Elepot v1 PDF

Electrnica de Potencia
ARMOS Research Group

Universidad Distrital Francisco Jos de Caldas
Fredy Hernn Martnez Sarmiento
U NIVERSIDAD D ISTRITAL F RANCISCO J OS DE C ALDAS
Fernando Martnez Santa
Edwar Jacinto Gmez
Octubre de 2015
ndice general
Introduccin
VI
1. Introduccin
1.1. Definicin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2. Aplicaciones de la electrnica de potencia . . . . . . . . . . . . .
1
1
2
1.2.1. Taller: Horno de induccin . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3. Interruptor y conmutacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4
4
2. Dispositivos semiconductores de potencia

2.1. Interruptores semiconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.1. Diodos de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.1.1. De uso general . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.1.2.
2.1.1.3.
7
9
9
9
Recuperacin rpida (fast recovery) . . . . . . .

Schottky . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10
10
2.1.2. Tiristores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.2.1. SCR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.2.2. TRIAC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10
10
13
2.1.2.3. GTO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.3. Taller: DIAC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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15
2.1.4. Transistores bipolares de potencia . . . . . . . . . . . . .

2.1.5. MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.6. IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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18
21
NDICE GENERAL
2.2. Resumen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3. Estrategias de modulacin
3.1. Objetivos del proyecto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.1.1. Objetivo General . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4. Convertidores AC/DC: Rectificadores
II
22
24
24
24
25

25
25
5. Convertidores AC/AC: Convertidores estticos de frecuencia

26
26
26
6. Convertidores DC/AC: Inversores

27
27
27
7. Convertidores DC/DC: Reguladores DC

28
28
28
8. Componentes magnticos en SMPS
29

9. Factor de potencia y distorsin armnica
29
29
30
30
30
ndice de figuras
1.1. Campos de accin de la electrnica de potencia. . . . . . . . . .
1.2. Sistema Ward-Leonard. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2
3
1.3. Dispositivo de circuito y su corriente i al aplicarle una diferencia

de energa potencial v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.4. Interruptor ideal. (a) Circuito abierto, i = 0. (b) Circuito cerrado,

v = 0. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1. Cuadrantes de conduccin de un interruptor elctrico.
. . . . . .
2.2. Diodo de unin PN y su curva v-i. . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.3. Modelo del SCR como dos transistores acoplados. . . . . . . . .
8
12
2.4. TRIAC, construccin fsica, modelo y smbolo de circuito. . . . .

2.5. Formas de onda producidas por un SCR y un TRIAC en conmutacin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
13
2.6. GTO y curvas de operacin funcional. . . . . . . . . . . . . . . .

2.7. (a) Caracterstica de salida (IC frente a VCE ) del transistor NPN
15
14
para distintas corrientes de base: IB5 > IB4 > ...IB1, (b) Esquema
del BJT tipo NPN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.8. Seccin vertical de un transistor bipolar de potencia multiemisor
16
tipo NPN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.9. Zona de operacin segura del transistor BJT. . . . . . . . . . . . .
2.10. Configuracin Darlington de dos transistores BJT. . . . . . . . . .
17
17
18
III
NDICE DE FIGURAS
IV
2.11. MOSFET: (a) Esquema de estructura, (b) Esquemtico, y (c) Caracterstica de transferencia [1]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.12. Limites de voltaje y corriente para MOSFET y BJT [1]. . . . . . .
2.13. IGBT: Esquemtico y circuito equivalente. . . . . . . . . . . . . .
19
20
21
2.14. Limites de operacin para semiconductores de potencia de acuerdo a potencia neta. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
23
2.15. Limites de operacin para semiconductores de potencia de acuerdo a potencia en la aplicacin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
23
ndice de tablas
2.1. Resumen comparativo de parmetros: transistor bipolar y MOSFET 21
Introduccin
El desarrollo de la electrnica de potencia...
VI
Captulo 1
Introduccin
1.1. Definicin
La electrnica de potencia involucra a los dispositivos, circuitos y aplicaciones
con alguna o varias de las siguientes caractersticas:
Alimentacin elctrica de otro circuito.
Alta potencia.
Altos voltajes y/o corrientes.
Manejo de potencia elctrica con eficiencia y calidad.
Control de mquinas elctricas.
Calidad de energa elctrica.
La frontera lmite de la electrnica de potencia no se encuentra definida de
forma explcita, depende del entorno y aplicacin. Es posible relacionarla comnmente con fuentes conmutadas para computadores de escritorio, pero un convertidor de 1 W de un telfono celular tambin es una aplicacin de electrnica de
potencia.
1
CAPTULO 1. INTRODUCCIN
1.2. Aplicaciones de la electrnica de potencia

A partir de la lista de caractersticas de la seccin anterior es posible identificar
aplicaciones de la electrnica de potencia. La Fig. 1.1 muestra un resumen de las
principales aplicaciones y campos de accin de la electrnica de potencia.
Mquinas
elctricas
Fuentes de
alimentacin
Induccin
elctrica
Vehculos
Electrnica
de potencia
Comunicaciones
Electrnica
de consumo
Filtros y
acondicionadores
Figura 1.1: Campos de accin de la electrnica de potencia.

Uno de los problemas clsicos de la electrnica de potencia es el del control de
mquinas elctricas (control de la velocidad, el par y el suministro de potencia).
Tradicionalmente el motor DC se utiliz en aplicaciones que requeran control de
velocidad, dado que su velocidad se puede variar fcilmente controlando el voltaje
de la armadura.
Antes del desarrollo de la electrnica este control de voltaje se realizaba con
un generador DC. As es como a nivel industrial se implement el sistema WardLeonard. El sistema es un grupo motor-generador-motor que permite el control
de velocidad del motor DC. El circuito corresponde a un sistema que usa alimentacin de corriente alterna trifsica (motor de arrastre), para luego ser corregida
mediante cambios en la corriente de armadura del generador DC (generador de

mando, Fig. 1.2). El sistema resulta ser muy verstil, pero tambin muy costoso
(se requiere en total tres mquinas de potencia similar!!!).
Motor 3~
Generador DC
Motor DC
M1
M2
Motor de
arrastre
Generador
de mando
Motor de
accionamiento
Figura 1.2: Sistema Ward-Leonard.
Hoy en da esto se ha reemplazado con electrnica. De hecho, ya no es tan

comn el uso del motor DC, dado que su costo y mantenimiento es costoso (escobillas). Es su lugar se ha comenzado ha utilizar motores ms robustos y econmicos, como el jaula de ardilla, el motor elctrico industrial por excelencia. Esto
se debe a que si bien su control es mas complejo (requiere de ajuste tanto de voltaje como de frecuencia), el actual desarrollo de la electrnica (tanto de potencia
como digital) permiten el uso de interruptores semiconductores en conjunto con
complejos algoritmos de control.
Es posible afirmar que la electrnica de potencia es aquella que debe lidiar con
tres grandes reas de la ingeniera de conjunta:
Energa.
Electrnica.
Control.
Y que la forma en que realiza este trabajo es a partir de la conmutacin de
dispositivos de potencia.
1.2.1. Taller: Horno de induccin

El principio de calentamiento de un metal por medio de la induccin elctrica
fue descubierto por Michael Faraday en 1831. Un horno de induccin es un horno
elctrico en el que el calor es generado por la induccin elctrica de un medio
conductivo (un metal) en un crisol, alrededor del cual se encuentran enrolladas
bobinas magnticas.
Actividad: Preparar una presentacin de 10 minutos en donde se explique los
detalles del funcionamiento de un horno de induccin.
1.3. Interruptor y conmutacin

Las aplicaciones en electrnica de potencia pueden ser lineales o conmutadas,
sin embargo, es ampliamente entendido que cuando se habla de electrnica de
potencia se habla de conmutacin.
En las aplicaciones lineales los dispositivos semiconductores trabajan en su
zona lineal. Normalmente tienen un terminal de control (gate, base, etc.) y dos
terminales de potencia. La operacin es lineal desde el terminal de control (que
puede ser voltaje o corriente), cuya variacin altera proporcionalmente la impedancia del interruptor vista desde los terminales de potencia.
Por otro lado, en las aplicaciones conmutadas los dispositivos semiconductores trabajan en sus extremos de operacin lineal, es decir, abiertos (impedancia
tiende a infinito) y cerrados (impedancia tiende a cero). No hay puntos de operacin intermedia del dispositivo.
Como se mencion, las aplicaciones tradicionales en electrnica de potencia
son aplicaciones conmutadas, esto se debe a consumo de energa, eficiencia energtica. Para entender esto considere a los interruptores semiconductores como
interruptores ideales.
La potencia perdida por cualquier dispositivo conectado a una red elctrica se
puede calcular como (ecu. 1.1, Fig. 1.3):
(1.1)
p = vi
+
v
Figura 1.3: Dispositivo de circuito y su corriente i al aplicarle una diferencia de

