1

PRACTICA #5 AMPLIFICADORES CASCADA Y

DARLINGTON .
Edwin Morocho, (emorocho@est.ups.edu.ec)
UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA
Electrnica Analgica II.

ResumenEn este informe se detalla los clculos y el diseo

de un amplificador de pequeas seales Darlington; as como el
diseo de un amplificador de pequeas seales en configuracin
de cascada, en la primera etapa un amplificador de Source
comn de ganancia 5; en la segunda etapa un amplificador en
configuracin emisor comn de ganancia 80 y finalmente un
amplificador de ganancia 1 en configuracin colector comn,
el acoplamiento entre las etapas lo realizamos mediante un
amplificador operacional en su configuracin de seguidor de
tensin. La frecuencia de corte para todos los amplificadores
es de 1KHz..
Index TermsAmplificador, Cascada, Pequeas Seales, Darlington.

I. OBJETIVOS
1) Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de los
siguientes amplificadores con Fet.
Disear calcular y comprobar el funcionamiento de
un amplificador con transistor Darlington. (Av=150),
(Fc=1KHz).
Disear calcular y comprobar el funcionamiento de un
amplificador de 3 etapas: 1.- Etapa Source Comn
(Av=5), 2.- Etapa con transistor BJT Emisor Comn
(Av=80), 3.-Etapa Colector Comn

1) FUNCIONAMIENTO: Esta configuracin sirve para que

el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia
de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos
espacio que dos transistores normales en la misma configuracin. La ganancia total del Darlington es el producto de la
ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo tpico
tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. Tambin
tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que
un nico transistor, de ah que pueda convertirse fcilmente en
inestable. La tensin base-emisor tambin es mayor, siendo
la suma de ambas tensiones base-emisor, y para transistores
de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o
par Darlington se halla multiplicando las de los transistores
individuales. La intensidad del colector se halla multiplicando
la intensidad de la base por la beta total.
darlington = 1 2 + 1 + 2
Si B1 y B2son suficientemente grandes, se da que:
Un inconveniente es la duplicacin aproximada de la baseemisor de tensin. Ya que hay dos uniones entre la base y
emisor de los transistores Darlington, el voltaje base-emisor
equivalente es la suma de ambas tensiones base-emisor:
vBE = vBE1 + vBE2 = 2V BE1

II. MARCO TERICO.

A. TRANSISTORES DARLINGTON
En electrnica, el transistor Darlington es un dispositivo
semiconductor que combina dos transistores bipolares en un
tndem (a veces llamado par Darlington) en un nico dispositivo Fig. 1. La configuracin (originalmente realizada con dos
transistores separados) fue inventada por el ingeniero de los
Laboratorios Bell Sdney Darlington. La idea de poner dos
o tres transistores sobre un chip fue patentada por l (pero
no la idea de poner un nmero arbitrario de transistores que
originara la idea moderna de circuito integrado

Para la tecnologa basada en silicio, en la que cada VBE

es de aproximadamente 0,65 V cuando el dispositivo est
funcionando en la regin activa o saturada, la tensin baseemisor necesaria de la pareja es de 1,3 V.
Otro inconveniente del par Darlington es el aumento de
su tensin de saturacin. El transistor de salida no puede
saturarse (es decir, su unin basecolector debe permanecer
polarizada en inversa), ya que su tensin colector-emisor es
ahora igual a la suma de su propia tensin base-emisor y la
tensin colectoremisor del primer transistor, ambas positivas
en condiciones de funcionamiento normal. (En ecuaciones,
VCE2 = VBE2 + VCE1, as VC2 > VB2 siempre.) Por lo
tanto, la tensin de saturacin de un transistor Darlington es
un VBE (alrededor de 0,65 V en silicio) ms alto que . 2 la
tensin de saturacin de un solo transistor, que es normalmente
0,1 - 0,2 V en el silicio. Para corrientes de colector iguales,
este inconveniente se traduce en un aumento de la potencia
disipada por el transistor Darlington comparado con un nico
transistor. Otro problema es la reduccin de la velocidad de
conmutacin, ya que el primer transistor no puede inhibir
activamente la corriente de base de la segunda, haciendo al

dispositivo lento para apagarse. Para paliar esto, el segundo

transistor suele tener una resistencia de cientos de ohmios
conectada entre su base y emisor. Esta resistencia permite una
va de descarga de baja impedancia para la carga acumulada
en la unin base emisor, permitiendo un rpido apagado

