Electrnica

Tarea #2
Jess Arturo Saucedo Rodrguez, A01244887
1. Cmo se forma una unin tipo PN?
Al tener una regin tipo P, dnde existen huecos, y una tipo N, dnde hay
excedente de electrones, stas al entrar en contacto se unen mediante la relacin
hueco-electrn, de tal manera que la regin P es cubierta de sus huecos gracias a
los electrones de la regin N.
2. Cul es el significado de barrera de potencial, y cmo es formada?
Es la cada de voltaje que existe en la unin PN debido al campo electro que existe.
Se forma con un campo elctrico entre los iones positivo y negativo, que al entrar
los electrones libres en la zona de deplexin, el campo elctrico trata de devolverlos
a la zona n. La intensidad del campo elctrico aumenta con cada electrn que cruza
hasta llegar al equilibrio.
3. Cmo se crea la capacitancia de unin en un diodo de unin PN en
polarizacin inversa?
Al aplicar un voltaje a travs de la unin tipo-p negativa y la regin tipo-n positiva y
cerrar el switch, esta tiene una polarizacin inversa. Los electrones negativos y
huecos positivos son atrados haciendo la regin desrtica ms grande (acta como
aislante) y sin permitir el paso de corriente, es as como se crea la capacitancia.
4. Escriba la relacin ideal de corriente-voltaje en un diodo
La corriente actual tiene una relacin con el voltaje, voltaje trmico, corriente de
saturacin y el coeficiente de emisin, y se obtiene con la siguiente ecuacin:

5. Describa el significado de IS y VT.

IS es la corriente de saturacin que existe en polarizacin inversa. Para las uniones
pn de silicio, los valores tpicos de IS estn en el rango entre 10^-18A a 10^-12 A.
VT es el voltaje trmico, y es aproximadamente de 26 mV a temperatura ambiente.