energa potencial v.
En el caso ideal, si este dispositivo es un interruptor, se pueden presentar dos

condiciones de operacin: abierto y cerrado (Fig. 1.4). En la primera condicin de
operacin la corriente i es cero, mientras que en la segunda condicin de operacin
el voltaje v entre terminales es cero (corto circuito). En ambos casos segn la
ecu. 1.1 la potencia disipada por el dispositivo es cero.
(a) i = 0
(b) v = 0
Figura 1.4: Interruptor ideal. (a) Circuito abierto, i = 0. (b) Circuito cerrado, v = 0.
La eficiencia del dispositivo se calcula como (ecu. 1.2):
Pin Pperdidas
Pout
=
Pin
Pin
(1.2)
Y, como en este caso ideal observamos que las prdidas son cero, entonces el
interruptor tiene una eficiencia del 100 %.
En contraste, en operacin lineal el dispositivo siempre tiene un voltaje y una
corriente sobre el (Fig. 1.3), por lo que siempre tiene una eficiencia inferior al
100 %. En aplicaciones de potencia la corriente es alta, y por tanto las prdidas
considerables, razn por la que operacin lineal nunca se tiene en cuenta en aplicaciones serias.
Captulo 2
Dispositivos semiconductores de
potencia
Si se analiza la capacidad de conduccin de un dispositivo de circuito elctrico, es posible categorizarlo por su capacidad de conduccin de corriente, y por su
capacidad de cortar tensin o voltaje. Considere la Fig. 2.1, se trata de un plano
cartesiano donde se puede representar las capacidades de conduccin de un interruptor. En el eje horizontal se representan los voltajes, positivos y negativos, y en
el eje vertical a las corrientes, tambin positivas y negativas.
i
2
Figura 2.1: Cuadrantes de conduccin de un interruptor elctrico.
Si un interruptor es capaz de conducir corriente elctrica en ambos sentidos

7
CAPTULO 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
(corrientes positivas y negativas, que corresponderan a todo el eje vertical de la

Fig. 2.1), entonces se dice que se trata de un interruptor bidireccional (un trozo
de alambre de cobre hace muy bien este truco). Si solo conduce una de las dos
(positivas o negativas), entonces se trata de un interruptor unidireccional.
De forma similar, si un interruptor es capaz de cortar tensin tanto positiva
como negativa (todo el eje horizontal de la Fig. 2.1), entonces se trata de un interruptor bipolar. Si solo es capaz de hacerlo con una de las dos (positiva o negativa),
entonces es un interruptor unipolar.
Consideremos el caso del diodo de unin PN. Este dispositivo se introducir
ms adelante, pero probablemente la mayora de los que estudian electrnica de
potencia ya lo han trabajado en sus circuitos. La Fig. 2.2 muestra a la derecha la
representacin esquemtica de dicho elemento conectado a un circuito, es decir,
con una diferencia de tensin entre sus terminales y la corriente que experimenta
por dicha causa. A la derecha se observa su curva v-i resultado de un barrido
de operacin (medicin de corriente para diferentes valores de voltaje). Dicha
curva considera operacin del diodo como rectificador (por ahora no pensar en
operacin zener).
i
+
Conduccin
v
i
v
Bloqueo
Figura 2.2: Diodo de unin PN y su curva v-i.
De la Fig. 2.2 se puede observar que el diodo es un interruptor de un solo

cuadrante (conduce solamente en el cuadrante 1).
2.1. Interruptores semiconductores

Los interruptores semiconductores utilizados hoy en da en electrnica de potencia son:
Diodos de potencia.
Tiristores.
Transistores bipolares de potencia.
MOSFET.
IGBT
2.1.1. Diodos de potencia

Es el nico interruptor sin terminal de control (solo posee terminales de potencia). La mayora de sus aplicaciones son en rectificacin, recorte de seales y
proteccin. Pueden ser de tres tipos:
2.1.1.1. De uso general
Son normalmente empleados para rectificar seales alternas de 60 Hz (o 50 Hz,
de la red pblica de potencia), aunque tambin se utilizan en otros casos siempre
que la frecuencia de la seal sea baja. La capacidad para manejar altas potencias
se logra agregando una capa intermedia de material semiconductor intrnseco entre las capas PN del diodo, razn por la que se le conoce como diodo PIN. En la
prctica, la capa intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad o bien por una capa N de alta resistividad. Se consiguen comercialmente con
valores de hasta 6000 V y 4500 A, con tiempos de recuperacin inversa de 25 s.
10
2.1.1.2. Recuperacin rpida (fast recovery)

Son diodos rectificadores capaces de trabajar con seales de mayor frecuencia,
ya que pueden conseguirse con tiempos de recuperacin inversa entre 0.1 y 5 s.
Se consiguen comercialmente con valores de hasta 6000 V y 1100 A.
2.1.1.3. Schottky
Los diodos Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de
recuperacin muy pequeo, tpicamente en nano-segundos. La corriente de fuga
aumenta con el voltaje y sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A.
2.1.2. Tiristores
Es un interruptor que tiene cuatro o ms capas de semiconductor dopado, por
lo que utiliza realimentacin interna para producir una conmutacin. Se activan
por su terminal de control (gate), y solo se apagan con un voltaje de nodo igual
o menor al de ctodo (no se pueden apagar por la gate). Por esta razn son ideales
para su uso con seales seno de red (en los cruces por cero se puede apagar el
dispositivo). Tambin es posible el apagado forzado, pero requiere de un circuito
adicional.
Los tiristores son dispositivos con mucho tiempo en el mercado (desde los
aos 60s), muy maduros, e incluso considerados obsoletos para algunas aplicaciones. Se consiguen con valores de hasta 6000 V y 3500 A. El tiempo de apagado
esta entre 10 a 20 s. Los tiristores de uso comn son: SCR, TRIAC y GTO.
2.1.2.1. SCR
El rectificador controlado de silicio (SCR, Silicon-Controlled Rectifier) es un
tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN
o bien NPNP. El nombre proviene de la unin de Tiratrn (tyratron) y Transistor.
El SCR posee tres terminales: nodo, ctodo y gate (o compuerta). La gate es
la encargada de activar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona
11
bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta del
SCR no se inicia la conduccin y en el instante en que se aplique dicha tensin, el
tiristor comienza a conducir.
El SCR no se puede apagar con una seal en la gate (no importa si se quita la
seal de disparo o se utiliza una invertida). El SCR se apaga naturalmente cuando
trabaja con corriente alterna, en cada alternancia o semiciclo se apaga cuando la
corriente cruza por cero. Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito
de apagado forzado, o bien interrumpir el circuito.
El funcionamiento del SCR, como de cualquier otro tiristor, se puede entender
en trminos de un par de transistores de unin bipolar estrechamente acoplados,
dispuestos para causar la accin de auto-enclavamiento (Fig. 2.3).
Considere al SCR inicialmente abierto, pero polarizado en directo de nodo
a ctodo. Para activarlo se enva un pulso de conmutacin por la gate que en el
modelo equivalente es la base de Q2 . Este pulso debe ser suficiente para inducir
una corriente de colector en Q2 desde la base de Q1 hasta el emisor de Q2 . Esta corriente es tambin la corriente de base de Q1 , por tanto tambin se dispara Q1 . La
corriente de colector que se genera en Q1 alimenta la base de Q2 , manteniendolo
disparado, an si el pulso inicial de disparo desaparece. El SCR slo se apagar si
la corriente de nodo a ctodo cae por debajo de la corriente de mantenimiento.
El pulso de conmutacin inicial debe tener una magnitud y duracin de acuerdo al SCR. En el caso de corriente alterna, este pulso se debe repetir cada ciclo de
red. En este ltimo caso, segn se atrase o adelante el pulso de disparo, se controla
el punto (o la fase) en el que la corriente pasa a la carga.
Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de
un tiristor, ste puede dispararse y entrar en conduccin an sin la seal de gate.
Por ello se da como caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador
parsito existente entre la puerta y el nodo.
Los parmetros de inters de un SCR son los siguientes:

Ge
Ge
C

P
N
P
N
P
N
P
Ge
C
12
N
P
N
C

Q1
Q2
Ge
C
Figura 2.3: Modelo del SCR como dos transistores acoplados.
VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado.

VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado.
IF: Mxima corriente directa permitida.
PG: Mxima disipacin de potencia entre gate y ctodo.
VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la gate para el cebado
IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR.
dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado.
di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR.
13
2.1.2.2. TRIAC
El SCR es perfecto para controlar energa en sistemas que operan a frecuencia
de red. Uno de los problemas con el uso del SCR es que, como el diodo, el SCR es
un dispositivo unidireccional, es decir, que la corriente solo fluye en una direccin,
de nodo a ctodo.
Para circuitos que conmutan seales DC esta caracterstica unidireccional no
tiene inconvenientes ya que toda la potencia de la seal DC se enva a la carga. Pero en circuitos que conmutan seales AC esta caracterstica de conduccin puede
ser un problema ya que el dispositivo solo conduce la mitad del periodo (como un
rectificador d media onda), cuando el nodo se polariza positivamente. Eso significa que en operacin AC solo se entrega como mximo la mitad de la potencia a
la carga.
El TRIAC es un tiristor de tres terminales (A1 es nodo 1, A2 is nodo 2, y G
is Gate. nodo 1 y nodo 2 son normalmente llamados Main Terminal 1, MT1 y
Main Terminal 2, MT2) tambin diseado para controlar corriente (Fig. 2.4). Obtiene su nombre del trmino TRIode for Alternating Current (triodo para corriente
alterna). Corresponde a una evolucin del SRC, pero a diferencia de l el TRIAC
es un dispositivo bidireccional (Fig. 2.5).
Figura 2.4: TRIAC, construccin fsica, modelo y smbolo de circuito.
14
Figura 2.5: Formas de onda producidas por un SCR y un TRIAC en conmutacin.
La mayora de los TRIAC pueden ser disparados aplicando un voltaje positivo o negativo (depende del dispositivo) al terminal gate con respecto al nodo 1
(MT1). Una vez disparado el TRIAC continua conduciendo incluso si se elimina la seal de gate, hasta que la corriente en l caiga por debajo de cierto valor
llamado corriente de sostenimiento (holding current).
2.1.2.3. GTO
Un GTO (Gate Turn-Off Thyristor) es un tiristor unidireccional que puede ser
encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal gate, al igual
que el SCR, pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente
negativa en el mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de encendido como
el estado de apagado, son controlados por la corriente en la gate (Fig. 2.6).
Cuando un voltaje negativo es aplicado a travs de los terminales gate y ctodo, la corriente en la puerta ig crece. Cuando la corriente en la gate alcanza su
mximo valor, IGR, la corriente de nodo comienza a caer y el voltaje a travs del
dispositivo (VAK), comienza a crecer. El tiempo de cada de la corriente de nodo
(IA) tpicamente es menor a 1 s. Despus de esto, la corriente de nodo vara
lentamente, sta porcin de la corriente de nodo es conocido como corriente de

15
va
vg
e
ia

Figura 2.6: GTO y curvas de operacin funcional.
cola.
2.1.3. Taller: DIAC

Actividad: Preparar una presentacin de 10 minutos en donde se explique los
detalles y funcionamiento del DIAC.
2.1.4. Transistores bipolares de potencia

El funcionamiento y utilizacin de los transistores bipolares (BJT) de potencia
es idntico al de los transistores de seal. La diferencia entre ambos son constructivas, en relacin con las altas tensiones e intensidades que tienen que manejar, y
por tanto altas potencias a disipar (Fig. 2.7).
En cuanto a investigacin y nuevos diseos, no hay mucha actividad actualmente con ste transistor, dado que existen dispositivos de potencia con caractersticas de conmutacin superiores. Los BJT de potencia, como cualquier otro
BJT, se activan por corriente en la base, cuya magnitud tiene relacin con la corriente de colector (tienen una ganancia tpica de corriente entre 5 y 10, realmente
muy baja). Esto significa que a mayor corriente (potencia) mayor exigencia en el
circuito de manejo. Tambin tiene problemas para conmutar en altas frecuencias,

Saturacin
Cuasi-Saturacin
1/Rd
Ruptura Secundaria
IC(A)
IC
Ruptura Primaria
Activa
Corte
16
IB
IE
E
0
BVSUS BVCE0 BVCB0 VCE (V)
Figura 2.7: (a) Caracterstica de salida (IC frente a VCE ) del transistor NPN para
distintas corrientes de base: IB5 > IB4 > ...IB1, (b) Esquema del BJT tipo NPN.
en general no se consiguen dispositivos a ms de 80 kHz. Considerando las prdidas, es posible trabajar con ellos hasta unos 1000 V y 400 A. Estos transistores
de potencia se construyen empleando una estructura vertical y en forma de pequeas celdas en paralelo a fin de reducir la resistencia en conduccin y aumentar la
frecuencia de conmutacin (Fig. 2.8).
Sin embargo, para un determinado dispositivo, no es posible operarlo a sus
valores mximos de voltaje y corriente. El fabricante suministra una zona de operacin segura que depende de la frecuencia d conmutacin (Fig. 2.9).
De consideracin especial con este transistor es la configuracin Darlington.
Gracias a este arreglo es posible obtener un transistor BJT con mayor impedancia
de entrada (Fig. 2.10).
De la Fig. 2.10 se puede ver que (asumiendo que los transistores operan en su
zona lineal):
IC = IC2 = 2 IB2
(2.1)
y debido a la conexin del arreglo se tiene que:

IB2 = IC1 = 1 IB1 = 1 IB
(2.2)

Base
17
Emisor
n+
n+
n+
s
an
n+
na
de
p
ex
Zo
nn+
Colector
Figura 2.8: Seccin vertical de un transistor bipolar de potencia multiemisor tipo

NPN.
IC
f3
f2
ICM
f1
Lmite
trmico
dc
Avalancha
Secundaria
VCE0 VCE
Figura 2.9: Zona de operacin segura del transistor BJT.
por lo tanto:
18
Figura 2.10: Configuracin Darlington de dos transistores BJT.
IC = 2 (1 IB ) = 1 2 IB
(2.3)
2.1.5. MOSFET
El nombre de MOSFET viene dado por las iniciales de los elementos que lo
componen: una fina pelcula metlica (Metal M), xido de silicio (xido O), y
regin semiconductora (Semiconductor S) (Fig. 2.11). En su fabricacin se emplean tcnicas que son similares a las utilizadas en los circuitos integrados VLSI,
pero la geometra del dispositivo as como sus niveles de voltaje y corriente son
diferentes. El MOSFET se basa en el diseo original del transistor de efecto de
campo introducido en los 70s [1].
El desarrollo del MOSFET fue en cierta medida impulsado por las limitaciones
del transistor BJT, dispositivo que tradicionalmente se utiliz en las aplicaciones
de electrnica de potencia. El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, que para grandes corrientes de colector requiere una importante cantidad
de corriente de base. Adems, requiere grandes corrientes inversas en la base si
se quiere un rpido apagado. A pesar de las avanzadas tcnicas de fabricacin, y

Source
Gate
Oxide
19
Polysilicon
Gate
Source
Metallization
p+ Body Region
n+
Channels
n+
p
Drift Region
p+
D
n- Epi Layer
G
n+ Substrate
(100)
Drain
Metallization
Drain
ID
0
0
VT
VGS
Figura 2.11: MOSFET: (a) Esquema de estructura, (b) Esquemtico, y (c) Caracterstica de transferencia [1].
su bajo costo, estas limitaciones hacen que el diseo del circuito drive sea ms
complicado y costoso que un MOSFET [1].
Otra limitacin de los transistores BJT es que tanto los electrnes como los
huecos contribuyen a la conduccin, la presencia de huecos con portadores de
mayor tiempo de vida hace que la velocidad de conmutacin sea de varios rdenes de magnitud ms lenta que para un MOSFET de similar tamao y voltaje.
Adems, los BJT sufren de fuga trmica. Su cada de tensin en conduccin direc-
20
ta disminuye con el aumento de temperatura, haciendo la que la corriente circule

