Dispositivos electrnicos

FIEE

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y Telecomunicaciones

Apellidos y nombres:

Matrcula:

Cuba Miranda, Lucero Milagros

15190005

Curso:

Tema:

Laboratorio de dispositivos electrnicos

El transistor bipolar PNP.

Caractersticas bsicas.

Informe:

Fechas:

Previo

Nota:

Realizacin:

Entrega:

13 Junio 2016

20 Junio 2016

Nmero:
06

Grupo:

Profesor:

Nmero:

Horario:

08

lunes
8:00-10:00am

Ing. Luis Paretto Quispe

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TEMA:
EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP.CARACTERSTICAS BSICAS
Cuestionario previo
a) Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un transistor
bipolar.
FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales gracias al cual es posible controlar una gran potencia
a partir de una pequea. En la figura se puede ver un ejemplo cualitativo del funcionamiento del mismo.
Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular, y en el terminal de base (B)
se aplica la seal de control gracias a la que controlamos la potencia. Con pequeas variaciones de corriente
a travs del terminal de base, se consiguen grandes variaciones a travs de los terminales de colector y
emisor. Si se coloca una resistencia se puede convertir esta variacin de corriente en variaciones de tensin
segn sea necesario.

Fundamentos fsicos del efecto transistor

El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el emisor y el
colector del mismo, mediante la corriente de base. En esencia un transistor se puede considerar como un
diodo en directa (unin emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y un diodo en inversa (unin
base-colector), por el que, en principio, no debera circular corriente, pero que acta como una estructura que
recoge gran parte de la corriente que circula por emisor base. En la figura 9 se puede ver lo que sucede.
Se dispone de dos diodos, uno polarizado en directa
y otro en inversa (diodo B). Mientras que la corriente por
elevada (IA), la corriente por B es muy pequea (I B). Si se
ambos diodos, y se consigue que la zona de unin (lo que
llamaremos base del transistor) sea muy estrecha,
toda esa corriente que circulaba por A (I A), va a quedar
por el campo existente en el diodo B. De esta forma entre
y el colector circula una gran corriente, mientras que por
una corriente muy pequea. El control se produce
este terminal de base porque, si se corta la corriente por
no existe polarizacin de un diodo en inversa y otro en
por tanto no circula corriente.

(diodo A)
A
es
unen
entonces
absorbida
el emisor
la base
mediante
la base ya
directa, y
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Corrientes y tensiones
Para el anlisis de las distintas corrientes que
un transistor vamos a considerar un transistor de
que polarizamos tal y como aparece en la figura 10.
polarizacin ser el usado cuando el transistor
regin activa, como se ver en los siguientes
La unin emisor-base queda polarizada como una
directa, y la unin colector-base como una unin en
la figura 11 se muestran las principales corrientes
electrones y huecos) que aparecen en el transistor
la polarizacin indicada en la figura 10. Se puede
siguiente:

aparecen en
tipo PNP,
Este tipo de
trabaje en
apartados.
unin
en
inversa. En
(de
tras aplicar
observar lo

Entre el emisor y la base aparece una corriente (I Ep + IEn) debido a que la unin est en directa.
El efecto transistor provoca que la mayor parte de la corriente anterior NO circule por la base, sino
que siga hacia el emisor (ICp) .
Entre el colector y la base circula una corriente mnima por estar polarizada en inversa (ICn ms una
parte nfima de ICp) .
Por la base realmente circula una pequea corriente del emisor, ms otra de colector, ms la corriente
de recombinacin de base (IEn+ICn+IBr).

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b) De los manuales, obtener los datos del transistor bipolar TR85.

TR85 (Equivalente a NTE 158)

El TR85 es un transistor trpode PNP de germanio dentro de un paquete del

tipo de OT1 diseado para el bajo consumo de energa en aplicaciones de
audio de seal grande.

Grados mximos absolutos: (TA = +25C)

Voltaje ColectorBase, VCB.
32V
Voltaje ColectorEmisor (RBE 500), VCE.
32V
Voltaje EmisorBase, VEB.
10V
Corriente de colector, IC.
1A
Corriente de base, IB.
40mA
Potencia disipada (TA = +25C), PD.
550mW Descartado
encima de 25C
0.3mW/C
Rango de temperatura de almacenamiento, TRTA
55 hasta +90C
Temperatura en terminales
(durante la soldadura, 1/16 1/32 desde el case por 5sec), TT
+245C

Caractersticas elctricas: (TA = +25C a menos que se indique lo contrario)

Parmetro
Voltaje(disparo)
colector-base
Voltaje(disparo)
emisor-base
Corriente (corte) de
Colector
Corriente (corte) de
emisor
Ganancia de corriente
directa
Voltaje base-emisor
Frecuencia de trans. De
corriente de corte

Smbol
o

Condicin

Mn.

Tipo

Mx.

Unidad

V(D)CB

IC = 200A, IE = 0

32

V(D)EB

IE = 200A, IC = 0

10

ICB

VCB = 10V, IE = 0

10

IEB

VEB = 5V, TJ = +75C

500

Hfe

VCB = 1V, IC = 300mA

60

90

175

VBE

VCE = 1V, IC = 300mA

280

380

mV

10

20

Kc

Lhfe

por

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Capacitancia de salida

Cob

VCB = 5V, IE = 0 @ 0.45mc

80

105

pF

Dimensiones fsicas: