INTRODUCCION.

Durante muchos aos el sector de la electrnica de potencia ha centrado su

investigacin en el desarrollo de componentes capaces de alcanzar grandes
velocidades de conmutacin y grandes cargas y que fueran sustitutivos de las
tecnologas anteriores que, para ciertas aplicaciones, ya haban quedado
obsoletas -como es el caso del transistor bipolar BJT (Bipolar Junction
Transistor-, los MOSFET y de los VDMOS (DMOSFET vertical). Para ello, los
investigadores han combinado desde hace ms de dos dcadas las
posibilidades de los transistores bipolares y los denominados MOSFET, un
transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS (Metal Oxide
Semiconductor).
De esta combinacin nace en los aos 80, IGBT (del ingls, Insulated Gate
Bipolar Transistor) como un dispositivo semiconductor de gran capacidad que
generalmente es utilizado en sistemas o aparatos que requieren circuitos de
electrnica realmente potentes y con velocidades de conmutacin de hasta 20
KHz. Aunque no seamos conscientes de ello, los IGBT nos acompaan en todo
momento y han sido claves en el desarrollo de la electrnica de potencia. Sus
aplicaciones principales se centran en los sectores de: control de motores,
sistemas de alimentacin ininterrumpida, sistemas de soldadura, iluminacin de
baja frecuencia y alta potencia. Estn presentes en la circuitera de los
automviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero tambin de los
electrodomsticos del hogar mediante la interconexin de diversos IGBT que
controlan los motores elctricos. Dichos transistores IGBT son la ltima
generacin en el campo de los dispositivos de conmutacin para alta tensin
que combina los atributos del BJT y del MOSFET. La combinacin de una
puerta aislada tipo MOS y un colector/emisor bipolar le permite conmutar
tensiones y corrientes mucho mayores. El flujo de corriente se controla a travs
de una fuente de tensin de alta impedancia que permite que se puedan
controlar intensidades elevadas con una potencia de control muy baja. De
hecho, uno de los xitos de IGBT es su baja necesidad de energa de control
para pasar del modo conduccin al modo bloqueo y viceversa.
En resumidas cuentas para variar la velocidad de los motores de corriente
alterna, por ejemplo los que llevan incorporados algunos electrodomsticos, lo
que se hace es alterar la frecuencia y amplitud de las ondas senoidales que
mueven los arrollamientos de dicho motor. Es decir, el motor girar con la
misma frecuencia que dichas ondas que pueden crearse mediante diversos
IGBT interconectados. La estructura de estos transistores es bastante compleja
pero de muy reducidas dimensiones, de tamao aproximado a un sello de
correos. Bsicamente podramos decir que es similar a la estructura de un
MOSFET a la que se aade un nuevo sustrato P como material semiconductor
debajo de la zona N epitaxia. Esto otorga a IGBT una capacidad de conduccin
ambipolar. Durante sus primeros aos IGBT tuvo que hacer frente a un
problema de latch-up que normalmente produca que el dispositivo se
destruyera trmicamente que se solucion mediante la modificacin del dopado
y la profundidad del sustrato.

Los IGBT acumulan la mayor parte del mercado de componentes de potencia

para aplicaciones de media y alta tensin, no slo por su capacidad de
potencia sino tambin porque son tan rpidos que la frecuencia de los impulsos
que generan son imperceptibles por el odo humano. Esta particularidad los ha
hecho especialmente interesantes para el desarrollo de los sistemas de aire
acondicionado, frigorficos, lavavajillas, ect., en los que los consumidores son
especialmente sensibles al ruido que emiten. La mayor parte de los ruidos de
los compresores procede de la utilizacin de transistores no demasiado rpidos
y que slo se activan y desactivan en frecuencias audibles por las personas.
Pero las aplicaciones de IGBT van mucho ms all del control de motores.
Algunos fabricantes de tecnologas de consumo ya los estn utilizando para
mejorar sus dispositivos o dotarles de nuevas capacidades. Por ejemplo, una
de las ltimas aplicaciones de estos transistores ha permitido integrarlos en los
telfonos mviles para dotar a sus cmaras de un flash de xenn realmente
potente. Esto ha sido posible gracias a que los IGBT han reducido
enormemente sus dimensiones. Otro ejemplo curioso de aplicacin de esta
tecnologa es su utilizacin para activar o desactivar los pxeles en las pantallas
tctiles de nueva generacin, sistemas de iluminacin de edificios o centrales
de conmutacin telefnica. Incluso ya existen algunos desfibriladores que
incorporan IGBTs. Las posibilidades que nos ofrece IGBT son innumerables.
De hecho ha sido uno de los componentes claves en el desarrollo del tren de
alta velocidad AVE. A medida que esta tecnologa ha ido evolucionando, los
fabricantes de dispositivos elctricos y electrnicos han mejorado la capacidad
de conmutacin de sus soluciones para reducir las prdidas y mejorar la
velocidad y capacidad de carga. IGBT se presenta como un supertransistor
que permitir avanzar en el desarrollo de la electrnica de electrodomsticos
pero tambin son y sern una de las tecnologas bsicas de los coches
elctricos.