Vce=7.5V
Veq=3V
R1+R2=9.1k
Veq=Vcc*(R2/R1+R2)
3V = 15

R2
9,1K

B. AMPLIFICADOR EN CASCADA
La complicacin en calcular el aumento de etapas conectadas en cascada es el acoplador no-ideal entre las etapas
debido al cargamento. Dos etapas conectadas en cascada del
CE se demuestran abajo. Porque la resistencia de la entrada
de la segunda etapa forma un divisor del voltaje con la
resiste ncia de salida de la primera etapa, el aumento total
no es el producto de las etapas (separadas) individuales. El
aumento total del voltaje se puede calcular de cualquiera
de dos maneras. Primera manera: el aumento de la primera
etapa se calcula incluyendo el cargamento de ri2. Entonces
el aumento de segunda planta se calcula de la salida de la
primera etapa. Porque el cargamento (divisor de la salida) fue
explicado en el aumento de primera planta, la cantidad de
segunda planta de la entrada del aumento es Q2 el voltaje
bajo, vB2 = vo1.
Segunda manera: el aumento de primera planta es encontrado desconectando la entrada de la segunda etapa, de tal
modo eliminando el cargamento de la salida. Entonces la
salida Thevenin-equivalente de la primera etapa est conectada
con la entrada de la segunda etapa y su aumento se calcula,
incluyendo el divisor de la entrada formado por la resistencia
de salida de primera planta y la resistencia de segunda planta
de la entrada. En este caso, la cantidad de primera planta de
la salida del aumento es el voltaje Thevenin equivalente, no
el voltaje de colector real del amplificador etapa-conectado.
La segunda manera incluye el cargamento inter-etapas como
divisor de la entrada en el aumento de la segunda etapa
mientras que la primera manera la incluye mientras que un
divisor de la salida en el aumento de la primera etapa.
Conectando en cascada una etapa del CE sigui por una
etapa del emisor-seguidor (cc), resultados buenos de un amplificador del voltaje. La resistencia de la entrada del CE es
alta y el cc de resistencia de salida es bajo. El cc no contribuye
ningn aumento en aumento del voltaje sino proporciona una
voltaje-fuente cercana (resistencia baja) hecha salir de modo
que el aumento sea casi independiente de la resistencia de la
carga. La alta resistencia de la entrada de la etapa del CE hace
la
independiente del voltaje de entrada casi de resistencia de la
entrada-fuente. Las etapas mltiples del CE se pueden conectar
en cascada y las etapas del cc insertadas entre ellos para
reducir la atenuacin debido al cargamento inter-etapas.
C. Dasarrollo de la prctica.

R2 =

3V 9,1K
= 1,8k
15

R1 + 1,8K = 9,1K
R1 = 9,1K 1,8K = 7,3K
Ib =
Ib =

20mA
= 0,714uA
280

Con Req=R1//R2
Req = 7,5K//1,8K
Req = 1,451K
Re =
Re =
Re =

V eq V be
Req + Re(B + 1)

V eq V be
1
Req (
)
Ib
+1

3V 1,7V
1
1,451 (
)
0,71uA
28000 + 1
Re = 79,97 = 82

Re = V cc RC IC RE(1 +

1
) Ic

7,5V = 15V (Rc 1mA) (2,2K) (1 +

1
) 1mA
180

15v 7,5V 1,63V

= 293 = 330
20mA
calculo de Icmax
Rc =

Ibmax =
Icmax =

Icmax =
Icmax =

V eq
req + Re (b + 1)

3V
= 1,3uA
1,45k + 82 28000

D. Amplificador Darlington.
Datos
BD= B1*B2
Ic=20mA
Vcc=15V

Ic

V cc
Rc + Re (1 + 1 )

15V
330 + 82 (1 +

1
28000 )

= 36,4mA

V cemax = V cc = 15V

ing =

V bemax = V eq = 3V
Determinamos los valores por medio de valores hibridos

1422ohm
= 0,966
1422ohm + 50ohm

AV tot = 0,996 100 = 99,6

calculo de condensadores con Fc=500KHZ
Ci =

1
1
=
2(F c) (Zi + rs)
2(1000Hz) (1422 + 50)
Ci = 0,2uf

Figura 1. Muestra el circuito hibrido Amplificador Darlington

Ci =

1
1
=
2(F c) (Zi + Zs)
2(1000Hz) (330 + 330)
Co = 0,47uf

Ie2 = Ic + Ib
Ie2 = 20mA + 0,714uA = 20mA
Re2 =

Ci =

1
1
=
2(F c) (Zi + Zs)
2(1000Hz) (110)

26mV
= 26mV /20mA = 1,3ohm
Ie2

Co = 96,45uf
Calculo de maxima dinamica.

