concluye que Vo debe estar a potencial nulo para que V(-) se mantenga igual a V(+); Vo estar al mismo
potencial que R2, el cual, de hecho est a masa. Esta muy til propiedad del amplificador diferencial, puede
utilizarse para discriminar componentes de ruido en modo comn no deseables, mientras que se amplifican
las seales que aparecen de forma diferencial. Si se cumple la relacin

La ganancia para seales en modo comn es cero, puesto que, por definicin, el amplificador no tiene
ganancia cuando se aplican seales iguales a ambas entradas.
Las dos impedancias de entrada de la etapa son distintas. Para la entrada (+), la impedancia de entrada es R1
+ R2. La impedancia para la entrada (-) es R3. La impedancia de entrada diferencial (para una fuente
flotante) es la impedancia entre las entradas, es decir, R1+R3.
5.6. Relacin de Rechazo de Modo Comn (CMRR)
En la siguiente figura se coloca un esquema bsico de medicin

36

Al Amplificador de Instrumentacin ingresan dos seales de modo comn: una de c.c. de +2.5V
provenientes del puentes de resistencias y otra de c.a.
Los amplificadores de Instrumentacin amplifican la diferencia entre dos seales. Esas seales diferenciales
en la prctica provienen de sensores como ser termocuplas, fotosensores, puentes de medicin resistivos, etc.
En la figura de arriba se ve que de un puente resistivo, en estado de equilibrio sin seal, en la mitad de las
ramas del puente existe una seal de 2.5V respecto a masa. Esta seal de corriente continua es comn a
ambas entradas por lo cual es llamada Voltaje de Modo Comn de la seal diferencial.
Se puede ver que estas seales no contienen informacin til en lo que se quiere medir y como el
amplificador amplificar la diferencia de ambas, al ser iguales, se restan y a la salida el resultado ser cero o
sea idealmente no estn contribuyendo a la informacin de salida. Tambin se ve que se inducen seales de
corriente alterna en ambas entradas a la vez y que sern rechazadas como en el caso de continua. Pero al
producirse un desbalance del equilibrio del puente por la variacin de una de sus resistencias se producir
una seal que ser aplicada entre ambas entradas y ser amplificada. Por lo expuesto, es que se justifica la
utilizacin de amplificadores de instrumentacin para rechazar seales que entran en modo comn, o sea en
las dos entradas se presenta la misma seal.
En la prctica, las seales de modo comn nunca sern rechazadas completamente, de manera que alguna
pequea parte de la seal indeseada contribuir a la salida.
Para cuantificar la calidad del Amplificador de Instrumentacin, se especifica la llamada Relacin de
Rechazo de Modo Comn (CMRR) que matemticamente se expresa como:

Siendo:

AD= Amplificacin Diferencial


AD = Vout / Vin diferencial
ACM= Amplificacin Modo Comn
VCM= Voltage de modo comn en la entrada
ACM = Vout / VCM
Vout= Voltage de salida
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De la ltima frmula podemos obtener la Vout como:

De las hojas de datos de los Amplificadores de Instrumentacin podemos obtener por ejemplo:

CMRR=100db
AD =10
De la figura, VCM de modo comn es de 2.5Volt

De donde:
Vout = 250uV para el caso de la figura anterior.
5.7. Rechazo de Modo Comn de c.a. y de c.c.
Como se ve en la figura de arriba, y como se dijo, se presentan a las entradas diferenciales, seales de c.c. y
de c.a. y al no ser infinito el CMRR, una cierta cantidad de ambas estarn presentes en la salida, adems de
la seal diferencial deseada. La componente indeseada de c.c. puede considerarse como un offset y es
sencillo ajustarlo externamente. La componente indeseada de c.a. es ms complicada de disminuir a la
entrada, y se hace principalmente utilizando filtros de c.a. colocados en la entrada, disminuyendo el ancho
de banda de utilizacin del amplificador.
La especificacin de CMRR en funcin de la frecuencia se obtiene de las hojas de datos. En la figura
siguiente se puede apreciar como vara el CMRR, disminuyen a medida que aumenta la frecuencia.

La respuesta en frecuencia del CMRR es plana hasta alrededor de 100 HZ

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Voltaje de Modo Comn de Entrada en funcin del de Salida

Un circuito con filtros de c.a. se muestra en la siguiente figura:

5.8. Amplificador sumador no inversor

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Tambin tenemos:

Si igualamos las dos expresiones de VE:

La expresin final de Vo se puede simplificar para el supuesto de que el valor en paralelo de R1 y R2 sea
igual al valor en paralelo de R3 y R4.

5.9. Amplificador integrador


Un circuito integrador realiza un proceso de suma llamado "integracin". La tensin de salida del circuito
integrador es proporcional al rea bajo la curva de entrada (onda de entrada), para cualquier instante.