MARCO TEORICO

El transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT)

El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que
combina los atributos del BJT y del MOSFET. Posee una compuerta tipo
MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate
maneja voltaje como el MOSFET. Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT
no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el BJT. Generalmente se
aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en
sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15V. Esto
ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal
elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

Caractersticas de funcionamiento:
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)
Facilidad de manejo (MOSFET)
El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:
Bajo ciclo de trabajo
Baja frecuencia (< 20 kHz)
Aplicaciones de alta tensin (>1000 V)
Alta potencia (>5 kW)

CARACTERSTICAS ELCTRICAS.
TRANSISTOR IGBT. CURVA CARACTERISTICA Y SIMBOLOS.

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT

CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
El encendido es anlogo al del MOS, en el apagado destaca la corriente de
cola:

Formas de Onda Caractersticas de la Tensin y Corriente en el Apagado de un

Transistor IGBT conmutando una carga inductiva (no comienza a bajar Id hasta
que no sube completamente Vd)
La corriente de cola se debe a la conmutacin ms lenta del BJT, debido a la
carga almacenada en su base (huecos en la regin n-).
Provoca prdidas importantes (corriente relativamente alta y tensin muy
elevada) y limita la frecuencia de funcionamiento.
La corriente de cola, al estar compuesta por huecos que circulan por la
resistencia de dispersin, es la causa del latch up dinmico.
Se puede acelerar la conmutacin del BJT disminuyendo la vida media de los
huecos en dicha capa (creando centros de recombinacin). Tiene el
inconveniente de producir ms prdidas en conduccin.
En los PT-IGBT la capa n+ se puede construir con una vida media corta y la
n- con una vida media larga, as el exceso de huecos en n- se difunde hacia la
capa n+ dnde se recombinan (efecto sumidero), disminuyendo ms rpido la
corriente.

rea de Operacin Segura (SOA) de un Transistor IGBT.

a) SOA directamente Polarizada (FBSOA)

Polarizada (RBSOA)

b) SOA Inversamente

IDmax , es la mxima corriente que no provoca latch up.

VDSmax , es la tensin de ruptura de la unin B-C del transistor bipolar.
Limitado trmicamente para corriente continua y pulsos duraderos.
La RBSOA se limita por la VDS/t en el momento del corte para evitar el latchup dinmico.

CARACTERSTICAS Y VALORES LMITE DEL IGBT.

IDmax Limitada por efecto Latch-up.
VGSmax Limitada por el espesor del xido de silicio.
Se disea para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre
4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante
unos 5 a 10 s. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde
puerta.
VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como es muy baja, sera
VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700,
2.100 y 3.300 voltios. (Anunciados de 6.5 kV).
La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C.
Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600
Amp.
La tensin VDS apenas vara con la temperatura. Se pueden conectar en
paralelo fcilmente. Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad,
(1.200 o 1.600 Amperios).
En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y
un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

a) Efecto de VGS y la corriente de drenador sobre la cada en conduccin

(Prdidas en conduccin). Uso de VGS max (normalmente=15V).
b) Efecto de la corriente de drenador sobre la derivada de la cada en
conduccin respecto a la temperatura.

