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FIIS-UNI

Clasificación
de enlaces
ESTRUCTURA MOLECULAR Y químicos
DE SÓLIDOS
11VA SEMANA
Enlaces Enlaces
Interatómicos Intermoleculares
Lic. Héctor Valdivia M. 1 Lic. Héctor Valdivia M. 3

Enlace Iónico

Lic. Héctor Valdivia M. 2 Lic. Héctor Valdivia M. 4

Lic. Héctor Valdivia M 1


FIIS-UNI

Enlace Iónico ENLACE COVALENTE

Lic. Héctor Valdivia M. 5 Lic. Héctor Valdivia M. 7

Enlace Iónico ENLACE COVALENTE

Lic. Héctor Valdivia M. 6 Lic. Héctor Valdivia M. 8

Lic. Héctor Valdivia M 2


FIIS-UNI

ENLACE COVALENTE
Enlace puente hidrogeno

 0,5 meV

El ión de hidrógeno, sirve


de enlace entre los
dipolos moleculares

Lic. Héctor Valdivia M. 9 Lic. Héctor Valdivia M. 11

ENLACE METALICO Enlace puente hidrogeno

•Suelen ser sólidos a temperatura


ambiente, excepto el mercurio, y
sus puntos de fusión y ebullición
varían notablemente.
•Las conductividades térmicas y
eléctricas son muy elevadas.
Presentan brillo metálico.
Son dúctiles y maleables.
•Pueden emitir electrones cuando
reciben energía en forma de
calor.
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Enlace puente hidrogeno

ESPECTROS
El ión de hidrógeno, sirve
MOLECULARES
de enlace entre los dipolos
moleculares inducidos del
ADN

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ENLACE VAN DER WAALS Niveles de Energía de vibración


ΔE  12 ω  0,27 eV
• Son los causantes de
Δn   1
que los gases se aparten
del comportamiento ideal
• son las mismas que
mantienen unidas a las
moléculas en los estados
líquido y sólido.
• Energía ≈0,1 meV

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Lic. Héctor Valdivia M 4


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Niveles de Energía de vibración Niveles de Energía de rotación


La frecuencia de vibración de una molécula de HF es de 1,24 x 1014 Hz. La
masa de un átomo de hidrógeno es 1, 67 x 10 -27 kg y la de un átomo de Rotor rígido. Partícula que rota
fluor 3,15 x 10 -26 kg . alrededor del eje z con velocidad
a) ¿Cuál es la constante de fuerza k’ para la fuerza interatómica? angular . Halle:
b) ¿Cuál es la separación entre niveles adyacentes de energía de vibración a)La energía cinética de rotación
en J y eV? EK
c) ¿Cuál es la longitud de onda de un fotón de energía igual a la diferencia b)La ecuación de Schrödinger y su
entre dos niveles adyacentes de vibración?¿en qué región del espectro solución
cae?

m Hm F 1, 6 7  1 0  2 7  3,1 5  1 0  2 6 1 L 2z
    1, 5 9  1 0  2 7 k g a)E  I 2

m H  m F 1, 6 7  1 0  2 7  3,1 5  1 0  2 6 2 2I
π μν 962,69 N m  2 d2
a k'  4 2 2  b)   E
2I d  2
b) E  h  8,22  10 20 J  0,514 eV
hc  2m2
c)    2, 4 2  1 0 6 m E m  0,1,  2...
E Lic. Héctor Valdivia M. 17
2I
Lic. Héctor Valdivia M. 19

Niveles de Energía de rotación

2
E
L2 E=J  J+1
2I 2I
Lic. Héctor Valdivia M. 18 Lic. Héctor Valdivia M. 20

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FIIS-UNI

NIVELES DE ENERGÍA MOLECULAR

Estructura
de Sólidos

Lic. Héctor Valdivia M. 21 Lic. Héctor Valdivia M. 23

TIPOS DE SÓLIDOS
Espectro I.R. del HCl gaseoso, simplificado

SÓLIDO SÓLIDO
CRISTALINO AMORFO
Orden de largo Orden de corto
Lic. Héctor Valdivia M. 22 alcanceLic. Héctor Valdivia alcance
M. 24

