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CAPITULO

Anlisis de pequea
seal del BJT
--]

r
L-

8.1

INTRODUCCION

Los modelos de transistores que se presentaron en el captulo 7 se utilizarn ahora para


realizar el anlisis de ea de pequea seal de un buen nmero de configuraciones estndar
de redes con transistor. Las redes que se analizarn representan la mayor parte de las que
aparecen en la prctica actual. Las modificaciones de las configuraciones estndar se
examinarn con relativa facilidad una vez que el contenido de este captulo se haya
revisado y entendido.
Ya que el modelo re es sensible al punto de operacin real, ser nuestro modelo principal para el anlisis que se realizar. Sin embargo, para cada configuracin se examina el
efecto de una impedancia de salida como se proporciona mediante el parmetro hoe del
modelo equivalente hbrido. Para demostrar las semejanzas que existen en el anlisis
entre los modelos, se ha dedicado una seccin al anlisis de pequea seal de redes BJT
empleando nicamente el modelo equivalente hbrido. El anlisis de este captulo no
incluye una resistencia de carga RL o resistencia de fuente RS' El efecto de ambos
parmetros se ha reservado para mtodos de aproximacin de sistemas en el captulo 10.
La seccin de anlisis por computadora incluye una breve descripcin del modelo de
transistor empleado en el paquete de programacin PSpice. Ello demuestra el alcance y
profundidad de los sistemas para anlisis por computadora disponibles en la actualidad y
cun relativamente fcil es introducir una red compleja y obtener la impresin de los
resultados deseados. Se incluye un programa en BASIC para permitir una comparacin
entre el empleo de un paquete de programacin y un lenguaje para computadora.

8.2

CONFIGURACION DE EMISOR COMUN


CON POLARIZACION FUA

La primera configuracin que se analizar en detalle es la red de emisor comn con


polarizacin fija de la figura 8.1. Ntese que la seal de entrada Vi se aplica a la base del
transistor, en tanto que la salida Vo est en el colector. Adems, obsrvese que la corriente
de entrada li no es la corriente de base si no la corriente de la fuente, en tanto que la corriente de salida lo es la corriente de colector. El anlisis de pequea seal ea se inicia
eliminando los efectos de cd de Vee y sustituyendo los capacitores de bloqueo a cd, el y
e2' mediante equivalentes en corto circuito, lo que produce la red de la figura 8.2.
En la figura 8.2 obsrvese que la conexin a tierra comn de la alimentacin de cd
con el resistor del emisor permite la reubicacin de RB y Re en paralelo con las secciones
de entrada y salida del transistor, respectivamente. Por otra parte, ntese la colocacin de
los importantes parmetros de red Zi' Zo' li e lo en la red redibujada. Sustituyendo el
modelo re para la configuracin de emisor comn de la figura 8.2 se producir la red de
la figura 8.3.

336

][
\iee

Re

-..
-..

RB

lo

1;

Vio-----)

(------o Vo
e2

-..
V;

el

20

Vo
lo

Re

20

RB

2;

2;

Figura 8.1 Configuracin


con polaridad fija.

-..

1;

de emisor comn

Figura 8.2 Red de la figura 8.1 despus de la


eliminacin de los efectos de VeCo e 1 y e2.

-..
-..

lb

1;

V;
Figura 8.3 Sustitucin del modelo re
en la red de la figura 8.2.

+ 2;

'='

le

f3re

RB

'='

~ f31"

Re

lo

+
Vo

El siguiente paso es hallar f3 y re' La magnitud de f3 se obtiene comnmente de una


hoja de especificaciones o por medicin directa a travs de un trazador de curvas o un
instrumento para evaluacin de transistores. El valor de re se debe determinar de un anlisis de cd del sistema. Suponiendo que tanto f3 como re se han determinado, se llegar a la
siguiente ecuacin para las importantes caractersticas de dos puertos del sistema.
Zi: La figura 8.3 revela con claridad que
(8.1 )

ohms

Para la mayora de las situaciones RB es mayor que f3re en un factor de ms de 10


(recurdese, del anlisis de elementos paralelos, que la resistencia total de dos resistores
en paralelo es siempre menor que el valor de la ms pequea y muy cercana al valor de
sta si una es mayor que la otra), permitiendo la siguiente aproximacin:
Z == f3re

ohms

(8.2)

Zo: Recurdese que la impedancia de salida de cualquier sistema se define como


la impedancia Zo que se determina cuando Vi = O. Para la figura 8.3, cuando V = O,
I = lb = O, lo que resulta en un corto circuito equivalente para la fuente de corriente. El
resultado es
Zo=Rc

ohms

(8.3)

Av: Al resolver para Va se obtiene


Vo =-loRc
El signo menos especifica que la polaridad de Va es opuesta a la definida por la direccin
indicada de lo, Al sustituir lo = ftlb llegamos a
Vo = -f3lbRC
8.2

Conguracn

de emisor

comn

con polarizacin

fija

337

][
Suponiendo que RB ~ j3re hace posible la aproximacin lb =/, se tiene que
Vo = -f3IRe
pero

V
V
1=-=1
Z
f3re

v, =

-f3(;

re

Vo
A v --V. -

)Re
(8.4)

Re
re

Advirtase la ausencia explcita de f3 en la ecuacin (8.4), aunque reconocemos


debe utilizarse para determinar re'
A: La ganancia de corriente se determina de la siguiente manera:

lo

A = /.

==

que

f3

(8.5)

f3

El signo de igualdad aproximada de la ecuacin (8.5) se debe a la suposicin de que


RB ~ j3re'
Relacin de fase:
El signo negativo en la ecuacin resultante para Av revela que
ocurre un desfasamiento de 1800 entre las seales de entrada y de salida, como se ilustra
en la figura 8.4.

Figura 8.4 Demostracin del desfasamiento


de 1800 entre las formas de onda de entrada
y de salida.

Efecto de r o: Al incluir ro en el circuito de salida de la figura 8.3 se obtendr como


resultado la red de salida de la figura 8.5. Z permanecer sin cambio, pero ahora Zo
estar definida por
(8.6)
Zo=ToIIRC

Sin embargo, como ro es en general mucho mayor que Re' la ecuacin (8.3) puede aplicarse a menudo con un alto grado de precisin. De hecho, si suponemos que ro 11 Re ==
Re. las ecuaciones para Av y A no sern afectadas. Si ro.debe incluirse, la ganancia de
voltaje ser

(8.7)

Para determinar A, la ganancia de corriente, lo de la figura 8.5, se determina, en primer


lugar, mediante la regla del divisor de corriente:
Figura

8.5 Inclusin de

To

en

el circuito de salida del circuito


equivalente de emisor comn.

338

Io =
Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

][
y la ganancia de corriente

1
A=-21

1
= _o

= (rf3)

1
_b

t,

lb

(=1)

o.

ro + Re

(8.8)

Para la red de la figura 8.6:


(a) Determine re'
(b) Encuentre Z (con r 0=00 n ).
(e) Calcule Zo (con "o = n).
(d) Determine Av (con r0=
n).
(e) EncuentreA (con ro = n).
(f) Repita los incisos (e) al (e) incluyendo ro = 50
los resultados.

EJEMPLO 8.1

00

00

00

kn

.----~--O

470kQ

12 V

~ lo

(------o
io

Vo----)J---+------I

en todos los clculos y compare

I1F

f3 = 100

10 I1F

V
o

z,

'0= 50kQ

~
Z

Figura 8.6 Ejemplo 8.1.

Solucin
(a) Cd anlisis:

12 V - 0.7 V
470 k

1 -' Vee - VBE


RB

B -

le = (f3

26 mV

26 roV
2.428 roA

(b)

+ 1)18 = (101)(24.04
=

24.04 J-LA

J-LA) = 2.428 roA

10.71 fi

Br, = (100)(10.71 D.) = 1.071 kD.


Z = RBIIf3re

(e) Z;
(d) Av

Re

3 kfi

Re
-re

= -

(e) A:= f3

470 kD.111.071k
3 kD.
10.71 D.

1.069 kfi

-280.11

= 100

(f) Z = rollRe = 50 kD.113kD. = 2.83 kfi vs. 3 k

rollRe
re

Av

= ---

ro

rof3
+ Re

2.83 k

10.71

-264.24

(50 k)(lOO)
50 kD. + 3 kD.

8.2

VS.

= 94.34

-280.11
VS.

100

Configuracin de emisor comn con polarizacin fija

339

l[
8.3 POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE
La siguiente configuracin que se analizar es la red de polarizacin por divisor de
voltaje de la figura 8.7. Recurdese que el nombre de la configuracin resulta de la
polarizacin por divisor de voltaje en el lado de la entrada para determinar el nivel de cd
de VB'

Rl

(------o Vo
e2

Vio----)

~
Zo

el
~
Z

R2

eE
Figura 8.7 Configuracin
por divisor de voltaje.

de polarizacin

La sustitucin del circuito equivalente aproximado dar re como resultado la red de


la figura 8.8. Ntese la ausencia de RE debido al efecto de impedancia en corto circuito
de eg Esto es, a la frecuencia (o frecuencias) de operacin, la reactancia del capacitor es
tan pequea comparada con RE y los otros parmetros de la red que se trata como un
corto circuito a travs de RE' Cuando V
se establece a cero, se coloca un extremo de
R y Re al potencial de tierra o referencia, como se ilustra en la figura 8.8. Adems,
ntese que R y R2 permanecen como parte del circuito de entrada mientras que Re es
parte del circuito de salida. La combinacin en paralelo de R y R2 se define por

ce

(8.9)

~lb

~
Z

pr.

R2

Rl

Re

lo

Vo

~
Zo

'-----y-J
R'
Figura

8.8 Sustitucin del circuito equivalente

Zi:

r. en la red equivalente

De la figura 8.8,

I
Zo:

de ea de la figura 8.7

Z =

R'IIf3re

(8.10)

De la figura 8.8,
(8.11)

340

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

][

Re

=--V
re

(8.12)

Ai : Ya que la resistencia R' es con frecuencia demasiado cercana en magnitud aj3re


para ser ignorada, el efecto de R' debera incluirse en la ecuacin de ganancia de corriente.
Haciendo referencia a la ecuacin 8.8, obtenemos

lb =

lb

T;

m,
R' + I3re

(regla de divisor de corriente)

R'
= R' + I3re

Para el extremo de salida,

o
La ganancia de corriente

(8.13)

Relacin de fase: El signo negativo de la ecuacin (8.12) revela un desfasamiento


de 1800 entre Vo y V{
Efecto de ro: Si se incluye ro' el circuito de salida tendr el mismo aspecto que el
de la figura 8.5. La impedancia de entrada no se ve afectada y
(8.14)
Para la ganancia de voltaje,
(8.15)

Para la ganancia de corriente se deriva la ecuacin siguiente de la figura 8.5:

8.3

Polarizacin por divisor de voltaje

341

][
mientras que se deriv la siguiente para esta configuracin:
lb

R'

T;=

R'+f3re

Utilizando el.hecho de que

obtenemos

A=

rof3

r; +Rc

R'
R'+ f3re

(8.16)

La complejidad de la ecuacin (8.16) sugiere que volvamos a una ecuacin del tipo de la
ecuacin (7.10), que utiliza los resultados anteriores. Es decir,

(8.17)

EjEMPLO

8.2

Para la red de la figura 8.9, determine:


(a) re'
(b) Zi'
(e) Zo'
(d) Av'
(e) Ai'
(f) Los parmetros de los incisos (b) al (e) si ro
resultados.

lIhoe

50 kQ

Y compare

los

22 V

56kQ
10 J.F
V0----)1---+-----1

.....
I

120

8.2kQ

":"

J.F

Solucin
(a) CD: Al probar f3RE > 10 R2
(90)(1.5 kQ) > 10(8.2 kQ)
135 kQ > 82 kQ se satisface
342

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

Figura 8.9 Ejemplo 8.2

][
Empleando el enfoque aproximado
V =
R2
V
8.2 kl (22 V) - 2 81 V
B
R + R2
ee - 56 kl + 8.2 kl - .

