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En GaAs, las movilidades son n=8500 cm2/v-s y p=400 cm2/v-s

15

a. Determine el rango de la conductividad para un intervalo de


concentracin de donadores de 1015Nd1019 cm-3.
b. Con los resultados de la parte a), determine el rango de
densidad de corriente de deriva si el campo elctrico aplicada es
E=0.10 v/cm.
Datos:

n=8500 cm2/v-s
p=400 cm2/v-s
1015Nd1019 cm-3.
E=0.10 v/cm.

a.
Nd=n=1015 cm-3
= e. n. Nd
= (1.6x10-19) (8500) (1015)
= 136x10-2
= 1.36 (-cm)-1
Nd=n=1019 cm-3
= e. n. Nd
= (1.6x10-19) (8500) (1019)
= 13600 (-cm)-1
= 1.36x104 (-cm)-1
1.36 1.36x104 (-cm)-1
b.
J= E
J= (1.36) (0.10)
J= 0.136 A/cm2
J= E
J= (1.36x104) (0.10)
J= 1.36x103 A/cm2
16 En la figura P1.16 se muestran las concentraciones de electrones
y huecos en una muestra de silicio. Asuma que las movilidades de
electrones y huecos son los mismos que en el problema 1.12.
Determine la densidad de corriente de difusin total respecto de la
distancia x para 0x0.001 cm.

dn

Jn = eDn dx = eDn x
-19

Jn = (1.6x10 ) (180)

15

10 10
4
0.5 x 10

Jn = 576 A/cm2
17 La concentracion de huecos en el silicio est dada por p(x)=10 4 +
1015 exp (-x/Lp) x0

El valor de Lp es 10 m. el coeficiente de difusin de huecos es D p =


15 cm2/s. determine la densidad de corriente de difusin de huecos
con a) x=0 b) x=10 m c) x=30 m.
dp

Jp = -e.Dp dx

( )
( 1.6 X 10 ) ( 15 ) ( 10 )
x
exp
(L )
10 x 10
15

Jp = -e.Dp (10 )

( )
1
Lp

x
Lp

15

19

Jp =

exp

Jp = 2.4 e-x/Lp
a) x=0
Jp = 2.4 A/cm2
b) x=10 m
Jp = 2.4 e-1 A/cm2
c) x=30 m
Jp = 2.4 e-3 A/cm2
18 GaAs es dopado a Na = 1017 cm-3 a) Calcule n0 y p0 b) Se generan
huecos y electrones en exceso de forma que n = p = 1015 cm-3.
Determine la concentracion de electrones y huecos.
a)

Si Na > ni
Po = Na = 1017 cm-3
n0 =

ni2
Na

n0 =

3.24 x 10 cm
1017 cm 3

12

b)

n0 = 3.24x10-5 cm-3
n = n 0 + n = n
n = 1015 cm-3
p = p 0 + p
p = 1x1017 + 0.01x1017
p = 1.01x1017 cm-3

19 a) Determine la barrera potencial integrado V bi en una unin PN de


silicio para i) Nd = Na = 5x1015 cm-3 ; ii) Nd = 5x1017 cm-3 y Na = 1015 cm-3
; iii) Na = Nd = 108 cm-3 b) repita la parte a) para GaAs.

a).
I.

Nd = Na = 5x1015 cm-3
Vbi = VT.ln

NaNb
n2i

( )
30

25 x 10 cm
Vbi = (0.026) ln ( 2.25 x 10 20 cm6 )

II.

Vbi = 0.66 v
Nd = 5x1017 cm-3
Vbi = VT.ln

NaNb
n2i

( )

Vbi = (0.026) ln
III.

Na = 1015 cm-3

15

17

10 5 x 10 cm
20
6
2.25 x 10 cm

Vbi = 0.62 v
Nd = Na = 1018 cm-3
NaNb
n2i

( )

Vbi = VT.ln

Vbi = (0.026) ln

10 18 101 8 cm6
2.25 x 1020 cm6

Vbi = 0.937 v
b). GaAs
I.

----------------- ni = 1.80x106 cm-3

Vbi = VT.ln

NaNb
n2i

( )

25 x 1030 cm6
ln

(
)
Vbi = (0.026)
3.24 x 1012 cm6

Vbi = 1.13 v

II.

Nd = 5x1017 cm-3
Vbi = VT.ln

NaNb

( )
2

ni

Vbi = (0.026) ln
III.

IV.

Na = 1015 cm-3

1015 5 x 1017 cm6


3.24 x 1012 cm6

Vbi = 1.20 v
Nd = Na = 1018 cm-3
Vbi = VT.ln

NaNb
n2i

( )

Vbi = (0.026) ln

1018 10 18 cm6
3.24 x 1012 cm6

Vbi = 1.41 v
21. La concentracion de donadores en la regin N de la unin PN de
silicio es Nd = 1016 cm-3. Grafique Vbi respecto de Na en el rango
1015Na1018 cm-3 donde Na es la concentracion de aceptores en la
regin p.

Vbi = VT.ln

NaNd
2
ni

( )

Vbi = (0.026) ln

15

16

10 x 10 cm
20
6
2.25 x 10 cm

1018 x 1016 cm6


2.25 x 1020 cm6

Vbi = 0.637 v
Vbi = (0.026) ln
Vbi = 0.817 v
Para Na = 1015 cm-3
Para Na = 1015 cm-3

;
;

Vbi = 0.637 v
Vbi = 0.817 v