por un nico dispositivo cuando estn en paralelo varios transistores [1].
De otro lado, los MOSFET son dispositivos portadores mayoritarios sin la
inyeccin de portadores minoritarios. Son superiores a los BJT en aplicaciones
de alta frecuencia donde las prdidas por conmutacin son importantes. Adems,
pueden soportar la aplicacin simultnea de alta corriente y tensin sin experimentar un fallo destructivo debido a la segunda avalancha. Los MOSFET pueden
adems ser conectados en paralelo fcilmente ya que el voltaje en conduccin aumenta con el aumento de la temperatura asegurando una adecuada distribucin
de corriente entre todos [1]. Sin embargo, manejan valores inferiores de voltaje y
corriente (Fig. 2.12).
Holdoff Voltage (V)
2000
1500
Bipolar
Transistors
1000
MOS
500
0
10
100
1000
Maximum Current (A)
Figura 2.12: Limites de voltaje y corriente para MOSFET y BJT [1].
La Tabla 2.1 muestra un resumen comparativo de los parmetros ms importantes de estos dos transistores a la hora se utilizarlos como interruptores de potencia.
21
Tabla 2.1: Resumen comparativo de parmetros: transistor bipolar y MOSFET

Parmetro
Bipolar
MOSFET

Impedancia de entrada
Media 104
Alta 1010

Ganancia en corriente
Media (10-100)
Alta 107
Resistencia en conduccin
Baja
Media/alta
Resistencia en corte
Alta
Alta
Voltaje mximo
Alto (1200 V)
Alto (1000 V)
Temperatura mxima
Media (1500 C)
Alta (2000 C)
Frecuencia
Baja (10-80 kHz) Alta (100-500 kHz)
Costo
Medio
Alto
2.1.6. IGBT
El IGBT (Insulate Gate Bipolar Transistor) combina las ventajas de los BJT
y los MOSFET. Tiene una impedancia de entrada elevada, como los MOSFET, y
gran manejo de corriente y bajas perdidas en conmutacin como los BJT, pero sin
el problema de segunda ruptura, por lo que puede trabajar a elevada frecuencia y
con grandes intensidades.
Figura 2.13: IGBT: Esquemtico y circuito equivalente.

Los IBGT fueron inventados hace poco tiempo, pero su evolucin ha sido
rpida debido a que han demostrado tener una resistencia en conduccin muy
baja y una elevada velocidad de conmutacin (la transicin desde el estado de
conduccin al de bloqueo se puede considerar de unos dos microsegundos, y la
22
frecuencia puede estar en el rango de los 50 kHz), adems de una elevada tensin
de ruptura. Los IGBT se fabrican desde una tensin de 1400 V y una corriente de
300 A, a una tensin de 600 V y una corriente de 50 A.
El control por tensin hace que el IGBT sea ms rpido que el BJT, pero ms
lento que el MOSFET. La energa aplicada a la puerta que activa el dispositivo
es pequea con una corriente del orden de los nano amperios, esta pequea potencia necesaria para conmutar el dispositivo, hace que pueda ser controlado por
circuitos integrados.
2.2. Resumen
En conclusin, un interruptor semiconductor para su uso en aplicaciones de
electrnica de potencia debe tener las siguientes caractersticas:
Dado que se trata de un interruptor, debe tener dos estados claramente definidos: uno de alta impedancia (abierto) y otro de baja impedancia (cerrado).
Debe ser posible controlar el paso de un estado a otro, idealmente con bajo
consumo de potencia.
El interruptor debe ser capaz de manejar grandes corrientes en conduccin,
y altas tensiones cuando est cerrado.
Es ideal que en estado de conduccin se presenten bajas prdidas.
Velocidad de conmutacin acorde con la aplicacin.
Es conveniente aclarar desde ya que estos interruptores son reales, y a diferencia del interruptor ideal si consumen potencia durante la conmutacin (no es
instantnea, y durante algunos instantes existe sobre el interruptor un voltaje y
una corriente). Esto significa que a mayor frecuencia de conmutacin, mayor disipacin de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia. Las
Fig. 2.14 y Fig. 2.15 tratan de resumir de forma grfica los lmites de operacin
de todos estos interruptores semiconductores.