VE

= VB

le

= -RE =

V BE

VE

2.81 V - 0.7 V

2.11 V
k
1.5 A
u

26 mV

2.11 V

1.41 mA

26 mV

= 1. 4 1 mA = 18.44 fi
R' = RIIIR2 = (56 kl)II(8.2 kl) = 7.15 kl
Z = R'lll3re = 7.15 klll(90)(18.44!1) = 7.15 klll1.66 k!1
re

(b)

1.35 kfi

(e) Z = Re = 6.8 kfi


(d) Ay

= - Re = _ 6.8 kl = -368.76
re

(e A)

=
R'

18.44 l

R'I3
+ I3re

(7.15 kl)(90)
_
7.15 kl + (90)(18.44 l) - 73.0

(f) Z = 1.35 kfi


Z

= Rcllro = 6.8 kll150 kl = 5.98 kfi

Ay

= ---

Rcllro
re

= -

5.98 k!1
844 A
1.
u

vs. 6.8 kl

-324.3 vs. -368.76

rol3
R'
(50 kl)(90)
[
7.15 k!1
]
ro + Re R' + I3re - 50 k!1 + 6.8 k!1 7.15 k!1 + (90)(18.44 !1)
= (79.225)(0.812) = 64.33 vs. 73.0
o, haciendo uso de la ecuacin (8.17):
A =

-Ay-

Re

-(-324.3).

(1.35 k!1)
A
6.8 ku

= 64.38

con la leve diferencia debida al nivel de precisin llevado a travs de los clculos.

8.4

CONFIGURACION DE POLARIZACION DE EMISOR


PARA EMISOR COMUN

Las redes examinadas en esta seccin incluyen un resistor de emisor que puede o no,
ponerse en derivacin en el dominio de ea. Consideraremos en primer lugar la situacin
sin derivacin y luego modificaremos las ecuaciones resultantes para la configuracin
con derivacin.

Sin derivacin
Los aspectos fundamentales de las configuraciones sin derivacin aparecen en la figura
8.10. Al sustituir el modelo re se tendr como resultado la configuracin de la figura
8.11. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al extremo de entrada de la ecuacin
(8.11) obtenemos
V = Ibf3re + I.RE
V = Ibf3re + (f3 +l)I~E
o
y la impedancia de entrada viendo hacia la red a la derecha de RB es
V.
Zb =
= f3re + (f3 + l)IbRE

-b

8.4

Configuracin de polarizacin de emisor para emisor comn

343

][
e

Vi

Figura 8.10 Configuracin


emisor comn.

de polarizacin

para

Figura 8.11 Sustitucin del circulo equivalente

re en la red equivalente de ea

de la figura 8.10.

El resultado que se visualiza en la figura 8.12 revela que la impedancia de entrada de


un transistor con un resistor sin derivacin Rp; se determina por

Zb = f3re

+ (f3 +

I)RE

(8.18a)

Ya que jJ es por lo regular mucho mayor que 1, la ecuacin aproximada es la siguiente:

(8.18b)

y
Figura 8.12 Definicin de la impedancia de
entrada para un transistor con un resistor de
emisor sin derivacin.

Puesto que RE es generalmente mucho ms grande que re' la ecuacin (8.19) puede
reducirse todava ms a
(8.19)
Zi:

Regresando a la figura 8.11, tenemos que


r

(8.20)

Z=RBIIZ,

Zo:
Con Vi igual a cero, lb = O Y jJlb puede reemplazarse
equivalente. El resultado es

por un corto circuito


(8.21)

Zo==Re

l,==j-

"
y

(8.22)

con

Sustituyendo Zb == jJ (re + RE) nos conduce a

I.
344

Av == Vv','

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

==-

Re

re + RE

(8.23)

][
y para la aproximacin

Zb == f3RE
(8.24)

Ntese de nuevo la ausencia de f3 en la ecuacin para Av.


Ai : La magnitud de RB es con frecuencia muy cercana a Zb para permitir la aproximacin lb = l. Aplicando la regla del divisor de corriente al circuito de entrada da por
resultado que

RBI
h=----"'-~
RB + Z;

RB

RB
+ z;

Adems

lo

A-=-

De modo que

/0
A-=-

(8.25)

A=-A
I

s:I

(8.26)

Relacin de fase: Los signos negativos en las ecuaciones (8.22) a la (8.24) revelan
de nuevo un desfasamiento de 180 entre VoY Vi.
Efecto de r o : La colocacin de ro para esta configuracin es tal que para los valores
de parmetros tpicos el efecto de ro sobre la impedancia de salida y ganancia de voltaje se pueden ignorar.
El resultado es
0

(8.27)

(8.28)

con

A=-A~
I

(8.29)

Re

Con derivacin
Si RE en la figura 8.10 se encuentra en derivacin con un capacitor de emisor
ecuaciones desarrolladas se modificarn de la manera siguiente:

z; = f3re

8.4 Configuracin

Av

-__

eE,

las

Re

re

de polarizacin de emisor para emisor comn

345

][
EJEMPLOS.3

Para la red de la figura 8.13, sin

eE (sin derivacin)

determine:

(a) re
20V

(b) Zi'

Zo'

(c)

(d) Av
(e) Ai'
270kn

Figura 8.13 Ejemplo 8.3.

Solucin
1

(a) CD:

20 V - 0.7 V

Vee - VBE

= RB + ({3 + l)RE = 270 kO + (121)1.2 kO = 46.5


le = ({3 + 1)IB = (121)(46.5 /-LA) = 5.63 mA
B

= 26 mV = 26 mV = 4.62

re

5.63 mA

le

(b) Zb = {3re.-t; ({3 + l)RE

+ (121)1.2 kO

(120)(4.62 O)

553.2 0+ 145.2 kO
145.75 kO

contra 144 ill utilizando Zb == f3RE'


Z =

RBllzb

270 k011145.75 kO

= 94.65 kn
contra 93.91 ill empleando Z = RBIIf3RE.

kn

(e) Z

Re

(d) Av

---z: = -

5.6

{3Re

(120)(5.6 kO)
145.75 kO

= -4.61
contra -4.67 utilizando Av == -RdRE'

A
(e)

or

{3RB
RB + Zb

77.93

= -Av
=

346

Z
Re

(120)(270 kO)
270 kO + 145.75 kO

= -(-4.61)

(94.65 kO)
5.6 kO

77.92

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

/-LA

)[
EJEMPLO 8.4

Repita el ejemplo 8.3 con CE colocada en su sitio.


Solucin
(a) El anlisis de ed es el mismo y re = 4.62 n.
(b) RE es "corto-circuitado" por CE para el anlisis de ea. Por consiguiente,
Z = RBllZb = RBII,Bre = 270 knll(120)(4.62 n)
= 270 kn11554.4n == 553.26 n
(e) Z;

= Re = 5.6 kO

(d) Av

= --

Re
re

5.6 k!1

= - 4.62!1 = -1212.12
( )

RB

(un incremento significativo)

(120)(270 k!1)
270 k!1 + 554.4 !1

{3RB
+ Zb

119.75

Para la red de la figura 8.14, determine (empleando aproximaciones


(a) re'

EJEMPLO 8.5

apropiadas):

16V

(b) Zi'
(e) Zo'
(d) Av'
(e) Ai'
90kn

+-----1

-----<o

+
V"---------'I----+---~
~

el

t,

--+Z

lOW

Figura 8.14 Ejemplo 8.5.

Solucin
(a) Al probar ,BRE> 10 R2

(210)(0.68 kn) > 10(10 kn)


142.8 kn> 100 kn se satisface
VB

R2
R1

VE

= VB

le

=-

=
e

+ R2

ee
V BE

VE

RE

8.4

10 k!1
'16 V)
90 k!1 + 10 k!1 t

= 1.6

0.9 V
0.68 k!1

26 mV

le

V-O.

7V

= 1.324

26 mV
1.324 mA

= 0.9

= 1.6

mA

19.64 O

Configuracin de polarizacin de emisor para emisor comn

347

][
(b) El circuito de ea equivalente se proporciona en la figura 8.15. La configuracin
resultante es ahora diferente de la figura 8.11 por el solo hecho de que ahora
R' = RdlR2 = 9 k.O.

-..
+

2.2kl

Figura

90kl

10 kl

0.68 kl

8.15 El circuito equivalente

Al utilizar las aproximaciones

de ea de la figura 8.14.

adecuadas llegamos a

z; == {3R

Z = RBllzb

142.8 kn

9 k!l11142.8k!l

= 8.47 kn
(e) Z; = Re = 2.2

kn

Re
(d) Av

= - RE = -

2.2 kn
0.68 kn

(e) A = -Av Re = -( -3.24)


=

EJEMPLO 8.6

-3.24

(8.47 k!l)
2.2 k!l

12.47

Repita el ejemplo 8.5 con CE en su sitio.


Solucin
(a) El anlisis de cd es el mismo y as Tp = 19.64
(b) Zb = Br, = (210)(19.64 !l) == 4.12 kn

n.

Z = RBllZb = 9 k!l114.12kn
= 2.83 kn
(e) Z = Re = 2.2

Re

kn
2.2 k!l

(d) .Av = - -;; = - 19.64 k!l = -112.02 (un incremento significativo)


(e) A1

= -A -Z = -(-112.02)
v

RL

(2.83 k!l)
2.2 k!l

= 144.1

Otra variacin de una configuracin

polarizada de emisor se presenta en la figura

8.16. Para el anlisis de cd la resistencia de emisor es REt + RE2 mientras que para el
anlisis de ea el resistor RE en las ecuaciones anteriores es simplemente REt ya que
R E2 es corto. circuitado por CE348

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

][
Vcc

el
V

~t-------...-t

----..
t,

Figura 8.16 Una configuracin con


polarizacin de un emisor con una
porcin de la resistencia de emisor con
derivacin en el dominio de ea.

8.5

CONFIGURACION DE EMISOR SEGUIDOR

Cuando la salida se toma desde la terminal del emisor del transistor como se muestra en
la figura 8.17 la red recibe el nombre de emisor seguidor. El voltaje de salida siempre es
un poco menor que la seal de entrada, debido a la cada de la base al emisor, aunque la
aproximacin Av == 1 casi siempre es satisfactoria. A diferencia del voltaje de colector, el
voltaje de emisor est en fase con la seal Vi. Esto es, tanto Vo como Vi alcanzan sus
valores pico positivo y negativo al mismo tiempo. El hecho de que Vo "siga" la magnitud de Vi con una relacin en fase explica el uso de la terminologa emisor seguidor.

Figura 8.17 Configuracin


seguidor.

de emisor

La configuracin ms comn de emisor seguidor aparece en la figura 8.17. En realidad, puesto que el colector est conectado a tierra en el anlisis de ea, sta es de hecho
una configuracin de colector comn. Otras variaciones de la figura 8.17 en las que la
salida se dibuja fuera del emisor con Vo == Vi aparecern posteriormente en esta seccin.
La configuracin
de emisor se.guidor se utiliza a menudo con propsitos de
acoplamiento de impedancia. Presenta una elevada impedancia en la entrada, as como
un valor bajo en la salida, lo que es por completo opuesto a la configuracin estndar de
polarizacin fija. El efecto resultante es muy similar al que se obtiene con un transformador, donde la carga se acopla a la impedancia de la fuente para la transferencia mxima de potencia a travs del sistema.

8.5

Configuracin de emisor seguidor

349

][
La sustitucin del circuito equivalente aproximado en la red de la figura 8.17 prc
ducir la red de la figura 8'.18.

-..

Figura 8.18 Sustitucin del circuito


re en la red equivalente de

equivalente
"11'

ea de la figura 8.17.

Zi: La impedancia de entrada se determina del mismo modo como se describi en


la seccin anterior:

I
con

Zb

= Br, + ({3+

z, ;::(3(re

Zb;::

RBllzb

I)RE

(8.31)

(8.32)

+ RE)

{3RE

(8.30)

(8.33)

Zo: La impedancia de salida se describe mejor escribiendo primero la ecuacin para


la corriente lb'
y.

h=-'

Zb

y luego al multiplicar por (13 + 1) para establecer le' Es decir,

V
(13+ 1)-'
Zb

Ie= (f3+1)Ib=
Al sustituir por Zb' obtenemos

({3

+ nv,

le = ----"---'---'-{3r e + ({3 + 1)RE

o
pero

V
1 = -------'---e
[(3r eI({3 + 1)]

{3+1;::{3
Br,
{3+1

{3re

---;::--=r

de modo que

350

+ RE

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

{3

(8.34)

][
Si a continuacin construimos la red definida mediante la ecuacin (8.34), se producir la configuracin de la figura (8.19).
Para determinar Zo' Vi se hace igual a cero y
(8.35)
Vi

Puesto que RE es generalmente mucho mayor que re' se aplica con frecuencia la siguiente
aproximacin:
(8.36)
Av:
La figura 8.19 puede utilizarse para determinar
medio de una aplicacin de la regla del divisor de voltaje:

la ganancia de voltaje, por

Figura 8.19 Definicin de la


impedancia de entrada para la
configuracin de emisor seguidor.

