BLOQUE II.

- ESTRUCTURA

Tema 4.- Solidificacin y Difusin

* William F. Smith
Fundamentos de la Ciencia e Ingeniera de Materiales. Tercera Edicin. Ed.
Mc-Graw Hill
* James F. Shackerlford
Introduccin a la Ciencia de Materiales para Ingenieros. Cuarta edicin. Ed.
Prentice Hall (1998)
W. D. Callister
Introduccin a la Ciencia e Ingeniera de los Materiales. Libro I (Captulo 7)
Ed. Revert (2000)

Objetivos

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Conocer el fenmeno de la solidificacin

Nucleacin
Crecimiento de grano
Describir la influencia del tamao de granos sobre las propiedades de los
materiales
Analizar la influencia de los defectos
Conocer los procesos y reacciones basados en la transferencia de masa
Dentro del mismo slido
Desde un lquido, gas u otro slido
Entender el concepto de difusin: fenmeno de transporte por movimiento
atmico
Conocer y entender los diferentes mecanismos atmicos de la difusin
Comprender las leyes de la difusin
Influencia de las factores que influyen en la difusin
Conocer algunas aplicaciones industriales del fenmeno de la difusin

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Solidificacin

Proceso desde el estado fundido (lquido) a un estado slido. Es un importante

proceso industrial ya que muchos metales se funden para moldearlos hasta darles
una forma acabada o semiacabada.
Etapas de la Solidificacin
1.
2.

NUCLEACIN Formacin de ncleos/semillas (partculas slidas) estables

en el fundido.
CRECIMIENTO hasta la formacin de cristales y la formacin de una
estructura granular
Lmites /Fronteras
de grano

Lquido

Ncleos

Cristales que formarn granos

Granos
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Mecanismos de Nucleacin

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Formacin de ncleos/semillas slidos ESTABLES en el medio fundido (lquido)

Homognea
Durante el enfriamiento de un
fundido puro Movimiento lento de
los tomos: se forman ncleos
homogneos con un tamao superior
al tamao crtico

Heterognea
Durante el enfriamiento de un
fundido Formacin de ncleos
sobre la superficie de un agente de
nucleacin slido (superficie del
recipiente, impureza insoluble, )

Material Policristalino: slido con muchos monocristales/granos y lmites de grano

Estruct. Granular
Crecimiento de grano ( ordenados regularmente) pero con diferente orientacin
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Materiales Slidos

Policristalinos:

Estruct. Granular

Granos ordenados atmicamente in situ

Diferente orientacin entre granos
Lmite de grano

Monocristales:
nico Cristal/grano

Disposicin atmica perfecta

Celdillas enlazadas misma orientacin

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Grano fino: n muchos puntos de

nucleacin y lmites de grano.
(Metales y aleaciones con aplic.
en Ingeniera)
Grano Grueso: n pocos puntos
de
nucleacin.
(
peores
propiedades)

Slo debe haber un nico punto de

nucleacin.
Componentes
electrnicos y microelectrnica
(monocristales
de
silicio,
transistores, semiconductores y
algunos tipos de diodos (no deben
existir lmites de grano para no
afectar las prop.)
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Tema 4.Solidificacin y Difusin

Difusin

Mecanismo por el que la materia se transporta a travs de la materia.

Fenmeno de transporte por movimiento atmico
Gases mov. tomos/molculas muy rpido
Lquidos mov. ms lento Interacciones atmicas
Slidos SLO vibraciones trmicas en posiciones equilibrio
Difusin en slidos mov. tomos dentro de la red cristalina
Tipos de difusin:
Autodifusin.- Difusin de tomos a travs de un slido
constituido por tomos de su misma naturaleza.
Ejemplo: movimiento de iones en un conductor inico
Difusin de solutos o impurezas.- tomos de
soluto/impurezas se desplazan en una matriz de tomos
diferentes.
Ejemplo: difusin de C o N en matriz de Fe (procesos de
cementacin y nitruracin)
J.F. SHACKELFORD. Introduccin a la
ciencia de materiales para ingenieros. Ed.
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Prentice Hall

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Ejemplo de difusin
2 metales puros Cu-NI en contacto por sus caras

Proceso: elevada temperatura <Tm

Largo periodo de tiempo
Difusin atm Cu

Cu

Aleacin Cu-Ni

Concentracin Ni, Cu

Difusin atm Ni

Ni

Cu

Ni
Extremos: Metales puros (Ni y Cu)
Intermedio: regin ALEACIN

Composicin variable con la distancia

distancia
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Mecanismos de Difusin