Ie2
20mA
Ie1 = Ib2 =
=
= 125uA
B2
125uA
Re1 =

26mV
= 26mV /125uA = 208ohm
Ie1

V cep = Ic Rpc = 20mA 165 = 3,3V

V cemin = 7,5V + 3,3V = 10,8V

Zi0 = B1(re1 + B2 re2)

V cemin = 7,5 3,3V = 4,2V

Zi0 = 175 (208 + 160 1,3)

V cepp = V cep 2 = 2 3,3V = 6,6V

Zi0 = 72,8k
Zi = Req//Zi0

Avs =

6,6V
= 66mV
100

E. Dasarrollo de la prctica.

Zi0 = 72,8k//1,451K = 1422

Zo = Rc = 330ohm
Rl = Zo
Ai = hf e = 185
Av =
Av =

BD Rc
Zi0

28000 330
= 100
728000

ing =

Zi
Zi + rs

F. Amplificador Sourse Comn.

Datos
Idss= 16mA
Vcc=15V
Av5
Vp=-3V
Vgs=-1.5V

2
V gs
ID = IDSS 1
Vp

2
1,5V
ID = 9,04mA 1
3V


gm =

2 16mA
1,5
(1
)
3V
3
gm = 5,34ms

ID = 4mA
Av = gm(rd//Rd//RL)
Determinamos RD y VRD
V RD = V DD V ds V s

5 = 5,34ms(

V RD = 15 7 1,5V
Rl = (

1,22k Rl
)
1,22k + Rl

1,36k
) = 13,6K = aprox12K
0,1

V RD = 6,5V
RD =
RD =

V RD
Id

6,5V
= 0,375K = 390
4mA
RD =

V RD
Rd + Rs

Rpd = RD//Rl = 1,6K//12kK = 1,411K

Calculo de los condensadores. (Fc=1KHZ)
Ci = (

Ci = 0,001uF = aprox = 1nf

15V
IDmax =
= 7,53mA
1,6K + 390
Ci = (
V DSmax = V DD = 15V

1
)=
2 1000 (50 + 270k)

1
)
2 1000 (1,22K + 12k)

Ci = 0,26uF = aprox = 0,47uf

Cs = (

Figura 2. Circuito de modelo hibrido para amplificador sourse comn.

1
)
2 1000 (370)

Cs = 0,86uF = aprox = 0,1uf

Mxima Dinmica.

Zi = RG, Zi = 270k
rd =

1
1
=
= 5K
yos
200u 1
Zo0 = rd

V Dp = Id Rpd = 4mA 1,411k = 5,64V

V Dp = V DS + V Dp = 7V + 5,64V = 12,64V

Zo0 = 5k
V Dp = V DS V Dp = 7V 5,64V = 1,36V
Zo = RD//Zo0
Zo = 1,6K//5K
gm =

1IDSS
V gs
(1
)
Vp
vp

V DSpp = V Dp 2 = 2 (5,64V ) = 11,28V

espp =

V DSpp
11,28
=
= 1,8V
Avtot
6

1) Configuracion Emisor Comun: Datos

Transistor 2N3904,
= 185, Ic = 20mA, V cc = 15V , V ce = 7,5V , V eq =
3V , R1 + R2 = 9,1K
Ib =

