Actividad

Responda a lo que se le pide:

1.
2.
3.
4.

En que consiste la oxidacin trmica.

De cuantas formas se puede dopar un material?
A que temperatura puedo depositar Si utilizando silano como precursor.
Si tengo una velocidad de grabado lateral de 1300 /min, y una
velocidad de grabado vertical de 1340 /min. Calcule la Anisotropa.
5. Qu significa el trmino epitaxia?
6. Qu significa precursor?
7. Cmo cambian las propiedades dielctricas en un material con respecto
a la porosidad de este?
8. Qu precursor necesito para depositar Si 3N4
9. por qu los contactos ohmicos de polisilicio presentan mejores
propiedades comparados con los del aluminio? Explique.
10.Cul es la diferencia de crear un monocristal y una capa monoepitaxial?
11.En un CVD, el crecimiento depende de dos factores: limitado por
transporte de masa y por tasa de reaccin. Qu tipo de crecimiento
debo elegir para depositar una pelcula pasivadora?, Explique por qu.
12.Por qu son peligrosos los precursores utilizados en un CVD?
13.En oxidacin trmica, utilizando oxidacin hmeda. Por qu se utilizan
dos molculas de H20 para el crecimiento de Si02?
14.Qu es la nucleacin homognea? En que consiste? En que parte del
reactor del CVD sucede?
15.Qu es la nucleacin heterogenea? En que consiste? En que parte
del reactor del CVD sucede?
16.Mencione al menos siete reacciones qumicas que se puedan producir
dentro de un reactor CVD, y escriba un ejemplo.
17.Cul es una diferencia entre un grabado y un depsito?
18.Qu precursor necesito para dopar al Si como un material tipo P?
19.Qu es una mscara?Para que sirve?
20.Qu funcin tiene el revelador?
21.Qu es y en qu consiste el grabado qumico seco?
22.Qu es y en qu consiste el grabado qumico humedo?
23.Bajo que condiciones Bias = 0 y Anisotropia = 1.
24.En la tasa de deposicin, qu parmetros importantes intervienen?
25.Qu es un material fotoresistente?
26.Cuntas fuentes conoce que reaccionen con materiales fotoresistentes?
27.Realice una tabla comparativa de APCVD, LPCVD, MOCVD.
28.Es posible depositar diferentes materiales en un reactor de pared fra?
si?no? Por qu?
29.Del diagrama mostrado en el pizarrn. Describa detalladamente el
proceso utilizando fotolitografia y crecimiento de monocristal para hacer
dicho diseo.
30.Cul es la finalidad de las lentes utilizadas en la fotolitografia?
31.Si utilizo diborano que tipo de material se deposita en un reactor CVD?
32.Describa la primera y segunda ley de Fick.
33.Cul es la diferencia entre adicin y la tcnica liftoff?
34.Qu es metalizacin?

35.Existen dos tipos de selectividad, explique cules son y en qu

consisten?
36.En el crecimiento de un monocristal (Czochralski) quien rige la
orientacin del cristal?