Aplicaciones Generales IGBT:

Los IGBT acumulan la mayor parte del mercado de componentes de
potencia para aplicaciones de media y alta tensin, no slo por su capacidad
de potencia sino tambin porque son tan rpidos que la frecuencia de los
impulsos que generan son imperceptibles por el odo humano.
Otro ejemplo curioso de aplicacin de esta tecnologa es su utilizacin
para activar o desactivar los pxeles en las pantallas tctiles de nueva
generacin, sistemas de iluminacin de edificios o centrales de conmutacin
telefnica.
Estos dispositivos semiconductores de potencia se utilizan en
convertidores CC/CA, en maquinaria, robots industriales, compresores de
equipos de aire acondicionado, equipos de fabricacin de semiconductores,
unidades de control de motores en automviles y vehculos elctricos hbridos,
equipos de soldadura.
Aplicaciones de IGBT en control por modos deslizantes:
El control en modo deslizante (VSC) aplicado a sistemas de estructura
variable (VSS) fue introducido en los aos 50 en la antigua Unin Sovitica por
Emelyanov y otros colaboradores. Segn la definicin de Sira-Ramrez [SiraRamirez, 1988] una superficie en el espacio de estado de un sistema dinmico
representa una relacin entre las variables de estado que describen el
comportamiento del sistema. Si ste es forzado a evolucionar sobre esta
superficie, las relaciones estticas de la dinmica resultante quedan
determinadas por los parmetros y ecuaciones que definen la superficie.
La teora de sistemas de Control por Modo Deslizante (CMD) representa
una parte fundamental de la teora de sistemas no lineales. Esta teora consiste
en el empleo de acciones de control conmutadas o discontinuas sobre una o
varias superficies de conmutacin. Uno de los principales inconvenientes
asociados a la tcnica de CMD es la intensa actividad que debe ejercer la seal
de control, lo que resulta en la presencia de oscilaciones de alta frecuencia.

Caso particular: Seales de referencia peridicas con valor medio nulo

En el caso de poseer una seal de referencia con valor medio nulo, la
tensin de salida deber adquirir polaridad positiva y negativa en rgimen
deslizante. En el apartado anterior se mostr que cuando nicamente se utiliza
un interruptor bidireccional en corriente existen inconvenientes, determinados
por las inecuaciones que ofrecen la existencia de rgimen deslizante, para
garantizar el deslizamiento cuando la tensin adquiere polaridad opuesta a la
tensin de entrada. Recurdese, por otra parte, que en el convertidor Boost el
dominio de existencia de rgimen deslizante impona v>E, por lo que al invertir
la polaridad de la tensin de entrada se conseguirn dos zonas de existencia
de rgimen deslizante sin interseccin entre ellas, lo que implica que no podr
lograrse seguimiento de seal con valor medio nulo mediante control en modo
de deslizamiento en este convertidor.

Una solucin, ampliamente utilizada, que permite abordar esta problemtica

consiste en variar la polaridad de la fuente de entrada adecuadamente
mediante la utilizacin de un puente completo de interruptores. La figura 2.4
muestra un esquema circuital de un puente completo implementado con
interruptores IGBT, mientras que la ley de conmutacin, denominada de dos
estados, viene dada segn la tabla 2.9. Para ello, se define la variable s que
indicar la polaridad de dicha fuente, de este modo cuando e=l la fuente de
entrada tiene polaridad positiva y cuando e= -l la fuente de entrada adquiere
polaridad negativa.

Aplicacin del IGBT en PWM:

La Modulacin por Ancho de Pulso (PWM) es un sistema de control para los
inversores con el cual se obtiene una onda de salida de notables
caractersticas y elevada prestacin, con reducido contenido armnico y segn
sea la aplicacin se puede optar por una salida de parmetros fijos o variables:
Variacin de la tensin de salida.
Variacin de la frecuencia.
Variacin a relacin constante Tensin Frecuencia.
El circuito de potencia es el puente, en este caso monofsico,
normalmente implementado con transistores MOS o IGBT, debido a que en
general trabaja con una frecuencia de conmutacin del orden de los 15 KHz.
Segn la aplicacin, en PWM se lo utiliza entre 1KHz y 40 KHz y de hecho los
elementos operan en conmutacin.