R"Y
.
+ re
I

RE

(8.37)

Ya que RE es comnmente

mucho mayor que re' RE + re

== RE' Y

A = VIJ ~ I
\'

(8.38)

V-

A;: De la figura 8.18

o
y

lo
- = -(3

de modo que

t,

A-

lo

y puesto que

lo h
lb I

-(3

(3

A1

+ 1 ==

=-

A-

+ 1)

RB

1)
RB

(3,

(3RB
RB + Zb

= -A ~
v

+ Zb

RE

(8.39)

I
.

(8.40)

Relacin de fase:
Como se deduce de la ecuacin (8.37) y de anteriores discusiones en esta seccin, VoY Vi estn en fase para la configuracin de emisor seguidor.
Efecto de r o: Para esta configuracin, ro aparece en paralelo con el resistor de
emisor RE' lo que puede afectar tanto a la impedancia de entrada como a la de salida.
8.5

Configuracin de emisor seguidor

351

}[
EJEMPLO 8.7

Para la red de emisor seguidor de la figura 8.20, determine:


(a) re'
(b) Zi'

(e) Zo'
(d) Av'
(e) Ai'

12 V

220kQ

f3 = 100

Figura 8.20 Ejemplo 8.7.

Solucin
Vcc - VBE
(a) l - ---...::....::;----.::..;::......-

+ ({3 + 1)RE

RB

B -

12 V-O. 7 V
220 kfl + (101)3.3 kfl

+ 1)IB
(101)(20.42 ..LA)

20.42

A
..L

lE = ({3
=

re = 26 rnV =

({3 + 1)RE

= (100)(12.61 fl)
=

2.062 mA

26 mV = 12.610
2.062 mA

le
(b) Zb = {3re

+ (101)(3.3 kfl)

+ 333.3

1.261 kfl

kfl

= 334.56 kfl == {3RE


Z =
=

(e)

RBllzb

= 220 kfl11334.56 kfl


132.72 kO

z, = REIIre
=

(d) Av

3.3 kfl1l12.61

12.56 O

= Vo =

V
=

(e) A

==

== re
RE

RE

+ re

0.996 == 1
{3RB
RB

+ Zb

3.3 kfl
3.3 kfl + 12.61

(100)(220 kfl)
= -39.67
220 kfl + 334.56 kfl

contra

352

= -Av-

Z
(132.72 kfl)
= -(0.996)
RE
3.3 ku

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

f"\

= -40.06

)[
La red de la figura 8.21 es una variacin de la red de la figura 8.17 que utiliza una
seccin de entrada del divisor de voltaje para ajustar las condiciones de polarizacin. Las
ecuaciones 8.30 a 8.40 se cambian sustituyendo RB por R' = R 11 R2.

s:

v, ~t----t-----+-I
el
Figura 8.21 Configuracin de
emisor-seguidor con un arreglo
de polarizacin por divisor de
voltaje.

La red de la figura 8.22 tambin proporcionar las caractersticas de entrada/salida de


un emisor seguidor, pero incluye una resistencia de colector Re. En este caso RB se sustituye de nuevo por la combinacin en paralelo de R1 y R2' La impedancia de entrada Z y
la impedancia de salida Zo no son afectadas por Re, puesto que ello no se refleja en las
redes equivalentes de la base o emisor. De hecho, el ni-o efecto de Re ser en la determinacin del punto de operacin Q.

el
V o---}t----t-----f

Figura 8.22 Configuracin de


emisor-seguidor con un resistor
de colector Re.

8.6 CONFIGURACION

DE BASE COMUN

La configuracin base comn se caracteriza por tener una baja impedancia de entrada y
de salida y una ganancia de corriente menor que 1. Sin embargo, la ganancia de voltaje
puede ser bastante respetable. La configuracin estndar aparece en la figura 8.23 con el
modelo equivalente re sustituido en la figura 8.24.

--.. --..
--..
I

--..

1,

le

Vo

.....

--..
--..

Re

RE

+
Vo

.....
Zo

Zo

Vee

VEE

Figura 8.24 Sustitucin del circuito equivalente


Figura 8.23 Configuracin

lo

de base comn.

la red equivalente
8.6

Configuracin

r, en

de ea de la figura 8.23.

de base comn

353

][
(8.41 )

(8.42)

V
1=-'
e

con

re

de modo que

(8.43)

A: La superposicin de que RE ~re conduce a


le
lo =

con

lo

a I =

=- =

-a

a],

==-1

(8.44)

Relacin de fase: El hecho de que Av sea un nmero positivo revela que Vo y V


estn en fase parala configuracin de base comn.
Efecto der o : Para la configuracin de base comn, ro = 1lhob se halla por lo general en el rango de los megaohms y es suficientemente ms grande que la resistencia en
paralelo Re. para permitir la aproximacin ro 11Re == Re

EJEMPLO 8.8

Para la red de la figura 8.25, determine:


(a) re'
(b) Z.
(e) Zo'
(d) Av

10 IlF

(e) A.

~~)
I
lkn

z,

2V

Figura 8.25 Ejemplo 8.8.

Solucin

_ VEE
(a) fe -

= 26 mV

r
e

354

RE

le

VBE

2 V-O.

26 mV
1.3 mA

7 V = 1.3 V = 1 3 mA

1 k!l

= 20 n

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

1k!l

][
(b) Z

= REllre =
=

19.61.fi

(e) ZQ

Re

(d) Av

==

Re

knl120 n

== Te

= 5 k.fi
=

Te

(e) A = -0.98

= 250

5 k~

20
==

-1

8.7 CONFIGURACION DE COLECTOR


CON RETROALIMENTACION
La red de retroalimentacin
de colector de la figura 8.26 utiliza una trayectoria de
retroalimentacin del colector a la base para incrementar la estabilidad del sistema como
se discuti en la seccin 4.12. Sin embargo, la sencilla maniobra de conectar una
resistencia de la base al colector en vez de la base a la alimentacin de cd tiene un
impacto importante sobre el nivel de dificultad que se encuentra cuando se analiza la red.

Vcc

-I

V o------) I---+--<>-~

el
Figura 8.26 Configuracin de
retroalimentacin en colector.

Algunos de los pasos que se efectuarn a continuacin son resultado de la experiencia al trabajar con tales configuraciones. No se espera que un estudiante sin bases del
tema eligiera la secuencia de pasos que se describir, sin dar antes uno o dos pasos
incorrectos. La sustitucin del circuito equivalente aproximado y volviendo a dibujar la
red producir la configuracin de la figura 8.27.

-I

Figura 8.27 Sustitucin del circuito


equivalente '. en la red equivalente
de ea de la figura 8.26.

Primero se determinar la ganancia de voltaje, seguida por la ganancia de corriente y


los niveles de impedancia.
Av: En el nodo C:

Para valores tpicos, {3h s- I'

== {3h.
Vo = -loRe =
y

lo

8.7

-({3h)Re

Configuracin

de colector con retroalimentacin

355

][
Al sustituir lb = Vi /f3r e obten=vv=
V
o

A"

Vi
r

= -f3-Rc
f3 e. Vo

Re

V,

re

= -=--

(8.45)

A;: Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff en tomo de la malla exterior de la red


llegamos a

Empleando lo

Vo

+ (h - I)RF + 10Re

hf3re

+ VRF

== jJlb' obtenemos

+ hRF - IRF + f3hRe = O


h(f3re + RF + f3Rd = IRF

hf3re
y

Al sustituir lb =10 / jJ de la relacin lo

lo

+ RF + f3Rd

1i(f3re
I

== jJlb llegamos a
=

lRF

f3RFI

Br, + RF + f3Re

Al ignorar jJr e en comparacin con R F YjJRO obtenemos


(8.46)

(8.47)

Z : De la figura 8.27,

Ib=[.+1

Vo

RF

= hf3re
= (/ + ~;)f3re

Al hacer la sustitucin Vo = Av Vi de Av = VdVi tenemos que

Vi

356

1f3re +

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

f3reAvV

-'----

RF

][
(3reAv)
V ( 1 - -= {3r
1
RF
1
e

Luego

con

Para elementos en paralelo,

xlly

xy
= x

+y

x
=

+ x/y

la cual tiene el mismo formato que la ecuacin anterior con x =~re y y = -RF/Av' Sin
embargo, ya que Aves una cantidad negativa, para esta configuracin la magnitud de Z
est dada por
(8.48)

y notamos que la magnitud de la ganancia de voltaje debe determinarse antes de que la


impedancia de entrada pueda calcularse.
Zo:
Si hacemos Vi igual a cero, como se requiere para definir Zo' la red aparecer
como se muestra en la figura 8.28. El efecto de ~re se elimina y RF aparece en paralelo
con ReY
(8.49)

Figura 8.28 Definicin de Z;


para la configuracin de
retroalimentacin en colector.

Relacin de fase: El signo negativo de la ecuacin (8.45) revela un desfasamiento


de 180 entre VoY Vi'
Efecto de r o: Como se demostr en la figura 8.27, la resistencia de salida del transistor aparecer en paralelo con el resistor Re a travs de todo el anlisis. Las ecuaciones
que incluyen los efectos de ro pueden, por tanto, obtenerse para Av Y Zo al reemplazar
simplemente Re por la combinacin en paralelo, r ollRC
0

EjEMPLO

Para la red de la figura 8.29, determine:

8.9

9V

(a) re'

(b) Av'
(c) Av'
(d) Z.
(e) Zo.

Figura 8.29 Ejemplo 8.9.


8.7

Configuracin

de colector con retroalimentacin

357

][
Solucin
(a) l

- Vee - VBE

B -

le

RF

_
-

+ {3Re

9 V - 0.7 V
180 kn + (200)2.7 kn

11.53 J1-A

= ({3

+ 1)IB

(201)(11.53 J1-A)

re = 26 mV =' 26 m~ = 11.21
le
2.32 mA
Re

(b) Av

= --

(e) A

= RF + {3Re
= 50

re

= -

2.7 kn
11.21 n

Av

2.32 mA

-240.86

(200)(180 kn)
180 kn + (200)(2.7 kn)

{3RF

(d) Z = {3relIIRFI

180

(200)(11.21 n)11

k~

240.8

= 2.24 kn110.747 kn = 0.56 kn


(e) Z = RcllRF = 2.7 knll180 kn
=

2.66 kn

Para la configuracin de la figura 8.30, las ecuaciones (8.50) a la (8.53) determinarn


las variables de inters. Las derivaciones se dejan como ejercicio al final del captulo.

t,

v o ~

)I---.+-.........-f

el

Figura 8.30 Configuracin de


retroalimentacin en colector con
un resistor de emisor RE'

(8.50)

(8.51)
y

(8.52)

(8,53)

358

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

J[
8.8 CONFIGURACION DE COLECTOR
CON RETROALIMENTACION DE CD
La red de la figura 8.31 tiene un resistor de retroalimentacin cd para incrementar la
estabilidad; sin embargo, el capacitor C3 cambiar una mayor o menor resistencia de
retroalimentacin
parte de RF que

en las secciones de la entrada y la salida de la red en el dominio ea. La


cambia al lado de la entrada o salida se determinar mediante los

niveles deseados de resistencia de entrada y salida en ca.

el
v o

. )1--...+.----------1

t,
Figura 8.31 Configuracin de
retroalimentacin CD en el colector.

En la frecuencia o frecuencias de operacin, el capacitor supondr un equivalente en


corto circuito a tierra debido a su bajo nivel de impedancia en comparacin con los otros
elementos de la red. El circuito equivalente de pequea seal ea aparecer entonces
como se muestra en la figura 8.32.
t,

~
+

v,

+
~

z,

Figura 8.32 Sustitucin del circuito


equivalente r, en la red equivalente
de ea de la figura 8.31.

