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Arreglos atmicos
Con la finalidad de estudiar la microestructura y las propiedades de un material, es importante
conocer sus arreglos de tomos y de iones. Los materiales se suelen clasificar en base a sus
arreglos, tomando en cuenta su estructura de red base y cristalina.
Los estados de la materia definen cuatro clases de arreglos atmicos o inicos
En este tipo de arreglos, se da un fenmeno que afecta a las estructuras cristalinas, los
sitios intersticiales, son los huecos entre los tomos, espacios vacos en estas
estructuras que pueden alojar tomos ms pequeos. Cuando se coloca un
tomo en un sitio intersticial, este toca dos o ms tomos de la red. El nmero
de coordinacin de este, est dado por la cantidad de tomos en contacto con l.
Un sitio cubico (por ejemplo una celda cubica) un tomo pequeo cntrico define a
este tipo de sitio, en la figura1, el nmero de coordinacin es ocho, por el contacto
con
los tomos de los vrtices, los sitios octadricos producen nmeros de coordinacin
de seis y no ocho. Se llama octadrico porque los tomos que tocan al tomo
Figura 1 Carbon atom in an
intersticial forman un octaedro, y los tomos mayores ocupan los puntos de
octahedral interstice in
red normales.
austenite
Defectos e imperfecciones
Defectos puntuales
Son interrupciones localizadas en arreglos atmicos o inicos, esta alteracin afecta una
regin donde intervienen varios tomos en una estructura cristalina. Se dan a nivel de
posiciones de los tomos individuales, los principales defectos puntuales son los siguientes
o Vacancias
Son puntos de red vacos en la estructura del material, estos
lugares deberan estar ocupados por tomos (sera el caso
ideal) pero se encuentran vacos
o tomos Sustitucional
En teora, un material puro est formado exclusivamente por el
mismo tipo de tomos, pero los materiales reales no son 100%
puros, i no que poseen impurezas que se definen como tomos
diferentes a los tomos del material original, cuando uno de
estos tomos diferentes sustituye a un tomo original, ocupa su
punto de red.
o tomos Intersticiales
Son tomos que ocupan lugares que no estn definidos en la
estructura cristalina. En otras palabras son tomos cuya posicin no est definida por
un punto de red, normalmente estos tomos se colocan en los intersticios que se
forman entre los tomos originales, esos son los tomos intersticiales
Defectos lineales y dislocaciones
Se dan a nivel de tomos confinados generalmente en
un plano. Los defectos lineales ms importantes en los
materiales son las dislocaciones. Estas se generan
durante la solidificacin o deformacin plstica de los
materiales cristalinos y consisten en plano extra de
tomos insertados en la estructura cristalina. Las
dislocaciones estn formadas por los tomos
originales del material (No por impurezas).
Las dislocaciones tienen 2 caractersticas importantes.
o Tienen la capacidad de moverse o desplazarse
en el interior del material
o Cuando una dislocacin se desplaza, se divide.
Aumentando el nmero de dislocaciones que
hay en el material.
Defectos de superficie
Son imperfecciones en la estructura cristalina, ubicados en un rea determinada del material.
Los principales defectos de superficie son la misma superficie del material y las fronteras de
Ley de Fick
La experiencia nos demuestra que cuando abrimos un frasco de perfume o de cualquier otro
lquido voltil, podemos olerlo rpidamente en un recinto cerrado. Decimos que las molculas
del lquido despus de evaporarse se difunden por el aire, distribuyndose en todo el espacio
circundante. Lo mismo ocurre si colocamos un terrn de azcar en un vaso de agua, las
molculas de sacarosa se difunden por todo el agua. Estos y otros ejemplos nos muestran
que para que tenga lugar el fenmeno de la difusin, la distribucin espacial de molculas no
debe ser homognea, debe existir una diferencia, o gradiente de concentracin entre dos
puntos del medio.
Bibliografa
William D. Callister. (2007). Introduccin a la ciencia e ingeniera deMecanismo
materiales.de
Barcelona,
difusin Espaa:
REVERT S.A..
Mecanismo
de difusin por
intersticial
vacantes
Jairon Francisco. (2009). Arreglos atmicos e inicos - Captulo 3. Febrero 17, 2016, de Askeland y
Phul Sitio web: http://analisismateriales.blogspot.mx/2009/11/arreglos-atomicos-e-ionicos.html
James F. Shackerfold. (1998). Introduccion a la ciencia de materiales para ingenieros. Febrero 17,
2016, de Universidad Carlos III de Madrid Sitio web: http://ocw.uc3m.es/ciencia-e-oin/tecnologia-demateriales-industriales/material-de-clase-1/Tema3-Defectos_los_materiales.pdf
(2003). Tema 3 - Defectos en las estructuras cristalinas. Febrero 18, 2016, de Universidad
Centroamericana Jose Simen Caas Sitio web:
http://www.uca.edu.sv/facultad/clases/ing/m210031/Tema%2003.pdf
Booth C., Beer T., Penrose J. Diffusion of salt in tap water. Am. J. Phys. 46 (5) May 1978. pp. 525527.