Las altas frecuencias de conmutacin son deseables para motores de

corriente alterna, ya que permiten la operacin del equipo con una corriente en
el estator prcticamente senoidoal y un rpido control de corriente para un alto
rendimiento dinmico. Adems el ruido puede ser reducido a una frecuencia del
orden de los 20Khz.
Recientemente los BJT y los MOSFETs han sido cmodamente usados para
esto, pero como una tercera posible alternativa los IGBT han emergido
recientemente. IBGT ofrece baja resistencia y requiere poca energa para la
activacin.
EL INVERSOR PUENTE TRIFSICO
La figura 3-8 nos muestra el circuito que puede cumplir con los requisitos
solicitados por la ecuacin (3-4). Por lo tanto el motor AC puede ser controlado
a velocidades diferentes a su valor nominal y an conservar las caractersticas
nominales de su torque.
La nica forma de poder conseguir una onda de voltaje que cumpla con
el requisito de cambiar proporcionalmente su voltaje y frecuencia al mismo
tiempo, es por medio de un circuito Inversor.
En la figura 3-8 se muestran las partes que conforman la etapa de
potencia de todo tipo de variador de velocidad de motor AC en la actualidad.

La alimentacin de entrada es VAC monofsico o trifsico dependiendo

de la potencia del motor AC a controlar. Dicho voltaje AC es rectificado por
medio de un puente de diodos.
Luego tenemos la etapa de filtrado compuesta de filtro de corriente (bobina) y
filtro de voltaje (capacitor), con el objetivo de disponer de una barra de voltaje
DC lo ms continua posible (bornes +DC/-DC).

Dicha barra DC es la entrada al circuito inversor, el cual por medio del trabajo
conmutado de los IGBT la convierte en un voltaje de salida (bornes U, V, W)
denominada Seno-PWM, que cumple con el requisito de mantener la relacin
V/f a proporcin constante.

VOLTAJE SENO-PWM
La figura 3-9 muestra en forma detallada la onda Seno-PWM de salida del
inversor trifsico en puente. La amplitud (Vd) de dicha onda es igual a la barra
de voltaje DC (bornes +DC/-DC de entrada al circuito inversor).
El motor recibe dicha onda de voltaje por los bornes de salida U,V,W y la filtra
obteniendo corrientes (IU, IV. IW) casi senoidales. El promedio de voltaje eficaz
V depende del ancho de los pulsos y la frecuencia efectiva f vista por el
motor es 1/T. La velocidad de conmutacin de los transistores IGBT es 1/t
denominada frecuencia portadora.
El resultado es que el motor recibe la relacin V/f proporcional a sus valores
nominales, consiguiendo que desarrolle su trabajo an a velocidades menores
que lo normal y sin prdida de torque.

Bibliografica
http://ccpot.galeon.com/enlaces1737117.html
http://www.ibercom.net/UserFiles/File/industrial/IGBT.pdf
http://almadeherrero.blogspot.com/2010/01/transistores-igbt.html
Control difuso por modo deslizante para la resolucin del problema de
Seguimiento en Sistemas No Lineales
Por JOS MANUEL ANDRADE DA S.; PEDRO ANTONIO TEPPA G. Y JOS
JESS FERRER S. Universidad Simn Bolvar. Sartenejas Estado Miranda,
Venezuela.
Control en modo deslizante aplicado a la generacin de seal en
convertidores conmutados DC/DC. Tesis doctoral presentada para la
obtencin del ttulo de doctor de Domingo Biel Sol.
Publicacin IEEE.
POWER ELECTRONICS. HANDBOOK EDITOR-IN-CHIEF. MUHAMMAD H.
RASHID. Ph.D., Fellow IEE, Fellow IEEE. Professor and Director. University of
Florida. University of West Florida Joint Program and Computer Engineering
University of West Florida. Pensacola, Florida

CONCLUSIONES
Soto Verduzco Edgar Emir
El IGBT es interesante, implementando caractersticas de los BJT y de
los MOSFET, que generalmente se usan para sistemas de potencia con
capacidad de comulacin o switcheo de 20Khz segn le, y tambin dice que
se puede aplicar en grandes voltajes de mas de 1000V, cosa que me pareci
realmente sorprendente. Es asi como pienso que por sus caractersticas
reemplaz a los BJT y a los Mosfet en algunas aplicaciones ya sea por que
ocupaban mayor frecuencia de conmutacin, necesitaban soportar mayor
voltaje o ocupaban soportar mayor potencia, y asi progresar con el desarrollo
de la tecnologa.