martes, 24 de abril de 2012

FET-MOSFET
TRANSISTOR FET.
Definicin:
FET Transistor de Efecto Campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls)
Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material
semiconductor slido cristalino (generalmente germanio, silicio, arseniuro de galio)
con diferentes contaminaciones, que permite regular la circulacin de una corriente
elctrica mediante una corriente de control, mucho menor. Los FET pueden
plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Simbologa del Transistor FET
La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Smbolos grficos para un FET de canal N

Smbolos grficos para un FET de canal P

Fundamento de transistores de efecto de campo:
Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con
purezas
donadoras
o
aceptadoras
de
electrones.
Su estructura y representacin se muestran en la tabla.
Modelo de transistor FET
canal n

Modelo de transistor FET

canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estn polarizadas en inversa de tal

forma que no existe otra corriente que la inversa de saturacin de la unin PN.
La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin afecta
a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexin y depende de la
tensin inversa (tensin de puerta).
Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una

resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro que aporta el
fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos
valores de VGS.
ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se
comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS
3.

ZONA

DE

CORTE:

La

intensidad

de

drenador

es

nula

(ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-I (se
trata de un dispositivo simtrico).

La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET

de CANAL N, lo que significa que todos los voltajes y corrientes son de
sentido contrario.

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

APLICACIN

PRINCIPAL VENTAJA

USOS

Aislador o separador Impedancia de entrada alta Uso general, equipo de medida,

(buffer)
y de salida baja
receptores
Sintonizadores de FM, equipo para
comunicaciones

Amplificador de RF

Bajo ruido

Mezclador

Baja
distorsin
intermodulacin

Amplificador con CAG

Facilidad
ganancia

Amplificador cascodo

Baja capacidad de entrada

Instrumentos de medicin, equipos

de prueba

Troceador

Ausencia de deriva

Amplificadores de cc, sistemas de

control de direccin

para

de Receptores de FM y TV,equipos para

comunicaciones

controlar

Resistor variable por

Se controla por voltaje
voltaje
Amplificador de baja Capacidad pequea
frecuencia
acoplamiento
Oscilador

Mnima
variacin
frecuencia

Circuito MOS digital

Pequeo tamao

Receptores, generadores de seales

Amplificadores
operacionales,
rganos electrnicos, controlas de
tono
de Audfonos
para
transductores inductivos

sordera,

de Generadores de frecuencia patrn,

receptores
Integracin
en
gran
computadores, memorias

escala,

Siempre nos va a interesar estar en la regin de saturacin, para que la nica variable
que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensin de
puerta.

Ecuacin de Shockley:

ID=IDSS(1VGS/Vp)2

Donde:

Vp es la tensin de puerta que produce el corte en el transistor FET.

IDSS es la corriente mxima de drenador que circula por el transistor, al
aumentar VDS, cuando la polarizacin de la puerta es VSG= 0 vol
PARAMETROS
DEL
FET
La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds
como de la puerta Vgs. Como la unin est polarizada inversamente, suponemos
que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir:
Ig = 0 e
Id = (Vds, Vgs)
En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas
(en el grfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva)
podemos escribir la respuesta del transistor para pequeos incrementos de Vds
y
Vgs
en
esta
forma

El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la

inversa de la pendiente de la curva. Que como en el grfico, dicha pendiente es
cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la
rd
es
infinita
(muy
grande).
El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es
igual a la separacin vertical entre las caractersticas que corresponden a
diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.

TRANSISTOR MOSFET
Definicin: MOSFET significa
compuerta aislada

"FET de

Metal

Oxido

Semiconductor"

o FET de

Es un tipo especial de Transistor FET que tiene una versin NPN y otra PNP.
El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P.
Una delgada capa de material aislante formada de dixido de silicio (SiO 2) (tambin
llamada "slice" o "slica") es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal
es colocada del lado de la compuerta (GATE) (ver la figura)

SIMBOLOGIA:

OPERACIN BASICA:
En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje
(drain)
En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje
(drain)
En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la
corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los transistores FET, la
corriente de salida es controlada por una tensin de entrada (un campo elctrico). En
este caso no existe corriente de entrada.
Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que manipularlos con
cuidado. Debido a que la capa de xido es muy delgada, se puede destruir con
facilidad si hay alta tensin o hay electricidad esttica.
Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensin en
la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)
Para que circule corriente en unMOSFET de canal N una tensin positiva se debe
aplicar en la compuerta.
As los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atrados a
la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos.