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FIIS-UNI

Tipos de redes
Celda Unitaria

Lic. Héctor Valdivia M. 25 Lic. Héctor Valdivia M. 27

Sistemas cristalinos Celdas unidad en el sistema cristalino cúbico

Cúbica sencilla Cúbica centrada en Cúbica centrada en


Lic. Héctor Valdivia M. 26 Lic.el cuerpo
Héctor Valdivia M. las caras 28

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Tipo de
Tipos de Fuerzas entre Niveles de Energía (3s) para los
partículas Propiedades Ejemplos
cristal individuales
las partículas

Fuerzas
Argón (Ar), metano
átomos de Sodio
intermoleculares Muy blandos, puntos de
Molecular átomos o moléculas débiles (Van de fusión bajos,
(CH4), azúcar
(C12H22O11), hielo seco
Waals, enlaces de conducción térmica y
(CO2)
hidrógeno) eléctrica pobre

átomos conectados en Muy duros, puntos de


Red covalente una red de enlaces Enlace covalentes fusión muy altos,
Carbono diamente,
Cuarzo (SiO2)
covalentes conducción térmica y
eléctrica pobre

Duros y quebradizos,
Iónico iones positivos y
negativos
Atracciones
electrostáticas
puntos de fusión altos,
conducción térmica y
Sales típicas: NaCl.
CaCO3, MgO, etc.
eléctrica pobre al estado
sólido

De blandos a muy
duros, puntos de fusión Todos los elementos
Metálico átomos Enlace metálico de bajos a muy altos, metálicos: Fe, Cu, Al,
conducción térmica y Ca, etc.
eléctrica excelente,
Lic. Héctor Valdivia M. maleables y dúctiles 29 Lic. Héctor Valdivia M. 31

Modelo
Modelo de
de bandas
bandas de
de energía
energía
E
Niveles ocupados
BANDA Niveles vacíos
DE
CONDUCCIÓN
BANDAS DE 2p²
ENERGÍA BANDA
PROHIBIDA
2s²
BANDA
DE
VALENCIA

Diamante Grafito Átomos aislados


Lic. Héctor Valdivia M. 30 X3 X2 Valdivia M.
Lic. Héctor X1 d 32

Lic. Héctor Valdivia M 8


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Diagramas de bandas
Diagrama de bandas del Carbono: diamante Bandas
Bandas de
de energía
energía del
del sodio
sodio
Banda de conducción
4 estados/átomo
Energía

Banda prohibida
Eg=6eV

- - 4 electrones/átomo
Banda de valencia
- -

Si
Si un
un electrón
electrón de
de lala banda
banda de
de valencia
valencia alcanzara
alcanzara lala energía
energía necesaria
necesaria para
para
saltar
saltar a la banda de conducción, podría moverse al estado vacíode
a la banda de conducción, podría moverse al estado vacío delalabanda
banda
de
de conducción
conducción de de otro
otro átomo
átomo vecino,
vecino, generando
generando corriente
corriente eléctrica.
eléctrica. AA
temperatura
temperaturaambiente
ambientecasi casiningún
ningúnelectrón
electróntiene
tieneesta
estaenergía.
energía.
Es
Esununaislante.
aislante.
Lic. Héctor Valdivia M. 35
ATE-UO Sem 05

Diagramas de bandas Diagramas de bandas


Diagrama de bandas del Carbono: grafito Banda de Banda de Banda de
conducción conducción conducción
4 estados/átomo Banda de conducción
Eg Eg
Energía

Banda de valencia Banda de valencia Banda de valencia


- -
- - Banda de Aislante Semiconductor Conductor
valencia Eg=5-10eV Eg=0,5-2eV No hay Eg
4 electrones/átomo