Tiristor
otencia [kVA]
10000
1000
23
GTO
100
IGBT
Bipolar
10
MOSFET
1
0.1
10
100
Frecuencia [kHz]
1000
Figura 2.14: Limites de operacin para semiconductores de potencia de acuerdo a

potencia neta.
Figura 2.15: Limites de operacin para semiconductores de potencia de acuerdo a

potencia en la aplicacin.
Captulo 3
Estrategias de modulacin
3.1. Objetivos del proyecto
A continuacin se transcriben los objetivos formulados en la propuesta de investigacin.
3.1.1. Objetivo General

Desarrollar ...
24
Captulo 4
Convertidores AC/DC:
Rectificadores

Desarrollar ...
25
Captulo 5
Convertidores AC/AC:
Convertidores estticos de
frecuencia

Desarrollar ...
26
Captulo 6
Convertidores DC/AC: Inversores

Desarrollar ...
27
Captulo 7
Convertidores DC/DC: Reguladores
DC

Desarrollar ...
28
Captulo 8
Componentes magnticos en SMPS

Desarrollar ...
29
Captulo 9
Factor de potencia y distorsin
armnica

Desarrollar ...
30
Bibliografa
[1] V. Barkhordarian, Power MOSFET basics, tech. rep., International Rectifier,
2005.
31

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Electrnica de Potencia

ARMOS Research Group

1.2.1. Taller: Horno de induccin . . . . . . . . . . . . . . . . .

2. Dispositivos semiconductores de potencia

Recuperacin rpida (fast recovery) . . . . . . .

2.1.4. Transistores bipolares de potencia . . . . . . . . . . . . .

4.1. Objetivos del proyecto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5. Convertidores AC/AC: Convertidores estticos de frecuencia

5.1.1. Objetivo General . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

6. Convertidores DC/AC: Inversores

6.1.1. Objetivo General . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

7. Convertidores DC/DC: Reguladores DC

8. Componentes magnticos en SMPS

8.1. Objetivos del proyecto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3. Dispositivo de circuito y su corriente i al aplicarle una diferencia

1.4. Interruptor ideal. (a) Circuito abierto, i = 0. (b) Circuito cerrado,

2.1. Cuadrantes de conduccin de un interruptor elctrico.

2.2. Diodo de unin PN y su curva v-i. . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.4. TRIAC, construccin fsica, modelo y smbolo de circuito. . . . .

2.6. GTO y curvas de operacin funcional. . . . . . . . . . . . . . . .

2.14. Limites de operacin para semiconductores de potencia de acuerdo a potencia neta. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.15. Limites de operacin para semiconductores de potencia de acuerdo a potencia en la aplicacin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.2. Aplicaciones de la electrnica de potencia

Figura 1.1: Campos de accin de la electrnica de potencia.

mediante cambios en la corriente de armadura del generador DC (generador de

Figura 1.2: Sistema Ward-Leonard.

Hoy en da esto se ha reemplazado con electrnica. De hecho, ya no es tan

1.2.1. Taller: Horno de induccin

1.3. Interruptor y conmutacin

Figura 1.3: Dispositivo de circuito y su corriente i al aplicarle una diferencia de

En el caso ideal, si este dispositivo es un interruptor, se pueden presentar dos

La eficiencia del dispositivo se calcula como (ecu. 1.2):

Figura 2.1: Cuadrantes de conduccin de un interruptor elctrico.

Si un interruptor es capaz de conducir corriente elctrica en ambos sentidos

CAPTULO 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

(corrientes positivas y negativas, que corresponderan a todo el eje vertical de la

Figura 2.2: Diodo de unin PN y su curva v-i.

De la Fig. 2.2 se puede observar que el diodo es un interruptor de un solo

CAPTULO 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

2.1. Interruptores semiconductores

2.1.1. Diodos de potencia

CAPTULO 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

2.1.1.2. Recuperacin rpida (fast recovery)

CAPTULO 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

CAPTULO 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado.

CAPTULO 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Figura 2.4: TRIAC, construccin fsica, modelo y smbolo de circuito.

CAPTULO 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Figura 2.5: Formas de onda producidas por un SCR y un TRIAC en conmutacin.

CAPTULO 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

2.1.3. Taller: DIAC

2.1.4. Transistores bipolares de potencia

CAPTULO 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

y debido a la conexin del arreglo se tiene que:

CAPTULO 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Figura 2.8: Seccin vertical de un transistor bipolar de potencia multiemisor tipo

CAPTULO 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Figura 2.10: Configuracin Darlington de dos transistores BJT.

CAPTULO 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

CAPTULO 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

ta disminuye con el aumento de temperatura, haciendo la que la corriente circule

Holdoff Voltage (V)