Tema 4.Solidificacin y Difusin

DIFUSIN: mov. de atm de un sitio de la red a otro

ocurrir siempre y cuando:
1. posicin reticular prxima vaca
2. atm debe tener suficiente Eg vibratoria como para romper
enlaces con sus atm vecinos y distorsionar la red durante el
desplazamiento

Hay dos mecanismos principales de difusin de los tomos en una red

cristalina:
I.- Mecanismo sustitucional o por vacantes
II.- Mecanismo intersticial

Tema 4.Solidificacin y Difusin

I.- Mecanismo sustitucional o por vacantes

Habr Movimiento tomos
vacantes o defectos prximos para movimiento
Etrmica de los atm para vencer Eactivacin

[vacantes]

difusin

Etrmica <> Eact

Tipo: Autodifusin difusin de impurezas

II.- Mecanismo Intersticial

Tema 4.Solidificacin y Difusin

tomos en posiciones intersticiales se desplazan a otras posiciones intersticiales vacas

sin desplazar permanentemente a ningn tomo de la matriz

Los
tomos
que
difunden
intersticialmente son pequeos
respecto de los de la matriz (ej: H,
N, O, C, .... en redes cristalinas
metlicas ).
Ej:
Ej: atm
atm C
C pueden
pueden difundir
difundir intersticialmente
intersticialmente
en
en Fe-
Fe- (BCC)
(BCC) yy en
en Fe-
Fe- (FCC)
(FCC)

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Mecanismos de Difusin: Energa de Activacin

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Mecanismo
Sustitucional/vacantes

En general,
Eactiv-mec. Sustit.>> Eactiv-mec. Interst.

Mecanismo
Intersticial

Mayora de las aleaciones, la difusinintersticial es ms rpida difusinvacantes , ya

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que los tm son ms pequeos y con ms movilidad

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Proceso de Difusin

Macroscpicamente: difusin = f (tiempo) conocer velocidad

Flujo de Difusin (J) cantidad de masa (n de tomos) M

que difunden perpendicularmente a travs de un rea (A) de un
slido por unidad de tiempo t

1 dM
J=
A dt

(Kg/m2s atomos/m2 s)

Difusin en estado estacionario (J cte con tiempo):

1 ley Fick

Difusin en estado no estacionario (J no cte con tiempo):

2 ley Fick

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Difusin en estado estacionario: 1 Ley de Fick (I)

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Estado Estacionario: J es constante ya que No cambia

concentracin de tomos de soluto en un punto con el tiempo.

la

Ej: Difusin de tomos de un gas (H2) a travs de una fina lmina metlica de
paladio cuyas concentraciones (o presiones) en ambos lados de la lmina se
mantienen constantes
Pd

CA

PA

PB

H2

H2

PA >>PB

Pd

Perfil de concentracin:
pendiente es el gradiente de
concentracin

CA

CB

CB

J: flujo neto de tomos

C C A C B
=
gradiente de concentracin =
x X A X B

XA

XB

Posicin o distancia

J = D

dC
dX

Expresin matemtica: Difusin en

estado estacionario en una direccin

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Tema 4.Solidificacin y Difusin

Difusin en estado estacionario: 1 Ley de Fick (II)

C
J = D
x

J= flujo de difusin ( = n tomos M que difunden por

unidad de superficie y tiempo (at/m2s)
C/x= gradiente de concentracin en una direccin
([at/m3]/m)

D = Difusividad o coeficiente de difusin

(m2/s)

C: masa de la sustancia o n de tomos por unidad de volumen del slido (Kg/m3)

(atm/m3)
El signo negativo indica que la direccin de difusin es contraria al gradiente de
concentracin (desde elevada concentracin a baja concentracin)

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Difusin estado no estacionario: 2 Ley de Fick (I)

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Concentracin solutos

Mayora materiales difusin Estado NO Estacionario la

concentracin de tomos de soluto en un punto del material cambia
con el tiempo flujo de difusin y el gradiente de concentracin
de tomos cambian con el tiempo.
C(x) cte
D = cte
t1< t2<t3

C x C
= D

t
x x

2 Ley de Fick

Cuando D es independiente de composicin:

c x
cx
=D 2
t
x
2

t1

t2

t3

distancia

Ejemplo: difusin de un gas (cuya concentracin superficial se considera

constante); en el interior de un slido semi-infinito ( difusin de carbono en un
acero, saturacin de un metal con gases atmosfricos, etc)
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Tema 4.Solidificacin y Difusin

Difusin estado no estacionario: 2 Ley de Fick (II)

Condiciones lmite: t=0, C=C0 para 0<x<.
t>0, C=Csup (concentracin superficial cte) para x=0
C=C0 para x=