V bemax = V eq = 3V
Determinamos los valores por medio de valores hibridos

Ic
20mA
=
= 108uA
B
185
Req = R1 R2

Req = 7,5K 1,8K

Req = 1,451K
Calculo de Re




Veq V be
1
Re =
Req
Ib
+1




1
3 0,7
1,451k
Re =
108uA
185 + 1

Figura 3. Muestra el circuito hibrido colector comun

re =

26mV
= 1,29
20,108mA
hie = re

Re = 106,65
hie = 185 1,29

Calculo de Rc
Rc =

15 7,5 2,2118
20mA

hie = 239,2
0

Zi = hie = 239,2

Rc = 264
Calculo de Ie


Ie = Ic 1 +

Zi = Req Zi

1
Ie = 20mA 1 +
185

Zi = 1,451k 239,2

Zi = 205,46
Ie = 20,108mA
0

Ibmax =

Zo =

V eq
Req + Re( + 1)

3
Ibmax =
1,451k + 110(185 + 1)

1
1
=
= 100k
hoe
10u
Zo = Rc Zo0

Zo = 270 100k
Ibmax = 136uA
Icmax =

Icmax =

Zo = 269,27

V cc


Rc + Re 1 + 1

15
270 + 110 1 +

1
185

Rpc = Rc RL

Rpc = 270 1,5k

Icmax = 39,41mA

Rpc = 228,81

V cemax = V cc = 15V

Ai = hf e = 185

Zi
Zi + rs

V cepp = 2,57 2

205,46
205, 46 + 50

V cepp = 5,14V

ing =
ing =

ing = 0, 80

espp =

V cepp
AV tot

AV tot = AV (ing)

espp =

5,14
99,46

80 = AV (0,80)

espp = 50mV

AV = 99,46

2) Configuracion Colector Comun: Datos

Transistor 2N3904, Vcc = 15v, Ic = 5mA, hoe = 40,
Vce = 7,5v

calculo de condensadores con Fc=1KHZ

Ci =

1
2(1000Hz) (205,46 + 50)
Ci = 0,62uf

Ib =

Ic
5mA
=
= 14uA
B
357

Ie = Ib (B + 1) = 14uA(358) = 5,012mA
Calculo de Re

1
Co =
2(1000Hz) (269,27 + 1,5K)

Ie = V ce

Co = 89nf
Ce =

V cc = V ce + V Re

1
2(15Hz) (110)

V cc = V ce + IeRe

Ce = 96,45uf

Re =

Calculo de maxima dinamica.

V cc V ce
Ie

Re =

V cep = Ic Rpc

15 7,5
5,012mA

Re = 1,49K

V cep = 20mA 128,5

Calculo de R2
V cep = 2,57V

B Re >> 10R2
V cepmax = V ce + V cep
357 1,49k >> 10R2
V cepmax = 7,5 + 2,57
223,5K >> 10R2
V cepmax = 10,07V
R2 = 22,35K
V cepmin = V ce V cep
V cepmin = 7,5 2,57
V cepmin = 4,29V
V cepp = V cep 2

Calculo de R1
V eq = V re + V be
V eq =
8,2 =

V ccR2
R1 + R2

15 22,33K
R1 + 22,35K

R1 = 18,53K

Vo=

Calculo Req
Req =
Req =

BVi
Ro
(Re(
+ re))
Req(B(re + R0 ))
B
B(Re//( Ro
Vo
B + Rc))
=
Vi
Req//(B (re + R1))

R1 R2
R1 + R2

18K 22,4K
18K + 22,4K

4V =

357(1,5K//( 9,98K
357 + 5,19))
9,98K//(357(5,19 + 1,309))

Req = 9,98K
4V =

Determinamos los valores por medio de valores hibridos

357(1,5K//33,15)
9,98K//(370,99)

4V =

(11,5787K)
(9,48K)

4V = 1,19
calculo de condensadores con Fc=1KHZ

Ci =
Figura 4. Muestra el circuito hibrido colector comun

1
1
=
2(F c) (Zi + rs)
2(1000Hz) (9,22 + 50)
Ci = 16nf

R0 = Rl//Re
R0 =

10K 1,4K
10K + 1,4K

Ci =

1
1
=
2(F c) (Zi + Zs)
2(1000Hz) (32,42 + 10K)

R0 = 1,304K
Zi = Re//B(re + R0 )
Zi = 9,98K//357(1,30K)

