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Técnicas de Nano

fabricación

Deposición Química de Vapor
CVD

Chemical Vapor Deposition

• Es un proceso el cual un material solido se deposita a
partir de un vapor por una reacción química que ocurre
en o en las proximidades de una superficie de substrato
que normalmente se calienta.
• Variando las condiciones experimentales:



Material del Substrato.
La temperatura del substrato.
La composición de la mezcla de gas de reacción.
Los flujos totales de gases de presión.

Diferentes materiales pueden ser cultivados.

4. . Reacciones en Fase Gaseosa Transporte de los reactivos a la superficie del sustrato Adsorción Química y física. Transporte difusivo y convectivo de reactantes a la zona de reacción. Reacciones superficiales que conducen a la formación de la película.Proceso Fundamental 1. 2. Transporte convectivo y difusivo de subproductos lejos de la zona de reacción. Desorción de subproductos volátiles. 6. 7. 5. 3.

.Proceso.

es decir.Elección de reacciones químicas. • Esto significa que debe haber una ventaja de energía para que se produzca la reacción deseada. • Los subproductos deben de ser volátiles (gaseosos). • Los precursores tienen que ser volátiles (gaseoso). la energía libre de Gibbs tiende a disminuir. SiH4 (silano) es muy popular para depositar Si. . • Las reacciones químicas necesitan ser termodinámicamente predecibles para formar una película delgada.

la reacción es térmicamente favorable.Energía libre de Gibbs • Es una medida de la energía total disponible en un sistema. • Si la energía libre de Gibbs global es mayor que la general de los productos. todas estas cantidades se ven afectadas por la temperatura y la presión. • Las ecuaciones que relacionan la energía libre de Gibbs pueden determinar las velocidades de reacción. .

Reacciones por CVD .

.

.

.

Los núcleos se forman sobre el sustrato e incorporan en la estructura más fácilmente. • Existen dos tipos de nucleación: • Homogénea. . la creación de un núcleo aumenta la energía superficial. • Heterogénea.Nucleación • Térmicamente favorable. Los núcleos se forman en forma de vapor antes de ser depositados y no se incorporan en la estructura cristalina.

• CVD funciona en el régimen viscoso. • La meta es liberar el gas uniformemente para la deposición en el substrato. • Altas velocidades e flujo producen un flujo turbulento (evitado). . • Tasa de flujo baja producen un flujo laminar (deseado). • El flujo necesita estar optimizado para una tasa de deposición máxima. • El flujo puede ser molecular (difusión de Gas) o viscoso (flujo liquido).Transporte de Gas • Esto es el Flujo de reactantes a través de la cámara de CVD.

• Esto permite crear una capa por encima del sustrato. • El espesor de la capa (δ) depende de las condiciones de la cámara. cerca de la superficie del sustrato la velocidad del gas tiene que ir a cero. • El gas se moverá a través de la capa de difusión. .Capa Límite (boundary layer) • Si bien el flujo en la cámara es un flujo viscoso.

. • Donde Pg es la presión del vapor en gas en bulto y Ps es la presión en la superficie del substrato. • Constante de Difusión • Donde n es experimentalmente encontrado (1. si el flujo es turbulento ReL ~ algunos miles. Para la mayoría de reactores CVD. ReL ~ algunos cientos.Flujo de Gas en la capa limite (boundary layer) • Ancho medio de la capa.8) y D0 es la constante de difusión a T0 y P0. • Donde Re es el número de Reynolds de el flujo del tubo y es una medición del tipo del flujo. • Tasa de flujo del gas.

• Incremento de T a lo largo del sustrato. . la deposición de la película es determinada por las tasas de adsorción y reacción. • Procesamiento individual de obleas. • La tasa de deposición es afectado por: • Distancia de la entrada del gas. • Varianza Radial • Especificaciones de la reacción. tal como un flujo de gas sobre el substrato. • Trucos para mejorar la uniformidad de la película.Deposición de la Película • En un modelo simplificado. • Inclinación del substrato en el flujo.

Tasa de Deposición • J1 : Flujo a la superficie. • Cs : Concentración en la superficie. • Ks : Tasa de reacción de la superficie.Tasa de deposición. . En estado Estacionario J1=J2 <. • J2 : Reacción del flujo. • Cg : Concentración de Gas. • Hg : Coeficiente de transporte de masa en fase gaseosa.

. • hG>>ks: Crecimiento limitado por la reacción.Casos Límite • Hay dos casos limites. • Ks>>hG: Crecimiento limitado por el transporte.

• • • • • • • • • Adsorción.Crecimiento limitado por la reacción • Crecimiento controlado por los procesos en la superficie. . Desorción de productos. Reacción química. ks es dependencia de alta temperatura (incrementa con T). Limite común a temperaturas más bajas. Migración de la superficie. un crecimiento lento pero epitaxial. Descomposición. A menudo se prefiere. La selección de temperatura y reactantes son importantes.

• Son importantes la dinámica de gases y diseño del reactor.Crecimiento limitado por transporte de Masa. . • Crecimiento de la película no uniforme. • Crecimiento controlado mediante transferencia al sustrato. • Limite común a temperaturas altas. • hG no es muy dependiente de la temperatura.

• Porosidad baja incluso sobre sustratos de forma complicada. • Posibilidad de deposición localizada.Algunas Características • Tiene excelente poder de penetración. . o selectiva en sustratos estampados. lo que permite la producción de revestimientos de espesor uniforme.

• Se pueden producir materiales altamente densos y puros. • Se puede controlar la velocidad de deposición fácilmente. Una velocidad de deposición baja favorece el crecimiento epitaxial de películas delgadas. • Posible controlar la estructura cristalina. la morfología de la superficie y la orientación de los productos. Para capas protectoras es preferible una alta velocidad de deposición. . • Películas uniformes con buena reproducibilidad y adhesión.

. metales.• El Costo es razonable • Flexibilidad y uso de un amplio rango de precursores químicos tales como haluros. óxidos y sulfuros entre otros. • Relativamente bajas temperaturas de deposición. nitruros. los cuales posibilitan la deposición de una amplia gama de materiales que incluyen. carburos. hidruros. organometálicos.

• Sistemas de vacío mas sofisticado (elevan los costos del proceso).Algunas desventajas de CVD • Los precursores utilizados suelen ser. tóxicos. inflamables. y/o explosivos. corrosivos. . • Dificultad para depositar materiales multicomponentes con una estequiometria bien controlada usando precursores multi-fuente.

y al calor con esta técnica es bien conocido. • Preparación de materiales de alta temperatura (tungsteno. capas de pasivación.Aplicaciones • En la microelectrónica para películas que sirven como dieléctricos. etc). a la corrosión. recubrimientos al desgaste. y capas epitaxiales. . conductores. la producción de celdas solares. • Producción de fibra óptica. barreras de oxidación. materiales compuestos de fibra de alta temperatura y por partículas de tamaños definidos. cerámica.

• Mecanismo de reacción. • Posible cambiar de una a otra cambiando P o T.Tipos de Reactor CVD • Presión de la cámara. cuando P y T son altos. • Presión atmosférica (APCVD) • Baja presión • LPCVD • PECVD • Calentamiento del reactor. • Reacción de la superficie cuando P y T son bajos. • Pared fría. . • Transporte de masa. • Pared caliente.

• + No reacciona en la pared • .• APCVD • +/.Requiere limpieza periódica. .Difícil para controlar la T real.bajas tasas de deposición. • Pared Caliente. • .requiere sistema de vacío.recubrimientos pobres. • Pared Fría. + Excelente pureza.Región limitada masa-transporte. uniformidad y recubrimiento. . . • . • + Rápida deposición. • LPCVD • • • • +/.Partículas contaminadas. • .Velocidad de reacción de superficie limitada.

Seguridad .

• El dopante por lo regular se añade al material fundido. a continuación es tirado a una velocidad de 1m/hr y rotato a ½ rps para formar el lingote.Crecimiento del mono cristal (czochralski) • El primer paso en la producción de un circuito integrado es el crecimiento casi perfecto de una pieza grande (lingote) de un semiconductor cristalino. . • Como resultado tenemos un lingote de 1m de largo y 75 a 300 mm de diámetro. • Una pequeña semilla se suspende en el material fundido.

Esquema .

• La superficie de la oblea se alisa con la combinación de pasos de pulido químicas y mecánicas .5mm-1mm) de espesor utilizando una sierra con punta de diamante.• El lingote es cortado en obleas de aproximadamente 500-1000 um (0. • Las obleas son el material de partida para la fabricación del circuito integrado. y se denominan normalmente como el sustrato.

