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FSICA DEL ESTADO SLIDO

EN POWER POINT
2015

ARTURO TALLEDO
FACULTAD DE CIENCIAS
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

CRISTALOGRAFA
Primer captulo de curso

FSICA DEL ESTADO SLIDO

FC UNI

Agosto 2013_2
Lima, Per
ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica

Introduccin

Slidos cristalinos (ordenados) y slidos


amorfos (desordenados)
Lo que actualmente se conoce como FES es
bsicamente la fsica de los cristales o slidos
cristalinos. La Fsica de slidos amorfos se
explica en base a los conceptos de la Fsica de
cristales.
Los cristales son una disposicin peridica de
tomos en el espacio real tridimensional
(longitudes).

CRISTAL = RED + BASE


Un slido cristalino se puede describir
definiendo un conjunto ordenado de
puntos y asignando a cada punto un
conjunto de (1,2, 3...n) tomos en
posiciones bien definidas

Definicin de red cristalina


Conjunto de puntos descrito por tres vectores linealmente
independientes y todo el conjunto de ternas de enteros Z3

RED P / P n1 a 1 n 2 a 2

n 3 a 3 ; n1 , n 2 , n 3

donde a1 , a 2 , a3 son vectores


linealmente independientes

Vectores Primitivos y celdas primitivas


Se dice que una terna de vectores L.I es una
terna de vectores primitivos si junto con el
conjunto Z define dicha red cristalina.
El paraleppedo definido por la terna
primitiva se llama celda primitiva
La terna primitiva no es nica
Todas las celdas primitivas tienen el mismo
volumen

Red cristalina y vectores


primitivos

a2

a1

La terna (dupla) primitiva no es nica


u2
a2

b1

u1
a1
c2

b2
d1

c1

d2

Diferentes celdas primitivas de una red. Todas


tienen igual rea (volumen)
a2

b1

a1
c2

b2
d2

d1

c1

CLASIFICACIN DE LAS REDES


CRISTALINAS
Se clasifican por sus propiedades de
simetra
Hay 5 tipos de redes bidimensionales
Hay 14 tipos de redes 3D (redes de Bravais)

CELDA UNITARIA
Cada tipo de red cristalina se identifica con
una celda convencional o celda unitaria, no
necesariamente celda primitiva.
Los tres vectores l.i. que definen la celda
unitaria se llaman ejes cristalinos o
vectores convencionales.

Redes Bidimensionales
Oblicua
Rectangular
Rectangular centrada
Cuadrada
Hexagonal

Redes de Bravais 3D (1)

Redes de Bravais 3D (2)

Cbico

Hexagonal

Trigonal

Redes de Bravais 3D (3)

Vectores primitivos y ejes cristalinos


en una red sc

Ejes cristalinos

a=ai
b=aj
c=ak
Vectores Primitivos
a1 = a
a2 = b
a3 = c

Vectores primitivos y ejes cristalinos


en una red bcc

Ejes cristalinos
a=ai
b=aj
c=ak
Vectores Primitivos

a1 = 1/2 a (i + j - k)
a2 = 1/2 a (- i + j + k)
a3 = 1/2 a (i - j + k)

a2

a3

b
a1

Vectores primitivos y ejes cristalinos


en una red bcc

Ejes cristalinos
a=ai
b=aj
c=ak
Vectores Primitivos
a1 = a = 1/2 a (i + j - k)
a2 = b = 1/2 a (- i + j + k)
a3 = c = 1/2 a (i - j + k)

Vectores primitivos y ejes cristalinos


en una red fcc

Ejes cristalinos
a=ai
b=aj
c=ak
Vectores Primitivos
a1 = 1/2 a (i + j)
a2 = 1/2 a ( j + k)
a3 = 1/2 a ( k + i)

a3

a2
b
a1

Vectores primitivos y ejes cristalinos


en una red fcc

Ejes cristalinos
a=ai
b=aj
c=ak
Vectores Primitivos
a1 = a = 1/2 a (i + j)
a2 = b = 1/2 a ( j + k)
a3 = c = 1/2 a ( k + i)

Ejercicio
Demostrar que el volumen de una celda
primitiva de una red bcc es la mitad del
volumen de la correspondiente celda
unitaria
Demostrar que el volumen de una celda
primitiva de una red fcc es un cuarto del
volumen de la correspondiente celda
unitaria

El volumen de una celda primitiva es la cuarta


parte de una celda unitaria fcc

El volumen de una celda primitiva es la mitad


de una celda unitaria bcc

PLANOS CRISTALINOS
Un plano cristalino puede ser definido por:
Tres puntos no colineales de una red
cristalina
los vectores que van de uno de los puntos a
los otros dos.
la normal al plano
En FES se usa una convencin especial para
designar a los planos: Los ndices de Miller

ndices de Miller
Desde cualquier punto de la
red no contenido en el plano
se trazan los ejes cristalinos.
Se observan las
intersecciones del plano con
los ejes cristalinos.
Se invierten los coeficientes
Se multiplican por el entero
que los convierte en la terna
de enteros ms pequea,

(hkl) , en esa proporcin

ndices de Miller

El entero por el que hay que multiplicar a los interceptos


invertidos para obtener los ndices de Miller es 1 si se
toma origen en el plano paralelo vecino inmediato

O'
a
(1/2)

a
x

2b

Algunos planos cristalinos de redes


cbicas

Familias de planos paralelos


Dado un plano cristalino (hkl) por cualquier punto
de la red se puede trazar un plano paralelo.
Un cristal puede considerarse como la
superposicin de una familia de planos paralelos
(cualquier punto de un cristal est contenido en
una familia de planos)
Planos equivalentes por operaciones de simetra
{hkl}

Algunos planos en redes cbicas

ALGUNOS NDICES DE MILLER


VLIDOS

Cbico simple
(100), (110), (111), (120), (121), (221), (130)
BCC
(110), (200), (121),
(h+k+l) = entero par
FCC
(111), (200), (220)
(hkl) todos pares o todos impares

Distancia interplanar en redes


ortorrmbicas

cos

cos

d
xa

d
yb

cos k

d
zc

d
cos l
c

d
cos h
a

cos

1
2

h k l

a b c

a
2

h k l

d
b

z
plano (hkl)
d

, para redes cbicas

Estructuras cristalinas
(sc monoatmica)
Cristal = Red + base

Red: cbico simple


base: un tomo
en origen (cualquier
punto de red)
Polonio

Estructuras cristalinas
(bcc monoatmica)

Cristal = Red + base


Red: bcc
base: un tomo
en origen (cualquier
punto de red)
Li, Na, K, Rb, Cs, Ba,
Ta, W, Nb, Mo, Fe, Eu

Estructuras cristalinas
(fcc monoatmica)

Cristal = Red + base


Red: fcc
base: un tomo
en origen (cualquier
punto de red)
Ca, Sr, Ni, Cu, Al, Ag,
Au, Pd, Pt, Ir, Ne, Ar,
Kr, Xe, Pb

Estructuras cristalinas (CsCl)


Cristal = Red + base
Red: cbico simple
base: dos tomos
Cs en origen (cualquier
punto de red)
Cl en (1/2, 1/2, 1/2)a
TlBr, TlI, CuPd,
CuZn (bronce beta),
AgMg, LiHg, AlNi, BeCu

Estructuras cristalinas (CsCl)

Perovskita

Estructuras Cristalinas (NaCl)


Cristal = Red + base
Red: fcc
base: dos tomos
Cl en origen (cualquier
punto de red)
Na en (1/2, 0, 0)a
LiH, NaCl, KCl, PbS,
AgBr, MgO, MnO, KBr.

Estructuras Cristalinas (NaCl)

Estructuras Cristalinas (NaCl)

Estructuras cristalinas (diamante)

Cristal = Red + base


Red: fcc
base: dos tomos
C en origen (cualquier
punto de red)
C en (1/4, 1/4, 1/4)a
C, Si, Ge, estao gris.

Estructuras cristalinas (diamante)

Estructuras cristalinas (Blenda, ZnS)

Cristal = Red + base


Red: fcc
base: dos tomos
Zn en origen (cualquier

punto de red)

S en (1/4, 1/4, 1/4)a


ZnS, ZnSe, CuF, CuCl,
AgI.

Estructuras cristalinas (Blenda, ZnS)

Estructuras cristalinas (hexagonal


compacta)
Cristal = Red + base
Red: Hexagonal
simple
base: dos tomos
Uno en origen (cualquier
punto de red)
otro en (2/3) a + 1/3 b + (1/2) c
He, Be, Mg, Tl, Zn, Cd,
Co,Y.

DISTANCIA ENTRE VECINOS MS CERCANOS

SC

BCC

3 a/2

FCC

12

2 a/2

HCP

12

DIAMANTE

3 a/4

Factor de empaquetamiento de una


estructura fcc monoatmica
a 2 4R
4 R 3
4(
)
3
f
a3

2
6

f 0,74

Encontrar la relacin c/a en una


estructura hcp ideal
h

2
3
a
3 2
2

2
a
c

a2

4
3

8
c
a
3

c/2
a
h
a

CELDA WIGNER SEITZ


Desde cualquier punto de la
red
Se trazan segmentos a los
puntos vecinos ms
cercanos, segundos ms
cercanos, y as...
Se bisecan dichos
segmentos con planos
perpendiculares.
La celda WS es el slido
ms pequeo formado por
las intersecciones de los
planos.

Construccin de una celda WS

Una red cristalina como una


superposicin de celdas WS
(Hay una celda WS por punto de red)

Celda Wigner Seitz

Celda Wigner-Seitz de una red cuadrada

Celda Wigner-Seitz de una red cbica


cuerpo centrado (octaedro truncado)

Celda Wigner-Seitz de una red cbica


cara centrada (dodecaedro regular)

Imperfecciones de un cristal

Efectos de superficie
Impurezas
Vacancias
fracturas

OPERACIONES DE SIMETRA DE
REDES CRISTALINAS
Operaciones de simetra de un objeto son aquellas que lo
dejan invariante.
Cualquier rotacin respecto a un eje que pasa por su centro
es una operacin de simetra de una esfera.
Una operacin de simetra de una red cristalina es
cualquier traslacin de una red cristalina por un vector:
T n1 a 1 n 2 a 2

n 3 a3

Otras operaciones de simetra son la inversin, reflexiones


y rotaciones 2 / n ; n = 1, 2, 3, 4, 6.

TEORA DE GRUPOS
Grupo es un conjunto con una operacin
(producto) que :
es cerrado
es asociativo
hay un elemento identidad
hay un elemento inverso para cada elemento
conmutativo = abeliano

Operaciones de simetra de un
tringulo equiltero
E, identidad
A, B, C, rotaciones de 180
respecto a los ejes A, B y C,
respectivamente
D, rotacin de 120 en sentido
horario respecto a eje
perpendicular por el centro del
tringulo
F, rotacin de 120 en sentido
antihorario respecto a eje
perpendicular por el cenro del
tringulo

1
B

C
2

3
A

Tabla de multiplicacin del tringulo


equiltero
E

Operaciones de simetra de un tetraedro


regular ( T )
c

Identidad
C2x, C2y, C2z
8 rotaciones de 120
(C3) alrededor de las
diagonales de un cubo.

a
d

Algunos grupos de simetra

REDES CRISTALINAS Y GRUPOS DE SIMETRA


Sistema
Triclnico
Monoclnico
Ortorrmbico
Tetragonal

Celda unitaria

Grupos

abc

abc
/2

C1 ,
S2 (Ci)

Nmero de
operaciones de
simetra
1
2

C1h
C2
C2h
C2v
D2 (V)
D2h ( Vh)
C4
S4
C4h
D2d
C4v
D4
D4h
C3
S6
C3v
D3
D3d
C3h
C6
C6h
D3h
C6v
D6
D6h
T
Th
Td
O
Oh

2
2
4
4
4
8
4
4
8
8
8
8
16
3
6
6
6
12
6
6
12
12
12
12
24
12
24
24
24
48

abc
/2

abc

Romboedral

3
2

abc

Cbico

abc

Hexagonal

2
3

abc

Redes imposibles
(Simetra de orden5 )
Un eje de simetra de orden 5 es incompatible con el concepto
de red.
Considere que T es el vector de
traslacin de longitud ms pequeo
T

T
T

Ntese que T`+ T`` es de


menor longitud que T

Redes imposibles
(Simetra de orden 7 o mayor)
Un eje de simetra de orden n, donde n es 7 o mayor que 7, es
incompatible con el concepto de red.
Supongamos que T es el vector de traslacin
Ms pequeo.
T

T T` 2 T Sen ( /n) T , si n 7

Ejercicio: Estructura cristalina del grafito

Ejercicio: Estructura cristalina del grafito

Ejercicio: Estructura cristalina del grafito

Ejercicio: Estructura cristalina del grafito

altura c/2
altura c y 0

12 atomos por celda unitaria o celda primitiva

A1 : (0,0,0)
A2: 1/3 a +1/3 b
A3: 2/3 a +2/3 b +1/2 c
A4: (0,0,c/2)

esfera negra altura c/2


esfera roja altura 0 y c

4 tomos por celda unitaria

RED RECPROCA
Segundo captulo de curso

FSICA DEL ESTADO SLIDO


FC UNI
SETIEMBRE 2013

Lima Per

ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica

RED RECPROCA
DEFINICIN
La red recproca de la red cristalina definida por a1, a2, a3 es el conjunto de puntos en
el espacio recproco (L-1

L-1 L-1)

RR g / g h1 A1 h 2 A2 h3 A3 ; h1 , h 2 , h3 Z
donde a su vez los vectores A1, A2 y A3 se definen como:

A1 2

a 2 a3
a1 a 2 a 3

A2 2

a 3 a1
a1 a 2 a 3

a1 a 2
A3 2
a1 a 2 a 3

RED RECPROCA
PROPIEDAD 1
El volumen ( ) de una celda primitiva de una red
recproca est dado por

8 3

V
donde V es el volumen de la celda primitiva de la red
directa.
Efectivamente:

8 3

(a2 a3) (a3 a1) (a1 a2)
V3
8 3

(a 2 a3) a3 (a1 a 2) a1 a1 (a1 a 2)a3
3
V

RED RECPROCA
PROPIEDAD 2
El producto escalar de un vector R de la red directa
por un vector g de la red recproca es un mltiplo
entero de 2 .
Efectivamente:

R g n1a1 n 2 a2 n3 a3 (h1A1 h 2 A2 h3 A3 )

R g 2 (h1 n1 h 2 n 2 h3 n3 )
Observar que :

Ai a j 2 ij

RED RECPROCA DE UNA RED


CBICO SIMPLE
k

k
2
a

a
a
a

2
a

2
a

a1 a a i

a2 b a j
a3 c a k
2
A
i
a

2
j
a

2
k
a

A1 2

a j a k 2

i
3
a
a

A2 2

a k a i 2

j
3
a
a

A3 2

a i a j 2

k
3
a
a

La red recproca
de una directa sc
es una sc

RED RECPROCA DE UNA RED FCC

4
a

a3

a
a2

A1
j

a1
i

a
a
( j k ) k i
2
2

2
a3

4
A1

1
a b
2
1
a 2 b c
2
1
a 3 c a
2

2
i j - k
a

a1

2
i
a

A 1 A B-C
B

2
j
a

2
k
a

RED RECPROCA DE UNA RED FCC

4
a

4
a

A2

A3
a3

a2

a1

A1

1
a b
2
1
a 2 b c
2
1
a 3 c a
2
a1

2
i
a

2
j
a

A1 A B - C
A 2 A B C

A 3 A B C
2
C
k
a

La red recproca
de una directa fcc
es una bcc

RED RECPROCA DE UNA RED BCC


4
a

a2
a3
a1

A1

a
a
i j k i j k
2
2
2
a3
2

1
a b c
2
1
a 2 a b c
2
1
a 3 a - b c
2
a1

2
i
a

A1

2
i j

A1 AB
B

2
j
a

2
k
a

RED RECPROCA DE UNA RED BCC


4
a

4
a

a2
a3
a1

A1 A B

1
a b c
2
1
a 2 a b c
2
1
a 3 a - b c
2
a1

2
A
i
a

2
j
a

A 2 B C

A 3 C A

2
k
a

La red recproca
de una directa bcc
es una fcc

ALGUNOS VECTORES EN RED


RECPROCA DE UNA RED DIRECTA
BCC
4
a

g3

g4

g6

g1

g2

g5

i
g1 A C (1,0,1)
g 2 2A (2,0,0)
g 3 2B 2C (0,2,2)

g 4 2 A 2B 2C (2,2,2)

g 5 A 3B (1,3,0)
g 6 2A 4 B 2 C (2,4,2)

ALGUNOS VECTORES EN RED


RECPROCA DE UNA RED DIRECTA
FCC
k

4
a

g5
g1

g4
j

g2
i

g3

g6

g1 A B C (1,1,1)
g 2 2A (2,0,0)
g 3 2A 2B (2,2,0)

g 4 2 A 2B 2C (2,2,2)

g 5 2A 4B 2C (2,4,2)
g 6 2A 4 B (2,4,0)

RED RECPROCA DE UNA RED


RECTANGULAR

22
j i
ba

A=

b
a2

B =2 j
b
a

A=

2
i
a

a1 a a i

a2 b b j
a3 c c k
A

2
i
a

A1 2

A2 2

b j c k 2

i
a bc
a

cka i
a bc

2
j
b

2
j
b

Red recproca de una red rectangular centrada

a1 a a i

A2

b
a2

1
1
a2 a i b j
2
2

a1 = a

a3 c c k
A2 2

cka i
abc
2

4
j
b

4
j
b

b
a
i j c k
2
2
2
2

j
A1
abc
a
b
2

A1

2
j
b
A

2
i
a

PROPIEDAD 3 (parte 1)
La familia de planos paralelos {hkl} en la
red directa es perpendicular al vector de la
red recproca g hA kB lC
R1 m1 a1 n1 a 2 p1 a3
R 2 m2 a1 n 2 a 2 p 2 a3
R3 m3 a1 n 3 a 2 p3 a3
N

R 2 R1 R3 R1

N (h1 A1 h 2 A 2 h 3 A3 ) cte

h1 n 2 n1 p3 p1 n 3 n1 p 2 p1

PROPIEDAD 3 (parte 2)
La ecuacin del plano perpendicular a g
(R - R1 ) g 0

g es vector ms pequeo en esa direccin, o sea, vector primitivo de


red recproca
R g 2 N constante

g en trminos de ejes cristalinos recprocos

g hA k BlC

pa, qb , rc

Interceptos con ejes cristalinos:


p a .g 2 N 2 h p

N
p

, k

Los ndices de Miller del plano R . g = 2

N
, l
q

N son (hkl)

N
r

CONCLUSIN: Los ndices de Miller (hkl) definen una


familia de planos paralelos entre s y perpendiculares todos
ellos al vector de la red recproca:

g h A k BlC

DISTANCIAS INTERPLANARES (1)


Plano perpendicular a g que

pasa por el origen (0 ):


R g 0

Plano paralelo ms cercano

(1):

R g 2

a2

a3

R a1

g A1

(A1 a1 2 )

porque dos vectores primitivos del plano 0 y un vector R = a1


que va de origen a 1 forman una terna primitiva

DISTANCIA ENTRE PLANOS


PARALELOS EN LA RED DIRECTA (2)

0
1

R1

R a1
d
g

g A1

d R
d

g
g

2
g

(Observe que R es vector primitivo de red directa


y g es vector primitivo de red recproca)

Ver animacin 3D

RED RECPROCA Y SERIES DE


FOURIER (1)
Propiedades fsicas de un cristal
tales como densidad de carga
electrnica o potencial
electrosttico debido a los iones
en los puntos de la red son
funciones peridicas, con
periodicidad de la red, es decir,
son representadas por funciones
que satisfacen

r +R

f ( r R ) f (r )
donde R es un vector de la red cristalina

CASO UNIDIMENSIONAL
Si f (x + na) = f (x) ,
entonces:
f( x) a n Cos n
n

2
2
x bn Sen n
x
a
a

f(x) cn e

i(

2
)n x
a

a/2

-i ( ) n x
1
c n f (x) e a
dx
a -a / 2

x+na

SERIES DE FOURIER
TRIDIMENSIONAL
Si f (r + R ) = f ( r), entonces:

f(r) Cg e

i gr

Cg

1
-i gr
f
(
r
)
e
dV

V V

donde V es el volumen de la celda primitiva

EJEMPLO EN CRISTALES
UNIDIMENSIONALES

V0 , si x -a/4, a/4
V(x)

0, para otros x en la celda unitaria


V

V(x) cn e

i(

2
)n x
a

cn

a/4

1
V0 e

a -a / 4

-i (

a
2
)n x
a

-V0

dx

V0
1
V(x)
( e
n 1, 5,.. n

2
i
a

nx

a/2

1
- e
n 3, 7 ..,.. n

2
i
a

nx

EJEMPLO EN CRISTALES
BIDIMENSIONALES

V0 , si x -a/4, a/4 , y -a/4, a/4


V(x, y)

0, para otros (x,y) en la celda unitaria


Cg

1
c10 2
a

1
rea

-i gr
f
(
r
)
e
d(rea)

rea

a/4 a / 4

-i (

2
i ) ( x i y j )
a

-a/4 -a / 4

C10 C01

C11

V0
2

V0

dx dy

a/2
a/2

ZONAS DE BRILLOUIN
De un punto de la red recproca se trazan segmentos
sucesivamente a los vecinos ms cercanos, segundos
vecinos ms cercanos, terceros vecinos y as
sucesivamente.

Se bisecan los segmentos con planos perpendiculares


El slido ms pequeo encerrado por los planos bisectantes
es la Primera Zona de Brillouin (celda WS en el espacio
recproco)
El segundo slido ms pequeo es la segunda zona de
Brillouin, y as sucesivamente.