~
R'

(8.54)

(8.55)

pero

8.8

= -f3-'f3v,r R'
e

Configuracin

de colector con retroalimentacin

de CD

359

) [
(8.56)

de modo que

A{

Para la seccin de entrada,

t,

RFl
h=---'--'-'-o
RF + f3re

RF
RF

f3re

y para la seccin de salida,

RF2f3

lo

RF2

lb

+ Re

La ganancia de corriente
I

t,

lo

lo

t, I

A=-=

RF,{3
RF2

+ Re

RF
RF

+ f3re

A- = __ --=-f3_R.:..F
....
,R..:.F
..
2 --I
(RF 1 + f3r~)(RF 2 + Re)

(8.57)

(8.58)

Relacin de fase: El signo negativo en la ecuacin (8.56) revela con claridad un desfasamiento de 180 entre los voltajes de entrada y salida.
Efecto de r o: Puesto que ro est en paralelo Con Re la impedancia de salida se modificar a
0

(8.59)
y la ganancia de voltaje a

(8.60)

EJEMPL08.l0

Para la red de la figura 8.33, determine:


(a) re.

12V

(b) Zi.
(e) Zo.
(d) Av
120 kil

(e) Ai.

V
o~

)1-----4---------

.......f3

= 140

10~

Figura 8.33 Ejemplo 8.10.

360

Captulo 8 Anlisis 'de pequea seal del BJT

][
Solucin
le

(a) Cl):

Vcc - VBE
RF + f3Rc

12 V - 0.7 V

+ 68 kn) + (140)3 kn

(120 kn

11.3 V = 18.6 A
608 kn
JL

le = (f3 + 1)IB = (141)(18.6 JLA)


=

2.62 mA

re = 26 rnV =
le

(b) f3re = (140)(9.92 n)

26 rnV = 9.92 O
2.62 mA

1.39 kn

La red equivalente de ea aparece en la figura 8.34.


Z = RF,IIf3re = 120 knll1.39 kO

== 1.37 kO
+

-.-.-

120 k.Q
V

/0

68kQ
Vo

Zo

Figura 8.34 Sustitucin

del circuito equivalente

r. en la red equivalente

de ea de la figura 8.33.

(e) Z;

= 3 kOl168kn

RclIRF2

== 2:87'kO
(d) R'

= 2.87 kn

RclIRF2

Av = -

RcllRF
2

re
=

2.87 kn
9.92 n
-289.3

(e) A =

f3RF,RF2
(RF,

+ f3re)(RF2 + Re)
(140)(120 kO)(68 kO)

(120 kO
132.54

+ 3 kn)

1.39 kO)(68 kn

A-=-Av
l

Rc

-(-289.3)(

132.11

8.8

1.;:~n)

Configuracin

de colector con retroalimentacin

de CD

361

][
8.9 CIRCUITO EQUIVALENTE HffiRIDO APROXIMADO
El anlisis que utiliza el circuito equivalente hbrido aproximado de la figura 8.35 para la
configuracin de emisor comn, y de la figura 8.36 para la configuracin de base comn,
es muy similar al recientemente realizado, empleando el modelo re. Aunque el tiempo y
las prioridades no permiten un anlisis detallado de todas las configuraciones discutidas
hasta ahora, un breve examen de algunas de las ms importantes se incluir en esta seccin para demostrar las similitudes en el enfoque y en las ecuaciones resultantes.

b C>-----i--- .

Figura 8.35 Circuito equivalente


hbrido aproximado de emisor
comn .

0---+-0-.....,

..--"':""_+--<>

Figura 8.36 Circuito equivalente


hbrido aproximado de base
comn.

Puesto que los. diversos parmetros del modelo hbrido se especifican por medio de
una hoja de datos o anlisis experimental, el anlisis de cd asociado con el uso del modelo
reno es una parte integral del uso de los parmetros hbridos. En otras palabras, cuando se
presenta el problema, los parmetros he' hfe' hilJ' y otros, son especificados. Sin embargo,
tmese en consideracin que los parmetros hbridos y los componentes

del modelo re

estn relacionados por las ecuaciones siguientes, como se discuti con detalle en el
captulo 7: hie = {3re' hfe = {3,hoe = 1/r o' hb = -a y hp = re (consulte el apndice A).

Configuracin de polarizacin fija


Para la configuracin de polarizacin fija de la figura 8.37 la red equivalente de pequea
seal de ea aparecer como se ilustra en la figura 8.38, empleando el modelo equivalente
hbrido aproximado de emisor comn. Las semejanzas sugieren que el anlisis ser bastante similar, y los resultados de uno pueden relacionarse en forma directa con el otro.

vcc

.-

+-----ill---o
1;

~ )I----+----i:-l

el

V;

362

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

Zo

Vo

Figura 8.37 Configuracin


de polarizacin fija.

][

..le

+~

tlo

..-

Re
Figura 8.38 Sustitucin del circuito
equivalente hbrido aproximado en
la red equi valente de ea de la figura

Vo

20

8.37.

Z{

De la figura 8.38,
(8.61)

Zo:

De la figura 8.38,
(8.62)

Vo ::: -laRe::: -leRe


:::- hlfie
V.

h=-'

hie

con

de modo que

(8.63)

1"

A = -1
I
Impacto de hoe:

==

(8.64)

h.f"

Ya que ro ::: Vhoe est drrec~ente

en paralelo con Re.

(8.65)

(8.66)

Para la red de la figura 8.39, determine:


(a) Z.
.---~---<p-----o8 V

EJEMPLO 8.11

(b) Zo'
(c)Av-

(d) A.

330kl

~-~-n---+--H~
I

Figura 8.39 Ejemplo 8.11.


8.9

Circuito equivalente hbrido aproximado

363

][
Solucin
(a) Z = RBllhe = 330 knjjl.175

== he
(b) r - -

o ~ hoe - 20 pAN

Z;

= hllRe

==

50 kn

= 50 knjj2.7 kn = 2.56 kfi == Re

oe
A - _ heRe _
( )
e
v he (d) A

kn

1.171 kfi

(120)(2.7 kn) _
1.171 kn
- -276.69

hfe = 120

Configuracin con divisor de voltaje


Para la configuracin con divisor de voltaje de la figura 8.40 la red equivalente de
pequea seal de ea resultante tendr el mismo aspecto que el de la figura 8.38 con RB
reemplazado por R' = RI IIR2.

v o ~

)1-----+----;1

el

z"

Figura 8.40 Configuracin


polarizacin

de
por divisor de voltaje.

Z: De la figura 8.38 con RB = R',

I Z = R'llhe I .
Zo: De la figura 8.38,

(8.67)

I Zo=Rc I

(8.68)

I Av=-~:I

(8.69)

(8.70)

El efecto de ro = l/hoe es el mismo que se encontr para la configuracin de polarizacin fija.

Configuracin con polarizacin de emisor sin derivacin


Para la configuracin con polarizacin de emisor sin derivacin (emisor comn) de la figura
8.41, el modelo de pequea seal de ea ser el mismo de la figura 8.11, con f3re reemplazado
por hie y f31b por hib. El anlisis continuar exactamente de la misma manera con

364

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

][

l' ~.I--+---~

..

'-=+'
1,

z"

Figura 8.41 Configuracin


polarizacin
deri vacin.

"="

2b

==

hieRE

(8.71)

RBII2b

(8.72)

de
para emisor comn sin

20 = Re

(8.73)

(8.74)

(8.75)

A,~

-A>~

(8.76)

Configuracin de emisor seguidor


Para la configuracin de emisor seguidor de la figura 8.42, el modelo de pequea seal
de ea coincidir con la figura 8.18 con13re = hie y 13 = he' Las ecuaciones resultantes
sern por lo tanto bastante semejantes.

Z{
(8.77)
(8.78)
8.9

Circuito equivalente hbrido aproximado

365

][
Vcc

-I

ViO

--

Figura 8.42 Configuracin


de emisor seguidor.

Zo: Para Zo la red de salida definida por las ecuaciones resultantes aparecer como
se ilustra en la figura 8.43. Repsese el desarrollo de las ecuaciones en la seccin 8.5 y

o puesto que 1 + hfe

== hfe'
(8.79)

1:..

Figura

8.43 Definicin

para la configuracin
seguidor.

Av:

de Zo

de emisor

Para la ganancia de voltaje, puede aplicarse la regla del divisor de voltaje a la

figura 8.43 de la manera siguiente:

pero como 1 + hfe == hfe'

(8.80)

(8.81 )

A-=

366

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

-A-

v RE

(8.82)

][
Configuracin de base comn
La ltima configuracin por examinarse
ser el amplificador de base comn de
lente hbrido aproximado de base comn
muy semejante a la de la figura 8.24. De

\;

con el modelo equivalente hbrido aproximado


la figura 8.44. Sustituyendo el modelo equivaobtendremos la red de la figura 8.45, la cual es
la figura 8.45,

--

tlo

Re

z,

Vo

-Z(J

Vee

Figura

8.44 Configuracin

de base comn.

T.l

+ ~ 1;

Z;

Vi

RE

Re

hib

Figura 8.45 Sustitucin del circuito equivalente


equivalente de ea de la figura 8.44.

+
lo

hbrido aproximado

Vo

-Zo

en la red

(8.83)

(8.84)

V.

con

/ =_1
e
hb

(8.85)

de modo que

lo
A = - = hfb

== -

8.9

(8.86)

Circuito equivalente hbrido aproximado

367

} [
EJEMPLO 8.12

Para la red de la figura 8.46, determine:


(a) Z.
(b) Zo'
(e) Av(d) A.

o+

)1---_---..:

---

--

h, = - 0.99

z,

hb = 14.3
hob

0.5 J.lA/V

IOV

Figura 8.46 Ejemplo 8.12.

Solucin
(a) Z

= REllhb =

(b) r o

=-

Z =

2.2 kn1l14.3 n
1

0.5 fJ-Nv

-IIRe == Re
hob

(e) Av
(d) A

= == hjb

hjbRe
hb

= _

14.21

n == hb

2 Mn

3.3 kn

(-0.99)(3.3 kn)

229.91

14.21

= -1

Las configuraciones restantes de las secciones 8.1 a la 8.8 que no se analizaron en


esta seccin, se dejan corno ejercicio en la seccin de problemas de este captulo. Se
supone que los anlisis anteriores muestran claramente las semejanzas en los enfoques
utilizando los modelos reo equivalente hbrido aproximado, eliminando as cualquier

dificultad real para analizar las redes que faltan en las-secciones previas.

8.10 MODELO EQUIVALENTE HIBRIDO COMPLETO


El anlisis de la seccin 8.9 se limit al circuito equivalente hbrido aproximado, con
alguna discusin acerca de la impedancia de salida. En esta seccin emplearemos el circuito equivalente completo para mostrar el impacto de hr y definiremos en trminos ms
especficos el impacto de ho' Es importante enfatizar que. debido al mismo aspecto que
tiene el modelo equivalente hbrido para las configuraciones de base comn, emisor
comn y colector comn, las ecuaciones deducidas en esta seccin podrn aplicarse a
cada una de ellas. Slo ser necesario insertar los parrnetros definidos para cada configuracin; es decir, para una configuracin de base comn, se emplearn hfb' hb' etc.,
mientras

que para una configuracin

de emisor comn,

se utilizarn

hfe' he' etc.

Recurdese que el apndice A permite una conversin de un conjunto a otro si se proporciona uno de los conjuntos y se requiere del otro.
Considrese la configuracin general de la figura 8.47 con los parmetros de dos puertos de inters particular. El modelo equivalente hbrido completo se sustituye entonces en la
figura 8.48 haciendo uso de parrnetros que no especifican el tipo de configuracin. En otras

368

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

....lo

-+

t.I

-+

V-I

RI

+
Transistor

Vo

.-20

RL

ZI

Vs ~

-1

0----[

Figura 8.47 Sistema de dos puertos.

t.I

=il/

-+

v,

-+

h, Vo

ZI

-1

h lb

;-]/0

+1

l/ho

v,

-20

RL

Figura 8.48 Sustitucin del circuito hbrido completo en el sistema de dos puertos
de la figura 8.47.

palabras, las soluciones estarn en trminos de h, hr h y ho' A diferencia del anlisis


de las secciones previas de este captulo, la ganancia de corriente A se determinar
primero, ya que las ecuaciones desarrolladas
los otros parmetros.

probarn ser tiles en la determinacin

de

Ganancia de corriente, Ai = Iofli


Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al circuito de salida se obtiene
lo

hfh

+I =

hfl

Vo

+ --- =

vn,

hfl

+ hoVo

Sustituyendo Vo = -loRL obtenemos


lo = hfl - hoRLlo
Reescribiendo

la ecuacin anterior, tenemos


lo

hoRLlo = hfl

as que

(8.87)

A
I

Note que la ganancia en corriente se reducir


hoR L es suficientemente

al resultado familiar de A = h si el factor

pequeo comparado con l.