AA 00 K,
K, tanto
tanto los
los aislantes
aislantes como
como los
los semiconductores
semiconductores nono conducen,
conducen, ya
ya que
que
No
Nohay
haybanda
bandaprohibida.
prohibida.LosLos electrones
electrones de
delalabanda
bandade devalencia ningún
valencia ningúnelectrón
electróntiene
tieneenergía
energíasuficiente
suficientepara
parapasar
pasarde
delalabanda
bandadedevalencia
valenciaaa
tienen
tienen lala misma
misma energía
energía que
que los
los estados
estados vacíos
vacíos de
de lala banda
banda de lala de
de de conducción.
conducción. AA 300 300 K,
K, algunos
algunos electrones
electrones de
de los
los semiconductores
semiconductores
conducción,
conducción, por por lolo que
que pueden
pueden moverse
moverse generando
generando corriente alcanzan
corriente alcanzan este
este nivel.
nivel. Al
Al aumentar
aumentar lala temperatura
temperatura aumenta
aumenta lala conducción
conducción en
en
eléctrica.
eléctrica. AAtemperatura
temperaturaambiente
ambientees esun
unbuen
buenconductor. los
conductor. lossemiconductores
semiconductores(al (alcontrario
contrarioque
queen enlos
losmetales).
metales).

ATE-UO Sem 06 ATE-UO Sem 08

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Modelo
Modelo de
de bandas
bandas de
de energía
energía

BC BC BC

Eg = 10 eV Eg = 1 eV Modelo
Modelo de
de Electrones
Electrones libres
libres para
para
Metales
Metales
BV BV BV

Aislante Semiconductor Conductor


Eg(Si) = 1,12 eV
T = 300 K
Eg(Ge) = 0,66 eV
Lic. Héctor Valdivia M. 37 Lic. Héctor Valdivia M. 39

Estadística de Fermi-Dirac
Modelo
Modelo de
de bandas
bandas de
de energía
energía 1
La probabilidad de encontrar un estado f E   E EF 
de una única partícula con energía E, es
E EF  e kB T
1
La banda prohibida en el silicio es de 1,12 eV. BC 
Si E>>EF  f E   e kB T
Un núcleo de radón emite un fotón gamma con
λ=0,00667 nm ¿Cuántos electrones puede excitar
Eg = 1,12 eV Es la función de distribución de Boltzmann (límite clásico)
desde la parte superior de la banda de valencia
BV hasta el fondo de la banda de conducción BC
la absorción de este fotón? BV a T  0

f E  1
E 
hc

 
6,63  10 34 3  10 8  J  1,86  10 5 eV
para E  EF

 0,00667  10 9
fE0 para EEF
 E 1,86  10 5
N
Eg

1,12
 1, 66  10 5 electrones f EF   1
2

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Densidad de Estados y Población de las Distribución de electrones en un metal


bandas E E

El número de estados entre k y k+dk en 3D Estados


(dos electrones por estado), es: posibles
vacíos
kz
g k   2
V
4k 2dk k EF
8 3

La energía de un electrón libre


ky Electrones
E k  
2 2
k
kx
es: 2m

S i E  E F
g  k E    g E  f(E)
3
V  2m  2 1
g E  dE  2  2  E 2 dE
Densidad de estados entre E y E+dE 0 0,5 1
2   
El nivel de Fermi determina la energía que con una probabilidad 1/2 llegan a
EF alcanzar los electrones. A temperatura ambiente se puede admitir que el nivel
 g  E  f (E )d E  N
A 0 K, todos los estados con EEF
c o n f (E )  1 de Fermi es el nivel energético de los electrones del metal.
están ocupados con los N electrones, 0
luego:
Lic. Héctor Valdivia M. 41 43
Fuente:ATE-UO PN 120

Densidad de Estados y Población de las Estadísticas


resumen
bandas
2
 2  2  3N  3
Resultando la energía del nivel de Fermi EF EF 
2m   V  Boltzman Bose Fermi
3 
V  2m  2  E 2 
1
 P. Distinguibles P. Indistinguibles
g E  f E  dE 
La densidad de probabilidad de encontrar
un electrón con energía entre E y E+ dE a 22  3   EkETF 
dE Bosones Fermiones
T>0 K, es: e B

 1  sin
simetría simétrica anti-simétrica
N(E)dE es el número de electrones con definida
energía entre E y E+dE a temperatura T spin cualquiera entero semi-entero

n(E) = 1/(e e E/kT) n(E) = 1/(e e E/kT - 1) n(E) = 1/(e e E/kT + 1)

gases fotones, electrones


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fonones
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Densidad de Estados y Población de las


bandas

El germanio tiene una banda prohibida de 0,67 eV. El dopado con arsénico
añade niveles llenos de donadores en la banda prohibida de 0,01 eV por
debajo de la banda conductora. A una temperatura de 300 K, la probabilidad
de que un estado electrónico esté ocupado es de 4,4 x 10-4. ¿Dónde está el
nivel de Fermi relativo a la banda conductora en este caso?
Semiconductores
Semiconductores
 1 
E  E  EF  kT ln   1  0,2 eV
 f E  
 