PRIMERA ZONA DE BRILLOUIN DE


UNA RED CUADRADA
2
a

SEGUNDA ZONA DE BRILLOUIN DE


UNA RED CUADRADA
2
a

2
1

TERCERA ZONA DE BRILLOUIN DE


UNA RED CUADRADA
2
a

2
1

PRIMERA ZONA DE BRILLOUIN DE


UNA RED HEXAGONAL
BIDIMENSIONAL
red directa

red recproca

a
B

A
a

Primera zona de Brillouin de una


red hexagonal bidimensional

Primera zona de Brillouin de una red


FCC
4
a

4
a

4
a

La primera zona de Brillouin de una red FCC es la celda WS


de una red BCC

Primera zona de Brillouin de una red


BCC
4
a

4
a

4
a

La primera zona de Brillouin de una red BCC es la celda WS


de una red FCC

Zonas de Brillouin de una red cristalina


unidimensional

2
a

TZB SZB

-
a

PZB

SZB TZB

DIFRACCIN DE RAYOS X
Tercer captulo de curso

FSICA DEL ESTADO SLIDO


FC UNI
Lima Per
setiembre 2013

ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica

DIFRACCIN DE RAYOS X
placa fotogrfica

haz de rayos X

cristal

Un haz monocromtico de rayos X al incidir sobre un


slido cristalino es re-emitido en ciertas direcciones
especficas que dependen de la estructura del cristal

LEY DE BRAGG

(una explicacin sencilla de la DRX)

d sen


d dsen
sen

El haz es desviado un ngulo 2 si encuentra en su


camino una familia de planos cristalinos que satisface:

2 d sen n

(21
0)

LEY DE BRAGG

Haz

(100)

22

(100)

incid
ente

21

0)
1
(2

Cada familia de planos cristalinos produce un haz


desviado 2 con respecto a la direccin incidente

Detec
tor

Anlisis de von Laue

(una explicacin ms analtica)

Radiacin re-emitida o desviada por un electrn


Radiacin re-emitida por dos electrones puntuales
Por varios electrones puntuales
Por un tomo
Por los tomos de una celda primitiva
Por los tomos de todo el cristal

Rayos X desviados por un electrn

Rayo incidente

do
a
i
sv
e
od
y
ra

2
electrn

Campos del rayo incidente:


Campos del rayo desviado:
4
2

e
1
cos
2
2

f e 2 4
m c
2

E inc A e i (K i x - w t)
E desv

fe

A i (K d D - w t)
e
D

(factor de polarizacin)

Rayos X desviados por dos electrones


Scattering
coherente

Kd

Kd

r12
Ki

P1

E desv
K d P1M - K i P1 N

P2

Ki
K d - K i K 2 K sen

A i Kd D
fe
e
+ ei K d D +
D

(K d - Ki ) r12

Rayos X desviados por n electrones


Para dos electrones:

E desv

A i Kd D
f e (e
) 1 + ei K (r2 - r1 )
D

E desv f e

A i K d D i K r1
(e
)e
+ e i K r 2
D

Se puede generalizar para n electrones que desvan un haz en K

E desv

A i Kd D
i K rm
f e (e
) e
D
m 1
n

Rayos X desviados por un tomo


E desv

A i K d D n i K rm
) e
f e (e
D
m 1

donde n es el nmero de electrones en un tomo, pero para ser ms precisos


tenemos que considerar que la carga de los electrones se distribuye como una nube

E desv

A i Kd D
i K r
f e (e
) e
dV
D
e
V

E desv
Factor atmico

A i Kd D
)
f e f a (e
D

i K r
f a e
dV
e
V

Rayos X desviados por dos tomos iguales

Kd

M
P2
Ki

P1

Kd
Ki

r12

K d - K i K 2 K sen

A i Kd D
E desv f e f a
e
+ ei K d D +
D
(K d - K i ) r12
E desv f ef a

A i K D i K r 1
(e d ) e
+ e i K r 2
D

Rayos X desviados por los tomos


de una celda primitiva
E desv

nP

A i Kd D
i K rj
fe
(e
) f aje
D
j1

donde n P , es el nmero de tomos por celda primitiva,

f aj

es el factor atmico de cada uno de los


elementos en una celda primitiva

E desv
donde FB

nP

j1

A i Kd D
f e FB (e
)
D

fa j e

i K rj

factor de base

Rayos X desviados por todos los


tomos de un cristal
E desv

A i K d D N i K Rl
f e FB (e
) e
D
l1
E desv

donde FR

FR

A iK D
)
f e FB FR (e
D

ei K Rl , es el factor de red

l1

N , si K g , vector de red recproca



0, si K g

N es el nmero de celdas primitivas en el cristal

Condicin de Difraccin
Kdesv2

haz de rayos X

cristal

g2

Kdesv1
g1

Kinc

La intensidad de la radiacin re-emitida por un cristal es


nula en todas direcciones excepto en aquellas donde el
cambio del vector de onda coincide con un vector de la
red recproca

K g
K desv Kinc + g

Condiciones de Laue
La condicin de difraccin:

K g
Fue enunciada originalmente por von Laue en la forma:

K a 1 2 h1
K a 2 2 h2
K a 3 2 h3
Y se llaman condiciones de Laue para la difraccin

Equivalencia Laue-Bragg
K g
Kd
2

Ki

2 K sen n g 0

donde g 0 es el vector de la red recproca ms pequeo en


esa direccin y n es un entero

2
2
2
sen n

2 d sen n

Descripcin convencional
E desv

A iK D
f e FR FB (e
)
D

E desv

A iK D
fe F S
(e
)
D

N , si K hA + kB + C; con h,k, enteros


F
0, si K hA + kB + C
Al factor F podemos llamarle factor de red primitiva.

Shkl

n c.u

j1

fa j e

i ( hA + k B + l C ) rj

S se llama factor de estructura y la suma es sobre todos


los tomos de una celda unitaria.

Clculo de F
N1

F ( e

i K m a

m 0

N1

F1 e
m 0

i K m a

N2

) ( e

i K n b

n0

1 ei K a N1

i K a
1 e

N K a
Sen 2 1

2
2

F1
K a
Sen 2

N3

) ( ei K p c )
p0

N K a
Sen 1

K a
Sen

2
1

2
2

2
3

F F F F

Condiciones de Difraccin
K h + k B + l C
K a 2 h
K b 2 k
K c 2 l

S hkl 0

Factor de estructura de una


estructura bcc monoatmica
Shkl

r1 (0,0,0)
r2

a
(1,1,1)
2

n c.u

j1

fa j e

i ( hA + k B + l C ) rj

Shkl f a (1 + ei(h + k +l C)(1/2)(a + b + c) )

Shkl f a (1 + ei (h+ k +l) )


2 f a , si h + k + l es par
Shkl

0, si h + k + l es impar

Factor de estructura de una


estructura fcc monoatmica
Shkl

r1 (0,0,0)
r2

a
(1,0,1)
2

r3

a
(1,1,0)
2

r4

a
(0,1,1)
2

n c.u

j1

fa j e

i ( hA + k B + l C ) rj

Shkl f a (1 + ei(h + k +l C)(1/2)(a + b ) + ei(h + k +l C)(1/2)( b + c ) + ei(h + k +l C)(1/2)(c + a ) )

Shkl f a (1 + ei (h+ k) + ei (k+l) + ei (l+ h) )


4 f a , si h, k y l tienen la misma paridad
Shkl

0, en caso contrario

Factor de estructura de una estructura


de diamante

r1 (0,0,0)
r2

a
(1,0,1)
2

r3

a
(1,1,0)
2

r4

a
(0,1,1)
2

r5

a
(1,1,1)
4

r6

a
(3,1,3)
4

r7

a
(3,3,1)
4

r8

a
(1,3,3)
4

i (h+ k +l)

Shkl f a (1 + ei (h+k) + ei (k+l) + ei (l+h) )1 + e 2

S hk

8 f a , si h, k y son pares y h + k + es 2(par)

4f a (1 i),si h,k y son todos impares



0, si h, k y son pares y h + k + es 2(impar)
0, no todos de la misma paridad

ESFERA DE EWALD

haz incidente

Kd
Ki

g1

Ki

g3
g2
Es una esfera en el espacio recproco cuyo radio es igual al mdulo del
vector de onda incidente (o desviado).
La condicin de Laue se interpreta geomtricamente como la interseccin de
la superficie esfrica de Ewald con la red recproca.

TCNICAS EXPERIMENTALES
Laue, haz policromtico
Cristal rotatorio
Debye Scherrer o mtodo del polvo

Mtodo de Laue

haz incidente

Kd

g1

Km C

KM

g3
g2

Se usa un haz polcromtico con vectores de onda con mdulos


comprendidas entre Km y KM. Esto permite que ahora ya no tengamos una
esfera de Ewald, sino un continuum de esferas y por lo tanto la interseccin con
red recproca es un conjunto mayor de puntos. Da informacin sobre la simetra d
monocristal.

Tcnica del cristal rotatorio

haz incidente

Kd
Ki

g1

Ki

g3
g2

Al rotar el cristal con respecto a un eje, rota tambin cada vector de la red
recproca e intercepta a la superficie esfrica de ewald en dos puntos.

Tcnica del polvo o Debye Sherrer

g
haz incidente

Ki

Al moler el cristal se tienen partculas de algunos micrones, todava cristales,


orientados en todas las direcciones posibles. Es como si cada vector g rotara
alrededor de todos los ejes posibles, describe una esfera. La interseccin de la
esfera generada por cada g con la esfera de Ewald es una circunferencia. Para
cada g se tiene entonces un cono de haces difractados que hace un ngulo 2
con la direccin incidente.

Cmara Debye Sherrer

Mtodo Debye Sherrer

Una cinta de pelcula fotogrfica sirve como detector de los ngulos en los
que se producen ngulos difractados.

Difractmetro de polvos

Una fuente de rayos X monocromticos emite en una direccin fija y un detector


de gas recorre una circunferencia intersectando a los conos de haces difractado
Automticamente con ayuda de un software se almacenan los datos 2 vs I

Difractmetro Xpert UNI

DIFRACTMETRO DE LA FC UNI

Algunos espectros

Verificacin de estructuras
K g
2 K sen g
El valor ms pequeo de
de menor mdulo

corresponde al vector de red recproca

Si podemos construir una sucesin de los g ms pequeos entonces


podemos determinar una sucesin de los ms pequeos para los cuales
se producen haces difractados.
Ejemplo: Discutir como hallar los 5 valores de ms pequeos para los que
existe rayo difractado en el caso de una ortorrmbica F de parametros a = 4,
b= 6, c = 10

Estructura cristalina del grafito


La estructura del grafito es hexagonal a = 2,46 ; c = 6,7 con base de 4
tomos: A1 (0,0,0); A2 (1/3 a + 2/3 b); A2 (2/3 a + 1/3 b + c); A4 (1/2 c);
D las dimensiones de los vectores convencionales de la red recproca (A y C)
D una expresin para el factor de estructura Shkl
Identifique los 4 mdulos ms pequeos de los vectores de la red recproca
Indique cules seran los 4 valores de 2 theta para los cules se obtendra rayos
difractados con radiacin incidente de longitud de onda 1,54 angstron

A1 : (0,0,0)
A2: 2/3 a +1/3 b
A3: 1/3 a +2/3 b +1/2 c
A4: (0,0,c/2)
b

esfera negra altura c/2


esfera roja altura 0 y c

4 tomos por celda unitaria

red recproca

red directa
a

a 2,46
c 6,7

4
A Primera zona de Brillouin
A 2,95de
1 una
3a
red hexagonal bidimensional
C 0,93 1
2
C
c

S hkl 1 + e

1
2
i ( hA + kB +lC) ( a + b )
3
3

+e

2
1 1
i ( hA + kB +lC) ( a + b + c )
3
3 2

(hkl)

Shkl

ghkl (-1)

(001)

0,93

(002)

1,87

26,5

(100); (010),(1-10)

algo

2,95

42,4

(101): (1-11)

algo

3,09

44,5

(102)

algo

3,49

50,6

(004)
(110)

4
4

3,74
5,10

(2 (theta)

+e

1
i ( hA + kB +lC) ( c )
2

INDEXACIN DE REDES CBICAS


K g
2 K sen g
El valor ms pequeo de corresponde al vector de red recproca
de menor mdulo y los siguientes valores de cumplirn con la relacin:

2
2
2
2
h
+
k
+

i
i
i
gi
sen i

a
sen 1 g1 2 h 2 + k 2 + 2
1
1
1
a
Para cada una de las estructuras cbicas (sc, bcc, fcc, diamante)
podemos hallar la sucesin de nmeros gi/g1. Esta nos da la relacin entre los
senos de los ngulos Seni ./ Sen1

INDEXACION DE REDES CBICAS


(h,k, )

h 2 + k 2 + l 2 sen

sen 1

sc

sen
sen 1

(100)

bcc
-

(110)

(111)

(200)

sen
sen 1

fcc

sen
sen 1

Diaman
-

(210)

(211)

(220)

2 2

(221)

(300)

(310)

10

10

(311)

11

11

11 / 3

11 / 3

(222)

12

(320)

13

13

(321)

14

14

(400)

16

2 2

4/ 3

4/ 3

(322)

17

17

2/

2/ 3

2/ 3

INDEXACION DE REDES CUBICAS


(h,k,l)

h 2 + k 2 + l 2

sen
sc
sen 1

sen
bcc
sen 1

sen
fcc
sen 1

(100)

Diamante
-

(110)

(111)

(200)

1,41

1.15

(210)

(211)

1,73

(220)

2 2

1.63

1.63

(221)

(300)

(310)

10

10

(311)

11

11

1.91

1.91

(222)

12

(320)

13

13

(321)

14

14

(400)

16

2 2

2,309

2,309

(322)

17

17

sen
sen 1

EJERCICIO
Prob1 Cap.6 Ashcroft and Mermin: Se han obtenido difractogramas
de tres materiales A, B y C por el mtodo Debye-Scherrer y se han
observado los valores de los cuatro primeros ngulos de desviacin
(2 ) para cada material:

42,2 28,8 42,8


49,2 41,0 73,2
72,0 50,8 89,0
87,3 59,6 115,0
Si se sabe que uno de ellos tiene estructura bcc monoatmico, otro fcc
y otro tiene estructutura de diamante; identifique cada material con su
respectiva estructura.

SOLUCIN A EJERCICIO
De los datos para cada material se obtienen los correspondientes
sen
Sen i
Sen 1

Sen
A

0,3599

0,2486

0,3648

0,4163

0,3502

0,5962

1,16

1,41

1,63

0,5877

0,4289

0,7009

1,63

1,73

1,92

0,6902

0,4817

0,8433

1,92

1,94

2,31

Comparando con tabla de indexacin a redes cbicas se llega a una


conclusin clara.

Generacin de rayos x

Espectros de rayos x generados


por un target de molibdeno

Difraccin de electrones
De Broglie:

h
p

p2
E eV
2m

( A)

150
V

V 8000V , entonces,

0,134 A

DIFRACCIN DE ELECTRONES POR UN CRISTAL IDEAL


(tratamiento cuntico)
Supongamos que mandamos un haz de electrones rpidos a travs del
cristal, la interaccin del potencial peridico con los electrones origina
transiciones entre estados electrnicos. En la aproximacin de Bohr, en
teora de perturbaciones, la probabilidad de transicin por unidad de
tiempo entre el estado inicial k y el estado final k es proporcional al
cuadrado del elemento de matriz:

M k k

kr U (r)k (r) dV

ei k. r

ondas planas

U(r)

i g.r
V
e
g
g

DIFRACCIN DE ELECTRONES POR UN CRISTAL IDEAL

M k k

i k.r
e

i g.r i k .r
V
e
g e dV
g

i k + g k.r
V
e
dV
g

M k k

M k k

Vg , si k + g - k 0

0, en caso contrario

Difraccin de neutrones
Eave

3
K BT
2

p 2mn Eave

h
p

ENLACE CRISTALINO
Captulo 4 de curso

FSICA DEL ESTADO SLIDO


FC UNI, Setiembre 2013
ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica

Qu fuerzas mantienen unidos a


los tomos de un cristal ?
La interaccin electrosttica atractiva entre las
cargas negativas de los electrones y las cargas
positivas de los ncleos es enteramente
responsable de la cohesin de los slidos.
Iones positivos separados entre s, electrones
de valencia tambin separados entre s,
electrones de valencia cerca a iones positivos
para minimizar la energa potencial y electrones
no localizados para disminuir su energa
cintica.

Algunas variantes de cmo actan


las fuerzas electrostticas

Enlace Van der Waals o dipolar inducido


Enlace inico
Enlace covalente
Enlace metlico
Enlace de hidrgeno

Analizaremos en este captulo slo los dos


primeros.

Cristales de gases inertes


Interaccin dipolar inducida o Van der
Waals
Potencial Lennard Jones
Constantes de equilibrio
Energa de cohesin
Mdulo de compresin y compresibilidad

Interaccin van der Waals-London


3 (p1 R) R 3 p1
E(R)

5
4 0
R
R3
1

1
E(R) 3
R
1
p 2 (cte)E 3
R

U p2 E
- constante
U
r6

Modelo cuntico de interaccin van der


Waals
Hamiltoniano de dos osciladores independientes
2
p12 1
p
1
2
2
H0
x1
x22
2m 2
2m 2

Hamiltoniano de interaccin de dos osciladores que experimentan interaccin dipolar:

p12 1
p22 1
2e2 x1 x2
2
2
H H0 H1
x1
x2
2m 2
2m 2
R3
Cambios de variable:

1
xs
( x1 x2 )
2

1
xa
( x1 x2 )
2

ps

1
( p1 p2 )
2

1
pa
( p1 p2 )
2

Modelo cuntico de interaccin van der


Waals
ps2 1
2e2 2 pa2 1
2e2 2
( 3 ) xs
( 3 ) xa
H H0 H1
R
R
2m 2
2m 2

2e
3
R

1/2


/ m

1 2e 2 1 2e 2 2

0 1 3 - 3 ...
2 R 8 R

1
U s a 0
2

C
U - 6
R

1 2e

3
8 R
2

Modelo de Slido de gases nobles

Potencial Lennard-Jones
El potencial repulsivo puede explicarse como una consecuencia del
traslape de nubes electrnicas de tomos vecinos as como al efecto
cuntico de aumento de energa cintica de los electrones por
confinamiento en un volumen muy pequeo. Se propone como frmula
emprica para este potencial:

U rep
U

B
12
r

B C

r12 r 6

12 6
Uij (R) 4
r r

Grfico del potencial Lennard Jones


12 6
U ij (r) 4
rij rij

es el valor de r para el cual U es cero

es el valor de la energa potencial mnima.


U i (4 )
j i rij

12

i j rij

Energa de interaccin de un tomo


con todos los dems
6
12



U i (R) (4 )

i j pij R
i j p ij R

-6
p
ij 14,45

pi2 R
i

pi4 R

pi1R p R
i3

pi5R

-12
ij

12,13

Constantes de la red en equilibrio


N
Ucristal (R)
(4 )
2

dUcristal
- 2N
dR

12
6



12,13 14, 45
R
R

12
(12)(12,13) R13

R 0 1,09

(6)(14,45)

R
7

Energa de cohesin
12
6



Ucristal(R 0 ) 2 N 12,13
14,45

R0
R0

R 0 1,09

Ucohesin(R) - (2,15) (4 N )

Propiedades de los cristales de


gases inertes
Elemento

Distancia
entre
vecinos
(Angstrons)

Energa de Punto de
fusi
cohesi
n
n
(K)
(Kj/mol)

He

Potencial de
ionizacin
del tomo
libre (en
eV)

en 10-23
J

en

24,58

14

2,56

Ne

3,13

1,88

24

21,56

50

2,74

Ar

3,76

7,74

84

15,76

167

3,40

Kr

4,01

11,2

117

14,0

225

3,65

Xe

4,35

16,0

161

12,13

320

3,98

Tabla 2 captulo 3 de C. Kittel

Mdulos de elasticidad

Mdulo de Young

F
L F
A
E

l
A l
L

F
1 F
A

Mdulo de rgidez = G
(Tg ) A

P
P
V
Mdulo de compresin=
V
V
V

Mdulo de compresin y compresibilidad


Definicin de mdulo de compresin o bulk modulus:

dp
B V
dV
A 0K la entropa es constante as que la primera ley de la termodinmica es:

dU p dV
Y por lo tanto:

d2U
BV 2
dV

El mdulo de compresin es una medida de la dureza del cristal o de la


energa necesaria para producir una deformacin dada. A mayor valor de B
ms duro es el cristal

Mdulo de compresin y compresibilidad


El volumen de un cristal fcc monoatmico en trminos de R (la distancia entre
vecinos ms cercanos) es:

NR 3
V
2
Por lo tanto, la expresin para la energa del cristal en trminos de V es:

b12 b 6
U cristal 4 2
V V
donde:

b12 (1/2)(12,13 )N5 12

En equilibrio a presin cero:

b6 (1/2)14,45) N3 6

dUcristal
4 b12 2 b 6
5 3 0
V
dV
V

Mdulo de compresin y compresibilidad


Por consiguiente el volumen de equilibrio est dado por:
1/ 2

2b
V0 12
b6

1/ 2

12,13

N3
14,45

El mdulo de compresin es entonces:

d 2 Ucristal 20 b12 6 b6
b65 / 2

B V
3 2 3/ 2
2
3
V0
b12
dV
V0

75

ENLACE IONICO

3+

9+

Li

3+

Li+

9+

F-

Definiciones Bsicas
e

Cl

Cl-

3,6 eV

Afinidad electrnica
Na

5,1 eV

Na+

Energa de ionizacin

Na+

Cl-

Na+

Cl-

7,9 eV

Energa de cohesin

Energa electrosttica o de Madelung


1 q2
U ij (R) exp(-R/ )
4 0 R

1 q2
exp(-R/ ) 4 R , vecinos ms cercanos

0
Uij (R)
2
1
q

, otros
4 0 pij R

U i U ij
j i

Ucristal NU i

Energa electrosttica o de Madelung


Ucristal NU i
1 q2
U cristal(R) N ( z exp(-R/ )
)
4 0 R


j i

constante de Madelung
pij

Constante de red y energa de


cohesin
dUi
z
N q2
N
-N
exp(-R/ )
0
2
dR

4 0 R
z exp(-R 0 / )

1
4 0

q2
R 02

1 q2
U cristal(R) N ( z exp(-R/ )
)
4 0 R

U cohesin

N q2


(1 )
4 0 R 0
R0

Clculo de la constante de Madelung


para cristal unidimensional

R j i rij

1
1
1 1

...
R
R 2R 3R 4R

1 1 1

2 1 ...
2 3 4

x 2 x3 x 4
log (1 x) x - ...
2
3 4

2 log 2

Clculo de la constante de Madelung


para NaCl (convergencia lenta)
6
12
8

...
R R R 2 R 3

R j i rij

6 12
8 6
1 / 2 1/ 2 ...
1 2
3
2

Mtodo de Evjen para constante de


Madelung

6(1 / 2) 12(1 / 4) 8(1 / 8)


1

1/ 2
1/ 2
1
3
2

1 1,46
La suma es sobre el primer cubo neutro

Mtodo de Evjen para constante de


Madelung

6(1 / 2) 12(1 / 4) 8(1 / 8)


1

1/ 2
1/ 2
1
3
2

1 1,46
La suma es sobre el primer cubo neutro

Mtodo de Evjen para constante de


Madelung

2 1,75
1,747565
2 1,75

La suma es sobre el segundo cubo neutro

6 12 8 6(1 / 2) 24(1 / 2) 24(1 / 2) 12(1 / 4) 24(1 / 4) 8(1 / 8)


2 1 / 2 1/ 2

1 2
3
2
3
5
6
8
2 3

Mdulo de compresin y compresibilidad


en cristales ionicos
Definicin de mdulo de compresin o bulk modulus:

dp
B V
dV
dU dU dR

;
dV dR dV

d2U
BV 2
dV

Y por lo tanto:
N a3
V
;
4

V2NR ;

dR
1
1

dV dV/dR 6NR 2

d 2 U d 2 U dR dU d 2 R


2
2
dV
dR dV dR dV2
A la distancia de equilibrio, cuando R = R0 y dU/dR = 0, se tendr:
2

d U 1
1 d2U
BV 2

2
dR 6NR 18NR 0 dR 2

Mdulo de compresin en cristales


ionicos
2

d U 1
1 d2U
BV 2

2
dR 6NR 18NR 0 dR 2

d2U

N z R 0 / 2N q 2
N q2 R 0
2 2 e

3
3

4 0 R0 4 0 R0

dR R 0

R0

q2

2
4
4 018R 0

Parmetros y medibles en cristales


inicos
1 q2
U cristal(R) N ( z exp(-R/
)
4 0 R
2

q
R 02 exp(-R 0 / )
4 0 z

U cohesin

N q2


(1 )
4 0 R 0
R0

R0

q2

2
4
4 018R 0

De las medidas experimentales de B y R0 podemos hallar y


Luego calcular la energa de cohesin y verificar con el experimento

Energas de Madelung y repulsivas


para el KCl.