Ganancia de voltaje Av = VofVi


La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada produce
V = Ih,

+ hrVo
8.10 Modelo equivalente hbrido completo

369

r-

L-

] [
La sustitucin de I = (1 + haRL)ldhde

la ecuacin (8.87) y de lo = -Vo RL de la anterior

da como resultado
V =

-(1

hoRL)h

hfRL

Vo

n.v,

Despejado el cociente VJV se obtiene

A
v

_V_o=
V
h

-~h['_R....;:L'___
__
(hho - hfhr)RL

(8.88)

En este caso la forma familiar de Av = -hRLIh regresar si el factor (hho - !zjzr) RL es


suficientemente pequeo comparado con h.

Impedancia de entrada, Zi = VlIi


En el circuito de entrada,

V = h;l

+ n.v;

sustituyendo

Vo = -loRL

tenemos

V = h.I - hrRLlo

Puesto que

lo
A=1
I
lo = A;l

as que la ecuacin anterior se convierte en


V = h.I, - hrRLAI
Resolviendo con respecto al cociente V II, obtenemos

y sustituyendo

produce

_ V _ h _ hfhrRL
Z - l. -
1+ h R
o

(8.89)
L

La forma familiar de Z = h ser obtenida si el segundo factor es suficientemente

ms

pequeo que el primero

Impedancia de salida, Zo = V0110


La impedancia de salida de un amplificador se define como el cociente entre el voltaje de
salida y la corriente de salida con la seal Vs en cero. Para el circuito de entrada con Vs = O,
-hrVo
1=--1
R, + h
La sustitucin de esta relacin en la siguiente ecuacin obtenida del circuito de salida
produce

I = h . + h V
o
'1'
00
-hfhrVo
--"-_':""
+ hoVo
e, + h

370

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

][
(8.90)

de salida se reducir a la forma familiar Zo = Vho para el


transistor cuando el segundo factor en el denominador en suficientemente menor que el primero.

En este caso la impedancia

EJEMPLO 8.13

Para la red de la figura 8.49, determine los siguientes parmetros utilizando el modelo
equivalente hbrido completo y compare con los resultados obtenidos empleando
el modelo aproximado.
(a) Z y Z'
(b) Av'
(e) A = Id'I Y A' = Id'I'.
8V

(d) Zo (vista por Re) y


Zo' (incluyendo Re).

470 kil

",

~
+

Vo

Q: h<

h" = 2

= 110, h< = 1.6 kil,

10-4, ha<

= 20 ~

Figura 8.49 Ejemplo 8.13.

Solucin
Ahora que se han derivado las ecuaciones bsicas para cada cantidad, el orden en el que
se calculan es arbitrario. Sin embargo, la impedancia de entrada es con frecuencia una
til cantidad por conocer y por lo tanto se calcular en primer lugar. El circuito equivalente hbrido completo de emisor comn se ha sustituido y la red se ha dibujado de
nuevo, como se muestra en la figura 8.50. Un circuito equivalente de Thvenin para la
seccin de entrada de la figura 8.50 resultar en el equivalente de entrada de la figura
8.51 ya que ETh == Vs Y RTh == Rs = 1 kQ (un resultado de RE = 470 kQ ser mucho

s:

t:

z:

Rs

1 kil

'

-z,

..-..- ...

lo

::::;) lb

1.61dl .

'\,

2x

io+v,

Z'o

Zo

~
110lb

4:S01dl

~
4.7 kl 4~

v,

v, '\,

Thvenin
Figura 8.50 Sustitucin
de ea de la figura 8.49.

del circuito equivalente

hbrido completo en la red equivalente

8.10 Modelo equivalente

hbrido

completo

371

] [
I .

s,

-.
z;'

1 k.Q

+ -.Z

v,

'\
-1

-0-0

-----7-'----

Figura

8.51 Reemplazo de la seccin de entrada de la figura 8.50 con un circuito equivalente.

mayor que Rs = 1 ill). En este ejemplo, RL = Re e lo se define como la corriente a travs


de

Re. como

en ejemplos anteriores de este captulo. La impedancia de salida Zo' como

se define por la ecuacin (8.90), es solamente para las terminales de salida del transistor.
No se incluyen los efectos de Re. Zo' es sencillamente la combinacin en paralelo de Zo
y RL. La configuracin resultante de la figura 8.51 es entonces un duplicado exacto de la
red definida en la figura 8.48 y pueden aplicarse las ecuaciones derivadas anteriormente.

(a) Ecuacin (8.89) :

V
I

h. _

hehreRL
1 + hoeRL

le

= 1.6 k11 _ (110)(2 X 10- )(4.7

k11)

1 + (20 JLS)(4.7 k11)


= 1.6 k11 - 94.52 11

= 1.51 kfi
contra 1.6 k,Q utilizando simplemente he'
Z; = 470 k11IIZ == Z = 1.51 kfi

(b) Ecuacin (8.88):

Vo
V

hie

(hehoe - hehre)RL
-(110)(4.7

k11)

=----------------~--~----~-------------1.6 k11 + [(1.6 k11)(20 JLS) - (110)(2 X 10-4)]4.7 k11


-517
1.6 k11
-517

1.6 k11

10311

(0.032 - 0.022)4.7 k11

10311

+ 47

11

= -313.9
contra - 323.125 empleando Av

(e) Ecuacin (8.87):

= -hfeRLIhe'

_ lo _

A- - I

+ hoeRL

110
1 + 0.094

contra 1Iempleandosimplementehfe'

372

Captulo

8 Anlisis

de pequea

110

he

- --~"'----

(20 JLS)(4.7 k11)

= 100.55

Ya que 470 k,Qs- Z, I'==l y A'= 100.55 tambin.

seal del BJT

) [
Z = Vo =
1
lo
hoe - [heh,,)(he

(d) Ecuacin (8.90):

+ R,)]

[(110)(2

20 J1,s -

1
10-4)/(1.6 k!1

+ 1 k!1)]

1
20 /.1.,s - 8.46 ..tS
1

11.54 ..tS
86.66 kO

lo que es mayor que el valor determinado a partir de lIhoe = 50 kQ

Z~ =

Rcllzo

= 4.7 k!11186.66 k!1 = 4.46 kO

contra 4.7 kQ empleando nicamente

Re.

Advirtase, de los resultados anteriores, que las soluciones aproximadas para Av y Z


se encuentran muy cerca de las calculadas con el modelo equivalente completo. En realidad, incluso A difiere por menos del 10%. El valor ms alto de Zo contribuye solamente
a confirmar nuestra conclusin

previa, en que Zo con frecuencia es tan alta que puede

ignorarse en comparacin con la carga aplicada. Sin embargo, tngase en consideracin


que cuando hay una necesidad de determinar el impacto de hre y hoe debe utilizarse el
modelo equivalente hbrido completo, como se describi anteriormente.
La hoja de especificaciones
para un transistor en particular proporciona generalmente los parmetros de emisor comn, como se observa en la figura 7.28. El ejemplo
siguiente har uso de los mismos parmetros del transistor que aparecen en la figura 8.49
en una configuracin pnp de base comn, para introducir el procedimiento de conversin
de parrnetros y enfatizar el hecho de que el modelo equivalente hbrido mantiene la
misma disposicin.

Para el amplificador de base comn de la figura 8.52, determine los parmetros siguientes empleando el modelo equivalente hbrido completo y compare los resultados con los
obtenidos utilizando el modelo aproximado.
(a) Z y Z'.

EJEMPLO

8.14

(b) A Y A'.
(c)Av(d) Zo y Zo'
hie = 1.6 kQ
hre = 2 X }(-4

hfe = 110
hoe = 20 ~S

r-----------~r_--i~----~o
+

l.

z,

z;

z;

1',.

6V

Figura 8.52 Ejemplo 8.14.


8.10 Modelo equivalente hbrido completo

373

][
Solucin
Los parmetros hbridos de base comn se derivan de los parmetros de emisor comn
haciendo uso de las ecuaciones aproximadas del apndice A:

1.6 k11
1 + 110

14.41 n

Ntese lo cercano de la magnitud al compararse con el valor determinado a partir de

1.6 k11
110
==: hehoe _ h.;
1 + he

rb

hjb ==:

hob ==:

0.883

(1.6 k!l)(20 ILS) - 2


1 + 110

-110

1 + 110
20 ILS

1 + he

14.55 !l

10-4

10-4

-he

1 + he

1 + 110

= -0.991
= 0.18

.t

Al sustituir el circuito equivalente hbrido de base comn dentro de la red de la figura 8.52 se tendr como resultado la red equivalente de pequea seal de la figura 8.53. La
red de Thvenin para el circuito de entrada dar como resultado RTh = 3 k.Q 111 k.Q = 0.75 k.Q
para R s en la ecuacin para Zo'

n,

1 k.Q

~1

__1,

-- -,

+
1"

b
Thvenin

Figura

8.53 Equivalente

de pequea seal para la red de la figura 8.52.

V.
(a) Ecuacin (8.89):

Z =

-;

= hb1

hjbhrbRL
1 + hobRL

(-0.991)(0.883 X 10-4)(2.2 k!l)


14.41 11 1 + (0.18 ILS)(2.2 k!l)

= 14.4111 + 0.19 11
=
contra 14.41

Z ==: hb'

empleando

Z;

374

14.60

3 k11l1z==: Z = 14.60 n

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BIT

][
(b) Ecuacin (8.87):

A. = lo = _~hjb~_
1
I
1 + hobRL

-0.991

=--------1 + (0.18 JLS)(2.2 kO)


=

1; == I

3 kO ~ Z,

Puesto que

(e) Eq. (8.88):

-0.991

A = _V_o =
v
V
hb

14.410+

= hjb

A;

= loll

== -1

tambin

-_h.....
'fb.::.,R.....:L=---_
- hjbhrb)RL

+ (hbhob

-(-0.991)(2.2 kO)
[(14.41 0)(0.18 JLS) - (-0.991)(0.883 x 10 4)]2.2 kO

149.25

0.18 JLS - [(-0.991)(0.883 x 10-4)/(14.41 0+

0.75 kO)]

1
0.295
=

contra 5.56

Mn usando Z ==
Z~ =

contra 2.2

8.11

kn usando

JLS

3.39 Mil
lIhob' Para Z como se define en la figura 8.53:

Rcllzo

= 2.2 k01l3.39 MO = 2.199 kil

z; == Re

TABLA DE RESUMEN

Ahora que se han presentado las configuraciones ms familiares de amplificadores de


transistor de pequea seal, se elaborar la tabla 8.1 para' revisar las caractersticas generales de cada una a fin de recordarlas de inmediato. Debe quedar absolutamente claro que
los valores que se muestran slo son valores tpicos para establecer una base de comparacin. Los niveles obtenidos en un anlisis real sern en su mayora distintos y, con
certeza, varan entre una configuracin y otra. El ser capaz de repetir la mayor parte de
la informacin de la tabla es un primer paso importante para familiarizarse en general
con la materia de estudio. Por ejemplo, uno debera ser capaz de establecer con cierta
seguridad que la configuracin de emisor seguidor tiene comnmente una alta impedancia de entrada, baja impedancia de salida y una ganancia de voltaje ligeramente menor
que 1. No debera haber necesidad de realizar una serie de clculos para recordar puntos
sobresalientes como los mencionados. Ms adelante esto permitir el estudio de una red
o sistema sin tener que involucrar un tratamiento matemtico. La funcin de cada componente de un diseo llegar a ser familiar de manera paulatina y creciente a medida que
los hechos generales, tales como los ya mencionados, lleguen a formar parte de su
conocimiento bsico.
8.11 Tabla de resumen

375

J L
TABLA 8.1 Ni veles relativos para los parmetros importantes de los amplificadores

de transistor de EC, BC y CC.