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Densidad de estados en las bandas de


Modelo de electrones libres
conducción y valencia
La energía de Fermi del aluminio es 11,63 eV. a) Suponiendo que el modelo gc(E)= densidad de estados en los que
del electrón libre es válido para el aluminio, calcule el número de electrones
libres por unidad de volumen a bajas temperaturas. b) Determine la valencia
E gc(E) puede haber electrones en la banda de
conducción
del aluminio, luego de calcular el número de átomos por unidad de volumen. c) Ec
Halle la velocidad de Fermi para el aluminio a 0K. d) Calcule la temperatura de
Fermi TF. Datos: ρ=2,7 g/m3, M=26,982 g/mol, kB=8,62·10-5 eV/K, Banda prohibida Eg=0,67eV (Ge)
NA=6,02·1023 átomos/mol Ev

3
E1
N  8  2mEF 0 2
dE
   29 elect gv(E)= densidad de estados en los que
a)  1,7910
V  3  h2  m3 gv(E) puede haber electrones en la banda de
N   2, 7   6, 022 10 
N
23 valencia
b) at  A   6, 024  1022 at / cm3
V M 26,982
2 EF 2 1,86 1029  Significado:gv(E1)·dE = nº de estados, por unidad de volumen, con energía
c) v F    2, 022  106 m
m  9,11031  s entre E1 y E1+dE, en los que puede haber electrones en la banda de valencia.
EF 11, 63 Lo mismo se define para la banda de conducción.
d ) TF    134919 K Lic. Héctor Valdivia M. 46
k B 8, 62  105
ATE-UO Sem 26

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Distribución de electrones en un Concentración de electrones y huecos en sem. intrínsecos,


semiconductor extrínsecos tipo N y extrínsecos tipo P
Electrones
Estados posibles

E
nn 1-f(E)
Nc(E) n 1-f(E)
1-f(E)
Ec
Sube
Baja el el nivel
nivel de
EF deFermi
Fermi
Ev

huecos
pp p
f(E)
f(E)
Nv (E) f(E)
f(E)
Estados posibles
Electrones
0 0,5 1 Semiconductor
Semiconductor
Semiconductor extrínseco
intrínseco
extrínseco tipotipo
P N
49
Fuente:ATE-UO PN 119 ATE-UO Sem 31

Calculamos la concentración de huecos en la banda de


valencia, “p”.
Modelo
Modelo de
de bandas
bandas de
de energía.
energía.
Ev Conducción
Conducción intrínseca
intrínseca

Electrones
Estados posibles
p= gv(E)·(1-f(E))·dE = n
E - E
Banda de conducción
gc(E) 1-f(E)
Ec
El
El nivel
nivel dede Fermi
Fermi tiene
tiene T=0K Eg Banda prohibida T>0K
que
que ser
ser tal
tal que
que las
las áreas
áreas
EF que
querepresentan
representanhuecos
huecosyy
electrones
electrones sean
sean idénticas
idénticas Banda de valencia
Ev (sem.
(sem.intrínseco)
intrínseco)
gv(E) Eg (Ge)  0,7 eV n = p = ni
f(E)
Eg (Si)  1,1 eV

Huecosposibles
Estados 0 0,5 1 Lic. Héctor Valdivia M. 52
ATE-UO Sem 30

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Densidad de Estados y Población de las


Modelo
Modelo de
de bandas
bandas de
de energía.
energía. bandas
Conducción
Conducción extrínseca
extrínseca (tipo
(tipo n)
n)
El germanio tiene una banda prohibida de 0,67 eV. El dopado con arsénico
Ión de añade niveles llenos de donadores en la banda prohibida de 0,01 eV por
E Nivel donante impureza debajo de la banda conductora. A una temperatura de 300 K, la probabilidad
donante de que un estado electrónico esté ocupado es de 4,4 x 10-4. ¿Dónde está el
0.01 eV nivel de Fermi relativo a la banda conductora en este caso?