Proceso de Litografía .

• a) formación de una capa de SiO2 • b) Eliminación selectiva • c) introducción de atomos dopantes dentro de la superficie de la muestra.Un simple proceso de fabricación • Un ejemplo simple se muestra en el proceso de fabricación del dispositivo. . • d) difusión del dopante dentro del Si.

.¿cómo podemos remover selectivamente el oxido de áreas en las cuales los átomos dopantes son introducidos como en la figura anterior? • La selección espacial es realizada usando un proceso llamado Fotolitografía o litografía óptica.

• La fotolitografía es la transferencia de una imagen usando técnicas fotográficas. .Litografía • Se refiere a la transferencia de una imagen en papel usando una placa y la grasa de tinta soluble. • En la fotolitografía transfiere la información generada en un diseño () a una estructura de circuito integrado usando mascaras las cuales contienen la información geométrica. • El proceso de fotolitografía se repite muchas veces en la fabricación de un CI para construir estructuras de dispositivos e interconexiones.

Aplicación de Photoresist • El primer paso en la fotolitografía es recubrir la superficie con aproximadamente 1 um de material fotorresistente (PR).el PR es de aprox. • PR es con frecuencia aplicado al centro de la oblea. . 1 um de espesor. • Tenga en cuenta que la escala de estos diagramas no es correcto . mientras que la oblea es de aprox 500-1000 um de espesor. el cual se hace esparce por toda la superficie. • PR será el medio por el cual la imagen requerida se transfiere a la superficie.

• Combinados. El PR puede ser removido por solventes de bajo costo. . En la exposición a la luz. En la exposición a la luz. • Negativos. la misma resina fotosensible se puede utilizar tanto para un patrón positivo negativo. la luz degrada los polímeros. el patrón de PR es el mismo que la máscara. tal como la acetona. Puede ser eliminado utilizando solventes baratos.Tipos de Photoresist • Positivos. el patrón de PR es la negativo de la mascara. la luz polimeriza los cauchos en el PR para fortalecer su resistencia a la disolución en el revelador.

• La radiación UV provoca un cambio químico en el PR. . • Las máscaras se generan a partir de la información sobre la colocación del dispositivo y conexiónes.sólo se produce cuando la máscara es transparente. • La transferencia de información de la máscara a la superficie se produce a través de la transformación química inducida por UV .Exposición • El PR se expone entonces a radiación UV (ultravioleta 248 – 193nm) a través de una máscara.

por lo que el PR en los lados se debilitará y removido en el revelado. Desarrollo . • Dos posibilidades: • Un PR negativo se fija contra el revelado por la radiación UV. • Asumir un PR negativo para este ejemplo. y por lo tanto permanece en la superficie donde UV brilla a través de la máscara. utilizando un revelador químico. • Un PR positivo es todo lo contrario. es eliminado cuando UV brilla a través de la máscara.El PR es revelado.

.no es parte de la estructura final). • Tener en cuenta que una mascara PR ópticamente invertida (negativo) y una positiva. interconexiones. etc.Estructura Final • Una vez que el revelador ha sido quitado. daría la misma estructura. • Proceso siguiente se usará esta estructura para formar áreas del dispositivo. el resultado es PR en la región correspondiente a la parte transparente de la mascara (la máscara se muestra de nuevo para indicar donde se forma la región final .

a) Aplicación del Photoresist. b) Resistir la exposición a través de una mascará y un sistema de reducción óptica. Resolución Litográfica= kλ .En resumen… • Los principales pasos en el proceso de la litografía. grabado del oxido y retirar el PR. d) Después . c) Revelado del fotoresist expuesto.

. máscaras para la implantación iónica.Usos de la litografía. el grabado. • Los procesos de grabado: ventanas abiertas en óxidos de difusión. el contacto de metal al semiconductor. • Procesos lift off: Metalización (más común en III-V). o de interconexión.

o generador de patrones. o máscara. El dibujo final. Con ayuda de potentes algoritmos de ordenador. . Esta técnica se conoce como diseño asistido por ordenador (CAD). estos sistemas de diseño en línea permiten al proyectista disponer y modificar el sistema de circuitos sobre la misma pantalla de visualización con funciones de gráficos interactivas.¿cómo se hace? • Los proyectistas de circuitos digitalizan el sistema de circuitos básico de cada capa. Este esquema computarizado permite la generación rápida de los sistemas de circuitos de la máscara y facilita la realización de los cambios que puedan ser necesarios. de cada capa de circuitos es creada por un ploter. controlado por ordenador.