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Integrador con un amplificador operacional


En el siguiente grfico se puede ver una seal de entrada (lnea recta) de 3 voltios que se mantiene continuo
con el pasar del tiempo.

Onda de entrada:
En el siguiente grfico se muestra que el rea bajo la curva en un momento cualquiera es igual al valor de la
entrada multiplicado por el tiempo. Vsal = Vent x t

Onda de salida
Por ejemplo:
Al terminar el primer segundo, el rea bajo la curva es Vent x t = 3 x 1 = 3, al terminar el siguiente segundo,
el rea bajo la curva es Vent x t = 3 x 2 =6, al terminar el tercer segundo, el rea bajo la curva es Vent x t = 3
x 3 = 9, al terminar el cuarto segundo, el rea bajo la curva es Vent x t = 3 x 4 = 12.

Dando los valores de R = 1 M y C = 1 uF al primer grfico, el valor de la tensin de salida es: Vsal
= - (1 / RC) x Vent x t.
La ganancia de este amplificador en este caso es: -1 / (1 x 106 x 1 x 10-6) = -1, y el signo negativo se
debe a que el amplificador operacional est configurado como amplificador inversor
As: al terminar el primer segundo, Vsal = - Vent x t = - 3 x 1 = - 3, al terminar el siguiente segundo,
Vsal = - Vent x t = - 3 x 2 = - 6, al terminar el tercer segundo, Vsal = Vent x t = - 3 x 3 = - 9, al
terminar el cuarto segundo, Vsal =Vent x t = - 3 x 4 = - 12.
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Esta tensin de salida no crece indefinidamente (en sentido negativo). Hay un momento, como se
puede ver el ltimo grfico en que sta lnea se mantiene a un valor constante. Esto sucede cuando el
amplificador llega a su tensin de saturacin.
Si a un integrador se le mantiene la entrada a un nivel de corriente continua constante, por un largo
periodo de tiempo, este llegar a saturacin.
Observando las siguientes figuras se puede ver que si la onda de entrad es cuadrada, el rea
acumulada
y
la
forma
de
onda
de
la
salida
sern.

Entre t0 y T1: En el grfico superior se ve que mientras la tensin de entrada (Vent) se mantiene constante
positiva el rea acumulada aumenta y la tensin de salida (Vsal) tiene pendiente negativa debido a la
inversin (la seal de entrada ingresa por el terminal inversor del amplificador operacional).
En t1: La forma de onda de la entrada cambia su polaridad bruscamente a un valor negativo, el rea
acumulada va disminuyendo y la forma de onda de la salida tiene pendiente positiva.
En t2: La entrada cambia a un valor positivo bruscamente y el ciclo se vuelve a repetir.
En el grfico anterior el tiempo en que la seal de entrada permanece constante, ya sea positiva o negativa,
no es suficiente para que el integrador de se sature en su salida
Si la entrada es una onda cuadrada, el integrador se puede utilizar como generador de onda triangular
Seal de entrada sinusoidal:

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Si la tensin de entrada es sinusoidal, las diferentes formas de onda se ven en el siguiente grfico:

En este caso el rea acumulada inicia con un valor negativo debido a la parte de la seal de entrada (Vent)
que existe entre -90 y 0. De 0 a 90 el rea acumulada es positiva. Esta rea se resta del rea negativa
previa hasta cancelarse cuando se llega a los 90. Despus el rea acumulada vuelve a crecer hasta llegar a
los 180. Despus de los 180 la entrada empieza a disminuir y esto causa que tambin empiece a disminuir
el rea acumulada.
La forma de onda de la salida es invertida a la del rea acumulada debido a que la entrada de la seal se
hace en la entrada inversora
Matemticamente:

Area acumulada = -Vp cos t


Salida invertida = Vsal = Vp cos t

Con la tensin pico de salida = Vp = (1 / RC) Vent


La tensin de salida ser: Vsal = (1 / RC) Vent cos t
Para ello definimos un integrador ideal que vienen dado de la siguiente manera:
5.10. Amplificador diferenciador
Se trata de un circuito constituido por una capacidad C y una Resistencia R (Circuito RC), el cual acta
como un filtro pasivo para altas frecuencias, debido a que no intervienen elementos amplificadores, como
transistores o circuitos integrados, este tipo de filtro atena bajas frecuencias segn la formula emprica.
Este Circuito se utiliza para detectar flancos de subida y bajada de una seal provocando una mayor
diferenciacin en los flancos de entrada y salida de la seal que, es donde la variacin con el tiempo (t) se
hace ms notoria. Estas zonas de la seal son adems las que corresponden a las altas frecuencias, mientras
que las zonas planas estn compuestas por frecuencias mas bajas.
Este tipo de circuitos son mas conocidos como filtro RC pasivo pasa alto que, se utiliza para las frecuencias
superiores al valor especificado por la formula anterior. Desde para perspectiva este circuito, separa la
corriente continua entre circuitos ya que el condensador interrumpe el paso de la corriente continua, dejando
pasar solo el pulso correspondiente al flanco de entrada y salida. La seal derivada puede utilizarse para
disparar algn otro componente de la cadena electrnica como puede ser un trigger (disparador).
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Que ocurre cuando se aplica a un tren de impulsos de entrada de este circuito. Cuando un pulso de tensin,
se eleva de repente de cero a mximo, la corriente que carga al condensador C, de repente se eleva a un valor
mximo tambin. En la medida que se carga C, la carga de corriente se cae exponencialmente a cero. Ya que
esta corriente de carga pasas por la resistencia R, el voltaje a travs de la R ( que es el voltaje de salida) hace
lo mismo.
Por consiguiente nosotros conseguimos la forma mostrada, con el voltaje de salida que sube de repente al
mximo y a continuacin caerse exponencialmente entonces a cero. Cuando el pulso se cae a cero, se
produce la descarga del condensador C. La corriente de descarga es alta en la salida y entonces se cae
exponencialmente a cero como la descarga del condensador C.
Sin embargo dado que la corriente de descarga, esta en oposicin a la direccin de la carga actual, el voltaje
por R se invertir, con lo que la forma de onda se muestra ahora por debajo de la lnea cero. Para cada pulso,
la forma de onda de salida se repite, mostrando la forma siguiente:

Observe la figura anterior, podemos apreciar el efecto que ejerce el condensador C al cargarse y la posterior
descarga sobre la resistencia R, motivo por el cual la seal de salida presenta los picos del grafico, la Ley de
Ohm dice que, la corriente es proporcional al voltaje y recprocamente, el voltaje es proporcional a la
corriente.
El pulso de salida es proporcional a la variacin del pulso de
entrada con el tiempo t. El circuito acta como una derivada. El
circuito solo diferenciara el pulso de entrada si la constante de
tiempo es pequea comparada con anchura de la seal. En caso
contrario el pulso pasa sin grandes variaciones. Esto se hace
patente cuando debido a malas terminaciones en los cables o a
conexiones en mal estado se generan circuitos RC accidentales.
La carga elctrica (i) empieza a almacenarse en el condensador (C) cuando el voltaje se aplica a la entrada.
La corriente elctrica que fluye en el condensador, como la carga elctrica se almacena en decrementos. La
corriente elctrica que fluye a travs del condensador (C) y la resistencia (R) se calcula por lo siguiente
frmula:
i = (V/R)e-(t/CR)

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Donde:

La corriente elctrica (A) que cambia en el tiempo

El voltaje (V) aplicado

El valor de resistencia (W ohms)

El valor del condensador (F)

La base del logaritmo natural (2.71828)

El tiempo de retardo despus del inicio (sec)

CR

La constante de tiempo del condensador ( C x R)

Los cambios de tensin que aparece a extremos de la resistencia (R) se deduce en la frmula siguiente.
iR = V[e-(t/CR)]
Es como se muestra en la frmula que sigue sobre el grfico:

El clculo exponencial puede calcularse mediante la operacin Exp, con la aplicacin que nos ofrece la
calculadora electrnica de nuestro equipo (la funcin calculadora electrnica) en caso de Windows95 o
mayor.
5.11. Amplificador de Ganancia constante
El circuito de amplificador de ganancia constante
que mas se utiliza es el amplificador inversor, el cual
se muestra en la figura 5.14 la salida se obtiene
multiplicando la entrada por una ganancia fija o
constante, que determinan la resistencia de entrada
(R1) y la resistencia de retroalimentacin (RF), con
la salida invertida respecto a la entrada.

6. Bibliografa:
http://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_T1.pdf

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https://www4.frba.utn.edu.ar/html/Electrica/archivos/Apuntes_EyM/Capitulo_11_Circuitos_Rectificadores.
pdf
https://electro2.wikispaces.com/file/view/Grupo_6_Farias_Diodos_Zener.doc
http://iesparearques.net/tecno/Bloques%20de%20Contenidos%20agost%202011/Electronica/Documents/5%20transistors/TRANSISTORES.doc
https://electro2.wikispaces.com/file/view/Transistor+bipolar+o+bjt.doc
http://www.monografias.com/trabajos97/polarizacion-del-transistor-bjt/polarizacion-del-transistor-bjt.shtml
http://datateca.unad.edu.co/contenidos/201419/contLinea/leccin_12_polarizacin_por_divisor__y__retroalim
entacin_de_voltaje.html
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema4/Paginas/Pagina18.htm

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