El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente
para los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente
(y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensin aplicada a
la compuerta.

En el caso del MOSFET de canal P, se da una situacin similar. Cuando se aplica

unatensin negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P
del drenaje y de la fuente son atrados hacia la compuerta y pasan a travs del canal
N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o
anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensin aplicada a
la compuerta.
Debido a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no
haycorriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es
controlada por la tensin aplicada a la compuerta.
Nota: El sentido de la corriente mostrada en los diagramas el es convencional, no la
del flujo de electrones.
MANIPULACION DEL MOSFET:
El aislamiento entre la compuerta y el canal es el dixido de silicio (SiO 2).
Ver el diagrama.
Esta capa aislante (rea gris) es tan delgada que se si produjera un campo
elctrico fuerte, podra destruirse, es por eso que lamanipulacin del MOSFET es tan
importante
Debido a la alta resistencia de la capa de dixido de silicio, la carga en el capacitor no
se dispersa rpidamente, sino que se acumula. Esta acumulacin de carga puede
producir
un
campo
elctrico
destructivo

El mayor peligro para un MOSFET son las cargas estticas durante la manipulacin
del mismo en un da seco. Tambin causan peligro los cautines para soldar, que por lo
general no estn aislados de la lnea de corriente alterna (C.A.).

El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un

canal semiconductor, aplicando un campo electrico perpendicular a la trayectoria
de la corriente.
El FET est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos
regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que estn unidas
entre si. Ver la figura
Los terminales de este tipo de transistor se
llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta
(gate) que ya se conoce. La regin que existe entre el drenador y la fuente y que
es el camino obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de
Drenaje (D) Fuente (S)
El terminal de drenaje se polariza positivamente con
respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o gate
se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil
para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al
terminal fuente o source. La tensin -Vgg para la que el
canal queda cerrado se llama "punch-off" y es diferente para cada FET.

Existen dos tipos de FET:

El transistor de efecto de campo de unin JFET.

El transistor de efecto de campo de metal-xido-semiconductor MOSFET.

La categora MOSFET se subdivide posteriormente en los tipos

decremental e incremental, que se describir n en su oportunidad.
El transistor MOSFET se ha convertido en uno de los mas importantes
dispositivos empleados en el diseo y construccin de circuitos integrados para

computadoras digitales.
Su estabilidad trmica y otras caractersticas generales lo han hecho
extremadamente popular en el diseo de circuitos de computadora. Sin embargo,
ya que es un elemento discreto en un tpico encapsulado cilndrico, debe

manejarse con cuidado.

Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material

semiconductor slido cristalino
(generalmente germanio, silicio, arseniuro de galio) con diferentes
contaminaciones, que permite regular la circulacin de
una corriente elctrica mediante una corriente de control, mucho menor.

MOSFET
MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor.
Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS.
Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. Prcticamente
la totalidad de los circuitos
integrados de uso comercial estn basados en transistores MOSFET.

Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material

semiconductor dopado en el que, mediante tcnicas de
difusin de dopantes,
se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un rea sobre la cual se hace
crecer una capa de dielctrico culminada por una capa de conductor.

Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales

dependiendo de cmo se haya realizado el dopaje:
Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.
Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.
Las reas de difusin se denominan fuente(source) y drenador(drain), y el
conductor entre ellos es la puerta(gate).

El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:

Estado de corte

Cuando la tensin de la puerta es idntica a la del sustrato, el MOSFET est

en estado de no conduccin: ninguna corriente fluye entre
fuente y drenador aunque se aplique una diferencia de potencial entre ambos.
Tambin se llama mosfet a los aislados por juntura de dos componentes.
Conduccin lineal
Al polarizarse la puerta con una tensin negativa (pMOS) o
positiva (nMOS), se crea una regin de
deplexin en la regin que separa la fuente y el drenador. Si
esta tensin crece lo suficiente, aparecern portadores
minoritarios (electrones en pMOS, huecos en nMOS) en la
regin de deplexin que darn lugar a un canal de
conduccin.
El transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo
que una diferencia de potencial entre fuente y drenador dar
lugar a una corriente. El transistor se comporta como una
resistencia controlada por la tensin de puerta.
Saturacin
Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto
lmite, el canal de conduccin bajo la puerta sufre un
estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece.
La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe,
ya que es debida al campo elctrico entre ambos, pero se
hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos
terminales.