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Dispositivos electrnicos

FIEE

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y Telecomunicaciones

Apellidos y nombres:

Matrcula:

Cuba Miranda, Lucero Milagros

15190005

Curso:

Tema:

Laboratorio de dispositivos electrnicos

El transistor bipolar NPN D313.


Caractersticas bsicas.

Informe:

Fechas:

Previo

Nota:

Realizacin:

Entrega:

20 Junio 2016

27 Junio 2016

Nmero:
07

Grupo:

Profesor:

Nmero:

Horario:

08

lunes
8:00-10:00am

Ing. Luis Paretto Quispe

Dispositivos electrnicos

FIEE

TEMA:
EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN.CARACTERSTICAS BSICAS

Cuestionario previo

a) De los manuales, obtener los datos del transistor bipolar D313.

TRANSISTOR BIPOLAR D313

El transistor D313 est diseado para su uso en el


amplificador de propsito general y aplicaciones
de conmutacin.

Grados mximos absolutos: (TA = +25C)

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Caractersticas elctricas: (TA = +25C a menos que se indique lo contrario)

Clasificacin en hfe:

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b) Determinar el punto de operacin del circuito del experimento:

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TABLA 2
Valores(R1=
56k)

Ic(mA)

Ib(A)

Vce(v)

Vbe(v)

Ve(v)
6

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TABLA 3
Valores(R1=
68k)

Ic(mA)

Ib(A)

Vce(v)

Vbe(v)

Ve(v)

TABLA 5
P1
Ic(mA)
Ib(A)
Vce(v)

100 k

250 k

500 k

1M