Ley de repulsin de potencia inversa


N q2 C
U (R) m
4 0 R R
dU
0
dR

N q 2 R 0m-1
C
4 0 m

(4 0 )18 B R 04
1
d2U
d2U 1

m 1
BV 2
2
2
q2
dR 6NR 18 N R 0 dR
Conociendo R0 y B se determinan C y m. Luego se verifican estos
resultados comparando la energa de cohesin experimental con la
terica:

terica
cohesin

q2 m 1

4 0 R 0

Propiedades cristales alcalinos con


estructura NaCl
Elemento

Distancia
entre
vecinos
(Angstrons)

Punto de Potencial de
Energa de
fusin
cohesin
ionizaci
(K)
respecto a
n del
iones
tomo
libres
libre (en
(Kcal/mol)
eV)

LiF

2,014

-242,3

LiCl

2,570

-198,9

LiBr

2,751

NaCl
NaBr

z
en 10-23
J

en

24,58

0,296

24

21,56

50

2,74

-189,8

84

15,76

167

3,40

2,820

-182,6

117

14,0

225

3,65

2,989

-173,6

161

12,13

320

3,98

Tabla 5 captulo 3 de C. Kittel 4ed ingles, 2da espaol.

FONONES
ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica
Captulo V de curso
FSICA DEL ESTADO SLIDO
FC UNI
Lima, abril 2008

Introduccin

Los tomos estn sometidos a potenciales que se pueden aproximar al de un


oscilador armnico simple. Constituyen un sistema de osciladores acoplados.
La descripcin del movimiento se puede hacer clsica (Newton) o cunticamente
(Schrodinger). A un modo de vibracin de frecuencia , segn Planck,
se le puede considerar como una partcula de energa
. A esta partcula
se le llama fonn.

Ondas elsticas en una barra contnua


u

u du
F (x +dx)

F (x)

F
S

Esfuerzo
A

x x+ dx

Ley de Hooke: S Y e

du
Deformacin unitaria e dx
; Y es el mdulo de Young

2u
( A' dx) 2 S(x dx) S(x)A'
t
2u S
( A' dx) 2 dx A'
t
x

2u 2u

2
x Y t 2

Ondas elsticas en una barra contnua


2

u u

2
2
x
Y t

i(q x t)

u (x, t) A e
2u
2

q
u
2
x

2u
t2

vs q

Relacin de dispersin:

vs

vs q

Densidad de modos de vibracin en 1D


u (x) u (x L)

Condiciones de frontera peridicas:

x x+ dx

x0

2
L

F (x +dx)

F (x)

xL

2
qn
L

Nmero de modos entre q y q + dq :

Nmero de modos entre

iqL

g (q) dq

y d :

L
dq
2

dq
g() 2 g(q)
d

g()

L 1
vs

Ecuacin de onda en un medio


continuo 3D
2

u
u
0
2
Y t
2

i( q r t)

u (r, t) A e

vs q
Por condiciones de frontera peridicas:

i(q1 L)

q1 , q 2 , q3 ( 2 m, 2 n, 2 p)
L

i(q 2 L)

i(q3 L)

Densidad de modos de vibracin en 3D


q1 , q 2 , q3 ( 2 m, 2 n, 2 p)
L

.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
.

Nmero de modos de vibracin con


vector de onda entre 0 y q :
3

q2

.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
.

2
L

. .
. .
. .
. q.
. .
. .
. .
. .

.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
.

.
. 2
. L
.
.
. q1
.
.

V 4 3
L 4 3
q
q

3
2 3
2 3
Nmero de modos de vibracin con vector
de onda entre q y q + dq :

g(q) d q

V
2
4
q
dq
3
2

Densidad de modos de vibracin en 3D


Nmero de modos de vibracin con vector de onda entre q y q + dq :

V
2
g(q) d q
4
q
dq
3
2

g ()

Nmero de modos de vibracin con vector


de onda entre y d
2

d
V
4
g () d
3
2 vs vs
(3)V 2
g ()
2 2 v3s

Vibraciones de un cristal
unidimensional monoatmico
un-1

un

un+1

d2u n
M 2 - u n u n 1 u n u n-1
dt

d2u n
M 2 - 2 u n - u n 1 u n-1
dt
Condiciones de frontera peridicas:

un (x) = un (x+L)

Vibraciones de un cristal
unidimensional monoatmico
i(qXn t)

un A e
M

iqna

Ae

2e

i(q n a t)

iqna

iqa

iq ( n1) a

M 2 e e
2

iqa

M 2 2 1 Cos q a
4

Sen(qa/2)
M

iq ( n1) a

Relacin de dispersin para vibraciones


en un cristal unidimensional

m Sen(qa/2)

(q)
(q)

4
m
M
Por CFP :

qn

44
MM

2
L

Obsrvese la periodicidad:

2
(q) (q
)
a
(-q) (q)

Hay N modos de vibracin en la PZB

2
Na

Comparacin con relacin de


dispersin lineal
Para longitudes de onda grande,
es decir, q prximo a cero, la ecuacin:

Sen(qa/2)
M
Se reduce a :

4 qa

M 2
Comparable con la ecuacin:

vs a
M

vs q
La medida de la velocidad del sonido
nos permite determinar las fuerzas
interatmicas

Velocidad de grupo y velocidad de fase

vf
q
Para longitudes de onda grandes

vg

v f vg vs

Para valores de q cerca a la frontera de zona de Brillouin:

vg 0

Las ondas elsticas cerca de la frontera de zona experimentan


difraccin de Bragg

Densidad de modos de vibracin en un


cristal monoatmico
L 1
g()
d
dq

2L
g()
a m

qa

Cos ( 2 )

Cristal unidimensional diatmico


2n 1

M1

2n

2n 1

M2

d 2 u 2n1
M1
2u 2n1 u 2n u 2n2
2
dt
d 2 u 2n
M2
2u 2n u 2n1 u 2n1
2
dt
Condiciones de frontera peridicas:

un (x) = un (x+L)

Cristal unidimensional diatmico


iq (2n1)a

i t
u
A
e
2n1
1
e
u
iq(2n)a

2n A 2 e

2 M12 - 2 Cos (qa)

2
2
Cos
(qa)
2

2 M12
- 2 Cos (qa)

- 2 Cos (qa)
2 M2

A1
0
A 2

Relaciones de dispersin para vibraciones


en cristal unidimensional diatmico
1
1

2

M1 M 2

1
1 4sen 2 (qa)

M1M 2
M1 M 2
vf

Signo - , rama acstica. Signo + rama ptica.


Para q = 0:

1/ 2

1
1

O 2

M1 M 2

A 0
1/ 2

1
1

O 2

M1 M 2
Para q =

2a :

2
M2

2
M1

2a

M1 M 2

2a

Relacin de dispersin para vibraciones en


cristal unidimensional diatmico

M1
M2

2a

2a

Relacin de dispersin para vibraciones en


cristal unidimensional diatmico

1/ 2

1
1

O 2

M
M
1
2

2a

2
M1

2
M2

2a

Modos pticos y modos acsticos


2 M12 - 2 Cos (qa)

2
- 2 Cos (qa) 2 M 2
0 A1 A 2

A1
0
A 2

tomos vecinos vibran en fase

1/ 2

1
1

O 2

M1 M 2

M1A1 M 2 A 2 0

Desfasaje de 1800

Vibraciones en cristales
tridimensionales monoatmicas
M

xx xy xz

lmn -

yx yy yz 6 u lmn - u lmn 1 u lmn -1 ...


2

dt
zx zy zz

d 2u

i(qrn t)

un A e

M 2 A - (q) A
Diagonalizando

s (q)
M

3 ramas acsticas

, j 1,2,3

Vibraciones en cristales tridimensionales


diatmicas
xx xy xz

d 2 u1mn
M1
- yx yy yz 6u lmn - u lmn 1 u lmn -1 ....

dt 2
zx zy zz

LO
M2

d 2 u pqr
dt 2

xx xy xz

- yx yy yz 6 u pqr - upqr1 u pqr -1

zx zy zz

TA2
TA1

LA

TO2
TO1

q
3 ramas acsticas y 3 ramas pticas

Determinacin Experimental de
Relaciones de Dispersin
Dispersin de neutrones
Dispersin inelstica de rayos X
Espectroscopa Raman

Dispersin de Neutrones por un Cristal


n

p
n

p2
E
2M n

cristal

p2
E'
2M n

Un haz de neutrones de energa E y momentum p inciden sobre un cristal.


Los neutrones pueden ganar o perder energa y momentum.
Los neutrones interactan fuertemente con los ncleos y muy dbilmente
con los electrones
Las leyes de conservacin de energa y de momentum cristalino permiten
obtener informacin sobre los modos de vibracin del cristal

Conservacin de energa y momentum


cristalino
E'E h j (q) n q j
q, j

p' - p h qn q j h g
q, j

En el proceso de dispersin de un neutrn por el cristal pueden involucrase

diferente nmero de fonones.

El momentum cristalino de un fonn definido como q no es


necesariamente la suma algebraica de las cantidades de movimiento de los
iones del cristal. Es simplemente un nombre. Juega un papel similar.

Dispersin de neutrones sin


participacin de fonones
(ZERO PHONON SCATTERING)

El estado vibracional final del cristal es igual al inicial


La energa del neutrn no cambia
La cantidad de movimiento del neutrn cambia en

p' - p g
(condicin de Von Laue para difraccin)
La informacin que se obtiene es la misma que en difraccin de rayos X

Dispersin de neutrones con la


participacin de un fonn
(ONE PHONON SCATTERING)

Los eventos en que un neutrn absorbe o emite slo un fonn son los
que proporcionan mayor informacin sobre las relaciones de dispersin.
Las leyes de conservacin:

E'E h j (q)

p' - p h q hg
Podemos escoger una direccin en la cual medir E, y obtener as un punto
de la relacin de dispersin.
La constante aditiva g puede ser ignorada porque podemos restringirnos a
la PZB

Dispersin de neutrones con


participacin de dos fonones
(TWO PHONON SCATTERING)

E'E j (q) j' (q' )

p' - p h q h q' h g
p'p
E' E h j (q) h j' (
q)
h
Si observamos la energa de los neutrones en una direccin dada es posible
obtener suma de energas de cualesquiera dos modos de vibracin con q en la
PZB. Si hubiera slo procesos con absorcin de dos fonones el espectro de
E-E vs nmero de cuentas sera un continuum

Determinacin Experimental de la relacin de dispersin

En la figura, p1 y p2 son momenta de neutrones que se han dispersado sin


crear ni absorber fonones.
Al colocar el detector en la posicin D ya se sabe cul es el q del fonon absorbido
Se determina midiendo la energa de los neutrones que all llegan.

Resultados Tpicos

Nmero relativo de neutrones dispersados en una direccin dada en funcin


de la energa ganada por los neutrones. La curva continua es el ruido de
fondo debido a los procesos multifonnicos. Los picos se deben a los
procesos que involucran un solo fonn.

Espectrmetro de neutrones

Convencin para relaciones de dispersin

Densidad de modos de vibracin en 3D


q d q d

d
d
dS d q dS
dS
vg
q

L
g((
2

dS
vg

resumen. Haga un esquema de las relaciones de dispersin w vs k


para los siguientes tipos de slidos:
a) un slido continuo
b) un cristal unidimensional monoatmico de parmetro de red a
c) un cristal unidimensional diatmico de parmetro de red a
d) un cristal tridimensional monoatmico de parmetro de red a
e) un cristal tridimensional diatmico de parmetro de red a

EL OSCILADOR ARMNICO CUNTICO


p2 C 2
h
x
2m 2
P

p
m0

0 2
h
P Q2
2

Q, P

C 1

m 0

x, p

C
x
0

EL OSCILADOR ARMNICO CUNTICO


2 Q i P

2 P 2 Q2 1

2 P 2 Q2 1

P2 Q2 2 1

0 2
h
P Q2
2

2 Q i P

1

h 0
2

EL OSCILADOR ARMNICO CUNTICO


p2 C 2
h
x , h
2m 2

0 2
1

2
P Q , h 0 N

2
2

1
N N
N

n 1

0

funcin propia de N para el valor propio n - 1

EL OSCILADOR ARMNICO CUNTICO


1
N N
N

n cte n1

n 1 n1

1
n
0
n!

TEORA CUNTICA DEL CRISTAL ARMNICO


2 Q i P
Q

C
x
0

C m

m0
1

x i
p
2
2m0
p2 C 2
h
x
2m 2

2 Q i P

2
0

m0

2

p
m0

1
x i
p
2m0

1
1
2
P( R) u ( R) D ( R R)u ( R)

2 R, R
R 2M

TEORA CUNTICA DEL CRISTAL ARMNICO


H

1
1
2
P( R) u ( R) D ( R R)u ( R)

2 R, R
R 2M

1
ks
N

1
ks
N

i k . R

i k .R

ms (k )

1
es (k )
u( R) i
P( R )
2
2ms k

ms (k )

1
es (k )
u( R) i
P(R)
2
2ms k

1

s k k s k s
2

k ,s

TEORA CUNTICA DEL CRISTAL ARMNICO

u (R), P R

i RR

u (R), u R P (R), P R

i k .R

k ,s

k ,s

0, k no es vector de la red recproca



N , k es vector de la red crecproca

, ks

i kk ss

, k s

k ,s

, ks

TEORA CUNTICA DEL CRISTAL ARMNICO

uR

k s k ,s e s k ei k.R

N k ,s 2ms (k )

PR

m s k
i
k s k ,s e s k ei k .R

N k ,s
2

e k e k
s 1

e
k

i k .R

0,

R0

TEORA CUNTICA DEL CRISTAL ARMNICO

1
1
2

(
)

(
)
P
R

k s
R 2M

s
ks
k s
ks
4 k ,s

1
U s (k ) k s k s k s ks
4 k ,s

1

s k k s k s
2

k ,s

DIFRACCIN DE ELECTRONES POR UN CRISTAL IDEAL


Supongamos que mandamos un haz de electrones rpidos a travs del
cristal, la interaccin del potencial peridico con los electrones origina
transiciones entre estados electrnicos. En la aproximacin de Bohr, en
teora de perturbaciones, la probabilidad de transicin por unidad de
tiempo entre el estado inicial k y el estado final k es proporcional al
cuadrado del elemento de matriz:

M k k

kr U (r)k (r) dV

ei k. r

ondas planas

U(r)

i g.r
V
e
g
g

DIFRACCIN DE ELECTRONES POR UN CRISTAL IDEAL

M k k

i k.r
e

i g.r i k .r
V
e
g e dV
g

i k g k.r
V
e
dV
g

M k k

M k k

Vg , si k g - k 0

0, en caso contrario

DIFRACCIN POR LAS VIBRACIONES CRISTALINAS 1

U(r)

V (r R )
a

M kk

M k k

i k .r
e

i k .r

V
r

R
e
dV
a

i k k.r
e
Va r R dV

M kk

i k k.R
i k k.(r R )
e
e
Va r R dV

DIFRACCIN POR LAS VIBRACIONES CRISTALINAS 2

M k k

1
Va (K)
N

iK.R
e

K kk
1
iK .r
Va (K )
V
(
r
)
e
dV
a

Vc
Si la red est fija, es decir, si no hay vibraciones:

iK.R

1 eiK1L 1 1 eiK2 L 2


iK1
iK 2
e
e
1

iK .R
e

1 eiK3L 3

iK3
1

N K ,g

M k k

Va (g) k k,g

DIFRACCIN POR LAS VIBRACIONES CRISTALINAS 3

Aqu mostramos los pasos para calcular el factor de red en un experimento


de difraccin cuando s consideramos las vibraciones de la red

R R u R (Aq eiq. Aq eiq. )


q

Fred

1
1
iK .R
e
exp i K R A q eiq.R A q eiq.R
N
N
q

1
1
iK.R
iK.R
iq.R
iq.R
e

exp

i
K

A
e

q
qe
q
N
N

exp i K Aqeiq.R Aqeiq.R 1 iK Aqeiq.R Aqeiq.R ...


Fred

1
iK .R
iq.R
e
1 exp i K Aq e

N
q

DIFRACCIN POR LAS VIBRACIONES CRISTALINAS 4


Fred
Fred

M k k

1
1
iK .R
e

exp i K A q ei qK .R

N
N q

1
1
iK .R
e
exp i K A q ei qK .R
N
N q

Va (g) k k,g i kk A q Va kk

Si hablamos de la difraccin de electrones por las vibraciones de la red,


Tenemos que considerar slo:

M k k

i kk A q Va kk

1
n q
Eq
2

Nmq2
Nmq

Aq

TEORA DE BANDAS
FSICA DEL ESTADO SLIDO
FC-UNI
octubre 2013

ARTURO TALLEDO
DOCTOR EN FSICA

ESTADOS ELECTRNICOS EN UN
CRISTAL (TEORA DE BANDAS)

MODELO DE DRUDE (Ashcroft)


GAS DE FERMI DE ELECTRONES LIBRES (Kittel)
TEOREMA DE BLOCH (Aschcroft)
MODELO DE ELECTRONES CASI LIBRES (Ashcroft)
MODELO DE ELECTRONES FUERTEMENTE
LIGADOS (Omar)
MODELO KRONIG PENNEY (Mckelvey)

Modelo de Drude

Los electrones de valencia de un metal se mueven por todo el


volumen del metal no ocupado por los iones. Esto significa
aproximadamente el 80% del volumen de una muestra metlica.
El comportamiento de estos electrones es como el de un gas
monoatmico ideal U = 3/2 N KB T. Obedecen la estadstica de
Boltzman.
Existe la probabilidad dt/ de que un electrn experimente un
choque en el intervalo de tiempo (t, t+dt). se llama tiempo de
relajacin, tiempo de vida media del electrn, o tiempo de colisin.
Los choques son con los iones fijos.
Entre dos choques cada electrn obedece las leyes de Newton, es
decir, se mueve en lnea recta con MRU si ningn campo es aplicado
a la muestra o con movimiento acelerado si algn campo elctrico o
magntico es aplicado.

ELECTRONES LIBRES EN 1D
E

Ecuacin de Schrodinger:
2 d 2

E
2m dx 2

EZE

Soluciones:

( x) A e ikx
2

k
E
2m

Condiciones de frontera peridicas,

4
- ..
a

2
..
a

2
..
L

2
..
a

(x) (x L)

2
2
i
kL
e
1 k
n
n, n 1, 2, ....
L
Na

4
..
a

ELECTRONES LIBRES EN 1D
Periodicidad en el espacio recproco: E(k+g) = E(k). k+g es equivalente a k.
El vector k es indeterminado en un vector g de la red recproca

ELECTRONES LIBRES EN 1D
Esquema de Zona Reducida

kk

ELECTRONES LIBRES
Esquema de Zona Peridica.

Tercera banda
Segunda banda
Primera banda

ELECTRONES LIBRES EN3D


Ecuacin de Schrodinger:

2 2

E
2m
Soluciones:

(r) A e i k r
2

k
E
2m

Condiciones de frontera peridicas


k2

.
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. q.
. .
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. .

(x, y, z ) = (x + L, y + L, z + L)

2
L

.
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.

2
L

ei(k1 L) ei(k2 L) ei(k3 L) 1


k1 , k 2 , k 3 ( 2 m, 2 n, 2 p)
L

k1

Nmero de estados con


vector de onda entre 0 y k :
3

V 4 3
L 4 3
k
k


3
2 3
2 3

ENERGA DE FERMI

.
.
.
.
.
.
.
.

.
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.
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.
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. .
.EF .
. .
. .
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2
L

. .
. .
. kF.
. .
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.