A,

20

Alta:
(100)

Media:

""f3

(ro = 40 k!1)

Configuracin
Polarizacin

fija:

r---~-oVcc
Media:
(1 k!1)

"" Br,

Polarizacin por
di visor de voltaje:

Alta:
(-200)
as _ Re

re

"" Re

,..-------oVcc
Media:
(1 k!1)
"" R'IIf3re
(R'

Polarizacin de emisor
sin derivacin:

,..-----.---0

Alta:
(-200)
"" _ Re
re

Alta:
(50)

f3R'
R'

+ f3re

Media:
"" Re
(ro

40 k!1)

= R,IIR2)

V cc

Media:
"" Re
(ro = 40 k!1)

Baja:
(20 !1)

==

r;

Base comn:

Media:

""~F

376

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

--~
][

---I

Una ventaja obvia de ser capaz de recordar hechos o datos generales como los anteriores es la habilidad de verificar los resultados de un anlisis matemtico. Si la impedancia
de entrada para una configuracin de base comn se halla en el orden de los kiloohms,
existe una buena razn para volver a verificar el anlisis. Sin embargo, para la otra cara de
la moneda, un resultado de 22 n sugerira que el anlisis puede estar correcto.

8.12

LOCALIZACION

DE FALLAS

Aunque el trmino de localizacin de fallas sugiere que los procedimientos


por
describirse a continuacin estn diseados simplemente para aislar la causa de un mal
funcionamiento, es importante darse cuenta de que las mismas tcnicas pueden aplicarse
para asegurarse de que un sistema est funcionando en forma apropiada. En cualquier
caso, los procedimientos de prueba, verificacin o aislamiento requieren de una comprensin y un conocimiento de lo que se espera en varios puntos de la red, tanto en el
dominio de cd como en el de ea. En la mayora de los casos, una red que funciona correctamente en el modo de cd tambin lo har en el dominio de ea. Adems, una red que
proporciona la respuesta de ea esperada tiene ms probabilidad de estar polarizada como
fue planeada. En un laboratorio tpico se aplican fuentes de cd y ea y se verifica la
respuesta de ea en varios puntos de la red con un osciloscopio, como se muestra en la
figura 8.54. Observe que la punta ne~a (gnd = tierra) del osciloscopio se conecta directamente a la tierra y la punta roja se mueve de punto a punto en la red, obtenindose los
patrones que aparecen en la figura 8.54. Los canales verticales se fijan en el modo de ea
para eliminar cualquier componente de cd asociado con el valor en un punto particular.
La pequea seal de ea aplicada a la base se amplifica al nivel que aparece de colector a
tierra. Ntese la diferencia en las escalas verticales para los dos voltajes. No hay respuesta de ea en la terminal de emisor debido a las caractersticas de corto circuito del capacitor a la frecuencia aplicada El hecho de que Vo se mida en voltios y Vi en milivolts, sugiere
una ganancia considerable para el amplificador. En general, la red parece estar operando
en forma adecuada. Si se desea, podra utilizarse el modo de cd del multmetro para verificar VBE y los niveles de VB' VCE y VE' para revisar si caen dentro del intervalo esperado.
Por supuesto, el osciloscopio puede emplearse tambin para comparar niveles de cd activando simplemente el interruptor correspondiente al modo cd para cada canal.

u" (V)

IJ,

Osciloscopio

(Interruptor
Contacto de tierra

Figura 8.54 Uso del osciloscopio

para la medicin y visualizacin

de eA-TIERRA-

en la posicin

de los diversos voltajes para un amplificador

8.12 Localizacin de fallas

de CA)

BJT

377

][
No es necesario decir que una respuesta pobre de ea puede atribuirse a toda una serie
de razones. De hecho, puede haber ms de un rea con problemas en el mismo sistema.
Sin embargo, afortunadamente, con tiempo y experiencia, la probabilidad de tener mal
funcionamiento en algunas reas puede predecirse y una persona experimentada puede
aislar reas problemticas con bastante rapidez.
En general, no hay nada:misterioso acerca del proceso general de deteccin de fallas. Si usted decide seguir la respuesta de ea, es buen procedimiento comenzar con la
seal aplicada y continuar a travs del sistema en direccin de la carga verificando los
puntos crticos a lo largo de la trayectoria. Una respuesta inesperada en algn punto sugiere que la red tiene algo por examinar en esa rea, definiendo de este modo la regin
que debe investigarse con ms cuidado. La forma de onda obtenida en el osciloscopio
ciertamente ayudar en la definicin de posibles problemas en el sistema.
Si la respuesta de la red de la figura 8.54 es como la que aparece en la figura 8.55, la
red tiene una falla que se localiza probablemente en el rea del emisor. No se espera una
respuesta de ea a travs del emisor y la ganancia del sistema mostrada mediante Vo es
demasiado baja: Recurdese para esta configuracin que la ganancia es mucho mayor si
RE se encuentra en derivacin. La respuesta obtenida sugiere que RE no est en

derivacin con el capacitor y entonces las conexiones de terminal del capacitor, as como
el capacitor mismo, deberan verificarse. En este caso, una verificacin de los niveles de
cd probablemente no aislara el rea del problema, puesto que el capacitor tiene un "circuito abierto" equivalente para cd. En general, un conocimiento inicial de lo que se
espera, familiaridad con el equipo de instrumentacin, y lo ms importante, la experiencia, son todos factores que contribuyen al desarrollo de un mtodo eficaz para el arte de
la deteccin de fallas.

Di

/
~

Or

-....:.J

"X/

Figura 8.55 Las formas de onda resultantes de un mal funcionamiento en el rea emisor.

8.13

ANALISIS POR COMPUTADORA

El anlisis de un amplificador de pequea seal BJT puede efectuarse empleando un


paquete de programacin como PSpice, o un lenguaje como BASIC. Ambos pueden utilizarse en el anlisis de la misma configuracin polarizada por divisor de voltaje para
permitir una comparacin de mtodos. PSpice se encuentra bien equipado para analizar
redes de transistor, haciendo uso de una versin mejorada del modelo de Gurnmel-Poon
descrito con detalle en el manual de PSpice. Si los parmetros especficos de este modelo
378

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

no se especifican, el modelo toma la apariencia del modelo re empleado en este libro. El


empleo de un lenjuage como BASIC requiere que las diversas ecuaciones desarrolladas
en el libro se apliquen en un orden especfico a fin de obtener las incgnitas deseadas; En
realidad, la misma secuencia de pasos utilizada para analizar la red a mano (con una calculadora disponible) sera la direccin general de un programa en BASIC. Por supuesto,
el uso de BASIC proporciona la oportunidad al usuario de definir el alcance o mbito y
el tipo de salida para un anlisis. Sin embargo, el listado de PSpice generalmente es lo
suficientemente
amplio para la mayor parte de las investigaciones.
El anlisis se
describir primero utilizando el programa PSpice, y a continuacin se har uso del
lenguaje BASIC.

PSpice
La lista de parmetros que se pueden especificar para el modelo de PSpice es tan extensa
(40 en total) que limitaremos nuestra atencin a aquellos parmetros que se requieren
para realizar la clase de anlisis que se cubrir en este captulo. Como se necesitan
parmetros adicionales en los captulos siguientes, se definirn con el mismo detalle.
Uno no debe preocuparse si no se especifican todos los parmetros. Si se requiere un
parmetro en particular para efectuar el anlisis mediante PSpice, pero no se ha especificado, el paquete emplear un valor por omisin que es tpico para el dispositivo bajo
investigacin. Algunos de los parmetros necesitarn especificarse slo si es necesario
por la profundidad del anlisis o diseo. El primer propsito de esta seccin es proporcionar una introduccin al uso de los modelos, que sea lo ms clara e inconfundible posible. A medida que su pericia vaya en aumento, los manuales de PSpice y una creciente
lista de publicaciones estarn disponibles para ms detalles e instrucciones adicionales.
En general, una vez que se han definido los nodos de la red y que la estructura bsica
(resistores, capacitores, fuentes, etc.) se ha introducido en el archivo de entrada, se necesita un mnimo de dos lneas para la descripcin de un transistor. La primera es la lnea
del elemento que tiene el siguiente formato:
QXISTOR
'
. ~.
o bl igatono

nombre

- - 9

nodo de
colector

nodo de
base

nodo de
emisor

..QXISrOR

nombre de
modelo de transistor
por definirse mediante
la lnea de modelo
siguiente

Pueden definirse otros parmetros en esta lnea, pero estn ms all del alcance ce este
libro y pueden consultarse en el manual del programa PSpice.
La siguiente lnea requerida para la definicin del transistor es la lnea del modelo, la
cual tiene el siguiente formato bsico:
MODEL

QMODEL

NPN

obligatorio

nombre del
modelo especificado
en la lnea de
elementos anterior

tipo de
transistor
(obligatorio)

(BF

= 90, IS = 5E -

15

especificacin de los
parmetros del modelo

El ltimo agrupamiento de la lnea anterior permite la especificacin de parmetros particulares para el modelo (una lista que puede incluir 40 parmetros). BF se establece para
la beta directa mxima ideal (en este caso, B = 90). Su valor por omisin es 100, revelando que si el parmetro anterior queda sin especificarse, el paquete utilizar un valor de
100. En el modelo, la corriente de saturacin inversa tiene un impacto importante sobre
las caractersticas generales del modelo. Su valor por omisin es de lE-16 o 0.0001 pA.
Al cambiar el nivel de Is se modificar el nivel de voltajes y corrientes de diseo importantes, tal como VBE para el anlisis de cd e le para el anlisis de ea En realidad, ya que VBE se
ha fijado en 0.7 V para el anlisis decddeeste

libro, se eligi un nivel de 5 x 10-15 A para Is'


8.13 Anlisis por computadora

379

][
debido a que el nivel resultante de VBE se halla comnmente

muy cerca de los 0.7 V

para el intervalo de niveles de corrientes esperado para el anlisis BIT de pequea seal.
En otras palabras, PSpice no permite especificar el nivel de VBE para el anlisis de cd,
pero utiliza simplemente la corriente de saturacin y una serie de importantes ecuaciones
para determinar el nivel resultante de VBE- Por esta razn VBE rara vez ser exactamente
0.7 V, pero estar justo alrededor de este valor. Considrese el valor de 0.7 V como un
valor promedio de los valores
esperados al utilizar PSpice si Is se especficas
como 5 x 10-15 A.
Ahora estamos listos para aplicar PSpice a la red con divisor de voltaje de la figura
8.9 (ejemplo 8.2). La red se ha vuelto a dibujar en la figura 8.56 con los nodos definidos
para el anlisis. Ya que las caractersticas especificadas, tales como Av y A, no son parte
de la lista de las opciones de salida PSpice, aplicaremos una seal de l m V y calcularemos la ganancia empleando el nivel de salida.

Vcc =22V

e.s en
R

56kn

[TI
8]

+r

[TI

B
/3=90

ITJ

v, = 1 rnVLO '"

Vo

R2

8.2ill
1.5ill

-1
":'

CE=20

tF

@]

Figura 8.56 Definicin de los nodos para un nalisis de PSpice de la configuracin por
divisor de voltaje.

Por ahora, las primeras ocho lneas del archivo de entrada de la figura 8.57 deberan
ser bastante familiares y comprensibles. El transistor se define luego en las siguientes
dos lneas, siendo QMODEL, el nombre del modelo para el transistor. Obsrvese en la
lnea de modelo que beta se especifica como 90. Ningn valor de IS se ha especificado
para demostrar el impacto sobre los resultados obtenidos. La segunda ejecucin incluir.
el nivel sugerido de IS para efectos de comparacin. El comando .PRINT requiere tanto
la magnitud como el ngulo de fase para el voltaje de salida de colector a tierra. Se
escogi para la ejecucin una frecuencia de 10kHz, requerida por la fuente de ea. El
nico impacto real de la frecuencia aplicada se ver sobre los elementos capacitivos y su
eficacia como corto circuitos equivalentes para el anlisis de ea.
Una vez que el archivo de entrada es introducido, se ejecuta el programa PSpice y se
obtiene un listado de parmetros del modelo BJT. Advirtase que B (BF) es 90 ells (IS)
es el valor por omisin de l x lOA pA. NF (el coeficiente de emisin de corriente directa), BR (la beta inversa mxima ideal) y NR (el coeficiente de emisin de corriente
inversa) toman el valor por omisin de 1. Las ltimas tres cantidades definen el comportamiento del modelo de una manera que se encuentra ms all de las necesidades de este
libro y tendrn un impacto mnimo sobre la corriente del anlisis de ea de pequea seal.

380

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

f.