 1   
E  E  EF  k B T ln 
 f E    
 1  8,62  10 5  300  ln 
1
 4,4  10
4
 1  0,2 eV

 
T=0K T>0K

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Modelo
Modelo de
de bandas
bandas de
de energía.
energía.
Conducción
Conducción extrínseca
extrínseca (tipo
(tipo p)
p)
E

Nivel aceptor

0,01 eV
aplicaciones

Ión de
T=0K Huecos en la BV T>0K
impureza
aceptora
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Equilibrio de corrientes de la unión PN sin


Unión PN polarizar
Germanio tipo P Germanio tipo N La corriente neta en cualquier sección del dispositivo debe ser cero
-+
+ + + + - - - - -+
Al
- -
Al
+
Al
- - Sb+ Sb+ - Sb+ Sb+
-+
Al - por difusión +- +
- + + + +
- - - - + ZONA N
+ por campo
- - - - -+
Al Al Al Al Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+
+ +
- + - por difusión
-  + por campo --+
 ZONA P -+
Aparece
Aparece un
un campo
campo eléctrico
eléctrico en
en la
la zona
zona de
de contacto
contacto jp difusión jp campo Se compensan
(unión metalúrgica) de las zonas
(unión metalúrgica) de las zonas jn campo jn difusión Se compensan
ATE-UO PN 05 ATE-UO PN 09

Unión PN Zonas de la unión PN


Cercanías de la unión metalúrgica Muy
Unión
Uniónmetalúrgica
metalúrgica importante
Germanio tipo P Germanio tipo N
Zona P + - Zona N
+
- + - + - -
- - - (neutra) (neutra)
Al Al Al Al Sb+ Sb+ Sb+ Sb+
Muchos
Muchoshuecos,
huecos, -  + Muchos
Muchoselectrones,
electrones,

- - - - pero
peroneutra
neutra pero
peroneutra
neutra
Al Al Al Al Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+
+ VO

-  + Zona
 Zona de
de Transición
Transición (no
(no neutra)
neutra) 
Por campo eléctrico Existe
Existe carga
cargaespacial
espacial (que
(quegenera
generacampo eléctrico,,
campoeléctrico, ,yydiferencia
diferenciade
de
potencial
potencialeléctrico,
eléctrico,VVO))yy no
noexisten
existencasi
casiportadores
portadoresde
decarga.
carga.
O
Por difusión
El
Elcampo
campoeléctrico
eléctricolimita
limitaelelproceso
procesode
dedifusión
difusión 60
ATE-UO PN 08
ATE-UO PN 06

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Relaciones entre Diagramas de bandas en la unión PN sin polarizar


(x)
- +
,  y VO
Zona P - + Zona N Zona P neutra Z. trans. Zona N neutra
VO

(x) Estados posibles para los electrones


Densidad -jn campo -jn difusión
de carga x nP - + nN
Ec
•Teorema de Gauss: EFi Ec
·(x) = (x)/ ) EF

Campo EF
(x) EFi
eléctrico x Ev
Ev
pP
-maxO
jp difusión
- + jp campo pN
•Diferencia de potencial: Estados posibles para los huecos
VU(x) (x) = -

V
VO jn campo + jn difusión = 0 jp campo + jp difusión = 0
Tensión x 61
ATE-UO PN 13
63
ATE-UO PN 100

Diagramas de bandas en la unión PN sin polarizar Ejemplo 1: unión de Germanio sin polarizar
Datos del Ge a 300 K
Zona de transición Dp=50 cm2/s Dn=100 cm2/s ni=2,5·1013 port/cm3
p=1900 cm2/V·s n=3900 cm2/V·s r=16
- + Lp=0,22 mm Ln=0,32 mm p= n= 10 s
Zona P - + Zona N
- + (neutra)
(neutra) - + NA=1016 atm/cm3 VO=0,31 V ND=1016 atm/cm3
VO
+-
P N
Ec 0,313m
VO·q varios mm
EFi Ec