(2) V 4 3
N
kF
3
2 3
2
L

k F (3 n)
2

1/ 3

2
2/3
EF
(3 n)
2m

Densidad de Estados
Nmero de estados con vector de onda entre k y k + dk :
V
2
g(k) dk
4
k
dk
3
2

g(E)

Nmero de estados con vector


de onda entre E y E + dE
(2)V
2

g (E) dE
4
k
dk
3
2
1/2

2m
k 2 E1/2

2m
2k dk 2 dE

g (E)

V 2m
2
2
2

g(E F )

3N
2E F

3/ 2

E1/ 2

Teorema de Bloch
Las funciones de onda espaciales de un electrn en un
cristal (potencial peridico) son de la forma:

n k (r) ei k r u nk (r)
donde:

u nk (r R) u nk (r)

PRUEBA:

En la ecuacin de Schrodinger
2 V(r) E ...(1)
2m

V(r R) V(r) V(r) Vg e

igR

...(2)

CFP (r) cqeiqr


q

...(3)

Teorema de Bloch
Obsrvese que el trmino V(r ) (r ) en la ecuacin (1) ser:

ig . r
i q. r
V(r)(r) Vg e cq e
g
q

V(r)(r) Vgcq ei(gq) . r


gq

i q '. r
i q. r
V
c
e

V
c
e
g q ' g
g ' q g '
g q'

g 'q

Reemplazando (2) y (3) en (1) tendremos entonces la ecuacin de


Schrodinger en la forma:
2

iq.r
2
q e 2m q E cq

V
g'

g'

cq g '

Puesto que las funciones ei q . r son linealmente independientes,


tendremos para cada q una ecuacin as: 2

2
q
E cq

2m

V
g'

g'

cqg ' 0

Teorema de Bloch
Cualquier q siempre puede ser escrito como k - g donde k est en la PZB
y g es cualquier vector de la red recproca. Luego:

(k g) E ck g Vg ' ck gg ' 0
g'
2m

Cambiando el nombre de los ndices: g = g - g


2

(k g) E ck g Vg 'g ck g ' 0
Ecuacin A
2
m
g'

Enfatizamos que sta es simplemente la ecuacin de Schrodinger en el


espacio recproco. Cada valor de energa esta asociado con c k
y todos los coeficientes ckg donde g es cualquier vector de la red
recproca. Luego:

k (r) ck g e
g

i (k g )r

ik.r

c
g

k g

i gr

i k.r

e uk (r). Lqqd

MODELO DE ELECTRONES CASI


LIBRES
2

(k g) E ck g
2
m

V
g'

g 'g

ck g ' 0

Ecuacin A

Potencial peridico nulo, Vg = 0


2

(k g) 2 E ck g 0
2m

EE

( 0)
k -g

ck -g 1, si q k - g
ck -g ' 0, si q k - g'

2
, E
(k - g)2 ,
2m

2 2
E
q
2m

q (r) Aeiq.r

MODELO DE ELECTRONES CASI


LIBRES
V, g g1

(0)
(0)
Caso no degenerado: Ek-g - Ek-g

E E c
(0)
k -g1

E E c
(0)
k -g

k g

ck g

k g 1

Ecuacin A1

Vg1 -g ck - g1

g ' g1

g 'g

ck g ' Ecuacin A2

Vg 'g ck g '
Vg1 -g ck - g1

(0)
(0)
E E k -g
E

E
g 'g1
k -g

Puesto que V es pequeo, esperamos:

ck g

Vgg 1 ck g

ck -g1 1, y ck -g 0, si g g1

Vg1 -g ck - g1
2

0(V
)
(0)
E E k -g

Ecuacin B

MODELO DE ELECTRONES CASI


LIBRES
(0)
(0)
Ek-g
E
k-g
1

Caso no degenerado:

V, g g1

Reemplazo ecuacin B en ecuacin A:

E E c
(0)
k -g1

EE

k g 1

(0)
k -g1

Vg g 1 Vg1 g
EE

Vg g 1 Vg1 g
E Ek(0)-g

(0)
k -g

ck g1 0(V )

0(V3 )

Los niveles no degenerados no cambian apreciablemente

MODELO DE ELECTRONES CASI


LIBRES
Caso Casi Degenerado:
(0)
(0)
Ek-g
E
k-g j
i
(0)
(0)
Ek-g
E
k-g
i

E E c
(0)
k -g i

E E c
(0)
k -g

k g i

Vg j g i ck g j
j1

k g

ck g

Vg j g ck g j
j1

E E k(0)-g

V, si i, j 1, m.
V, si g g1,g 2 ,...g m

ck g , i 1, 2, ... m

Ecuacin A1

ck g ' , g g1 , g 2 ,... g m

Ecuacin A2

g g i

g g1 , g 2 ,..g m

g 'g

g ' g1 , g 2 ,..g m

V
c
0(V
)
g1 -g k - g1
j 1

Ecuacin C

MODELO DE ELECTRONES CASI


LIBRES
Caso Casi Degenerado:

E E c
(0)
k -g i

k g i

Vg j g i ck g j

ck g

j1

E E k(0)-g

g g i

g g1 , g 2 ,..g m

j 1

g1 -g k - g1

ck g , i 1, 2, ... m

0(V 2 )

Ecuacin A1
Ecuacin C

Reemplazo la ecuacin C en A1:

E E c
(0)
k -g i

k g i

j1

j1 g g1 , g 2 ,..g m

Vg j g i ck g j (

Vgg i Vg j g

E E
(0)
k -g

)ck g j 0(V 3 ) , i 1, 2, ... m

MODELO DE ELECTRONES CASI


LIBRES
Caso Casi Degenerado:
En una aproximacin de primer orden los desplazamientos respecto al potencial
cero se calculan a partir de:

E E c
(0)
k -g i

k g i

Vg j g i ck g j , i 1, 2, ... m
j1

Matricialmente, por ejemplo, para m = 4:

E E k(0)-g 1 - Vg 2 g 1
- Vg3 g 1

(0)
E E k -g 2 - Vg3 g 2
- Vg1 g 2

(0)

V
V
E
E
g1 g 3
g 2 g 3
k -g 3

- Vg3 g 4
- Vg1 g 4 - Vg 2 g 4

- Vg 4 g 1 ck -g
1
- Vg 4 g 2 ck -g 2
0

- Vg 4 g 3 ck -g3
(0) c
E E k -g 4 k -g 4

MODELO DE ELECTRONES CASI


LIBRES
E

Caso Casi Degenerado:


E E (0) - V
g

(0)
E Ek -g
- Vg

(0)
k

E E
E
2

(0)
k g

c k
c k - g

0
k g

4 V

0 2
k

(0)
E E k Vg
Eg

kk

(0)
E E k V 2
( )
a

E g 2 V 2
(

MODELO DE ELECTRONES CASI


LIBRES
E

Caso Casi Degenerado:


E E (0)

k g - V2 g

(0)
- V2 g
E Ek g

Gap 2

kk

c k g
0

c k g

E Ek(0)g V2g

EE

(0)
k g

V 4
(

MODELO DE ELECTRONES CASI LIBRES

Interpretacin de Bragg
Cerca de la frontera de zona de Brillouin:

2a
2dsen n

La superposicin de ondas incidentes y reflejadas produce ondas


estacionarias seno y coseno con diferentes valores de energa

( x) B Cos

( x) BSen

MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS

La molcula H 2 :

1
1 2
2

1
1 2
2

Niveles de energa

N ncleos y un solo electrn


+

N funciones de onda para N


niveles de energa
N funciones de onda para
un solo nivel de energa

MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
Cuando hay N iones y un solo electrn cada nivel atmico da
lugar a N niveles de energa, los cuales constituyen una banda
de energa.

MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS

a) Potencial peridico
b) Funciones de onda atmicas
c) Funciones de onda atmicas multiplicadas por onda plana

MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
Escojamos una funcin de onda que satisfaga el teorema de Bloch y que
se reduzca a una funcin de onda atmica para valores de x cerca de cada ion

1 N i kXj
k (x) 1/2 e (x X j )
N j1

Ec (1)

Satisface el teorema de Bloch

1 ikx N -i k( x-X j )
k (x) 1/2 e e
(x X j )
N
j1

Ec (1a)

Cerca del j-simo ion se comporta como un orbital atmico:

k (x) e

i kX j

(x X j ) (x X j )

Ec (1b)

MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
Clculo de la energa

E(k) *k H k dx

E(k) k H k

Ec (2)

Reemplazando Ec (1) en Ec (2):


1
i k(X j X 'j )
E (k) e
(x X j' ) H (x X j )
N j, j'
j

E (k)

N 1
2

N
j
2

i k Xj

(x) H (x X j )

Ec (3)

MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
Clculo de la energa
j

E (k)

N 1
2

N
2

i k Xj

(x) H (x X j )

E (k) (x) H (x) e


'

2 d2
H V(x)
2 m0 dx 2
V(x) v (x - X j )
j

V(x) v(x) V' (x)

i kXj

(x) H (x X j )

Ec (3)
Ec (4)

MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
Primer trmino de la ecuacin (4)
2 d 2

(x) H (x) (x)


v( x) (x) (x) V' ( x) (x)
2
2m0 dx

- (x) V' ( x) (x)


*

(x) H (x) E

Ec (4a)

MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
Segundo trmino de la ecuacin (4), considerando slo vecinos ms cercanos

'

i k Xj

(x) H (x X j ) eika (x) H (x a) e-ika (x) H (x a)

2 d 2

(x) H (x - a) (x)

v
(
x

a
)
(x - a) (x) V' ( x a) (x)

2
2m0 dx

- * (x) V' ( x a) (x - a)

Integral de traslape

E(k ) E 2 Cos ka

Ec (5)

MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
ka
E (k ) E 0 4 sen ( )
2
2

E0 E 2
Ek E0 a 2k 2

MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
Caso 3 dimensional: banda s de un slido con estructura fcc monoatmica
Es (k) Es -

ik R 0j

j, vecinosms cercanos

a
2 (i j)

a
k (k x , k y , k z ) y R 0 (k j)
2
a
2 (i k )

k ya
k ya
k xa
k za
k za
k x a
Cos
Cos
Es (k ) Es 4 Cos
Cos
Cos
Cos

2
2
2
2
2
2

Es (k ) Es 12 k a

2 2

MODELO KRONIG PENNEY


0, si x 0, b

V(x) - V0 , si x b, a
V(x) V(x n a)

2 d 2
V(x) E
2 m dx 2

-V0

aa
d 2
dx 2

2 0 , si x 0, b
1/2
2mE

d 2
2 0 , si x b, a
dx 2
1/2
2 m (E V0 )

MODELO KRONIG PENNEY


d 2
2 0 , si x 0, b
dx 2

d 2
2 0 , si x b, a
dx 2

k (x) e ikx u k (x)

k (x) eikx u1k (x)


d 2u 1
dx 2

d 2u 2
dx 2

k (x) e ikx u 2k (x)

2i k

du 1

(k 2 2 ) u 1 0 , si x 0, b

2i k

du 2

(k 2 2 ) u 2 0 , si x b, a

dx

dx

MODELO KRONIG PENNEY


d 2u 1
dx 2

d 2u 2

dx 2
Caso 1: Si E>0

du 1

2i k

dx

2i k

(k 2 2 ) u 1 0 , si x 0, b

du 2
dx

(k 2 2 ) u 2 0 , si x b, a

u1 (x) A e i( - k)x B e -i( k)x , si x 0, b


i(-k)x

u 2 (x) C e

De

-i( k)x

, si x b,a

MODELO KRONIG PENNEY


Usando como condiciones de frontera la continuidad de la funcin y
su derivada en x = 0 y en x = b
A BCD 0

i - k A i k B i - k C i k D 0

A ei( - k)b B e -i( k)b C e -i( - k)c De i( k)c 0

i - k A e i( - k)b i k B e -i( k)b i - k C e -i( - k)c i k De i( k)c 0

MODELO KRONIG PENNEY


Los coeficientes A,B, C y D se encuentran resolviendo estas ecuaciones
simultneas y la solucin existe slo si el determinante de sus
coeficientes es nulo, lo cual implica:

2 2

Sen b Sen c Cos b Cos c Cos k (b c) (Sol. 1)


2

MODELO KRONIG PENNEY


Caso 2: -V0 < E < 0

El procedimiento es igual pero es imaginario y podemos escribirlo as:

i
Y teniendo en cuenta que:

Cos (i x) Cos h x y Sen (i x) i Senh x


Puede deducirse que habr solucin no trivial para A,B,C y D slo si:

2 2

Senh b Sen c Cosh b Cos c Cos k a .... (Sol. 2)


2

MODELO KRONIG PENNEY


Ambas, Solucin 1 y Solucin 2 son de la forma:

f (E) Cos k a
Esto significa que dado un valor de k podemos hallar el correspondiente E
Para ver cualitativamente la existencia de bandas prohibidas y permitidas
reescribimos ambas soluciones en las formas:
1/2

( )

2
1 4 2 2 Sen b

( 2 2 )

2
1
Senh b
2 2

Cos ( c - 1 ) Cos k a
1/2
Cos ( c - 2 ) Cos k a

MODELO KRONIG PENNEY


Donde:

2 2
Tan 1 Tan b , si E 0
2

2 2
Tan 2 Tanh b
2

, si - V0 E 0

1/2

( )
2
Senh

b
1

4 2 2

f(E) =
MODELO
KRONIG
PENNEY
1/2

f(E)

( 2 2 )

2
1
Sen b
2
2

2
a

Cos ( c - 1 ) Cos k a

E=0

si - V0 E 0

2
a

E = - V0

, si E 0

Cos ( c - 2 ) Cos k a

3
a

MODELO KRONIG PENNEY


Para resolver exactamente E vs k puede procederse del siguiente modo:
1) Asegurarse de tener los datos V0 (en eV), a y c (en angstron) .

2) Tomar 2000 valores de energa E en el intervalo (- V0 , V0) y para cada


uno de ellos escribir los valores de

3) Reemplazar

y ( ) .

y ( ), as como a, b y c en la solucin (1) o

solucin (2). De este modo se obtiene f (E).

4) Para los valores de f(E) en el intervalo (-1,1) tome arco cos f ( E ) y


as podr obtener k. Con lo cual habr obtenido un punto de la relacin de
Dispersin E vs k).

MODELO KRONIG PENNEY

Otros mtodos de clculo de bandas


El mtodo celular
El mtodo de ondas planas aumentadas

El mtodo del seudo potencial

EL MTODO CELULAR
Resuelve la ecuacin de schrodinger en una zona de Brillouin con
Condiciones de frontera:

(r) e-ik.R (r R)
n (r ) (r) -e -ik.R n(r R) (r R)
En la publicacin original para calcular el estado de ms
baja energa de la banda 3s del sodio se aproxim la celda
WS a una esfera y se resolvi el problema como si fuera un
problema atmico pero con condiciones de frontera :

0, (r0 ) 0

SUPERFICIES DE FERMI
La superficie de Fermi es definida como la superficie en el espacio k dentro de la
cual todos los estados estn ocupados por electrones de valencia a 0K. Todos los
estados fuera de la esfera de Fermi estn vacos.

SUPERFICIES DE FERMI
Mtodo de Harrison: Una tcnica para construir superficies de Fermi de metales.
En primera aproximacin consideramos que los electrones son libres. Las superficies
De Fermi son esferas. Si salen de la PZB usamos dos o mas bandas.

SUPERFICIES DE FERMI
3ZB

2ZB

1ZB

SUPERFICIES DE FERMI

SUPERFICIES DE FERMI
Cmo puede pasarse de las superficies de Fermi para electrones libres a
las de electrones casi libres?
a) El potencial del cristal redondea las esquinas afiladas de las
superficies de Fermi.
(b) La mayor parte de las superficies de Fermi cortan perpendicularmente
a los lmites de la zona.
(c) La interaccin del electrn con el potencial peridico del cristal
origina la aparicin de bandas prohibidas en los lmites de la zona.

d) El volumen total encerrado por la superficie de Fermi depende


solamente de la concentracin electrnica y es independiente de los
detalles de la interaccin con la red.

CONDICIN DE LAUE
k

g/2
frontera de zona
de Brillouin

A diferencia de los experimentos de


DRX con un haz monocromtico,
todos los electrones estn expuestos a
experimentar una reflexin de Bragg,
pero slo la experimentarn aquellos
que satisfacen la condicin de Laue.
Estos son los que estn en las
fronteras de las ZB. La difraccin de
Bragg, a su vez, origina la aparicin de
bandas prohibidas

k k g 2 k . g
2

2 k . g g2

g
k.
g

g
2

SUPERFICIES DE FERMI
Problema 5.14 de Omar: Recordando que para un gas de electrones libres:

k F (3 2n)1/ 3
a) Cuando la concentracin de electrones aumenta, la esfera de Fermi se expande.
Demostrar que esta esfera empieza a tocar las caras de la PZB en una red fcc cuando
La relacin entre concentracin de electrones y de tomos es n/na = 1,36
b) Suponga que algunos de los tomos en un cristal de cobre que tiene estructura
fcc monoatmica son gradualmente reemplazados por tomos de zinc.
Considerando que el zinc es divalente y el cobre monovalente, calcular la
razn de
tomos de cobre a tomos de zinc en una aleacin CuZn (bronce) a la cual la
esfera de Fermi toca las caras de la zona. ( El bronce experimenta un cambio
estructural a esta razn de concentraciones)

SUPERFICIES DE FERMI

Problema 5.14 de Omar: Recordando que para un gas de electrones libres:

k F (3 2n)1/ 3

a) Cuando la concentracin de electrones aumenta, la esfera de Fermi se expande.


Demostrar que esta esfera empieza a tocar las caras de la PZB en una red fcc cuando
La relacin entre concentracin de electrones y de tomos es n/na = 1,36
b) Suponga que algunos de los tomos en un cristal de cobre que tiene estructura
fcc monoatmica son gradualmente reemplazados por tomos de zinc.
Considerando que el zinc es divalente y el cobre monovalente, calcular la
razn de
tomos de cobre a tomos de zinc en una aleacin CuZn (bronce) a la cual la
esfera de Fermi toca las caras de la zona. ( El bronce experimenta un cambio
estructural a esta razn de concentraciones)

Solucin:

La esfera comienza a tocar a la PZB cuando

kF

Reemplazando este valor en la frmula del enunciado se obtiene:

Mientras que na = 4/a3

a3

SUPERFICIES DE FERMI DE ALGUNOS


METALES

Ver tabla de superficies de Fermi en archivo de internet

FUNCIONES DE DISTRIBUCIN
En el estado fundamental, es decir a OK los
N electrones en un cristal ocupan los N
estados de energa ms baja, pero qu pasa
a una temperatura T ?

La Distribucin Maxwell Boltzmann(*)


Dado un sistema de N partculas como las molculas de un gas en un
recipiente, el nmero de partculas en un nivel de energa Ei, con
degeneracin gi es:

Ni A g i e- Ei /KBT
donde A es una constante de normalizacin y KB es la constante de Boltzmann
Si la densidad de estados es g(E), entonces:
Nmero total de partculas

Energa total del sistema de partculas

N A e-E/KBT g(E) dE

Etotal A E e-E/KBT g(E) dE

Es vlida para N partculas distinguibles que no obedecen principio de exclusin de


Pauli

(*)

Ver: Solid -State and Semiconductor Physics por J.P. McKelvey

Estadstica Fermi Dirac


La probabilidad de que un estado de energa E sea ocupado por un
electrn a una temperatura T es:

f (E)

1
e(E-)/KBT 1

donde es el potencial qumico (depende de cada material) y KB la constante


universal de Boltzmann.

Si la densidad de estados es g(E), entonces:


Nmero total de partculas
Energa total del sistema de partculas

N f(E) g(E) dE

Etotal E f(E) g(E) dE

Es vlida para N partculas indistinguibles que obedecen principio de exclusin de


Pauli

Estadstica Fermi Dirac

f (E)

INTEGRALES QUE INVOLUCRAN FERMI

f
0 f(E) h(E) dE H(E) f(E) 0 H(E) E dE

H (E )

h(E)dE
0

1
H ( E ) H( ) (E - ) H( ) ( E ) 2 H ( )
2

f(E) h(E) dE H( )
0

2 ( K BT )2 h
6

2 ( K BT ) 2
f
H(E) (- )dE H( )
E
6

E
E

2H
E 2

Dinmica Semiclsica de los electrones


en un cristal
Cmo se comportan los electrones de un slido
cristalino en presencia de campos externos?
1. Permanecen en su banda, n es constante
2. Un electrn con vector de onda k y energa En(k) tendr

1
v k E

2. Obedecen la segunda ley de Newton en la forma:


dk
F
dt

Lmite de validez del modelo semiclsico


Los electrones obedecen la dinmica semiclsica con la condicin
de que los campos E y B no sean muy intensos. En la prctica esto
significa:

E gap (k)
e a <<
EF
E gap (k)
c <<
EF

eB
c
m
a es el parmetro de red

Dinmica Semiclsica de los electrones


en un cristal

mv k
1 dE
v
dk

v (-k ) - v (k )
v se puede interpretar como la velocidad de grupo de un paquete de
funciones de onda con k en el intervalo k k

Dinmica Semiclsica de los electrones


en un cristal

mv k
1
v k E

v (-k ) - v (k )
v tambin se puede interpretar
como el valor esperado del
operador i para una funcin de
m
Bloch

Dinmica Semiclsica de los electrones


en un cristal

Segunda ley de Newton y momentum cristalino


dE(k )
e v
dt
dE(k )
1
e k E (k )
dt

dE(k )
dk
k E(k )
dt
dt

dk

e
dt

Dinmica Semiclsica de los electrones


en un cristal
Masa efectiva de un electrn en un
cristal

dv
a
dt
a

dv dk
dk dt

1 d2E
a 2 2 F
dk
2

m 2
dE
dk 2

Dinmica Semiclsica de los electrones


en un cristal
Masa efectiva de un electrn en un
cristal

dv
a
dt
a

dv dk
dk dt

1 d2E
a
F
2
dk
2

m 2
dE
dk 2

TENSOR MASA EFECTIVA


1
v vg k E

dvx v x dkx v x dky v x dkz

dt k x dt k y dt k z dt

dv x
dt

dv
y
dt

dv
z
dt

v x

k x
v y

k x

vz
k x

v x
k y
v y
k y
vz
k y

v x dk
x
k z
dt

v y dk y

k z dt
dk z
vz
k z dt

2
2
2E
E
E

2
k x k y k x dk z
k X

2
2
2

m 12
2
k x k y k y
k z k y

2
2
2

E
E E

2
k x k z k z k y k z

CONCEPTO DE HUECO
Es una seudopartcula cuyas propiedades fsicas son equivalentes a las de
todos los electrones de una banda con todos los estados ocupados
excepto uno.
El vector de onda del hueco es :

kh ke

La energa del hueco es: Eh (k h ) Ee (k e )


La velocidad del hueco es: vh (k h ) ve (k e )
*
*
m
(k
)

m
La masa efectiva del hueco es: h h
e (k e )

La carga elctrica del hueco es: qh = e

CONCEPTO DE HUECO
Ee

Eh
kh

Ee(ke)

Ke

Eh (kh)
Kh

ke

kh ke

Eh (k h ) Ee (k e )

vh (k h ) ve (ke )

m*h (k h ) m*e k e

CONCEPTO DE HUECO
Ee

Eh
kh

ke

dk h
dk e


e
dt
dt

La carga elctrica del hueco es positiva

Conductores, semicondutores y aislantes


E
BC

BC

BV

Conductores

gap

gap

BV

semicondutores

BV

aislantes

Conductores semicondutores y aislantes

Conductores semicondutores y aislantes

(a) aislantes, (b) metal o semimetal, (c) metal

Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos
E(electrones)

2k 2
E c (k ) E g
2m*e

2k 2
E v (k )
2m*h
1 2m e
g e (E) 2 2
2

E(huecos)

3/2

1 2m h
g h (E) 2 2
2

E E
g

3/2

E1/ 2

1/ 2

Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos

E C2

f (E) g(E) dE

E C1

EV 2

EV 1

(E) g h (E) dE

Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos
3/2

1 2me EF/K BT
n 2 2 e
2

E E
g

1/ 2 E/K BT

Eg

1/ 2 x
x
e dx
0

3/2

1/2
2

me k BT E F /K BT Eg /K BT
n 2
e
e
2
2

dE

Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos

p f h (E) g h (E) dE
0

f h 1 f (-E) 1 -

e-E-E F /K BT 1
g h (E)

1
e(EF E)/KBT 1

1 2m h
2
2
2
3/2

3/2

E1/ 2

m k T
p 2 e B 2 e-E F /K BT
2

e E F /K BT e-E/KBT

Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos

np
mh
1
3

E F Eg K BT Ln
2
4
me
1/T

k BT
ni 2
2
2

3/2

me mh

3/4

E g /2K BT

Estados de Impurezas

e2
V(r)
4 r 0 r
r 10 ,

me
0,2
m0

1 me - m0 e 4

Ed 2
r m0 2(4 0) 2

Ed 0,01eV

Estados de Impurezas

1 m h - m0e 4

E a 2
r m0 2(4 0) 2

Ordenes de magnitud:

Ea 0,01 eV

Concentracin de portadores en
semiconductores extrnsecos
3

k T
3/2 E /K T
n p 4 B 2 me m h e g B
2

np n

2
i

semiconductores extrnsecos tipo n


n Nd

n i2
p
Nd

semiconductores extrnsecos tipo p


p Na

n i2
n
Na

Concentracin de portadores en
semiconductores extrnsecos

CONDUCTIVIDAD
ELCTRICA DC
FSICA DEL ESTADO SLIDO
FC UNI
Octubre 2013
ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica

MODELO DE DRUDE

Si no hay campo elctrico los electrones se mueven con velocidades del


orden de hasta 106 pero en direcciones al azar de modo que en promedio v = 0

vd

En presencia de un campo elctrico constante los electrones adquieren


una velocidad constante, conocida como velocidad de arrastre, v d .