][
**** 05/03/90 ******* Evaluation PSpice (January 1989) ******* 17:32:07 ****
Contiguracin
con polarizacin
por
Fig.
8.56
(1S
valor
por omisin)

divisor

de voltaje

- Configuracin

de

la

****

CIRCUIT DESCRIPTION

****************************************************************************
VCC 5 O DC 22V
RB1 5 2 56K
RB2 2 O 8.2K
RE 1 O 1.5K
RC 5 3 6.8K
C1 4 2 10UF
CE 1 O 20UF
VS 4 O AC 1MV O
Q1 3 2 1 QMODEL
.MODEL QMODEL NPN(BF=90)
.OP
.AC LIN 1 10KH 10KH
.PRINT AC VM(3,0) VP(3,0)
.OPTIONS NOPAGE
.END

****

BJT MODEL PARAMETERS

15

BF
NF
BR
NR

1
1
1

SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION

****
NODE
1)
5)

(
(

QMODEL
NPN
100.000000E-18
90

VOLTAGE
1.9285
22.0000

VOLTAGE
2.7089

NODE
(

2)

TEMPERATURE
NODE
(

3)

VOLTAGE
13.3540

27.000 DEG C
NODE
(

4 )

VOLTAGE
0.0000

VOLTAGE SOURCE CURRENTS


NAME
CURRENT
VCC
-1.616E-03
VS
O.OOOE+OO
TOTAL POWER DISSIPATION

****

3.56E-02

OPERATING POINT INFORMATION

WATTS
TEMPERATURE

27.000 DEG C

TEMPERATURE

27.000 DEG C

**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS


Q1
QMODEL
1.41E-05
1.27E-03
7.80E-01
-1.06E+01
1.14E+01
9.00E+01
4.92E-02
1.83E+03
O.OOE+OO
1.00E+12
O.OOE+OO
O.OOE+OO
O.OOE+OO
O.OOE+OO
9.00E+01
7.82E+17

NAME
MODEL
lB
IC
VBE
VBC
VCE
BETADC
GM
RPI
RX
RO
CBE
CBC
CBX
CJS
BETAAC
FT

****

AC ANALYSIS

FREQ
1.000E+04

VM (3,O)
3.340E-01

VP (3,O)
-1.777E+02

Figura 8.57Anlisis de PSpice de la configuracin

por divisor de voltaje de la figura 8.526


con IS = valor por omisin.

381

PSpice se disea entonces


automtica. Los resultados son

para realizar
V1

un anlisis

= VE = 1.9285

de cd de la red en forma

V2 = VB = 2.7089 V
V3

= Ve = 13.354 V
(para cd) = O V

V4 = V tierra

V5= Vee=22V

El archivo de salida proporciona de este modo la corriente de la fuente para Vcc con el nivel
de cd de la fuente de ea Vs a 0.0 A. La potencia de cd total disipada por los resistores y el transistor es 35.6 mW.
Otros niveles de cd se proporcionan luego para la red, tal como lB = 14.1 ~, le = 1.27 mA
(en comparacin con los 1.41 mA delejemplo 8.2) y VBE = 0.78 v el cual exede el nivel de 0.7 v)
empleado en el ejemplo 8.2). Tngase el nivel de VBE es consi-deracin cuando revisemos los
resultados con el valor establecido de IS a 5 x 10-15 A en la ejecucin siguiente del programa.
Los valores de cd para VBe y VCE se especifican entonces como -10.6 V Y 11.4 V, respectivamente,
y la beta de cd coincide con el valor de la beta de ea, 90. La transconductancia gm = l/re y re =
20.3 O . La impedancia de entrada es por tanto j3r e = (90)(20.3 O) = 1.827 kl o 1.83 kO, como
se especifica por RPI: La resistencia de salida se presenta como 1 x 10 120 Y la beta de ea es de
90 con Ff (el tiempo de trnsito directo ideal) igual a 7.82 x 1017 s. De nueva cuenta, algunos de
los parmetros probablemente carezcan de significado en este punto, pero otros sern bastante
reconocidos y pueden ser de ayuda en la verificacin de un diseo o anlisis.
El anlisis siguiente de ea revela que la magnitud de Vo es de 334 mV para una ganancia de
voltaje de 334 en comparacin con la ganancia de 368.76 que se determin en el ejemplo 8.2. El
desfasamiento es de 177.7 en lugar de 1800a consecuencia de los elementos capacitivos de la red.
Al elegir una frecuencia ms alta o al incrementar el nivel de capacitancia se llevara el desfasamiento cada vez ms cerca de los 1800.
El efecto de modificar ls a 5 x 10-15 A se demostrar claramente por medio de la ejecucin
del programa que se muestra en la figura 8.58. El nivel de VE es ahora de 2.0235 V en comparacin con los 2.11 V del ejemplo 8.2. El nivel de le es de 1.33 mA en comparacin con 1.41 mA, Y
la ganancia de voltaje de ea es ahora 350.4 en comparacin con la de 368.76 en el ejemplo 8.2. En
gereral, representa una mejora definitiva en la correspondenciaentrelos resultadoscalcu1aOOs
a manoy
los SllIllIIStrOO por el programaPSpice.

**** 05/03/90

*******

Evaluation

PSpice

(January

Configuracin con polarizacin por divisor


figura 8.56 (con IS especificado)
****

CIRCUIT

1989)

de voltaje

*******

17:36:27

- Configuracin

****

de la

DESCRIPTION

****************************************************************************
VCC 5 O DC 22V
RBl 5 2 56K
RB2 2 O 8. 2K
RE 1 O 1. SK
RC S 3 6. 8K
Cl 4 2 lOUF
CE 1 O 20UF
VS 4 O AC IMV O
Ql 3 2 1 QMODEL
.MODEL QMODEL NPN (BF=90 IS=SE-1S)
.OP
.AC LIN 1 10KH lOKH
.PRINT AC VM(3.0) VP(3.0)
.OPTIONS NOPAGE
.END
Figura 8.58 Anlisis de PSpice de la configuracin por divisor de voltaje de la figura 8.526 con IS

382

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

= 5 x 10 -15

A.

J.[
****

BJT MODEL PARAHETERS

IS
BF
NF
BR
NR

*.**

QMODEL
NPN
5.000000E-15
90
1
1
1

SHALL SIGNAL BIAS SOLUTION

NODE
1)
5)

(
(

VOLTAGE
2.0235
22.0000

NODE
(

VOLTAGE
2.7039

2)

TEMPERATURE
NODE
(

3)

VOLTAGE
12.9280

27.000 DEG C
NODE
(

4)

VOLTAGE
0.0000

VOLTAGE SOURCE CURRENTS


NAME
CURRENT
VCC
-1.679E-03
VS
O.OOOE+OO
TOTAL POWER DISSIPATION

****

3.69E-02

OPERATING POINT INFORHATION

WATTS
TEMPERATURE

27.000 DEG C

TEMPERATURE

27.000 DEG C

**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS


NAME
MODEL
lB
IC
VBE
VBC
VCE
BETADC
GM
RPI
RX
RO
CBE
CBC
CBX
CJS
BETAAC
FT

****

Q1
QMODEL
1.48E-05
1.33E-03
6.80E-01
-1.02E+01
1.09E+01
9.00E+01
5.16E-02
1.74E+03
O.OOE+OO
1.00E+12
O.OOE+OO
O.OOE+OO
O.OOE+OO
O.OOE+OO
9.00E+01
8.21E+17

AC ANALYSIS

FREQ
1.000E+04

VM(3,O)
3.504E-Ol

VP(3,O)
-1.776E+02

Figura 8.58 Continuacin.

los suministrados por el programa PSpice. Se obtendr una mejora adicional si en lugar de
la solucin aproximada se hubiera obtenido la solucin exacta en el ejemplo 8.2. En particular, ntese que VBE es ahora 0.68 V, lo cual se compara en forma muy favorable con el
valor fijo aproximado de 0.7 V. Por tanto, en general, para el anlisis de pequea seal efectuado en este libro utilizando el programa PSpice, IS se especificar como 5 .x 10-15 A.
La introduccin anterior fue relativamente breve debido a las limitaciones de espacio
y a las prioridades, pero su propsito est justificado si la relativa simplicidad de la aplicacin del programa PSpice para determinar la respuesta de pequea seal es ahora evidente. Cuando el tiempo lo permita, deberan leerse cuidadosamente los manuales, para
entender por completo el efecto de los diversos parametros y las ecuaciones involucradas
en el modelo de PSpice. Ponga atencin en que est disponible una versin comercial de
PSpice que tenga un catlogo completo de transistores especficos en memoria, para
hacer uso de ellos cuando sean solicitados por el paquete de programacin PSpice. En
otras palabras, el archivo de entrada puede incluir referencias a un transistor en particular y el paquete
insertaren forma automtica los parmetros que mejor lo describan para el anlisis por realizarse.
8.13 Anlisis por computadora

383

][
Puede obtenerse informacin adicional acerca de la versin comercial escribiendo
directamente a Microsim Corp. y ahora, comparemos el anlisis anterior con el anlisis
del mismo circuito empleando el lenguaje BASIC.

BASIC
El programa en BASIC de la figura 8.59 analizar la configuracin con polarizacin por
divisor de voltaje de la figura 8.56 con las caractersticas adicionales, de modo que
puede tambin proporcionar una solucin si una porcin del resistor de emisor no est en
derivacin y puede incluir los efectos de una fuente y resistencia de carga. La resistencia
de emisor se designar como REJ, si no est en derivacin, y como RE2' si se encuentra
en derivacin.

10 REM
20 REM
30

****************************************************
PROGRI\M 8.1

REM ****************************************************

BJ'!'AC ANA1YSIS
40 REM
USING re ANO BETA PARAMETERS
50 REM
60 REM ************** *******.****************************
70 REM
100 CLS
110 PRINT "This program performs the ac calculations"
120 PRINT "for a BJT voltage-divider
using the re and beta parameters."
130 PRINT
140 PRINT "Enter the following
circuit data:"
150 PRINT
160 INPUT "RB1="R1
170 INPUT "RB2="R2
180 INPUT "RC="RC
emitter resistance,
RE1="E1
190 INPUT "Unbypassed
emitter resistance,
RE2="E2
200 INPUT "Bypassed
210 PRINT
220 INPUT "Beta="BETA
230 INPUT "Supply voltage, VCC=";CC
240 INPUT "Load resistance,
RL="RL
250 INPUT "Source resistance,
RS="RS
260 INPUT "Source voltage, VS="VS
270 PRINT:PRINT
280 GOSUB 11200:REM
Perform ac analysis
290 PRINT "The results of the ac analysis are:"
300 PRINT
310 PRINT "Transistor
dynamic resistance,
re="RE"ohms"
320 PRINT
330 IF CC-IE*(RC+E1+E2)<=0
THEN PRINT "circuit in saturation."
:GOTO 420
340 PRINT "Input impedance,
Ri="RI"ohms"
350 PRINT "Output impedance,
Ro="RO"ohms"
360 PRINT "Voltage-gain(no-load),
Av="AV
370 PRINT "Current gain, Ai="AI
380 PRINT
390 PRINT "Output voltage(vo
load) , Vo="VO"volts"
400 PRINT
410 PRINT "Output voltage(under
load) , VL="VL"volts"
420 PRINT
430 VM=CC-IE*(BETA/(BETA+1*(RC+E1+E2)
:REH Maximum signal swing
440 IF ABS(VLVM
THEN PRINT "but maximum undistorted
output is"VM"volts"
450 ENO
11200 REM Module to perform BJT ac analysis using re model
11210 RB=R1*(R2/(R1+R2
11220 RP=RC*(RL/(RC+RL
11230 BB=R2*CC/(R1+R2)
11240 IE=(BB-.7)*(BETA+1)/(RB+BETA*(E1+E2
11250 RE=.026/IE
11260 R3=BETA*(RE+E1)
11270 RI=RB*(R3/(RB+R3
11280 RO=RC
11290 AI=(RC/(RC+RL*BETA*(RB/(RB+R3
11300 AVa-RC/(E1+RE)
11310 VI=VS*(RI/(RI+RS
11320 VO=AV*VI
11330 VL=VO*(RL/(RO+RL
11340 RETURN

Figura 8.59 Programa en BASIC para el anlisis de ea de una configuracin BJT.