EF EF 1016

Portad./cm3
pP nN
Ev EFi
1014

Ev 1012 nP pN

62
1010
-1m 0 1m ATE-UO PN 35
ATE-UO PN 98

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FIIS-UNI

LLZTO
La unión PN polarizada ZT Relaciones entre ,  y VO
Baja resistividad: Baja resistividad: con polarización inversa
Zona P
Zona P ZonaNN
VP=0 VN=0 Polarización inversa -- ++ Zona

+- VOV+V
O
ext

P N
Vext (x)
+ - -V + + - •Más
•Máscarga
cargaespacial
espacial
VmP U V
i 0
Nm x
•Mayor
•Mayor intensidadde
intensidad decampo
campo
•Mayor
•Mayorpotencial
potencialde
decontaco
contaco
- V
+ (x) x

-maxO
V = -VmP + VU - VNm = -VO + VU -max

Luego: El
Elpotencial
potencialde
decontacto
contactode
delalaunión
unión VU(x)
semiconductora
semiconductoraaumenta. VO+Vext
VU = VO + V aumenta.
VO
x
ATE-UO PN 29
ATE-UO PN 24

Diagramas de bandas en la unión PN con


La unión PN polarizada
polarización inversa
Notación a usar en general

+- -jn campo
P N nP
-V + Ec
-- ++ nN
U
EFi (VO-V)·q nN Ec
i EF Ec EF
= Ev EFi
EF
+ V - EE
VU = VO - V, pP v
- + pN
Fi

Ev
siendo: V < VO (aparcamos la posibilidad real de
que V >VO)
- + jp campo pN
Conclusión:
Conclusión: jtotal  jn campo + jp campo
Polarización
Polarizacióndirecta:
directa: 00<<VV<V
<VOO Muy
Polarización importante Corriente total débil debida a campo eléctrico y que no varía casi con la
Polarizacióninversa:
inversa: VV<<00
tensión inversa (V<0) aplicada 68
ATE-UO PN 25 ATE-UO PN 101

Lic. Héctor Valdivia M 17


FIIS-UNI

Ejemplo 1 con polarización inversa Diagramas de bandas en la unión PN con


polarización directa
V=180mV
(VO-V)·q
-jn difusión
nP -jn campo nN
VVUu=0.31
=0,49 VV
Ec
-- ++ nN
Ec
+-
PP -+ NN EFi Ec
EF
0,416m
0.313m EF EFi EF
varios mm Ev EFi
E
Evv
-- ++
jp difusión
pP jp campo pN
1016 pN
Portad./cm3

pP nN En
Enesta
estaparte
partedel
delcristal
cristalse
se
1014 produce
produce una
una disminución
disminución
muy
muy fuerte
fuerte de de los los
1012 nP pN
minoritarios
minoritarios
1010 jtotal  jn difusión + jp difusión
nPV pNV
108 Corriente total fuerte debida a difusión, que varía mucho con la tensión
directa (V>0) aplicada 71
-1m 0 1m
ATE-UO PN 37 ATE-UO PN 102

LLZTO
ZT Relaciones entre ,  y VO Ejemplo 1 con polarización directa
con polarización directa
Zona P
Zona P
-- + ZonaNN
Zona V=180mV
VOV-V
O
ext
VVUu=0.31
=0,13 VV
Vext (x)
+-
•Menos
•Menoscarga
cargaespacial
espacial PP -+ NN
x
•Menor
•Menorintensidad
intensidadde
de 0.313m
0,215m
campo
campo varios mm

•Menor
•Menorpotencial
potencialde
de
(x) x 1016

Portad./cm3
contaco pP nN En
contaco Enesta
estaparte
partedel
delcristal
cristalse
se
1014 nPV pNV produce
produce unun aumento
aumento muy
muy
-max fuerte
1012 nP pN fuertede
delos
losminoritarios
minoritarios
-maxO
1010
-1m 0 1m
VU(x)
VO
VO-Vext x ATE-UO PN 28
ATE-UO PN 36

Lic. Héctor Valdivia M 18


FIIS-UNI

Curva característica de una unión PN “larga” a


diferentes escalas
Diodos
Unión de Ge (Ejemplo 1), sin i
efectos adicionales + P
V N

i [mA]
1
-
(exponencial)
i [A]

 
0 0
-0,25 0,25 V [Volt.] -0,5 eV
i  is e 1
V [Volt.]
kT

-0,8
* Fuente: www.fis.puc.cl/~spm/public/ fiz3600/2001/mp-JorgePinochet.pdf
(constante)
Lic. Héctor Valdivia M. 75
ATE-UO PN 62

Concepto de diodo ideal


Diodos
•Nos olvidamos de lo que se ha visto sobre electrónica física
•Definimos un nuevo componente ideal de teoría de circuitos ID
i
+
En polarización directa, la caída de VD
i tensión es nula, sea cual sea el valor
Ánodo –
+ de la corriente directa conducida

V ID Curva Real
curva característica
Curva Idealizada
Cátodo
- V

En polarización inversa, la corriente conducida


es nula, sea cual sea el valor de la tensión
Voltaje de VD
Muy, muy inversa aplicada
Polarización
importante Lic. Héctor Valdivia M. 76
ATE-UO PN 67

Lic. Héctor Valdivia M 19


FIIS-UNI

Diodos Diodos
Efecto fotovoltaico (I) Luz
Luz (Eluz = h·)
i • Permite convertir corriente
+ sin luz alterna en corriente continua.
N
P i
V N
– Ej: Rectificador de Media Onda
- VCarga
- +
V
+

v
+
GL=0 t t
GL1
+
-

GL2

GL3  RCarga
-
-
+
-

Comportamiento como Comportamiento


fotodiodo como célula
fotovoltaica o
P

célula solar 77 Lic. Héctor Valdivia M. 79

Diodo Zener de Efecto tunel


Diodos
Zona P Zona N
• Aplicación: Circuito Rectificador
nP – Ej: Rectificador de Onda Completa
Ec
V

t
Ev
- - nN
pP
Ec
Vcarga
Electrones de valencia

Ev
 t
pN
RCarga
Corriente casi exclusivamente debida a electrones de valencia que
atraviesan la zona de transición por efecto tunel
78 Lic. Héctor Valdivia M. 80
Fuente: ATE-UO PN 107

Lic. Héctor Valdivia M 20


FIIS-UNI

Tipos de transistores
Diodos PNP
BJT NPN
Fuente de Voltaje:
Es una aplicación del Circuito Rectificador de Canal P
Onda Completa: JFET Canal N
MESFET
FET Canal N Canal P
Acumulación
Vcarga MOSFET Canal N
V
Deplexión Canal P
t R t Canal N

+ BJT:Transistores bipolares de unión.


Puente
FET: Transistores de efecto de campo.

Rectificador
de Onda C Vcarga
Completa JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.

MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxido-semiconductor.
Lic. Héctor Valdivia M. 81
ATE-UO Trans 01

Características comunes a todos los


Diodos ID transistores
Diodo Zener + •Son dispositivos (típicamente) de 3 terminales.
VD
LED •Dos de los tres terminales actúan como terminales de entrada (control).

ID Curva Real
•Dos de los tres terminales actúan como terminales de salida. Un terminal es común a
ID
entrada y salida.
+
VD Voltaje de quiebre ie is
del Zener Curva Idealizada
– + +
Voltaje de VD
Polarización Ve Vs
- -
Entrada Cuadripolo
Salida
Lic. Héctor Valdivia M. 82
ATE-UO Trans 02

Lic. Héctor Valdivia M 21


FIIS-UNI

Características comunes a todos los Transistores bipolares de unión


transistores PNP Base
Emisor y Colector
ie is (Si)
NAE=1015 atm/cm3 p=100 ns NDB=1013 atm/cm3
•La potencia consumida en la entrada es n=100 ns Ln=0,02 mm
menor que la controlada en la salida. + + NAC=1014 atm/cm3 Lp=0,01 mm
Ve Vs
- -
Entrada Salida E B C
Cuadripolo + -
P N P
•La tensión entre los terminales de entrada determina el comportamiento eléctrico de
la salida. 1016
nB =1013

Portad./cm3
•La salida se comporta como: pE =1015
pC =1014
1012
•Fuente de corriente controlada (zona lineal o activa).
•Corto circuito (saturación). escala
108 pB =107 logarítmica
•Circuito abierto (corte). nC=106
nE =105
104
ATE-UO Trans 03 1m ATE-UO Trans 06