MODELO DE DRUDE
dv
m
q
dt
q
v t, entre t 0 y t
m

En t = los electrones chocan con iones y regresan a v = 0

Entonces, en promedio los electrones viajan con velocidad :


q
vd

2m

drift velocity o
velocidad de arrastre

MODELO DE DRUDE
dv
mv
m
qdt

dv q
v
dt m
q
dv
1
- v

dt

dv
1
- d t

q
v m

q
v m
t

Ln
q

q
v
( 1 - e - t/ )
m
Si t >>

q
v
, velocida d constante
m

MODELO DE DRUDE
J nq v d
vd
vd t

t=0

v d t
vd
t = t

n A v d t q
I
t

q
J nq
m
J

n e2

MODELO DE SOMMERFELD
Se basa en la descripcin cuntica del movimiento de electrones libres
(gas de Fermi)

Si no hay campo elctrico externo, los electrones con k < kF se distribuyen


simtricamente dentro de la esfera de Fermi. En presencia de un campo
elctrico, la esfera de Fermi se desplaza.

k
m vd
k

MODELO DE SOMMERFELD
Slo contribuyen a la conductividad elctrica los electrones llevados fuera
de la esfera de Fermi por el campo elctrico.

2 k
4
k
1
F
n ef n
n ef n
3 4 3
kF
3

vd
vF

J n ef q v F
J nq v d

n e2

Conductividad vs temperatura en metales


Si el cristal fuera perfecto no habran choques de los electrones
con la red. Los choques se producen por las impurezas y por
losfonones.

Conductividad vs temperatura en metales

n e2

n e2

m 1

n e2

m 1
1
(

)
2
n e i fon

n e2

i fon

Conductividad elctrica en
semiconductores
n e2
e
e
m
n e2
h
h
m

e n e e
ve
e e
e e

me

vh
e
h h

mh

h n e h

(n e e p e h )

Conductividad vs temperatura en
semiconductores intrnsecos
n i e ( e h )
ni depende de la temperatura exponencialmente
e y h

( e h ) depende de la temperatura
polinomialmente

Prevalece el comportamiento exponencial

f (T) e-Eg/ 2 KB T

Conductividad vs temperatura en
semiconductores extrnsecos

e n e e

En un amplio rango de temperatura n = Nd se


mantiene constante. Los cambios de con la
temperatura se deben a la movilidad.
e n e e

e e
me

e T -1

e e

me v r

-2
1
3
me v r K B T
2
2

e e
1/2
(
)
m1/2
3
K
T
e
B

e T -3/2

EFECTO HALL
Si sobre una muestra por la que circula corriente elctrica se aplica un campo
magntico perpendicular a la corriente, entonces, aparecer una diferencia de
potencial en la direccin perpendicular a ambos. Sirve para determinar el tipo de
portadores en semiconductores.
H

H vd B

q (vd B H ) 0

H vd B
vd -

Jx
ne

1
H Jx B
ne
1
RH ne

vd

Jx
pe

1
Jx B
pe

1
RH
pe

EFECTO HALL

q (vd B H ) 0

FLe - e (ve B) e ve B

Le ve B
Je B
Le
ne

Lh

- Jh B
pe

J y n e e Le p e h Lh (n e e p e h ) H

n e
Je

n e p h
Jx

p 2h n e2
R
e(n e p h ) 2

RESONANCIA CICLOTRNICA
m 2 r - e v B
c

e
B
*
m

c
c
2,8B GHz
2
B en kilogauss
La resonancia ciclotrnica es comnmente
usada para medir la masa efectiva del electrn
en metales y semiconductores

RESONANCIA CICLOTRNICA
La trayectoria no es necesariamente
una circunferencia:

dk
- e v(k ) B
dt

k -

e
v (k ) B t

T t
eB

k
v (k )

v( k) es la velocidad normal a la rbita


c

2eB
k

v (k )

Para electrones libres regresamos a:


c

e
B
*
m

EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA
d 1
m v e (E v B )
dt

d 1
m v x e (E x B vy )
dt

d 1
m v y e (E y B vx )
dt
d 1
m vz e Ez
dt

EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA
e
vx E x c v y
m

e
vy E y c v x
m

E x 1
c

E y - c 1
m
0
Ez 0

0
0
1

vz -

vx

vy

vz

e
Ez
m

EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA

Jx
ne 2
Jy
m

J
z

Jx

Jy n e

Jz

vx

vy

vz

c
1

- c 1
0
0

0
0
1

-1

Ex

Ey

Ez

EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA

Jx

0

J
y
2
1

)

c
J
z
Jy 0

c E x -E y ; J x

- c
1
0
0

1 ( c )

Ex

Ey

1 ( c ) 2 E z
0
0

(E x c E y ) J x 0 E x

La resistividad es independiente del campo magntico


E y - c E x - c

(B) 0

RH

1
ne

Jx
1

JxB
2
ne /m
ne

MAGNETORESISTENCIA

PROPIEDADES TRMICAS
DE SLIDOS
FSICA DEL ESTADO SLIDO
FC UNI JUNIO 2014

ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica

Calor Especfico de slidos


(definicin)
El calor especfico molar es definido como:
Q
C
T
donde Q es el calor requerido para elevar en T la temperatura de una
mol del slido.

Recordando la primera ley de la termodinmica: Q E P V


y puesto que en slidos el proceso se realiza aproximadamente
a volumen constante, tendremos:

E
C

T V

Calor Especfico de slidos


(Evidencia experimental)

El calor especfico molar depende de la temperatura en la forma


mostrada en la figura:

A altas temperaturas el valor CV de cualquier slido es aproximadamente


3R donde R es la constante universal de los gases (R 2 cal/K) (Ley de
Dulong y Petit). Al disminuir T, el calor especfico tambin decrece hasta
hacerse cero a 0K.

Modelo clsico
Cada tomo es un oscilador tridimensional
En un slido con N tomos tenemos 3N
osciladores unidimensionales.
Los osciladores son independientes
Pueden tener valores continuos de energa
Obedecen la estadstica de Boltzmann.

Calor Especfico de la red


(modelo clsico)
Cada tomo est fijo a un punto de red oscilando
como un oscilador armnico simple
Recordamos de Fsica elemental que la energa promedio para un
oscilador unidimensional es
E prom k B T

Entonces la energa por tomo, considerado como un oscilador 3D es


3 k B T y la energa por mol es:

E 3 N Av k B T
El calor especfico molar a V constante
es entonces:

CV 3 N Av k B 3 R

Modelo de Einstein
Cada tomo es un oscilador tridimensional
En un slido con N tomos tenemos 3N
osciladores unidimensionales.
Los osciladores son independientes
Slo Pueden tener valores discretos de
energa E n n
Obedecen la estadstica de Boltzmann.

Calor Especfico de la red


(modelo de Einstein)
Los tomos son tratados como
osciladores independientes pero
los valores de la energa estn
dados por la MECNICA CUNTICA

En n

E n e - E n / K BT
E prom n 0

e - E n / K BT
n0

E prom
e /K B T 1

E prom

En e
n 0

- E n / K BT

- n / K BT

n 0

- E n / K BT

n0

- n / K BT
e

n 0

x e- / K BT

E prom

n xn
n 0

n
x

n0

1
n
x

1 x
n 0

E prom
-1
1 - x x -1

d
x
n
n n x x dx n x 1 x 2

E prom
e /K B T 1

Calor Especfico de la red


(modelo de Einstein)
E
E 3 N Av
e E /K B T 1
E

C V 3 R
K
T
B

C V 3 R E
T

e E /K B T
e E /K B T 1

e E /T
e E /T 1

Calor Especfico de la red


(modelo de Einstein)

CV 3 R E
T

e E /T
E /T

A bajas temperaturas, T << E , la expresin para CV se reduce a:


2

E - E /T
B(T ) e- E /T
CV 3 R e
T

A altas temperaturas, T >> E , la expresin para CV se reduce a:


2

1
E
CV 3 R
2
T
E
1
1
T

3R

Modelo de Debye
En un slido con N tomos tenemos 3N
osciladores unidimensionales.
Pero cada tomo no es un oscilador, sino cada
modo de vibracin colectivo, cada fonn es un
oscilador.
Cada oscilador slo tener valores discretos de
energa
Obedecen la estadstica de Boltzmann.
Cada oscilador tiene frecuencia diferente.

Calor Especfico de la red


(Modelo de Debye)
Cada modo de vibracin de la red es considerado como
un oscilador cuntico con valores de energa n h

e /K B T 1

Se usa aproximacin de vibraciones


en slido continuo
3V 2
g ( )
2 2 v3
s

vs q
E E() g ( ) d

Calor Especfico de la red


(modelo de Debye)
D

3V

d
2
2
3

/K
T
B 1
2 vs 0
e

La integral es de 0 a un valor D tal que:


D

g ( ) d
0

3 N Av D vs 6 n
2

1/ 3

Calor Especfico de la red


(modelo de Debye)
D

3V

2
d
2 2 v3
e /K B T 1
s 0

CV

3V
2
2 2 v3
s K BT

T
C V 9R
D

/K BT
4
e

0 e /K B T 1

3 D / T

x4 ex
e x 1

dx

Calor Especfico de la red


(modelo de Debye)
Para bajas temperaturas, T <<

4 4
d x
2
15
x

0 e 1

x4 ex

T
12 4
CV
R
5
D

Para altas temperaturas, T >> D :


3V
CV
2 2 v3s

K BT 2

K
T

3R

Calor Especfico de la red


(Teora exacta)
E

E( ) g( ) d
E

C V
T V

L
g( )
2

dS
vg

Calor Especfico de los electrones


En metales:
C V Ce C red

Considerando la contribucin electrnica como la de un gas ideal:


Ce

3
R 3 cal/mol K
2

Se esperara entonces que la capacidad calorfica de los metales sea:


CV 3 R

3
R 4,5 R 9 cal/mol K
2

Sin embargo, el experimento contradice este razonamiento.


Experimentalmente se observa que la contribucin de los electrones
al calor especfico es slo 0,01(3/2) R.

Calor Especfico de los electrones


No todos los electrones del metal contribuyen al calor especfico:
n ef N Av

E N Av

Ce 2 R

K BT
EF

K B T 2
EF

K BT
EF

Ms exactamente:

EF

E f(E) g(E) dE - E g(E) dE

Calor Especfico de los electrones


E

EF

E f(E) g(E) dE - E g(E) dE

EF N

f (E)

1
e(E -)/K BT 1

EF

f(E) g(E) dE

E - EF
e(E - EF )/KBT
f

K BT 2 (e(E - EF )/KBT 1) 2
T

E
Cel
=
T

E g(E)

N
0 EF
=
T

f
dE
T

EF g(E)
0

f
dE
T

x=

E - EF
K BT
2
B

Cel g(E F ) (K T)

E
Cel
=
T

f
(E - E F ) g(E)
dE
T

K T
2
Ce
NK B B
2
EF

ex
x

dx

N = n N = NAv

INTEGRALES QUE INVOLUCRAN FERMI

f(E) h(E) dE H(E) f(E)

H (E )

f
H(E)
dE
E
0

h(E)dE
0

1
H ( E ) H( ) (E - ) H( ) ( E ) 2 H ( )
2

f(E) h(E) dE H( )
0

2 ( K BT ) 2 h
6

2 ( K BT ) 2
f
H(E) (- )dE H( )
E
6

E
E

2H
E 2

Clculo de Cel

f(E) h(E) dE H( )

2 ( K BT ) 2 h

Etotal f(E) E g(E) dE E g(E) dE

E
E

2 ( K BT ) 2
6

n f(E) g(E) dE g(E) dE

g ( ) g ( )

2 ( K BT ) 2
6

EF

h(E) dE h(E) dE - E H ( E
F

g ( )
)

Clculo de Cel
EF

2 ( K BT ) 2
2 ( K BT ) 2
g ( EF )
g ( EF )
Etotal E g(E) dE E F EF g EF
6
6

0
EF

2 ( K BT ) 2
g ( EF )
n g(E) dE EF g EF
6

2 ( K BT ) 2
g ( EF )
0 EF g EF
6

EF -

2 ( K BT ) 2 g ( EF )
6

g ( EF )

Clculo de Cel
1 K BT 2
E F 1 - (
)
3 2 EF
Etotal

E total 0

2
2

K BT 2 g ( EF )

Etotal 2 2
CV

K B T g ( EF )
T
3
CV

2 KB T
2

EF

nK B

Conductividad trmica de los electrones


1 Q
dT
H
K
t A
dx
K K e K fonones
1
K e C Ve v
3

v, velocidad de los electrones,

H n c ( T ) v

(asi como J n q v)

dT
dT
T

vx
dx
dx

, trayectoria libre media

1 n K T
v F F
K e
3 2 EF

2
B

1
m v2
F
2

2 n K 2B T F
K
3 m*

H n v 2x c

dT 1
dT
n v 2 c
dx 3
dx

1
dT
H CVe v
3
dx

Conductividad trmica vs conductividad


elctrica de metales
2 n K 2B T F
K
3 m*

n e2

m
K
L
T

2 K B

3 e

Nmero de Lorentz

= 2,45 10-8 watt-ohm/grad 2

Valores experimentales del numero de Lorentz


L x 108 watt-ohm/grad2
Metal

00C

1000C

Ag

2,31

2,37

Au

2,35

2,40

Cd

2,42

2,43

Cu

2,23

2,33

Ir

2,49

2,49

Mo

2,61

2,79

Pb

2,47

2,56

Pt

2,51

2,60

Sn

2,52

2,49

3,04

3,20

Zn

2,31

2,33

Conductividad trmica de la red


dT
H K
dx

K K fonones
1
K e CVfonones v
3
A bajas temperaturas:
3

T
1
K fonones 234 NK B vs
3
D

A altas temperaturas:

Kfonones R vs

Resistividad elctrica vs temperatura en metales

m 1
1
(

)
2
n e i fon

A x

m 1
i
= cte ,
n e 2 i

(Ley de Mathiensen)
m 1
f
n e2 f

m vF
n e2 f

A 1

1
k x2
2
e

x2

/K BT

KB T

2 N KB
m
v
T
F
2
ne
k

Resistividad elctrica vs temperatura en metales

n e2

n e2

Movilidad vs temperatura en semiconductores

e n e e
En un amplio rango de temperatura n = Nd se
mantiene constante. Los cambios de con la
temperatura se deben a la movilidad.
e n e e

e e
me

e T -1

e e

me vr

e T -3/2

-2
1
3
m e v r K BT
2
2

e e
1/2

m1/2
3
K
T
e
B

Los electrones en el fondo de la BC


obedecen la estadstica clsica.

EXPANSIN TRMICA
Consideremos la anarmonicidad del potencial y supongamos:
U ( x) c x 2 - g x 3 - f x 4
Calculamos el desplazamiento medio utilizando la distribucin de Boltzmann
que da los valores posibles de x segn su probabilidad termodinmica.

U ( x)
dx
x
e

U ( x)
dx
e

3g
k T
2 B
4c

Fenmenos termoelctricos
Efecto Seebeck
Efecto Peltier

Efecto Thompson

EFECTO SEEBECK
En un circuito formado por dos metales distintos homogneos, A y B,
con dos uniones a diferente temperatura, T y T+ T, aparece una corriente
elctrica J, o bien, si se abre el circuito una fuerza termoelectromotriz
(f.t.e.m.) VAB que depende de los metales utilizados en la unin y de la
diferencia de temperatura entre las dos uniones.
material A
T
T

T T

material B
Q T
V

Q T

VA
VB

QA T
QB T

VB - VA
V

QB -

QB -

QA T

QA T

Clculo de la termopotencia
Velocidad de arrastre de los electrones debido al gradiente de temperatura
vQ

1
vx - v vx v - v dv
2
dx

d v2

v Q
dx 2

vQ

d v2
6 dT

d v 2 dT
v Q

dT 2 dx

2
cV
1 d mv

3ne
3e d T 2

vd
k
Q B
2e

Drude

e
m
Q

2 k B k BT

6 e EF

Sommerfeld

EFECTO PELTIER
El efecto Peltier consiste en el enfriamiento o calentamiento
de una unin entre dos conductores distintos al pasar una corriente
elctrica por ella y que depende exclusivamente de la composicin
y temperatura de la unin.La potencia calorfica intercambiada en la
unin entre A y B es [Biel J. G., 1997]:

Llega calor

HA
HB

A J,
B J

Sale calor

QT
H

( A B ) J

EFECTO THOMPSON
El efecto Thomson consiste en la absorcin o liberacin de calor
por parte de un conductor elctrico homogneo, con una distribucin
de temperaturas no homognea, por el que circula una corriente

Coeficiente de Thomson
Q= termopotencia

H
Q
T
T
J T

EFECTO TERMOIONICO
El efecto termoinico consiste en la emisin de electrones de un filamento
metlico por efecto de calentamiento.
J

T2 T1

ampermetro
Alto
vacio

filamento

Alto voltaje
Fuente para calentar
filamento

T1

J S (T2 )
J S (T1 )

Este efecto se explica calculando la corriente debido a los electrones que


pasan a travs de la barrera de potencial
Nivel de
vaco

funcin
trabajo

EF

e
Jx
V

e
v x (k )

V
k

v x (k ) 2

E EF
v x ( k ) 0

d dk x dk y dk z

d
2

Considerando la probabilidad de ocupacin segn Fermi Dirac.

2e
Jx
dk y dk z
k x dk x f E k , T
3

k x min
2 m

K B T

Jx

4 3 m

Boltzmann

dk y e

E F

2 m
2

2k 2
y

/ 2 mK B T

k x dk x e

2k 2
x

dk z e

2 k 2 / 2 mK
z
B

/ 2 mK B T

4me
2 / K B T
K B T e
Js
3
h
Formula de Richardson-Dushman para la corriente de saturacin

Correccin por factor de transmitancia cuntica en un potencial escaln.