C x C0
x
= 1 erf

Cs C0
2 Dt
Cx = concentracin a una distancia x tras un tiempo t
Erf = funcin de error gausiana

Concentracin, C

Cs

Cs-C0
Cx
Cx-C0

C0
Distancia a la superficie, x

J.F. SHACKELFORD. Introduccin a la ciencia de

materiales para ingenieros. Ed. Prentice Hall

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Factores del Coeficiente de Difusin (I)

Tema 4.Solidificacin y Difusin

La magnitud del coeficiente de difusin D es indicativo de la velocidad

de difusin atmica

a) Tipo de mecanismo:
a) Intersticial
b) Sustitucional/por vacantes
b) Tipo de red de la matriz anfitrin
c) Existencia de defectos
a) Tipo de defecto
d) Tipo de soluto y concentracin de soluto
e) Temperatura

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Factores del Coeficiente de Difusin (I)

Tema 4.Solidificacin y Difusin

a) Mecanismo de difusin
C (Ratm. Pequeo) difunde intersticialmente en Fe- (FCC) y en el Fe- (BCC)
Cu (Ratm ) difunde sustitucionalmente en una red metalica de Al

W.F. SMITH Fundamentos de la ciencia e ingeniera de materiales. Ed. McGraw-Hill

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Factores del Coeficiente de Difusin (II)

Tema 4.Solidificacin y Difusin

b) Tipo de estructura cristalina de la red cristalina anfitriona/matriz

D (C en Fe-, FCC)=5.10-15 m2/s < D(C en Fe-, BCC)=10-12 m2/s
f(BCC) =0.68< f(FCC)=0.74

c) Tipo de imperfecciones o
defectos en el cristal:
-Estructuras abiertas ( canales,
planos, ) D
- Dsuperficie > Dborde grano> Dinterior
d) Concentracin especies que difunden
1.
2.

Variacin de las fuerzas de

cohesin entre tomos.
Direcciones
preferenciales
de
migracin para disminuir la eg
interna de la red

J.F. SHACKELFORD. Introduccin a la ciencia de

materiales para ingenieros. Ed. Prentice Hall

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Factores del Coeficiente de Difusin (III)

Tema 4.Solidificacin y Difusin

e) Temperatura:
T D
Difusin de tomos:
al T Energa trmica atm.
mayor probabilidad de mov. D
D = f (T) (dependencia tipo Arrhenius):

D = D0 e

E act
RT
J.F. SHACKELFORD. Introduccin a la ciencia de
materiales para ingenieros. Ed. Prentice Hall

D = difusividad (m2/s)
Do= cte proporcionalidad (factor de frecuencia)
Eact= E activacin necesaria para producir el
movimiento difusivo de 1 mol de tomos
R = cte. gases
T= Temperatura (K)
Al Tf ED (ya que E enlace)
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Aplicacin en procesos industriales

Tema 4.Solidificacin y Difusin

BUSCAR EJEMPLOS DE APLICACIONES INDUSTRIALES

DONDE SE PRODUZCA EL FENMENO DE LA DIFUSIN

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Aplicacin en procesos industriales

Tema 4.Solidificacin y Difusin

1. Endurecimiento superficial del acero (engranajes o ejes):

procesos de Carburacin o Cementacin (CH4-N2):
contenido en C
2. Fabricacin de circuitos electrnicos integrados con obleas
de Si dopados con impurezas para modificar las
caractersticas de la conductividad trmica.
3. Nitruracin de polvo de Si: Si3N4

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Tema 4.Solidificacin y Difusin

DIFUSIN Y EL PROCESADO DE MATERIALES

1.

Endurecimiento superficial del acero (engranajes

o ejes): procesos de Carburacin o Cementacin:
contenido en C superf. y Nitruracin
contenido en N superf.

2.

Fabricacin de circuitos electrnicos integrados

con obleas de Si dopados con impurezas para
modificar las caractersticas de la conductividad
elctrica.

3.

Descarburacin:
perdida
superficialmente en los aceros

4.
5.

Sinterizacin
Soldadura por difusin

de

carbono

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Cementacin

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Endurecimiento Superficial:
Superficie: fase martenstica (muy
dura)
Interior: estruct. baintica y perltica
(muy dctiles y tenaces)

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Sinterizacin

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Formacin de puentes o cuellos entre las partculas o granos

independientes, para formar un compacto con las partculas ya unidas

Importante: conformado/fabricacin de materiales cermicos

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Soldadura por difusin

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Formacin de puentes o cuellos entre las partculas o granos

independientes, para formar un compacto con las partculas ya unidas
Tensin

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