Transistores bipolares de unión Polarización en Zona Activa


Emisor (P) Colector (P)
Transistor PNP: zona P, zona N y zona P Polarizamos las uniones:
Transistor NPN: zona N, zona P y zona N •Emisor-Base, directamente
B (N)
Colector (P) Colector (N) •Base-Colector, inversamente
VEB VBC
Base Base
(N) (P) iE VEB B iB VBC iC
PNP Emisor (P) NPN Emisor (N)
E +
P N
-
P C
•El emisor debe estar mucho más dopado que la ¿Cómo son las corrientes por los terminales de un transistor?
base.
Muy, muy
•La base debe ser mucho más pequeña que la
importante Para contestar, hay que deducir cómo son las corrientes por las uniones.
longitud de difusión de los mayoritarios del emisor.
Para ello, es preciso conocer las concentraciones de los portadores.

ATE-UO Trans 05 ATE-UO Trans 07

Lic. Héctor Valdivia M 22


FIIS-UNI

Resumen Transistor
Zona Activa Zona de Corte Zona de Saturación
-IC -IC -IC
Estructura

R R R • Cada una de las regiones posee un contacto. Estos se denominan


+ + + base, emisor y colector. A continuación se muestra un diagrama
VCB VCB VCB
equivalente hidráulico de su funcionamiento.
P - P - P
-
-IB -IB -IB
N N N
P P P
VEB VBE VEB
IE V1 IE V1 IE V1

VCB < 0
IC  0, IE  0 y VCB > 0 (VCE  0)
-IC  ·IE y -IB  (1-)·IE
-IC  -·IB y IE  -(1+)·IB IB  0 -IC  V1/R

Muy, muy importante


Lic. Héctor Valdivia M. 91
ATE-UO Trans 43

Resumen con transistores NPN Transistor


IC IC NPN, IC
NPN, z. NPN, Modelo mecá
saturación mecánico
activa corte
R R R
+ VCB + VCB + Transistor pnp,
pnp
VCB
N N N polarizado como
- - -
IB IB IB amplificador
P P P
N N N IC
VBE -IE
VEB -IE VBE -IE
V1 V1 V1
Rcarga
p C
VCB > 0 IB 

IC  0, IE  0 y VCB < 0 (VCE  0) 


IC  ·(-IE)
n  B VEC • La principal característica del

IB  0 IC  V1/R RB   transistor es que el flujo de una
IC  ·IB p   E
pequeña corriente desde la base
Vent al emisor, permite controlar una
 corriente mucho más grande
VEB  IE desde el colector al emisor.
Muy, muy importante
Lic. Héctor Valdivia M. 92
ATE-UO Trans 71

Lic. Héctor Valdivia M 23


FIIS-UNI

Transistor Transistor
Aplicació
Aplicación Amplificador:
Funcionamiento
Amplificador
• El voltaje en R2 se puede calcular en forma exacta aplicando las leyes de
Kirchhoff.
• Debe estar “polarizado”.
• Para que opere deben ser
• La característica de amplificación del transistor viene dada por su curva
proveídos voltajes de
característica:
encendido (turn-on) de tal
forma que la corriente pueda
fluir desde o hacia la base.
• La base y el emisor
funcionan como un diodo pn
de silicio. Luego el voltaje
base emisor VBE:

V BE  0 .7 V Configuración Básica
Lic. Héctor Valdivia M. 93 Lic. Héctor Valdivia M. 95

Transistor
Amplificador:
Funcionamiento

•La corriente en el colector (IC) es un múltiplo de la corriente en la base (IB),


que depende de la ganancia del transistor .
•Típicamente: 50 ≤ β ≤ 200.
IC    IB
• Al aplicar ley de Kirchhoff de la corriente se obtiene:

I E  I C  I B  (   1)  I B
• Los condensadores de acoplamiento C1 y C2 bloquean la corriente
continua y dejan pasar la alterna, la cual se desea amplificar.
•Siendo IB<<IR2 : V R
VR2  CC 2
R1  R 2
Lic. Héctor Valdivia M. 94

Lic. Héctor Valdivia M 24