4me
2 / K B T
K B T e
Js
3
h

K T/E

4 E 1/2 ( E U ) 1/2

1/2

(E U )

1/2

Correccin a la funcin trabajo por efecto de un campo elctrico.

e

4 0
3

TEORA SEMICLSICA DE
CONDUCCIN
CAPTULO 9

FSICA DEL ESTADO SLIDO


FACULTAD DE CIENCIAS UNI
Noviembre 2013
ARTURO TALLEDO
Dr. EN FSICA

FLUJOS DE CARGA ELCTRICA Y DE CALOR

Flujo de carga ( Densidad de corriente elctrica):

d
J e 3 vn k f n
4
n

Ec. (1)

Flujo de calor:

fn

d
n 4 3 En vn k f n

Se llama funcin de distribucin de no equilibrio

Ec. (2)

APROXIMACIN TIEMPO DE
RELAJACIN
En equilibrio:
f n (r, k , t ) f n0 (r, k ) f 0 ( En (k ))
1
0
f ( En (k )) E / K BT
e
1

Fuera de equilibrio :

d f n (r, k , t )
dt /

dt
0
f (r, k )
n (r, k )

es la fraccin de electrones que sufren una colisin y


tambin la fraccin de electrones que emergen hacia r, k

Ec. (3)

Clculo de la funcin de
distribucin de no equilibrio
dV d
f n (r , k , t )
3
4

dN

dV d dt f n0 rn (t), kn (t) Pn (r , k , t; t)
dN
n rn (t), kn (t)
4 3
t

fn

dt 0
f (t) P(t , t)

(t)

P(t,t) es la fraccin de electrones que emerge en ty sobrevive hasta t

La fraccin P(t,t)

dt
P(t , t) P(t , t dt) 1

(t)

P(t , t)

t
P(t , t ) 1

P(t , t)
t

dt

P(t , t) exp
t
t

Clculo de la funcin de distribucin de


no equilibrio

f (t ) dt f (t) P(t , t)

t
t

f (t )

d 0
f (t)
f t dt P(t , t)
dt

f 0 En k n f 0 T rn f 0 rn
d f 0 (t)

En k t T r t r t
dt
0

f
E
0
v -eE-
T
f (t ) f dtP(t , t)

T

E
t

SIMPLIFICACIN DE LA FUNCIN DE NO
EQUILIBRIO PARA CASOS ESPECIALES
1) Campos elctricos y gradientes de temperatura dbiles

2) Campos electromagnticos y gradientes de temperatura


espacialmente uniformes
3) Tiempo de relajacin dependiente de la energa

f (k, t ) f 0 dtet t/ E k

f 0

vk t

E

T
-e-

Ec. (4)

CONDUCTIVIDAD ELCTRICA DC
Si B = 0, T= constante, = constante, la ec. 4 se reduce a :
0

f
0

f (k ) f (k ) e vk ( E(k )
E

J e

J e

Ec. (5)

d
vk f
3
4

d
f
vk vk E k

3
4
E

( n)

(n)

d
f
En k v n k v n k
3 n
4
E E En k

CONDUCTIVIDAD ELCTRICA DC

d
f
E k vk vk
3
4
E E En k

1
f
vk

f ( E (k ))

k
E E En k

d
1 f ( E (k ))
E k vk

3
4
k

E E n k

Teorema apndice I

dV u v dV v u

e ( EF )
2

f ( E (k )) ( v(k )
3
4

EQUIVALENCA DE ELECTRONES Y
HUECOS

f ( E (k )) ( v(k )
3
4
k

e ( EF )

d
e ( EF )
3

estados ocupados

d
e ( EF )
3

estados desocupados
2

M 1 (k )

(M 1 (k ))

Ec. (6)

Regreso al modelo de electrones libres

m
2

e2

CONDUCTIVIDAD TRMICA
t

f (k, t ) f dte
0


f 0
E

-e

Ec. (4)

vk t

T

t t / E k

Si B = 0, = 0, = constante, la ec. 4 se reduce a:


0

f (k ) f (k )
T vk ( E(k ))
T
E

Ec. (7)

d
4 3 E vk f

Ec. (2)

Reemplazamos ec. (4) y ec. (7) en ec (2)

d
4 3

E vk v(k) (E(k))( f 0 ) T
2

CONDUCTIVIDAD TRMICA

d E
f
4 3 T vk v(k) (E(k))( E )
2

k T
2

2
B

3 e

COEFICIENTES GENERALES DE TRANSPORTE


t

f (k, t ) f 0 dtet t/ E k


f 0
E

-e

vk t

T

Ec. (4)

Si existen al mismo tiempo un campo elctrico y un gradiente de temperatura


0

f (k ) f (k ) e
T vk ( E(k ))
T

J e

d
vk f
3
4

d
4 3 E vk f

Ec. (7)

Ec. (1)

Ec. (2)

COEFICIENTES GENERALES DE
TRANSPORTE
Reemplazando ec. (7) en ec. (1) y ec.(2)

J L11 L12 T
H L21 L22 T

d
1
L12 3
e
4
L21

E vk v(k) (E(k))( f 0 )
T

d
f
1
3 E vk v(k ) ( E(k ))(
)
e
4
E
0

Q potencia termoelctrica,

es el coeficiente de Peltier

COEFICIENTES GENERALES DE
TRANSPORTE

L11

L22 K

L12 Q L11

Q es la potencia termoelctrica y

lega calor

Sale calor

( A B ) J

L2 1 L11

es el coeficiente de Peltier

Otras Formas de Integrar


J e

d
f
vk vk E k

3
4
E

dS
f
J e dE vk vk Ek
vk
E
2

f
J e g ( E )dE vk vk E k

E
2

d
4 3

E 2 vk v(k) (E(k))( f 0 )
T

PROPIEDADES DIELCTRICAS
Y PTICAS DE SLIDOS
FSICA DEL ESTADO SLIDO
FC UNI
Noviembre 2013
ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica

Permitividad Elctrica

E0

E E0 / r

0 E0

D 0 E P
D ( 0 + ) E

D 0 r E

Permeabilidad Magntica

B0

N
B 0 0 I
L

N
B 0 I M
L

B 0 H H

B r 0 H
B0 0 H

B 0 r H

Ecuaciones de Maxwell

E da Q

B da 0

B 0

d
E d - dt B da

B
E t

B d (I Id )

E
B J
t

Ecuaciones de Maxwell en el vaco


0 E 0

B
E t

B 0

B 0 0

E
t

Identidad vectorial:
( A) ( A) - 2 A

Aplicada a la tercera ecuacin


E 0
2

2E
2E
0 0 2 0
2
x
t

2E
0
0
t2

Onda plana que se propaga a lo largo del eje X


1
Con velocidad:
c
0 0

Ecuaciones de Maxwell en medios


dielctricos
E 0

B
E t

B 0

E
t

Identidad vectorial aplicada a la tercera ecuacin


2E
E 2 0
t
2

2E
2E
0 0 r r 2 0
x2
t

Onda plana que se propaga a lo largo del eje X


1
c
c
c


con velocidad: v
n
r r 0 0

r r

r n2
Nota: En general, r depende de la frecuencia y puede ser real positivo, real
negativo o complejo, por lo tanto, en general n es nmero complejo n + ik

ndice de refraccin complejo y


coeficiente de absorcin
E E0 e

E E0 e

q n

i (q x t)
i q ( x v t)

n
c

Si el ndice de refraccin es complejo, entonces:

(n ik)

i (n ik) x t
c

E E0e
I E 2 I I0e

k
x
c

I0e x
k
2
c

E0e

k
c

i n
x t
c

es el coeficiente de absorcin. La
onda no slo disminuye su
velocidad, sino que tambin se amortigua.

Reflectancia normal
y

B1
E1i

E1t

E2

q1
B1i

B1r

E1r

BB21t

q2

B2

1 q1

E1
c q1
2 q2

E2
c q2

E1i E1i0 e
E1r E1r0 e

i (q1 x t)

i q1 ( x v t)

E 2 E t0 ei q 2 ( x v t)

B1i B1i0 ei (q1 x t)


B1r B1r0 ei q1 ( x v t)
B2 Bt0 ei q 2 ( x v t)

Reflectancia normal
Condiciones de frontera:
y

E1i

E 1i E 1r E 2
E1t

E2

q1
B1i

B1r

E1r

BB21t

B 1i B 1r B 2
q2

1 ( E 1i E 1r ) 2 E 2

E1r

E1t

2 1

E1i
2 1

2 1

E1i
2 1


R 2 1
2 1

1 1, vaco

2 n i k

(n 1) 2 k 2
R
(n 1) 2 k 2

Permitividad elctrica y polarizabilidad


en gases y lquidos
D 0 E P

P Np
donde N es el nmero de tomos (molculas) por unidad de volumen y
p es el momento dipolar elctrico de un tomo

p E

D 0E P

D 0 E N E 0 r E
r (1

) 1

Permitividad elctrica y polarizabilidad


en slidos
D 0 E P
P Np
donde N es el nmero de tomos (molculas) por unidad de volumen y p es el momento
dipolar elctrico de un tomo

p Elocal

E E0 E1 E2 E3
E0 es el campo externo
E1 es el campo debido a las cargas de
polarizacin en la superficie externa
de la muestra
E2 es el campo debido a las cargas de
polarizacin en la superficie de la esfera

E3 es el campo debido a las cargas


dentro de la esfera.

Elocal E Em E E3

Permitividad elctrica y polarizabilidad


en slidos
Elocal E

P
3 0

P N Elocal

E es el campo de Maxwell

N
P
1 N
3
0

2
N
3 0
N
1
3 0

N
D 0 E +
1 N
3
0

E = 0 r E

r 1 N

r 2 3 0
Ecuacin Clausius Mosotti

Fuentes de polarizabilidad
Polarizabilidad dipolar

Polarizabilidad inica

Polarizabilidad electrnica

Dispersin de la polarizabilidad
(experimental)

Dispersin de la polarizabilidad
electrnica
d 2x
m 2 m02 x eElocei t
dt

x x 0ei t
m(-2 02 ) x 0 eE loc

e2
p 0 ex 0
Eloc
2
2
m(0 )
e 2 /m
2 2
0 -
2

e /m
2
0

0 usualmente en el ultravioleta
r (1

Ne2
m 0
2
0

) n 2 constante

en el visible

3.91 1016;

ancho de linea

b 7.5731 1016;
frecuencia fundamental
Plot b
b2 x2 , x, 0.11 1010, 16.5731 1016

6.

10 17

4.

10 17

2.

10 17

2.

10 17

4.

10 17

6.

10 17

5.

10 16

1.

10 17

1.5

10 17

Dispersin de la polarizabilidad
electrnica considerando relajacin
d2x
dx
m 2 kx b eE0ei t
dt
dt
e
1
-i t
x( )
E
e
0
m 02 2 i

N e2
1
( )
m 02 2 i
p2 (02 2 )
( )
(02 2 )2 + 2 2

d2x
dx
e
2
i t

E
e
0
0
2
dt
dt
m

e2
1
( )
2
2
m 0 i

1
( )
2
2
0 i
2
p

( )

p2 ( )
(02 2 )2 + 2 2

LORENTZIANAS

3.

10 34

2.

10 34

1.

10 34

1.

10 34

2.

10 34

3.

10 34

p2 (02 2 )
( )
(02 2 )2 + 2 2
5.

6.

10 34

5.

10 34

4.

10 34

3.

10 34

2.

10 34

1.

10 34

10 16

1.

10 17

1.5

10 17

( )

5.

10 16

1.

10 17

1.5

10 17

p2 ( )
(02 2 )2 + 2 2

LORENTZIANAS

3.

10 34

2.

10 34

1.

10 34

1.

10 34

2.

10 34

3.

10 34

5.

6.

10 34

5.

10 34

4.

10 34

3.

10 34

2.

10 34

1.

10 34

3.91 1016;

ancho de linea

7.5731 1016;

frecuencia fundamental

10 16

5.

Plot

a x

Plot

1.

10 16

10 17

x2
b2

1.5

1.

10 17

b2

x2

x2
x2

10 17

1.5

10 17

b2

b2

a2 x2 , x, 0.11 1010, 16.5731 1016


x2

b2

a2 x2 , x, 0.0011 1010 , 16.5731 1016

Propiedades pticas de slidos inicos


d 2 u 2n
*

M2

2u

e
E
2n
2n1
2n1
2
dt
d 2 u 2n1
*

M1

2u
u
u
e
E
2n1
2n
2n 2
2
dt

u 0

E E0e

e*
M 1 ( )
2
0

i ( q x t )
u 0

E0

e*
M 2 (02 2 )

E0

P nme (u0 u0 )
*

1
1
2

M1 M 2
2
0

Pe
nme
1
r ( ) 1

0 E 0 02 1 2
*2

02

M 1M 2

M1 M 2

Propiedades pticas de slidos inicos


r (0) r ()
r () r ()
2

1
02
1/ 2

r (0)
1
0
r ()

Frecuencia de modos longitudinales

Observar que entre 0 y 1 la


permitividad relativa es negativa
y por lo tanto la parte real del
ndice de refraccin es cero

Propiedades pticas de slidos inicos


1/ 2

r (0)
1
0
r ()

Frecuencia de modos longitudinales

0 r E 0
E E0 e i k . r

k 0 r E 0
0

Las ondas planas tienen que ser


transversales, pero si r = 0,
pueden existir modos
longitudinales

Propiedades pticas de slidos inicos


Permitividad

Reflectancia

1
(n 1) 2 k 2
R
(n 1) 2 k 2

Propiedades pticas de slidos inicos


Resultados experimentales para el cloruro de sodio (b) y (c)

2
a( )
k
c

Coeficiente de absorcin

Polarizabilidad dipolar en campo


constante

El momento dipolar de una molcula es cero en ausencia de campo y puede alcanzar el


valor p0 en presencia de ste. La forma cmo evoluciona el momento dipolar est dado
por:

dp p (t) - p 0

dt

donde se llama tiempo de relajacin.


Si en el instante t = 0 el momento dipolar es p = 0:

p(t ) p0 (1 e t / )
Si en el instante t = 0 el momento dipolar es p = p0 y se
elimina el campo elctrico, entonces:

p(t ) p0e t /

Dispersin de la polarizabilidad dipolar


Supongamos que sobre nuestra muestra acta un campo

E(t) A ei t
Se alcanzar una situacin de equilibrio dinmico en la cual:

p(t) (0) E(t) (0) A e-it


La evolucin hacia este equilibrio estacionario est dado por:
dp 1
(0)E p(t)
dt
i t
p(t)

()e
Asumimos soluciones de la forma:

()

(0)
1 i

La polarizabidad no est en fase con el campo

Dispersin de la permitividad en slidos


dipolares
Por simplicidad ignoramos las correccin del campo local y consideramos que la
contribucin inica es muy pequea.

d e
r ( ) 1

0 0

Debido a su pequea masa los electrones siguen al campo instantneamente

d
r ( ) n
0
2

r ( ) n
2

r n 2

N 0

1
1 i

r (0) n 2

1- i
r ( ) r' ( ) i r'' ( ) Los campos E y D no estn en fase

r (0) n
2

n
2 2
'
r


''
r

r (0) n 2
2 2

Dispersin de la permitividad
Ntese que:
r (0) n 2
n
1 2 2
'
r

Si

constante igual a r 0


''
r

r (0) n 2
1 2 2

1
'
, entonces r

Si
, entonces
Se aproxima a n2

es una

r' disminuye y


''
r

alcanza un mximo cuando

y la curva decrece a la mitad cuando (1 2 2 ) / 4

Para materiales dipolares es aprox 10-11 s (microondas)

Absorcin ptica y Permitividad Compleja

La situacin es que en los tres casos la permitividad es una funcin


compleja de la permitividad. Mostramos en las dos diapositivas
siguientes que la parte imaginaria de la permitividad elctrica est
directamente relacionada con el calor disipado por efecto Joule de la
corriente de desplazamiento.

Absorcin ptica y Permitividad Compleja


Calor disipado por efecto Joule por unidad de volumen:
dW
Re J d
dt
Jd

Re E

dD
dt

D(t) 0 ( r ( ) i r ( ) ) Es ei t

Jd (t) - i 0 ( r ( ) i r ( ) ) E(t)

Absorcin ptica y Permitividad Compleja


E(t) Es eit = (ER i EI ) Cos t - i Sen t
ReE

ERCost EI Sent

ReJ d (t) r ERCost EI Sent r EI Cost ER Sent


Promediando en un perodo la potencia disipada:
dW
Re J d
dt

Re E

Absorcin ptica y Permitividad Compleja


dW
1
2
''

0 r ( ) E
dt
2
Conclusin: la rapidez de absorcin de energa por el medio es
proporcional a la parte imaginaria de la permitividad elctrica :

r'' ( )
NOTA: La perdida de energa por unidad de volumen y por unidad de
tiempo es igual a la variacin del vector de Poynting por unidad
de espesor.

d S
dW
S (x+x)-S(x)
x
dt
dx

Propiedades pticas de metales


Anlogamente a modelo de Drude, expresin para conductividad ac :
m

dv
mv
qEdt

Ey

E0e

i t

e
1
vy *
E
me 1 i

0
( )
1 i
0
'
1 2 2

0
''
1 2 2

Propiedades pticas de metales


Permitividad elctrica compleja en metales:

E
H 0
J
t

E
- i E
t

E
H 0
E
t
E

H 0 i
t

()
( ) 0 i

0
0
'
''
i
r r i r 1
2 2
2 2

)
(
1
)
(
1
0
0

Propiedades pticas de metales


( )
(n 1) 2 k 2
R
(n 1) 2 k 2

2
a( )
k
c

n
k

r 1/ 2

n ik

Reflectancia
Coeficiente de absorcin

ndice de refraccin

Coeficiente de extincin

Propiedades pticas de metales

0
0

r i 1

i
2 2
2 2

)
(
1
)
(
1
0
0

'
r

''
r

Regin de bajas frecuencias

1/ 2


n k
2
''
r

I I 0e x

1/ 2


2 0

1/ 2

0c


2 0
2

r ( ) i r''

Skin depth, profundidad de penetracin

Propiedades pticas de metales


Regin de altas frecuencias

r r' i r'' 1

1 :

0
0

i
0 (1 2 2 ) 0 (1 2 2 )
2
Nq
p2
0 me*

r ( ) (1 )

2
p
2

donde q es la carga del electrn y N es la concentracin de electrones


Algunos valores de frecuencia de plasma:

Li

p
p

1,22 x 1016 Hz
155 nm

Na

Rb

0,89

0,593

0,55

210

315

340

Ag

Propiedades pticas de metales


TRANSPARENCIA EN EL ULTRAVIOLETA

p2
r ( ) (1 2 )

( ) r

1/ 2

n ik

Si < p entonces n() = i k

(n 1) 2 k 2
R
1
2
2
(n 1) k
Si > p entonces n() = n real,
Entonces el metal transmite como
un dielctrico normal.

Propiedades pticas de metales


Si = p entonces

r ( ) = 0, la ecuacin de maxwell:

E 0
Ser satisfecha para cualquier E, sin necesidad de que ste sea
perpendicular al vector K, es decir, tenemos la posibilidad de modos
longitudinales. A estos modos de oscilaciones longitudinales de los
electrones se les llama plasmones

PLASMONES
Al valor de frecuencia = p se tiene que r = 0 y por lo tanto la
Ley de Gauss E 0 permite la propagacin de ondas
electromagnticas longitudinales.
u

A
++++++++++++++++++++++

E(t)

--------------------------------------

=
d2u
N 2 e2
Nm 2 =-NeE=
u
0
dt
2
Nq
p2
0 me*

NeAu
n e Au N e u
A n e u
A

d2u
2
+

p u = 0
2
dt
Frecuencia de plasmn volmico en un
slido ideal (infinito)

PLASMONES

Espectrmetro con analizador


electrosttico para el estudio de
plasmones

Espectro de prdida de energa para electrones


que pasan a travs de una pelcula delgada de
magmesio.

Plasmones superficiales: Considere un plasma semiinfinito en el lado


positivo del plano z = 0. Una solucin a la ecuacin de Laplace en el
plasma es:

Ui ( x, z )

Ezi ( x, z)

A Cos k x e- k z

kA Cos k x e- k z

a) Demostrar que U e ( x, z )

Exi ( x, z)

kA Sen k x e- k z

A Cos k x e k z , para z 0

Satisface la condicin de frontera para la componente tangencial de E..


Encontrar E0x.

b) Demostrar que la condicin de frontera par D requiere que r = -1,


por lo tanto


2
s

Prob 1 cap 10 Kittel 5ta edicin

1 2
p
2

Modo de plasmn de una esfera: La frecuencia del modo de plasmn

uniforme est determinado por el campo despolarizante de una esfera, donde


P = - n e r, y r es el desplazamiento promedio de los electrones de concentracin n.
Demostrar usando la segunda ley de Newton que la frecuencia de resonancia del
gas de electrones es:
2
Nq
p2
3 0 me*

Debido a que todos los electrones participan en la oscilacin, tal excitacin es llamada
Una excitacin colectiva o un modo colectivo del gas de electrones.
Prob 5 cap 10 Kittel 5ta edicin

SPR en un experimento de reflexin


interna total

En un experimento de reflexin interna total la intensidad reflejada es igual a la


Intensidad incidente. Sin embargo hay un campo evanescente que se propaga
a lo largo de la interface. Si la onda evanescente tiene la frecuencia del plasmn
i
superficial, entonces, la onda reflejada tendr un mnimo.

Sen i

Modelo SPREETA Texas Instruments

Texas Instruments (35 dolares)

Transiciones interbandas en slidos


d 2x
m 2 m02 x eElocei t
dt
e 2 /m
2 2
0 -

Modelo cuntico, teora de perturbaciones dependientes del tiempo:

f
e2
e 2 j0 2
m j0 j 0

Transiciones interbandas en slidos


1
p eA 2 V(r)
H
2m

H0

1 2
p V(r )
2m

H1 (r, t)

e
Ap
m

A es el potencial vectorial magntico y se relaciona con E as:


E

A
t

A A0 e expik r t c.c.

De la teora de perturbaciones dependientes del tiempo:


2

e
w , t, k v , k c 2 2
m

dt dr (k , r, t ) A p (k
c

, r, t )

v (k v , r, t ) exp - i -1E v (k v ) t exp (ik v r) u v (k v , r)

Transiciones interbandas en slidos


w , t, k v , k c

2 t
0
2 2
0

eE
m

1
dt

exp
i

(E c E v )te Mvc

e M vc d r exp i (k v k ) r u*c e exp i (k v r) u v


V

w , t, k v , k c

e E expiEc E v t / 1
e M vc
iEc E v /
m
2
0
2 2

d w e2 E02
2
2 2 e Mvc 2 (Ec - E v - )
dt m

Transiciones interbandas en slidos


dWVC
e2 E02

dt
2 2 m2 2

2 e2
( )
0 2 m 2 2

e M vc (E c - E v - ) d

e M vc (E c - E v - ) d

2 e2
2
( )
dS
e

M
vc
0 2 m2 2

dE
(E c - E v - )
k E c - E v

2 e2

r ( )
0 2 m2 2

Ec (k ) Ev (k ) Eg

dS e M vc
(Ec - E v )
E E
c

k
2

r( )
Problema 24 captulo 8 Omar

8 e
0 m2 2

2m
2

3/2

e M vc

- E0 1/ 2

Relaciones Kramers-Kronig
TEOREMA 1:
f (z) = u(x,y) + i v(x,y) tiene singularidades slo debajo del eje real
f(z) 0 uniformemente cuando z
u(x) es par y v(x) es impar .
Entonces:

2
x v(x) dx
u(x 0 ) P
0 x 2 x 02
2 x 0 u(x) dx
v(x 0 )
P
0 x 2 x 02

Relaciones Kramers-Kronig
Frmula integral de Cauchy:

1
f(z)
2 i

f ( ) d
z

z (x 0 ,0)

A travs de contorno superior:

C1

C1

f ( ) d
0
z

f ( ) d
f ( ) d
PP
i f (z)
z
z

1
f( ) d
f (x 0 ) P P
z
i

u ( x0 )

v (x) dx
x x0

u (x) dx
v( x0 ) P
x x 0

Relaciones Kramers-Kronig
u ( x0 )

v (x) dx
x x0

1
v (x) dx
v (p) dp
u( x0 ) P

0 x x 0 p x 0

p-x

v (x) dx
v (-x) (-dx)
v (x) dx

- (x x 0 ) x x 0
x x0
0
u( x0 )

P
0

x v (x) dx
x 2 x 02

Relaciones Kramers-Kronig
1

u (x) dx
v( x0 ) P P

x x0

u (x) dx 0 u (p) dp
1
v(x 0 ) PP

0 x x 0 p x 0
0

u (x) dx
u (-x) (-dx)
p-x

- (x x 0 )
x x0

2x 0
u (x) dx
v(x 0 )
P P 2
2

x
0
0

Relaciones Kramers-Kronig
Demostraremos ahora que la susceptibilidad elctrica

( ) ' ( ) i ' ' ( )


Satisface las condiciones del teorema 1 y por lo tanto:

' ()

1
(s)
() PP
i
s

P
0

s ' ' (s) ds


s2 2

' (s) ds
2
' ' ( )
P 2
2
0 s

Relaciones Kramers-Kronig
Obsrvese que si extendemos la susceptibilidad como una funcin
compleja de variable compleja, entonces () :

1
( )
02 2 i
2
p

satisface las condiciones del teorema 1.