Estas máscaras delimitan el modelo de las zonas conductoras y aisladoras que se transfieren a la oblea mediante fotolitografía.• Estos dibujos obtenidos con el plotter se reducen después al tamaño real del circuito. una máscara maestra practicada sobre vidrio con relieve en cromo. La mayoría de las empresas no fabrican sus propias máscaras. y luego se reproducen en una placa de trabajo que sirve para la impresión por contacto o proyección sobre la oblea. sino que utilizan las suministradas por un fabricante de máscaras .

Sistemas de Foto protección .

GRABADO .

• Se elimina las porciones de la película que recaen sobre la máscara mediante una disolución selectiva de la máscara en un líquido apropiado. • Se deposita la película sobre la mascara y el substrato. • Se genera la mascara. Ilustración esquemática de los métodos substractivo (a) y aditivo (b) de transferencia de diseño . • Hay métodos aditivos y sustractivos. • Las regiones que no están cubiertas por la máscara son eliminadas mediante grabado. • Se realiza una capa de mascara con una forma adecuada de manera litográfica. • Métodos aditivos o lift off.Transferencia de Diseños • Indica de qué manera un diseño (máscara) se transfiere a un substrato mediante métodos químicos o físicos. • Métodos substractivos. • Se deposita la película sobre el substrato.

Grabado

• El grabado elimina las capas de dióxido de Si (SiO2), los
metales y el polisilicio, así como los protectores, de
conformidad con los patrones deseados, delimitados
por la protección. Hay dos formas principales de
grabado, el químico húmedo y el seco. El primero es el
más utilizado consiste en el empleo de soluciones que
contienen los mordientes (mezcla de ácidos) en la
concentración deseada, que reaccionan con los
materiales a eliminar. El grabado seco consiste en el
empleo de gases reactivos en condiciones de vacío en
una cámara de alta energía, que también elimina capas
deseadas no cubiertas por el protector.

Grabado

• Se utiliza para describir todas las
técnicas mediante las cuales el
material se elimina uniformemente
de una oblea. (Grabado es el proceso
contrario a la deposición).
• Después de la deposición, las capas
depositadas se “eliminan” (grabado
de manera selectiva para formar un
diseño deseado).
• La máscara para realizar el grabado es:

• Una Fotoresina (Photoresist).
• El SIO2 o SI3N4 se utilizan como máscaras
más resistentes.

• El grabado:

• De capas delgadas depositadas.
• Algunas veces del substrato de Si para
realizar “pozos de aislamiento”

Perfiles de pozos (grabado SiO2,
Si3N4 y posterior oxidación

Grabado

• Puede realizarse en un entorno seco o húmedo.

• Hasta hace algunos años la mayoría de la fabricación de
dispositivos se llevaba a cabo mediante grabado químico o
grabado húmedo (wet etching), basado en sumergir la oblea
en una solución que tiene un disolvente líquido.
• En años recientes han sido desarrollados y denominados con
el término grabado en seco o grabado asistido por plasma
(dry etching), procesos en fase gaseosa, se utilizan
disolventes en fase gaseosa proveniente de un plasma.
(procesos químicos y físicos).
• Grabado en Seco:

• Molido Ionico (ion milling).
• Pulverización (sputtering).
• Grabado iónico reactivo (reactive ion etching: RIE)

Disolventes de Foto protección. .

Grabado (parámetros) • Existen diferentes parámetros que controlan la fidelidad de la producción de la máscara sobre la capa depositada de material: • Velocidad de Grabado (R). • Uniformidad (U). . usualmente de 1000 Å/min. Donde: Rhigh = velocidad de grabado máxima. U = 2. Rlow = velocidad de grabado mínima. La velocidad de eliminación de la película. es el % cambio en la velocidad de grabado de unas obleas a otras obleas (dentro de un proceso) o comparativa entre procesos de fabricación (runs). La uniformidad del grabado.

se desea: Rlateral << Rvertical. Caso ideal: el perfil es totalmente anisótropo (no hay grabado lateral). • Anisotropía (A).• El grabado no da lugares a paredes perfectamente rectas bajo el límite de la máscara. En General. . Medida de la direccionalidad del grabado. tiene lugar de manera vertical de manera lateral. Rlateral = velocidad de grabado lateral. • Donde: Rvertical = velocidad de grabado vertical.

