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LABORTATORIO DE ELECTRONICA I

FIEI - UNFV

EXPERIMENTO N 4
TRANSISTOR: POLARIZACION Y ESTABILIZACION
I.-OBJETIVO:
-Comprobar experimentalmente el funcionamiento de la polarizacin del transistor
bipolar para un punto de operacin (punto Q) determinado.
-Analizar el comportamiento para las variaciones del hfe con respecto a los cambios de
temperatura.
-Comprobar las especificaciones tcnicas del transistor dadas por el fabricante as como sus
respuestas y graficas respectivas. Y sus pruebas de funcionamiento.
NOTA:

El profesor debe realizar una breve introduccin del experimento y sus objetivos. As mismo debe permanecer durante toda la
sesin del experimento, para responder y formular las preguntas necesarias.

II.- EQUIPOS Y MATERIALES:


-1 Osciloscopio.
-1 generador de funciones.
-Fuente de alimentacin doble.
- Multmetro digital.
- 1 Transistor NPN BC548
- 9 Resistencias (W) : 1K, 3.9K, 5.6K, 6.8K, 10K, 22K, 100K, 1M, 1.5M.
- 1 Foco de 12Vdcy/o cautn 30 w.
- Tablero de conexin.
- Alicate

III.-DESCRIPCION BASICA:
Se entiende por polarizacin a la aplicacin de potenciales a un punto del circuito con
respecto a otro de referencia, con el objeto de satisfacer condiciones adecuadas de trabajo. Se le
conoce con el nombre de punto de trabajo del transistor o punto de reposo (punto Q).
El transistor como todos los dispositivos activos no lineales funciona en forma lineal cuando
esta operando en su regin activa normal. Para establecer un punto de operacin en esta regin
es necesario proporcionar un voltaje (VCEQ) y una corriente (ICQ) apropiados, usando fuentes
externas de CC.
La polarizacin es el procedimiento de diseo de un circuito para establecer y mantener un
punto de operacin predeterminado. l punto de operacin debe permanecer estable dentro de
ciertos lmites prescritos a pesar de las variaciones causadas por:
a.
Diversidad de produccin (tolerancias) en resistencias (0.01, 0.1, 1, 5, 10 y 20%);
transistores (hFEmx, hFEmn) y fuentes de poder (12V 5%).
b.
Efectos de temperatura en resistencias y en los transistores dados por variaciones de V BE,
hFE y ICBO. Las variaciones de temperatura hacen que el punto de operacin cambie a lo
largo de la lnea de carga de CC. Por lo general en amplificaciones de seal pequea, se
escoge el punto de operacin simtrica mxima en la corriente colector.

Ing. C. Ivan Gonzales Cisneros

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EXP.4

IV.- PROCESO OPERATIVO:


1.-Verifique los terminales del transistor utilizado en la experiencia y comprobar su estado.
DIRECTO: Rb-c y Rb-e resistencia baja. Y en inversa alta resistencia.

...

DIRECTA E INVERSA:

...

2.

R c-e y Re-c en ambos sentidos alta.

Arme el circuito de la Fig. 4-1.

Fig. 4-1
-Observe y mida los sgtes. Valores:
VE= ..
VBE= ..
IE=

VC=
VCE= .
IC= .

-Igualmente debe medir los valores exactos de las resistencias usadas en cada experiencia.

3.

Fig. 4-2
-Coloque el foco (Fig. 4-2) o CAUTIN cerca del transistor y transcurridos 30 seg. Vuelva a
observar y anote:
VCE= ..
IC= ..
Toque el transistor para apreciar su temperatura.
Arme el circuito de la Fig. 4-3 y repita las medidas del paso 2. Fig. 4-3

Fig. 4-3
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VE= ..
VBE= ..

VC=
VCE= .

IE=

IC= .

con el foco :
VCE= ..
IC= ..
4.

Arme el circuito de la Fig. 4-4 y repita las medidas del paso 2.

Fig. 4-4
VE= ..
VBE= ..
IE=

VC=
VCE= .
IC= .

con el foco :
VCE= ..
IC= ..
5.

Arme el circuito de la Fig. 4-5 y repita el paso 2.

VE= ..
VBE= ..
IE=

Fig. 4-5
VC=
VCE= .
IC= .

con el foco :
VCE= ..
IC= ..

Ing. C. Ivan Gonzales Cisneros

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6.

EXP.4

Arme el circuito de la Fig. 4-6 y repita el paso 2.

Fig. 4-6
VE= ..
VBE= ..
IE=

VC=
VCE= .
IC= .

con el foco :
VCE= ..
IC= ..
7.

Arme el circuito de la Fig. 4-7 y repita el paso 2.

Fig. 4-7
VE= ..
VBE= ..
IE=

VC=
VCE= .
IC= .

con el foco :
VCE= ..
IC= .

8. Para la figura 4.6 adicione un parlante (RL) de w. en serie con 0.1 uF entre el colector y
tierra .En la entrada un condensador 0.1 uF y generador serie, 1Kh y 300 mVpp a la base del
transistor .Verifique la amplificacin. Dibuje la grfica.
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Fig 4.8

CUESTIONARIO:
1
Haga el anlisis terico de la fig. 4-1 y compare con los valores experimentales y grafique
La recta de carga y los puntos Q.
2.
Repita el paso 1 para la fig. 4-3.
3.

Repita el paso 1 para la fig. 4-4.

4.

Repita el paso 1 para la fig. 4-5.

5.

Repita el paso 1 para la fig. 4-6.

6.

Repita el paso 1 para la fig. 4-7.

7.
8.

Justifique porqu un cambio de provoca un desplazamiento del punto de trabajo.


Razone porqu las condiciones de corte y saturacin determinan la recta de carga para
El amplificador emisor comn.
Indique el tipo de polarizacin que ofrece la mayor y peor estabilidad del punto de reposo
frente a variaciones de y temperatura.
Cul es la ventaja de usar una resistencia en el emisor de un circuito Emisor Comn?
Es la polarizacin por realimentacin de corriente por colector tan eficaz como la
polarizacin tipo H?
Explique en forma resumida el comportamiento del circuito de polarizacin universal ante
un posible incremento de .
Disee el circuito de la fig. 4-6 polarizndolo correctamente, asuma: ICQ=1mA si Vcc =
12V, 50 < < 150 y ICBO = 0.
Encuentre en un manual las caractersticas del transistor usado.
Anote sus observaciones y conclusiones del experimento.

9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.

Ing. C. Ivan Gonzales Cisneros

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