Efectivamente:
Los polos estn en la parte inferior del plano complejo y son:

1,2

2
i

- 0 donde 02 02
2
4

Relaciones Kramers-Kronig
Consideremos ahora la transformada de Fourier de la susceptibilidad:

G(t)

2
p

e-i t d
,
2
2
0 i

que la interpretamos como la respuesta del material a un pulso de


campo elctrico:

E(t) E 0

e-i t d

Hay varias maneras de evaluar la integral A, pero slo una conduce a


Resultados fsicamente compatibles con principio de causalidad:

0, si t 0

G(t) 2 Sen 2 0 t - t/2


e
,
p
0

si t 0

Relaciones Kramers-Kronig
Consideremos ahora la relacin entre los campos E y P y sus
respectivas transformadas de Fourier:

P (t) (t) E (t)

P( ) ( ) E ( )

P( )

P( t ) ei t d

P(t)

P( ) e-i t d

P(t )

( ) E ( ) e-i t d

Por teorema de convolucin


P(t)

G (t') E (t-t') dt' , donde....

G(t)

( ) e-i t d

Relaciones Kramers-Kronig
En general, las relaciones Kramers Kronig se cumplen
independientemente del modelo, para cualquier
( )

G(t) e

( )

-i t

par
d
impar

G(t) e-i t d

Efectivamente, puede verse que esta funcin considerada como una


funcin definida en el plano complejo satisface las condiciones para el
teorema 1. (La nica condicin que debe cumplir G(t) es que:

G(t) 0 cuando t

Relaciones Kramers-Kronig para la


permitividad
En general, las relaciones Kramers Kronig se cumplen
independientemente del modelo, para cualquier

' ( )

P
0

s ' ' (s) ds


s2 2

2
' (s) ds
''( ) P 2
0 s 2

Bibliografa sobre relaciones Kramers-Kronig

Mathematics for Physicists P. Dennery


seccin 23.
Introduction to Solid State Physics 5ta
edicin, captulo 11
Classical Electrodynamics second edition
J.D.Jackson

Polarizabilidad dipolar vs temperatura en gases


Energa potencial de un dipolo en un campo elctrico:

V p E - p E Cos

f e

-V/K BT

pE Cos / K BT

Promedio de la polarizacin en presencia de un campo E a lo largo del


eje X:
p x f( ) d
px

f( ) d

px

pECos / K BT
p
Cos

e
2 sen d

pECos / K BT
e
2 Sen d

Polarizabilidad dipolar vs temperatura en gases


px

p Lu

L u = Coth(u) -

u=

1
u

pE
K BT

Si u << 1 ( campo pequeo) entonces:

px

p2

E
3K BT

r 1
1
p2

e i

r 1
3 0
3K BT

Polarizabilidad dipolar vs temperatura en slidos


w

1-w

Dos orientaciones
Posibles para p

e-2 p E / K B T

e-2 p E / KB T
1 e-2 p E / KB T

Si pE mucho menor que KBT

1 -2 p E / KB T
e
2

px = p (1- w) - p w = p ( 1- 2w)
px = p 1 - e-2 p E / KB T
2 p2
d
K BT

CRISTALES FERROELCTRICOS
Son aquellos cristales en que puede existir una polarizacin an en
ausencia de campo externo.

CRISTALES FERROELCTRICOS
La ferroelectricidad ocurre slo en algunos pocos materiales y por
debajo de una cierta temperatura TC llamada temperatura de Curie.
(r ) B

C
,
T TC

T TC

Tpicamente: B 5, r 1000

C
r
T TC

Divergencia de
Catastrofe de la
polarizacin

CRISTALES FERROELCTRICOS
Algunos materiales ferroelctricos:
Material

TC (K)

Ps en esu cm-2 a T (K)

KH2PO4

123

KD2PO4

213

13500

RbH2AsO4

147

16800

(90)

KH2AsO4

96

15000

(80)

BaTiO3

393

78000 (296)

SrTiO3

32

WO3

223

KNbO3

712

90000

PbTiO3

763

150000 (300)

Sulfato de triglicina

322

8400

(293)

Seleniato de triglicina

295

9600

(273)

16000

(96)

9000

(4)
-

(523)

CRISTALES FERROELCTRICOS
p2

3K BT

2
1
3

1
1
3
r

TC
T TC

Asumiendo polarizabilidad dipolar:


2Np2
C
9 0 K B

N p2
TC
9 0 K B

El modelo parece conducir naturalmente al fenmeno de ferroelectricidad, pero no


est de acuerdo con los rultados experimentales: Para el agua:

1
N 10 29 m 3
3

y p 0,62 debye

TC 1100 K

Sin embargo el agua


no es ferroelctrica

CRISTALES FERROELCTRICOS
El fenmeno de ferroelectricidad se asocia con polarizabilidad inica
r ( )

r ( 0)

n2

A
2t 2

n2

A
2t

El fenmeno de ferroelectricidad se asocia con polarizabilidad inica,


Por qu decrece t?

d2 u
2 2 u 0
dt
2t

CRISTALES FERROELCTRICOS
P

3 0

N e*u

3 0

d2 u
2 2 u 2e* E
dt

d2 u
2Ne*2

2 d t2
3 0

*2
t

*2
t

*
u 2e E

2Ne*

3 0

2Ne*
3 0
2
t

CRISTALES FERROELCTRICOS

Cristales ferroelectricos

CRISTALES FERROELCTRICOS
1 2 1 4 1
F PE g 0 g 2 P g 4 P g 6 P 6
2
2
2

F
0 - E g 2 P g 4 P3 g 6 P 5
P

g 2 (T - T0 )
(T - T0 )Ps g 4 Ps3 0

P T0 T
g4
2
s

1/ 2


Ps
g4

T0 T1/ 2

PROPIEDADES MAGNTICAS
DE SLIDOS
Fsica del estado slido
FC-UNI
Noviembre 2013
ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica

Revisin de frmulas bsicas


m I A

e
r 2 Momento
2

magntico

L m r2
-e
m
L
2m

Momento angular
orbital

Razn giromagntica orbital: -e/2m


-e
m S
m

Razn giromagntica de spin: -e/m


m B
V - m B

m
B

Revisin de frmulas bsicas


dL

dt

Segunda ley de Newton


rotacional

d -e

B
dt 2m

eB
L
2m
E

Frecuencia de
Larmor

e
Lz B
2m

e
E
B mL
2m

B0
Magnetn de
Bohr e
2m

B0

ml 1
ml 0
ml -1

Susceptibilidad Magntica

B0

BM

B 0

N
B 0 0 I
L

B0 0 H

N
IM
L

B 0 H 0 M
B 0 H 0 H

0 1
Permeabilidad magntica del
material

r 1

Clasificacin de los materiales


magnticos
Paramagnticos

Al, Mn, W

Diamagnticos

Cu, Au, Hg, agua, H

Ferromagnticos

10

Fe, Ni, Co

Diamagnetismo de Langevin
F0 m 02 r
Momento magntico del
electrn:

e
el I A 0 r 2
2

Paul Langevin
(18721946)

F0

FL

F0 - e B r m 2 r
m 2 r - m 02 r - e B r
eB
0 2m

Aproximacin vlida
para campos
pequeos

F0

Electrn girando en sentido horario

FL

Electrn girando en sentido


antihorario

F0

FL

En cualquier caso el momento magntico orbital se hace mas negativo


respecto al campo B

Diamagnetismo de Langevin
e2 r 2
B
-
4m

Si la rbita fuera
plana

e2 r 2
B
-
6m

Para una nube electrnica


esfrica

M 0M

0 e 2
6m

N Z r
2
prom

2
10-20 10-5
N 1029 m3 , Z 10, rprom

Diamagnetismo de Langevin
La susceptibilidad diamagntica es ms claramente observada
en aquellos slidos en que las capas atmicas estn
completamente llenas
-6
Elemento

Susceptibilidad (X 10 )

He

- 1,9

Ne

- 7,6

Ar

- 19,0

F-

- 44,0

Cl -

- 24,2

Br -

- 34,5

Na+

- 6,1

K+

-14,6

Paramagnetismo: modelo clsico


Energa potencial de un dipolo en un campo magntico:
V B - B Cos

f e

-V/K BT

B Cos / K BT

Promedio de la polarizacin en
presencia de un campo B a lo largo del
eje Z:

BCos / K T

Cos

e
2 sen d

BCos / K BT
e
2 Sen d

Paramagnetismo: modelo clsico


z

L v

L v = Coth(v) Mara Sklodowska


1867-1934

v=

1
v

mB
K BT

Si v << 1 ( campo pequeo) entonces:

2
3K BT

0 2
=
3K BT

N 2
M = N z =
B
3K BT

Susceptibilidad paramagntica de
Langevin o ley de Curie

Paramagnetismo: modelo cuntico


e
g J
2m
e
E - B - z B g
m j B g B m j B
2m
1
mj
2

1
E1 - g B B
2

1
E 2 g B B
2

E g B B

e E1 / K BT
N1 E1 / K BT
e
e E2 / K BT

e E2 / K BT
N 2 E1 / K BT
e
e E2 / K BT

Paramagnetismo: modelo cuntico


e B B / K BT
N1 B B / K BT
e B B / K BT
e

e B B / K BT
N 2 B B / K BT
e
e B B / K BT

M g B N1 N2

ex e-x
M Ng B x -x Ng B Tanh x
e e
x

g B B
K BT

0 N g B 2
K BT

Fig. 9.9

2
0 Nefect

3K BT

Paramagnetismo
El origen atmico del magnetismo

L Li
i

S Si
i

J LS
e
prom Cos g J
2m

j j 1 s s 1 - l l 1
g 1
2j j 1

Figura 9.10

Paramagnetismo
Reglas de Hund
1) El nmero de spin s toma su mximo valor permitido segn
Pauli
2) El nmero l toma su mximo valor permitido segn
Pauli consistente con 1.

3) Si la capa es menos llena que la mitad, j = | l s |, y


si la capa es mas llena que la mitad, j = | l + s |,
EJEMPLOS:

Ce

Pr3

Un electrn f

1
5
s , l 3, L - S
2
2

s 1, ml 3, ml 2, L = 5, J = L - S
Dos
electrones f

Paramagnetismo en Metales
N 0 B2

K BT
En los metales, la susceptibilidad no
depende de la temperatura y sus
valores son menores

N ef

M N ef

g (E F ) B B
2

2
B

Densidad de estados de electrones


libres (a) en ausencia y (b) en
presencia de un campo B

1
g (E F ) B B 2 B B2 g(E F )B
2

p 0 2B g(E F )
3 T
p

2 TF

Ferromagnetismo
Magnetizacin espontnea debajo de una cierta temperatura,
llamada temperatura de transicin o temperatura de Curie.
Por encima de dicha temperatura la susceptibilidad magntica
obedece la ley de Curie - Weiss.

T - Tf

Figura 9.14

Figura 9.15

Ferromagnetismo de la red
La teora del campo molecular
W M
0 g B M

M N g B Tanh
KB T
KB T
M
x
0 g B

..(A)

M N g B Tanh x

k B Tf
0 N g B 2

... (B)

Ferromagnetismo de la red
La teora del campo molecular explica tambin ley de Curie
M Ng B Tanh x

g B B
K BT

k B Tf

0 N g B 2

tot H HW
0 g B
M M0
(H+M)
K BT
1 Tf
T
M 1 f
H
T
T

T 1
M f
H
T- Tf
C

T- Tf
C

Tf

Ferromagnetismo de la red
El origen fsico del campo molecular

Vexch - j' s1 s2
Vexch y j energa y consante de intercambio,
j positivo

z J' s 2 g s B 0 W

J'

0 N g B

z
2

interaccin dipolar?

V12

2B
0 3
r

tres rdenes de magnitud menos que experimento

e2
Vexch
4 0r

Criterio de Slater: cuando r/2ra >1,5


(r distancia interatmica y ra radio atmico) jse hace
positivo. Es la misma fuerza entre spines que explica
principio de Pauli pero favorece spines paralelos.

Antiferromagnetismo

Orden antiferromagntico

Orden ferromagntico

T Tn1

Fluoruro de
manganeso

Susceptibilidad paralela y perpendicular al


campo para el MnF2.

Antiferromagnetismo

Cmo se diferencia un antiferromagntico de un paramagntco?


1. Por el comportamiento de la susceptibilidadad magntica
2.

Por experimentos con difraccin de neutrones

Antiferromagnetismo

Datos de materiales antiferromagnticos


Substancia
MnO
FeO
CoO
NiO

TN (K)
116
198
291
525

TN1(K)
610
570
330
2000

Ferrimagnetismo

Orden ferromagntico

Orden ferromagntico

Ferritas: xidos inicos


Estructura espinel: Mg Al2O4
Prototipo: magnetita Fe3O4
(56 iones en total, 24 de fierrro, 16
Fe3+ (frricos), 8 Fe2+).
Total cancelacin de los momentos
magnticos de los frricos.
Son los ms tiles, son aislantes

Ferromagnetismo en metales
De acuerdo a la teora anterior, el momento magntico de un tomo debera
Ser s B donde s es entero o semientero, sin embargo toma valores 2.22,
1.72 y 0.54 respectivamente para Fe, Co y Ni respectivamente.

El modelo de electrones itinerantes: La figura muestra densidad


de estados para banda 3d. Si no hubiera campo B, la
magnetizacin sera cero. La interaccin de intercambio produce
B = HW tiende a alinear los momentos en la direccin paralela.

Bandas 3d

Ferromagnetismo en metales
El modelo de electrones itinerantes
Energa que pierde un electrn cuando su momento magntico rota 180 0

1
1
1
1
2
B M W M
0 M 2 0 2 B
2
2
2
2
Energa cintica que un electrn gana por encima del nivel de Fermi?

1
n gE F E
2
E

2
respuesta
gE F

Condicin para que los electrones de la BC produzcan ferromagnetismo:

2 0 2B

2
gE F

Ferromagnetismo en metales
g(EF) produce ferromagnetismo porque cuando g(EF) es
grande acomoda ms electrones en un rango pequeo
de energa

Densidad de estados en las bandas 3d y 4s del nquel

Dominios Ferromagnticos
En su estado natural los materiales ferromagnticos
estn usualmente desmagnetizados
Weiss postul que el cristal est subdividido en un gran
nmero de dominios y cada dominio s est magnetizado
Los dominios se pueden ver en un microscopio, puliendo
bien la muestra y colocando un polvo fino ferromagntico
sobre la superficie
Los dominios se forman para minimizar la energa total
constituida por cuatro contribuciones:
Energa magnetosttica, energa de intercambio en las paredes de Bloch,
Energa magntica anisotrpica y energa de magnetostriccin.

Dominios Ferromagnticos

La energa magnetosttica disminuye cuando


un dominio grande se divide en 2 porque hay un
factor de desmagnetizacin pequeo para
geometras alargadas.

La interaccin de intercambio hace que


cuando un spin rote 1800 para formar
una pared se consuma energa. Esto
limita el nmero de dominios.

Los cuatro tipos de energa

Dominios Ferromagnticos

El efecto de la energa de anisotropa es


reducir el espesor de la pared porque cuando
ms gruesa es la pared, ms spines apuntan
en la direccin dficil

Pequeos dominios en
los bordes relacionados
A la energa de
Magnetostriccion.

Los cuatro tipos de energa

Dominios Ferromagnticos

Figura 9.24: Observacin de los dominios ferromagnticos con


ayuda de un microscopio ptico

Dominios Ferromagnticos
El Proceso de
magnetizacin

En cada ciclo se pierde energa igual


al rea de la curva de histresis:

Figura 9.29

Dominios Ferromagnticos

Disposicin experimental para observar la curva de


histresis

SUPERCONDUCTIVIDAD
CAPTULO 12

FSICA DEL ESTADO SLIDO


FC UNI
Diciembre 2013
ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica

RESISTENCIA ELCTRICA CERO


En un material superconductor la resistencia elctrica es nula.
Esto generalmente ocurre por debajo de una temperatura
crtica Tc . Por encima de esta temperatura el material es un
metal normal.

Heike Kamerlingh Onnes


Laboratorio Leiden, Holanda
[Estudi en Alemania, sus
profesores: Bunsen y
Kirchhoff]

Se han observado corrientes que persisten varios aos. R = 0 , R = 10-25 ohm.

RESISTENCIA ELCTRICA CERO


En los metales existe una resistividad elctrica residual atribuida a
los choques de los electrones con las impurezas

Los grficos muestran la comparacin del comportamiento de la


Resistividad elctrica en un metal y en un superconductor.

La forma como se produce la transicin de metal a superconductor


depende de la concentracin de impurezas. En un metal puro la
transicin es abrupta.

OCURRENCIA DE LA SUPERCONDUCTIVIDAD

DIAMAGNETISMO PERFECTO O
EFECTO MEISSNER
El campo B dentro de un cuerpo en estado superconductor es cero.
B 0 H M

B 0 1 H

M H

1
En una serie de experimentos con cilindros superconductores,
demostraron que por debajo de Tc , el flujo magntico es sbita y
completamente expulsado.
Observacin hecha en Berln en 1933 por dos fsicos alemanes
Walther Meissner y Robert Ochsenfeld.

DIAMAGNETISMO PERFECTO O
EFECTO MEISSNER
Diamagnetismo perfecto significa tambin que el superconductor repele
a cualquier imn.

El efecto Meissner-Ochsenfeld podra ser la base de un tren de levitacin magntica.

CAMPO MAGNETICO EN UNA


ESFERA PARAMAGNTICA

Blindaje magntico

EFECTO ISOTPICO
Ha sido observado que la temperatura crtica de los superconductores
vara con la masa isotpica. Las primeras observaciones fueron hechas
por Maxwell y Reynolds (1950-51). En mercurio Tc vara de 4,185 a
4,146 K cuando la masa atmica media vara de 199,5 a 203,4.
M Tc constante

EFECTO ISOTPICO

CAMPO CRTICO
Poco despus que Onnes descubri la superconductividad, se descubri
tambin que la superconductividad puede ser destruida por el efecto de un
campo magntico. Si un campo magntico suficientemente fuerte,
llamado campo crtico es aplicado a una muestra superconductora, ella
vuelve a ser normal y recobra su resistividad, aun a T menor que Tc.
T 2
H c (T ) H c (0)1
Tc

CAMPO CRTICO
Tabla
Algunos valores de campo crtico para algunos superconductores

Superconductores tipo I y tipo II

TERMODINMICA DE LA TRANSICIN
SUPERCONDUCTORA
En esta seccin tratamos de unificar las observaciones anteriores.
El pico de CV en T = Tc indica un apreciable incremento de la entropa
(desorden) cuando T aumenta hacia Tc y la transicin hacia el estado
normal es inminente. El estado superconductor tiene un orden mayor que
el estado normal.
b T / Tc
V

C ae

El comportamiento exponencial implica la


presencia de un gap de energa en el espectro
de los electrones. Este gap que est justo en el
Nivel de Fermi previene a los electrones de ser
Rpidamente excitados.

k BTc 10 eV
4

TERMODINMICA DE LA TRANSICIN
SUPERCONDUCTORA

La densidad de estados g(E) vs E para un superconductor, ilustrando el gap


superconductor en el nivel de Fermi. Est magnificado.

/ EF 0,0001eV

TERMODINMICA DE LA TRANSICIN
SUPERCONDUCTORA
E energa de condensacin, equivalente a calor latente de cambio

de estado

E E N EA

Hc

Hc

E BdM 0 H (dH )
E

A 0K:

1
0 H c2 (0)
2

1
0 H c2
2

Si Hc(0) = 500 gauss,E 103 J / m3

TERMODINMICA DE LA TRANSICIN
SUPERCONDUCTORA
Re lacin entre HC , TC , E y
k BTc
n ef n
EF
n k BTc
E
EF

1
0 H c2 (0)
2

2nk
H c (0)
0 EF
2
B

1/ 2

Tc

1
E 0 H c2 (0)
2

Tc 50 K , EF 5 eV , n 10 29 m3 ,
Hc (0) 0,01 T 100 Gauss

EL MODELO DE DOS FLUIDOS


Los electrones de conduccin en una sustancia superconductora son de
dos clases: superelectrones y electrones normales. Los superelectrones
tienen algunas propiedades especiales: no chocan, tienen entropa cero,
(orden perfecto) y una gran longitud de coherencia (104 ). El nmero
de electrones depende de la temperatura. En 1934, Gorter y Casimir
encontraron que la concentracin de los superelectrones debe estar
dada por:
4

T
ns n 1
Tc

A 0K todos los electrones


son superelectrones pero
cuando T aumenta, los
superelectrones decrecen en
nmero y a T= Tc, todos son
electrones normales.

EL MODELO DE DOS FLUIDOS


El modelo de dos fluidos explica la resistencia cero del superconductor.
Para T menor que Tc, algunos superelectrones estn presentes y puesto
que tienen resistencia cero, cortocircuitan a los electrones normales.
El modelo puede relacionarse al concepto de gap. Todos los
electrones debajo del gap estn congelados en su estado de
movimiento. Aquellos encima del gap son electrones normales. El
gap decrece cuando la temperatura aumenta y desaparece a T = Tc.
Cuando T tiende a Tc y el gap desaparece, todos los electrones se
hacen normales.

ELECTRODINMICA DE SUPERCONDUCTORES
J s ns evs

dv
m s e
dt

dJ s ns e2

dt
m

En el estado estacionario, el campo elctrico dentro de un superconductor


desaparece. La cada de voltaje a travs de un superconductor es cero.
Entonces, de acuerdo con la ley de Faraday:

dB
0
dt

En estado estacionario el campo magntico dentro del superconductor


es constante, en contradiccin con el efecto Meissner. Este formalismo
requiere una modificacin:
2
dJ s ns e

m
dt

dJ s
dB
m
De

dt
dt
ns e2

ns e2

J s

ELECTRODINMICA DE
SUPERCONDUCTORES
B

m
ns e

J s Ecuacin de London
2

B 0 J s Ley de Ampere
F y H London

2B

0 ns e 2
m

ELECTRODINMICA DE
SUPERCONDUCTORES
2B

2B y
x2

0 ns e 2
m

B y B y 0e x /

1/ 2

0 ns e 2
m

By


2
0 ns e

Profundidad de penetracin de London

ELECTRODINMICA DE SUPERCONDUCTORES
Clculos a mano alzada muestran que 500 A
verifica experimentalmente

lo cual se

Otra confirmacin impresionante es la variacin de con la temperatura.