Co = 15nf
Calculo de maxima dinamica.
V cep = 1mA(1,5K//10K) = 1,3V

Zi = 9,72K

V cemax = 7,5 + 1,3 = 8,8V

Ro = Rs//Req

V cemin = 7,5 1,3 = 6,2V

Zo = Re//(
Zo = 9,98K//(

Ro
+ Re)
B

357

V cepp = 2 1,3 = 6,2V

+ 1,49K)
V cepp =

2,6V
= 1373mV
1893,06

Zo = 32,43
26mV
re =
= 5,19
5,02mA
V o = b IbZo

Av =

1,52 + 10K
Re + Rl
=
= 4816AV
Re
5,19
Avs =

32,43
= 0,393
32,43 + 50

III. MATERIALES Y EQUIPOS.

IV. L ISTA DE MATERIALES .

Listado de materiales utilizados

cantidad
componente
valor valor total
1
Fet MPF 102 $0.80
$0.75
4
2N2222
$0.35
$1.40
12
capacitores
$0.35
$4.20
2m
cable multipar $0.75
$0.75
16
Resistencias
$0.04
$0.64
total
8.49

Figura 6. Muestra las formas de onda darlington.

Herramientas y Equipos
Fuentes de tensin variables
sondas
Voltimetro, Osciloscopio
Pelacables
Proboard
Genrador de seales

V. DESARROLLO DE LA PRCTICA.

Figura 7. muestra la ganancia del amplificador darlington.

A. Tabla de mediciones y clculos.

1) Datos medidos en el laboratorio amplificador Darlington: .
F(Hz)
100
200
300
500
700
900
1k
5k
7k
10k

Vi
80mV
80mV
80mV
80mV
80mV
80mV
80mV
80mV
80mV
80mV

Vo
2.7v
5v
5.4v
8v
8.1v
8.3v
8.6v
8.6v
11v
11v

t(s)

2.6m
93.6
1.5m
108
1.3m
140
800u
144
780u
190
600u
194
540u
195
104u
187
72u
181
51
183
Cuadro I

Av
35
62
63
88
91
93
96
98
115
117

AVdb
30
35
36
38
39
39.3
39.6
39.8
41.2
41.3

Figura 8. muestra la ganancia en decibeles del amplificador darlington

TABLA DE VALORES MEDIDOS DE VOLTAJE DE INGRESO Y SALIDA

B. Simulaciones y grficas.
1) Amplificador Darlington.: .
Figura 9. Muestra el angulo de desfase amplificador darlington

Figura 5. Muestra las ondas de salida y entrada en frecuencia de corte

amplificador darlington

Figura 10. Muestra rectas de carga y puntos de trabajo Darlington.

Diagrama de bode, en multisim y diagrama de bode con

NIElVIS
.

Figura 11. Muestra circuito simulado del amplificador darlington.

Figura 16. Diagrama de bode, en multisim

Figura 12. Muestra ondas de salida y entrada simulados del amplificador
darlington.

Figura 13. Muestra ganancia del amplificador darlington.

Figura 17. Diagrama de bode, en NIELVIS

VI. CONCLUSIONES.
Figura 14. Muestra angulo de desfase del amplificador darlington.

2) Amplificador en cascada.: En la siguiente figura podemos apreciar la seal de entrada respecto a la de salida.
.

El transistor Darlington es una excelente opcin para ser

utilizado como amplificador porque entre sus caractersticas tiene un beta elevado. Por lo que tiene una gran
ganancia de corriente adems tiene otras caractersticas
importantes como una impedancia de ingreso baja.
Se pudo observar que la mejor configuracin para polarizar el transistor como amplificador debe ser de Divisor
de tensin, ya que de esta forma se logra estabilizar al
transistor de la mejor manera posible.
VII. CONCLUSIONS

Figura 15. Seal de ingreso Azul, seal de salida roja.

The Darlington transistor is an excellent choice for use

as an amplifier because among its features has a high
beta. It has a large current gain also has other important
features such as low input impedance
It was observed that the best configuration for polarizing
the transistor amplifier be as voltage divider and which
thus stabilize the transistor is achieved in the best way
possible

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VIII. BIBLIOGRAFA.
[1] Electrnica: Teoria de Circuitos dcima edicin
Robert L. Bpylestand- Louis Nashelsky.
[2] Electrnica: Dispositivos Electrnicos 1- edicin especial Francisco Jimnez Molinos.
[3] Albert Paul Malvino. Principios de Electrnica". Sexta
Edicin. Captulos: 13