Perfiles de grabado (a): Totalmente anisótropo (B=0). Rlateral = 0 y la máscara se transfiere con fidelidad perfecta (grabado extremo anisótropo o grabado vertical). se mide (unidades de distancia) la diferencia en dimensiones laterales de la imagen máscara (dm) y la capa atacada (df).• Bias (B). Bias del grabado: diferencia en dimensiones laterales de la imagen máscara (dm) y la capa atacada (df) • Bias = 0. • Si Rvertical = Rlateral son iguales o cuando la velocidad de grabado es independiente de la dirección se denomina grabado isótropo. anisótropos y completamente anisótropos . El perfil vertical coincide con el límite de la máscara. (b): Totalmente isótropo Ilustración de perfiles de grabado isótropos. A = 1.

velocidad de grabado del substrato. velocidad de grabado de la película. . • Rm. a la máscara y no sólo a la película depositada.• Selectividad. velocidad de grabado de la máscara. • Sfs: Selectividad película-substrato. • Teniendo en cuenta los tres materiales (substrato. mascara). Donde: • Rf. El reactivo puede atacar también al substrato. relación de las velocidades de grabado de los materiales que queremos eliminar y mantener. tenemos: • Sfm : selectividad película-mascara. • Rs. película.

• Obtener un ataque mínimo o bias bajo la máscara.¿Qué requerimientos debe cumplir un grabado? • Obtener el perfil deseado = direccionalidad(con una cierta pendiente o totalmente vertical). seguridad y coste razonable. La figura muestra los conceptos de direccionalidad y selectividad . • Obtener un daño mínimo en la superficie y en el circuito. • Ser un proceso uniforme y reproducible. • Una gran selectividad entre otras capas expuestas y la resina. • Limpieza.

. Los baños suelen estar equipados con extracción localizada del tipo anular o con ranuras de salida de gases en la parte posterior de cada campana . Campanas verticales de flujo laminar suministran aire sin partículas filtrando de modo uniforme a la superficie superior de los baños de grabado. polipropileno resistente a la llama (FRPP) o cloruro de polivinilo (PVC).Grabado Húmedo • Las soluciones para grabado químico se alojan en baños de temperatura controlada polipropileno (poli-pro).

Proceso del grabado químico húmedo • El grabado es similar al proceso CVD de deposición excepto porque el material es eliminado en vez de depositado. • La reacción superficial que tiene lugar entre los reactivos y la capa que va a ser grabada. . Por tanto. también consta de tres pasos: • El transporte de masa de los reactantes hacia la superficie a ser grabada. • El transporte de los productos de la reacción desde la superficie al exterior.

• los productos de la reacción deben ser solubles en disolventes. • La T de la reacción y el agitado de la oblea permiten ajustar la velocidad. • Para realizar el grabado se utilizan normalmente distintos tipos de reactivos: • Reactivos en fase líquida (grabado húmedo). • Los productos de la reacción deben ser gaseosos o tener una baja T. • Grabado con reactivos en fase gaseosa. de sublimación.• El grabado húmedo se caracteriza por que las obleas se sumergen en unas bañeras químicas específicas que contienen un disolvente líquido. .

.Reactivos para grabado químico húmedo.

Gases mordientes en plasma .

Ejemplos de grabado. • Grabados de metalización de aluminio: grabado de plasma • Grabados isótropos en Silicio: grabado de plasma • Grabado de Si: técnica RIE .

Fabricated at MIT by ion-etching silicon. militares. Diameter is approximately 2 mm.• Micro-Electro-Mechanical Systems (MEMS) son la integración de elementos mecánicos: sensores. Aplicaciones: robótica. sensores. etc Model Microturbine. SEM of a shear-stress microsensor fabricated by surface micromachining using a single structural layer of polysilicon . actuadores y electrónica en un substrato de silicio a través de la tecnología de micro-fabricación. Research is part ofthe ARO program to power the Army After Next soldier.