T 4
ns n 1
Tc

1/ 2


2
0 ns e

T4
01 4
Tc

1/ 2

1/ 2

con

0
2

n
e
0

ELECTRODINMICA DE SUPERCONDUCTORES
Una tercera conclusin de la teora de London es la existencia de una
corriente elctrica fluyendo cerca de la superficie.

B y B y 0 e x /

ns e2

J s

2 1 / 2

n e
J Z x s B y x J s
m
0

Entonces:

0e x /

El efecto Meissner est acompaado de una corriente superficial.

LA TEORA BCS
Dos electrones dentro de la esfera de Fermi se repelen entre s por la
interaccin coulombiana. Esta fuerza de Coulomb es reducida
sustancialmente por el apantallamiento debido al resto de electrones en
la esfera de Fermi. Es ms, es posible una fuerza atractiva entre dos
Electrones, lo cual permite que dos electrones se atraigan entre s y
formen una especie de molcula: el par de Cooper. La energa de enlace
es ms fuerte cuando los electrones tienen k opuestos y spines opuestos

LA TEORA BCS
Suponer que dos electrones 1 y 2 pasan uno cerca del otro como se
muestra en la figura. Debido a su carga negativa el electrn 1 atrae iones
positivos de modo que el electrn 2 ve un electrn apantallado por los
iones. El apantallamiento reduce la carga efectiva del electrn. Si esto
sucede el electrn 2 ser atrado hacia el 1.

LA TEORA BCS

Se dice que el electrn 1 es rodeado por una nube de fonones y que


entre los dos electrones hay una interaccin atractiva por intercambio de
fonones. El electrn 1 emite un fonn que es rpidamente absorbido por
el electrn 2.

LA TEORA BCS
La teora muestra que el gap de energa a temperatura cero est dado por:

0 4 D

2 / g EF V

DondeD es la frecuencia de Debye, g(EF) es la densidad de estados para


el metal normal en el nivel de Fermi, y Ves la intensidad de la
interaccin electrn-fonn.
Los estados en el rango de energa
1
1

EF 0 , EF 0
2
2

Son ahora prohibidos y la funcin


densidad de estados experimenta
deformaciones como se muestra en la
figura.

LA TEORA BCS
La teora BCS muestra que la temperatura crtica est dada por:

0 3,52 kBTc
La tabla muestra algunos resultados experimentales:

TUNELAJE NORMAL
Al cero absoluto no puede fluir corriente hasta que se aplique un voltaje

Eg

0
2e 2e

El gap es la energa necesaria para que un par de Cooper se disocie en


0
dos electrones, o un electrn y un hueco en el estado normal.

EFECTO JOSEPHSON DC
i

1
t

T 2
1 n1ei1 y

2
t

T 1

2 n2ei2

J J 0 Sen J 0 Sen(2 1 )

superconductor

superconductor

EFECTO JOSEPHSON AC
Cuando un voltaje dc es aplicado a travs de la unin, se obtendr una
corriente alterna.
i

1
t

T 2 eV
1

2
t

T 1 eV
2

(t) (0) 2eVt / .

J J 0 Sen 0 2eVt /

superconductor

superconductor

2eV

SQUID: Superconducting quantum interference device

1) La produccin de grandes campos magnticos. Al decir grandes nos


referimos tanto a una gran intensidad del campo magntico como al
espacio en el cual se crea el campo.
2) La fabricacin de cables de transmisin de energa. Aunque stos ya
se manufacturan a partir de los superconductores convencionales (no de
los nuevos superconductores cermicos), actualmente no son
competitivos comercialmente con respecto a los cables areos normales,
a menos de que cubran una gran distancia (de cientos de kilmetros). En
los casos en que las lneas de transmisin deben ser subterrneas, habra
cierta ventaja econmica con la utilizacin de los cables
superconductores.
3) La fabricacin de componentes circuitos electrnicos. Estos
dispositivos electrnicos fueron ideados originalmente con la intencin
de utilizar la transicin de estado normal a estado superconductor como
un interruptor, mas resultaron decepcionantes con respecto a los logros
alcanzados por los transistores de pelculas delgadas y se ha abandonado
su uso en este aspecto

EL ESTADO FUNDAMENTAL SUPERCONDUCTOR

Tenemos N electrones, cuya energa es principalmente cintica, en estados


indicados por el vector de onda k y el spin , y que interaccionan a travs
del potencial U(K)

H (k ) ak ak
k ,

U
(
K
)
a
a
a a

k 2 K , k1 K , k1 , k 2 ,

k1 , k 2 , K

El primer trmino representa la energa cintica de los electrones medida a


partir del nivel de Fermi.
El segundo trmino representa la interaccin entre electrones a travs de
Los fonones.

EL ESTADO FUNDAMENTAL SUPERCONDUCTOR


H (k ) ak ak
k ,

U
(
K
)
a
a
a a

k 2 K , k1 K , k1 , k 2 ,

k1 , k 2 , K

Transformaciones de Bogoliubov: tienen en cuenta propiedades de


emparejamiento

bk uk ak v k ak , bk uk ak v k ak
bk uk ak v k ak , bk uk ak v k ak

uk Cosk , vk Senk

uk2 v 2k 0
H 2 (k ) v 2k
k

U ( K ) u
k ,K

v k uk K v k K

2
2

2
k
u
v
u
v

k k
k
k

U (K ) u
k ,K

k K


v k K bk bk

EL ESTADO FUNDAMENTAL SUPERCONDUCTOR


H 2 (k ) v 2k
k

U (K ) u
k ,K

v k uk K v k K

2
2

k
u
v

k k
k
k

2 k uk v k uk2 v 2k

U (K ) u
k ,K

U (K ) u
K

k K

uk2 v 2k 0
0 U

u
w

k K

vk K

vk K

k K


v k K bk bk

EL ESTADO FUNDAMENTAL SUPERCONDUCTOR


k
1
u 1 2

2
2
0 k
2
k

k
1
v 1 2

2
2
0 k
2
k

w
1
1
U 20 2 (k )
2 w
1
2w
g ( EF ) U n
2
0

EL ESTADO FUNDAMENTAL
SUPERCONDUCTOR

E0

1/ 2
1 2
2
2
2 k 0 0 (k ) .
2
0
k

El estado fundamental es un auto estado de H con una energa ms baja


que la de una esfera de Fermi llena de electrones.

EL OSCILADOR ARMNICO CUNTICO


p2 C 2
h
x
2m 2
P

p
m0

0 2
h
P Q2
2

Q, P

C 1

m 0

x, p

C
x
0

EL OSCILADOR ARMNICO CUNTICO


2 Q i P

2 P 2 Q2 1

2 P 2 Q2 1

P2 Q2 2 1

0 2
h
P Q2
2

2 Q i P

1

h 0
2

EL OSCILADOR ARMNICO CUNTICO


p2 C 2
h
x , h
2m 2

0 2
1

2
P Q , h 0 N

2
2

1
N N
N

n 1

0

funcin propia de N para el valor propio n - 1

EL OSCILADOR ARMNICO CUNTICO


1
N N
N

n cte n1

n 1 n1

1
n
0
n!

TEORA CUNTICA DEL CRISTAL ARMNICO


2 Q i P
Q

C
x
0

C m

m0
1

x i
p
2
2m0
p2 C 2
h
x
2m 2

2 Q i P

2
0

m0

2

p
m0

1
x i
p
2m0

1
1
2
P( R) u ( R) D ( R R)u ( R)

2 R, R
R 2M

TEORA CUNTICA DEL CRISTAL ARMNICO


H

1
1
2
P( R) u ( R) D ( R R)u ( R)

2 R, R
R 2M

1
ks
N

1
ks
N

i k . R

i k .R

ms (k )

1
es (k )
u( R) i
P( R )
2
2ms k

ms (k )

1
es (k )
u( R) i
P(R)
2
2ms k

1

s k k s k s
2

k ,s

TEORA CUNTICA DEL CRISTAL ARMNICO

u (R), P R

i RR

u (R), u R P (R), P R

i k .R

k ,s

k ,s

0, k no es vector de la red recproca



N , k es vector de la red crecproca

, ks

i kk ss

, k s

k ,s

, ks

TEORA CUNTICA DEL CRISTAL ARMNICO

uR

k s k ,s e s k ei k.R

N k ,s 2ms (k )

PR

m s k
i
k s k ,s e s k ei k .R

N k ,s
2

e k e k
s 1

e
k

i k .R

0,

R0

TEORA CUNTICA DEL CRISTAL ARMNICO

1
1
2

(
)

(
)
P
R

k s
R 2M

s
ks
k s
ks
4 k ,s

1
U s (k ) k s k s k s ks
4 k ,s

1

s k k s k s
2

k ,s

DIFRACCIN DE ELECTRONES POR UN CRISTAL IDEAL


Supongamos que mandamos un haz de electrones rpidos a travs del
cristal, la interaccin del potencial peridico con los electrones origina
transiciones entre estados electrnicos. En la aproximacin de Bohr, en
teora de perturbaciones, la probabilidad de transicin por unidad de
tiempo entre el estado inicial k y el estado final k es proporcional al
cuadrado del elemento de matriz:

M k k

kr U (r)k (r) dV

ei k. r

ondas planas

U(r)

i g.r
V
e
g
g

DIFRACCIN DE ELECTRONES POR UN CRISTAL IDEAL

M k k

i k.r
e

i g.r i k .r
V
e
g e dV
g

i k g k.r
V
e
dV
g

M k k

M k k

Vg , si k g - k 0

0, en caso contrario

DIFRACCIN POR LAS VIBRACIONES CRISTALINAS 1

U(r)

V (r R )
a

M kk

M k k

i k .r
e

i k .r

V
r

R
e
dV
a

i k k.r
e
Va r R dV

M kk

i k k.R
i k k.(r R )
e
e
Va r R dV

DIFRACCIN POR LAS VIBRACIONES CRISTALINAS 2

M k k

1
Va (K)
N

iK.R
e

K kk
1
iK .r
Va (K )
V
(
r
)
e
dV
a

Vc
Si la red est fija, es decir, si no hay vibraciones:

iK.R

1 eiK1L 1 1 eiK2 L 2


iK1
iK 2
e
e
1

iK .R
e

1 eiK3L 3

iK3
1

N K ,g

M k k

Va (g) k k,g

DIFRACCIN POR LAS VIBRACIONES CRISTALINAS 3

Aqu mostramos los pasos para calcular el factor de red en un experimento


de difraccin cuando s consideramos las vibraciones de la red

R R u R (Aq eiq. Aq eiq. )


q

Fred

1
1
iK .R
e
exp i K R A q eiq.R A q eiq.R
N
N
q

1
1
iK.R
iK.R
iq.R
iq.R
e

exp

i
K

A
e

q
qe
q
N
N

exp i K Aqeiq.R Aqeiq.R 1 iK Aqeiq.R Aqeiq.R ...


Fred

1
iK .R
iq.R
e
1 exp i K Aq e

N
q

DIFRACCIN POR LAS VIBRACIONES CRISTALINAS 4


Fred
Fred

M k k

1
1
iK .R
e

exp i K A q ei qK .R

N
N q

1
1
iK .R
e
exp i K A q ei qK .R
N
N q

Va (g) k k,g i kk A q Va kk

Si hablamos de la difraccin de electrones por las vibraciones de la red,


Tenemos que considerar slo:

M k k

i kk A q Va kk

1
n q
Eq
2

Nmq2
Nmq

Aq

Interaccin electrn electrn via un fonn


Para el primer proceso

M k ,k K M k,kK
k K, kK U k, k
E(k) Ek K q
k+K

k-K

q
k

Para ambos procesos:

U K

k+K

k-K

-q
k

M k ,k K 2q

E (k) E k K 2 q 2

Interaccin electrn electrn via un fonn


U K

M k ,k K 2q

E (k) E k K q
2

Para el intervalo : E(k ) E(k K) q


U K

2 M k ,k K

M k k

i kk A q Va kk
M k ,k K

Va K K Aq Va K
2

K 2
2 N m q

FSICA DE SEMICONDUCTORES
FSICA DEL ESTADO SLIDO
FC-UNI
Diciembre 2013

ARTURO TALLEDO
DOCTOR EN FSICA

La Distribucin Maxwell Boltzmann(*)


Dado un sistema de N partculas como las molculas de un gas en un
recipiente, el nmero de partculas en un nivel de energa Ei, con
degeneracin gi es:

Ni A g i e- Ei /KBT
donde A es una constante de normalizacin y KB es la constante de Boltzmann
Si la densidad de estados es g(E), entonces:
Nmero total de partculas

Energa total del sistema de partculas

N A e-E/KBT g(E) dE

Etotal A E e-E/KBT g(E) dE

Es vlida para N partculas distinguibles que no obedecen principio de exclusin de


Pauli

(*)

Ver: Solid -State and Semiconductor Physics por J.P. McKelvey

Estadstica Fermi Dirac


La probabilidad de que un estado de energa E sea ocupado por un
electrn a una temperatura T es:

f (E)

1
e(E-)/KBT 1

donde es el potencial qumico (depende de cada material) y KB la constante


universal de Boltzmann.

Si la densidad de estados es g(E), entonces:


Nmero total de partculas
Energa total del sistema de partculas

N f(E) g(E) dE

Etotal E f(E) g(E) dE

Es vlida para N partculas indistinguibles que obedecen principio de exclusin de


Pauli

Estadstica Fermi Dirac

f (E)

CONCEPTO DE HUECO
Ee

Eh
kh

Ee(ke)

Ke

Eh (kh)
Kh

ke

kh ke

Eh (k h ) Ee (k e )

vh (k h ) ve (ke )

m*h (k h ) m*e k e

CONCEPTO DE HUECO
Ee

Eh
kh

ke

dk h
dk e


e
dt
dt

La carga elctrica del hueco es positiva

Conductores, semicondutores y aislantes


E
BC

BC

BV

Conductores

gap

gap

BV

semicondutores

BV

aislantes

Conductores semicondutores y aislantes

Conductores semicondutores y aislantes

(a) aislantes, (b) metal o semimetal, (c) metal

Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos
2k 2
E c (k ) E g
2m*e

2k 2
E v (k )
2m*h
1 2m e
g e (E) 2 2
2

3/2

1 2m e
g h (E) 2 2
2

E E
g

3/2

1/ 2

E 1/ 2

Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos

E C2

f (E) g(E) dE

E C1

p f h (E) g h (E) dE
-

Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos
3/2

1 2me EF/K BT
n 2 2 e
2

E E
g

1/ 2 E/K BT

Eg

1/ 2 x
x
e dx
0

3/2

1/2
2

me k BT E F /K BT Eg /K BT
n 2
e
e
2
2

dE

Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos
0

p f h (E) g h (E) dE
-

f h 1 f (E) 1 -

eE-E F /K BT 1
g h (E)

1
e(EF E)/KBT 1

1 2m e

2 2 2
3/2

3/2

E 1/ 2

m k T
p 2 e B 2 e-E F /K BT
2

e E F /K BT e E/KBT

Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos

np
mh
1
3

E F Eg K BT Ln
2
4
me
1/T

k BT
ni 2
2
2

3/2

me mh

3/4

E g /2K BT

Estados de Impurezas

e2
V(r)
4 r 0 r
r 10 ,

me
0,2
m0

1 me - m0 e 4

Ed 2
r m0 2(4 0) 2

Ed 0,01eV

Estados de Impurezas

1 m h - m0e 4

E a 2
r m0 2(4 0) 2

Ordenes de magnitud:

Ea 0,01 eV

Concentracin de portadores en
semiconductores extrnsecos
3

k T
3/2 E /K T
n p 4 B 2 me m h e g B
2

np n

2
i

semiconductores extrnsecos tipo n


n Nd

n i2
p
Nd

semiconductores extrnsecos tipo p


p Na

n i2
n
Na

Concentracin de portadores en
semiconductores extrnsecos

DIFUSIN DE PORTADORES EN SEMICONDUCTORES

Difusin bajo diferentes circunstancias: (a) un pulso de concentracin


n vs x en t = 0. Las flechas indican corrientes de partculas. (b) El
Ensanchamiento del pulso debido a la difusin en tres instantes sucesivos.
(c) Un pulso de electrones difundindose y trasladndose en un campo
elctrico. (d) La desaparicin del pulso debido a la recombinacin.

DIFUSIN DE PORTADORES EN SEMICONDUCTORES


Ley de Fick: Para una concentracin no uniforme , la corriente de
partculas J(nmero de partculas por unidad de rea y por unidad de
tiempo) est dado por:
n
J D
x

donde D es llamada la constante de difusin. Esta ley establece que la


corriente es proporcional al gradiente de concentracin.

En el caso de semiconductores el flujo por difusin de electrones y huecos


implica corrientes elctricas:
n
J e eDe
x

J h eDh

p
x

Usando mecnica estadstica se puede demostrar que: D

k BT
e

La ecuacin de difusin para un tipo de portador.

p
J e D
pe E
x

Por ecuacin de continuidad:


p
1 J
2 p

D 2
p E
x
e x
x

t flujo

No todos los portadores fluyen, algunos se recombinan:


p
p p0

t recombinacin
p
p p


t t flujo t recombinacin

p
2 p
p p0
D 2
p E

t
x
x

Esta es la ecuacin de difusin.

Solucin en dos casos


1) Solucin estacionaria para campo igual acero.
2 p p p0
D 2
0

p1 p - p0 Ae

x / LD

LD

1/ 2

2) Solucin estacionaria para campo diferente de cero.

p1 E p1 p1

2 0
2
D x LD
x
2

p1 p - p 0 Ae

x / LD

1 s s, s
2

ELD
2D

Grafico de las dos soluciones

UNION p-n: Propiedad de rectificacin


p

BC

BC

Ed

J nr0 J pr0

J nr0 J pr0

Ea
BV

BV

J nr0 J ng0

J pr0 J pg0

Unin p-n

UNION p-n: Propiedad de rectificacin

I n e( J nr J ng ) eJ ng0 (eeV0 / KBT )

I n e( J nr J ng ) eJ ng0 (eeV0 / KBT 1)

J ng J ng0

J nr0 J nr0e

I p e( J pr J pg ) eJ pg 0 (eeV0 / K BT 1)
eV0 / K BT

I n I n I p e ( J ng 0 J pg 0 ) (eeV0 / K BT 1)

I I0 (eeV0 / K BT 1)

UNION p-n: Propiedad de rectificacin

I I0 (1 - e

eV0 / K BT

UNION p-n: Propiedad de rectificacin

I I0 (1 - eeV0 / K BT )

I I0 (eeV0 / K BT 1)

I I0 (1 - eeV0 / K BT )

I I0 (1 - e

eV0 / K BT

I I0 (e

eV0 / K BT

1)

Unin p-n: Clculo de I0: corriente de saturacin


I0 e J ng0 J pg0
- El campo elctrico est concentrado
en la unin misma.

- Discutimos primero la polarizacin positiva.


La barrera de potencial es reducida por eV0.
Huecos son inyectados desde regin p donde
son mayoritarios a regin n donde son
minoritarios.

- El exceso de concentracin de huecos en


la regin est dado por:

pn1(x) pn (x) - pn0 pn1 x0 e

x / Lp

, x0

pn0 es el valor de la concentracin en equilibrio.

Unin p-n: Clculo de I0


La corriente es debida a la inyeccin y subsecuente difusin de portadores minoritarios
La barrera de potencial es reducida por eV0:

pn x0
pn1 x0

pn 0 eeV0 / k BT

pn 0 eeV0 / k BT 1

pn1 x pn0 eeV0 / kBT 1 e


J pn

x / Lp

, x0

pn1
pn
Dp
Dp
x
x

Unin p-n: Clculo de I0

pn x 0

pn x 0

e Dp pn 0 eV0 / k BT
x / Lp

e
1 e
Lp

e Dp pn0 e Dn n p 0 eV0 / kBT


x / Lp
e

1
e
e

Ln
Lp

Dn n p 0 Dp pn0

I0 e J ng0 J pg0 e

L
L
n
p

Dn
Dp

I0 e n (T )

L
p
L
n
n
p
0
p
n
0

2
i

Unin p-n: Clculo del potencial de contacto


3/2

me k BT E F /K BT Eg /K BT
n 2
e
e
2
2
n n0 U c eEcn E F /K BT
EF

n p0 U c e

E cp E F /K BT

n n0
ee 0 / K BT
n p0
k BT n n0 p p 0

0
Ln
2
e
ni

0 0,3V

k BT N d N a
0
Ln 2
e
ni

Para germanio con Nd = Na = 1016 cm-3

EL ANCHO DE LA UNIN Y EL CAMPO ELCTRICO


d 2
( x)

dx2

x e px Nd x nx Na x
Aproximacin: No hay portadores
d 2n
eN d

, 0 x wn
2
dx

d 2 p eN a

, - wp x 0
2

dx

(1)
(2)
(3)
(4)

El campo es cero fuera de la unin


El campo es continuo en el punto x = 0 (el centro de la unin)
El potencial es continuo en x = 0 y lo escogemos igual a cero.
La deiferencia de potencial entre los bordes de la unin es 0

EL ANCHO DE LA UNIN Y EL CAMPO ELCTRICO


wn N d wp N a

wn 2 0 Na / Nd Nd Na e

1/ 2

wp 2 0 N d / N a N d N a e

2 0
w wn wp
e

1
1

Na Nd

El campo en x = 0
20
E (0)
w

1/ 2

1/ 2

El transistor

FSICA DEL ESTADO SLIDO


Primera edicin digital

Noviembre, 2015
Lima - Per

Arturo Talledo

PROYECTO LIBRO DIGITAL

PLD 2918

Editor: Vctor Lpez Guzmn

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Lima - Per

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de investigacin de las alumnas y alumnos tomando como base el libro digital y las direcciones electrnicas recomendadas.
Que este proyecto ayude a las universidades nacionales en las acreditaciones internacionales y
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Lima - Per, enero del 2011


El conocimiento es til solo si se difunde y aplica
Vctor Lpez Guzmn
Editor