384

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

][
RUN
This program
performs
the
for a BJT vOltage-divider
Enter

the

following

ac calculations
using the re and beta

circuit

parameters.

data:

RB1=? 56E3
RB2=? 8.2E3
RC=? 6. 8E3
Unbypassed
emitter resistance,
RE1=? O
Bypassed emitter resistance,
RE2=? 1.5E3
Beta=? 90
Supply voltage,
VCC=? 22
Load resistance,
RL=? 10E3
Source resistance,
RS=? 600
Source voltage,
VS=? 1E-3

The results
Transistor

of the
dynamic

ac analysis

are:

resis~ance,

re=

19.24912

ohms

Input impedance,
Ri= 1394.631 ohms
Output impedance,
Ro= 6800 ohms
VOltage-gain(no-load),
Av=-353.263
Current gain, Ai= 29.32569
Output

voltage(no

output

voltage(under

load) , Vo=-.2469988

volts

load) , VL=-.1470231

volts

Figura 8.59 Continuacin.

El mdulo compuesto
importantes para el modelo
do. Los pasos secuenciales
con 10.5 clculos realizados

de las lneas 11210 a la 11260 determinar los parmetros


de transistor de la figura 8.60 y efectuar el anlisis requeridel mdulo deben revisarse cuidadosamente y compararse
a mano (con la ayuda de una calculadora).
lo
......

le
......
I

+
V,

R,
Z

......+

lb

f3

Zo
Vo

RL

Figura 8.60 Red analizada mediantre el mdulo comprendido entre las lneas 11210 y 11260 del programa en
BASIC de la figura 8.59.

Una ejecucin del


resultados que aparecen
BASIC puede escribirse
clara, concisa y tabular.

programa con los valores de la figura 8.56 proporcionar los


al final de la figura 8.59. En particular, ntese cmo el programa
para proporcionar informacin acerca del sistema de una manera
El nivel de R = R' IIftre = 1,394.63 n, lo cual es distinto de RI

en la ejecucin de PSpice, debido a que Rl slo incluye la impedancia de entrada de la


configuracin de transistor (f3r ej. La ganancia con ausencia de carga es de 353.26, lo cual
se compara muy bien con el valor de 368.76 obtenido mediante el uso del programa
PSpice. La ganancia de corriente de 4.9 x 10-25 A == O A, debido a la ausencia de una
caiga paradetinir una conientede salida. La ausencia de carga tambin ocasiona que Av = AvNL'
8.13 Anlisis por computadora

385

] [
8.2 Configuracin

PROBLEMAS

con polarizacin fija de emisor comn

1. Para la red de la figura 8.61:


(a) Determine

z y 20'

(b) Encuentre Av y Aj.


(e) Repita el inciso (a) con "o = 40 1d1.
(d) Repita el inciso (b) con r0= 40 1d1.
12 V

2201d1

Vo

)1-----4---1

Figura 8.61 Problemas 1,21.

2. Para la red de la figura 8.62, determine VCC para una ganancia de voltaje de Av

= -200 .

.-----..---oVcc

Figura 8.62 Problema 2.

3. Para la red de la figura 8.63:


(a) Calcule lB, le y re'
(b) Determine

2j

y 20'

(e) Calcule Av y Aj.


(d) Determine el efecto de 'o

= 40 kQ sobre Av y Aj.
iOV

~
Z
+lOV

386

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

Figura 8.63 Problema 3.

][
8.3 Polarizacin

por divisor de voltaje

4. Para la red de la figura 8.64:


(a) Determine re'
(b) Calcule Z y Zo'
(e) Encuentre Av y A.
(d) Repita el inciso (b) y (e) con r 0= 50 ldl.
Vcc = 16 V

Figura 8.64 Problema 4.

Figura 8.65 Problema 5.

5. Determine V CC para la red de la figura 8.65 si Av = -160 Y r 0=

00

il.

6. Para la red de la figura 8.66:


(a) Determine re'
~b)Calcule VB y V C.

(e) Determine Z y Av

VdV.

Vcc =20V

--

,----...--020

Figura 8.66 Problema 6.

8.4 Configuracin

de emisor comn con polarizacin en emso-

7. Para la red de la figura 8.67:


(a) Determine re'
(b) Encuentre Z y Zo'
(c~Calcule Av y A.
Figura 8.67 Problemas 7, 9.

(d) Repita los incisos (b) y (e) con r 0= 50 kil.


Problemas

387

][
8. Para la red de la figura 8.68, determine RE y RB si Av

= -10

Y re

= 3.8 il.

Suponga que

Zb =j3Rg
9. Repita el problema 7 con RE en derivacin. Compare los resultados.

10. Para la red de la figura 8.69:


(a) Determine re'
(b) Encuentre Z y Av.
(e) Calcule Aj,
~------~--~22Y

(d) Repita los incisos (b) y (e) con r 0=40 kil.

5.6 k.Q

20Y

---

330 k.Q

~ lo

~v"
Cc

1,

V,~1---+--1'"

Cc

R/

~v"

/.,

Figura 8.69 Problema 10.

Figura 8.68 Problema 8.

8.5 Configuracin

de emisor seguidor

11. Para la red de la figura 8.70:


(a) Determine re y.fJre'
(b) Encuentre Z y Zo'
(e) Calcule Av y A.
(d) Repita los incisos (b) y (e) con r0= 40 kil.

12. Para la red de la figura 8.71:


(a) Determine Z y Zo'
(b) Encuentre Av'
(e) Calcule Vo si V = l mY.
(d) Repita los incisos de la (a) a la (e) empleando r 0= 25 kil Yhaga un comentario sobre el efecto de
este nivel de r o relativamente bajo.

16 Y

12Y

-1,

270kl

----

\ o----)I----f-I

\ , o----)I--.+---.;;;.c

--

t,

~\i"

1"

2.7k.Q

-8Y
Figura 8.70 Problema 11.

388

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

Figura 8.71 Problema 12.

][
*

13. Para la red de la figura 8.72:


(a) Calcule 'e el C(b) Determine re'
(e) Determine z y Zo'

(d) Encuentre Av y A.
Vcc=20V

--

o-------)J---+-- ...
1,

Figura 8.72 Problema 13.


8.6 Configuracin

de base comn

14. Para la configuracin de base comn de la figura 8.73:


(a) Determine re'
(b) Encuentre Z y Zo'
(c) Calcule Av y A.
-IOV

+6V

6.8kil

--

-r,

Z"

Figura 8.73 Problema 14.

* 15. Para la red de la figura 8.74, determine

Av y A.

8V

~\'.

~,

'

-5V

Figura 8.74 Problema 15.


Problemas

389

} [
8.7 Configuracin

con retroalimentacin

en colector

16. Para la configuracin con retroalimentacin en colector de la figura 8.75:


(a) Determine re'

12 y

(b) Encuentre Z y Zo'


(e) Calcule Ay y A.

V,o-----}t--~---f-I

----I

Figura 8.75 Problema 16.

17. Dado re = lOil, f3= 200,Ay=-160yA=

19 para la red de la figura 8.76, determinar ReRF' Y Vcc-

Vo-----)
I---+-----f-t

Figura 8.76 Problema 17.

* 18. Para la red de la figura 8.30:


(a) Deducir la ecuacin aproximada para Ay.
(b) Deducir la ecuacin aproximada para A.
(c) Deducir las ecuacines aproximadas para Z y Zo'
(d) Dados Re = 2.2 ill, RF = 120 kil, RE = 1.2 kil, f3 = 90, Y Vee = 10 Y, calcular la magnitud de
Ay, A, Z, y Zo utilizando las ecuaciones de los incisos (a) al (e),
8.8 Configuracin

con retroalimentacin

CD en colector

19.Para la red de la figura 8.77:


(a) Determine Z y Zo'
(b) Encuentre Ay y A.
(e) Repita los incisos (a) y (b) si r 0=45 kil.

9Y

391d1

~vv~~~~~~~~
1 .tF

Vo-----}I---+--------t

---

-Zo

I
,........
=80

1 .tF

Figura 8.77 Problema 19.

390

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

][
8.9 Circuito equivalente

hbrido aproximado

20.(a) Dados j3 = 120, re = 4.50 Y r0= 40 kO, haga un dibujo del circuito equivalente hbrido aproximado.
(b) Dadas he = l

kn ,hre = 2 x 10-4, he = 90 Yhoe


21. Para la red del problema 1:
(a) Determine re'

= 20 JlS, dibuje el modelo

re'

(b) Encuentre "te y he'


(e) Encuentre Z y Zo haciendo uso de los parmetros hbridos.
(d) Calcule Av y A utilizando los parmetros hbricos.
(e) Determine Z y

(O Determine

z si hoe = 25 JlS.

Av y A si hoe

= 25 JlS.

(g) Compare las soluciones anteriores con las correspondientes del problema l. (Nota: las soluciones
se pueden obtener en el apndice E si el problema 1 no se ha resuelto.)
22. Para la red de la figura 8.78:
(a) Determine Z y Zo'
(b) Calcule Av y A.
(e) Determine re y comparejb-, con he'
18 V

68kQ

~-----1If-------<o

t,
1', o

---

)t-----1~-----I
5flF

--

Z"

11"

he = 180
he =2.75 kQ

hae

= 25 JlS

12kQ

Z,

1.2kQ

Figura 8.78 Problemas 22, 24,

* 23. Para

la red de base comn de la figura 8.79:


(a) Determine Z y Zo'

(b) Calcule Av y A.
(e) Determine u,j3. reY ro'

---

h/l>=-0,992
hb =9.45 Q
hnh= 1 JlA/V

t,

O~--~)Ir---~--------~
+
v,

10 JlF

Z,

10 JlF

4V

--z

+
v.,

{I

Figura 8.79 Problema 23,


Problemas

391

] [
8.10 Modelo equivalente hbrido completo

24. Repita los incisos (a) y (b) del problema 22 con hre
25. Para la red de la figura 8.80, determine:

=2

x 10-4 y compare los resultados.

(a) Z.
(b) Ar
(e) A =IrJI.

(d) Zo'
20V

470kQ

t,

1 kQ

5 .t.F

hfe = 140

=0.86 kQ
h" = 1.5 X 10-4
= 25.tS
h<

V,

~
Z

Figura 8.80 Problema 25.

26. Para el amplificador de base comn de la figura 8.81, determine:


(a) Z.
(b) A.
(e) Ar
(d) Zo'

hh= 9.45 Q
hjn = -0.997
hoh=0.5 .tAN
hrh= l X 10-4

)r--------~~----~I~------~o
+
+
~

v.

1,

4V

Figura 8.81 Problema 26.


8.12 Localizacin de fallas

* 27. Dada la red de la figura 8.82:


(a) Determine si el sistema funciona normalmente basndose en los niveles de polarizacin por divisor de voltaje y las formas de onda esperadas para Vo y VE'
(b) Determine la razn que explique los niveles de cd obtenidos y el porqu de la forma de onda
obtenida para vo'

392

Captulo 8 Anlisis de pequea seal del BJT

].[
vcc=

14 Y

\lo (Y)
\l(mY)

RI

150kn
10 F

- ~r
(

O
V8

CI

R2

= 6.22 Y
+

39kn

oVo

C2

10 F

Figura 8.82 Problema 27.

8.13 Anlisis por computadora


!7

28. (a) Escriba el archivo de entrada de PSpice para la red de la figura 8.6 (ejemplo 8.1) y solicite el
nivel de Vo para V = 1 mY.
(b) Realice el anlisis de PSpice y compare el resultado para Vo con los resultados del ejemplo 8.1.
29. (a) Escriba el archivo de entrada para la red de la figura 8.13 (ejemplo 8.3) y solicite el = nivel de Vo
para V = 1 mY.
(b) Realice el anlisis de PSpice y compare el resultado para Vo con los resultados del ejemplo 8.3.
30. (a) Escriba el archivo de entrada para la red de la figura 8.25 (ejemplo 8.8) y solicite el nivel de Vo
para V = 1 mY.
(b) Realice el anlisis de PSpice y compare el resultado para Vo con los resultados del ejemplo 8.8.
3!. (a) Escriba un programa en BASIC para determinar Z_ Zo_ Av y A para la red de la figura 8.9
(ejemplo 8.2)
(b) Efecte el anlisis del inciso (a) y compare con los resultados del ejemplo 8.2
32.(a) Escriba un programa en BASIC para determinar Z_ Zo_ Av y A para la red de la figura 8.13
(ejemplo 8.3).
(b) Efecte el anlisis del inciso (a) y compare con los resultados del ejemplo 8.3
33.(a) Escriba un programa en BASIC para determinar Z_ Zo_ Av y A para la red de la figura 8.25
(ejemplo 8.8)
(b) Efecte el anlisis del inciso (a) y compare con los resultados del ejemplo 8.8.

Nota:los asteriscossealan los problemasde mayor dificultad.

Problemas

393