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EL
E
CT
R
O
NI
CA
III
MODULACION EN AMPLITUD
Autor:
Ctedra:
Electrnica III
Agosto de 2001
MODULACIN EN AMPLITUD
Modulacin
Se llama modulacin al proceso por el cual una seal moduladora de audio, TV,
datos, o cualquier otro tipo de informacin, es transferida o incorporada a una seal portadora,
normalmente de alta frecuencia.
La demodulacin es el proceso inverso, es decir, la recuperacin de una seal
moduladora desde una portadora.
En una comunicacin existe un proceso que responde al siguiente diagrama:
Canal de RF
Demod
III
Mod
Reproductor
Informacin
CA
Generador
RF
Seal de
Informacin
O
NI
CT
R
EL
E
vc (t)
F(t)
Seal modulada
vm (t)
Portadora
-
Seal moduladora
Electrnica III
-2-
FCEyT-UNT
(1)
III
Modulacin en amplitud
O
NI
CA
Para evaluar en detalle una seal modulada, es necesario precisar los conceptos de
frecuencias de portadora y de bandas laterales. Tambin se debe determinar el ancho de
banda necesario para cada tipo de modulacin.
Se define como seal de portadora a la siguiente expresin:
vc (t ) = Ac (t )cos( c t + c )
(2)
CT
R
(3)
EL
E
Cuando esta seal moduladora es utilizada para generar una seal de AM, la
portadora modifica su amplitud segn la siguiente forma:
v AM (t ) =(Vc + Vm cos m t )cos c t
(4)
A(t ) = V c + Vm cos m t
(5)
Vm
cos m t )cos c t
(6)
Vc
El cociente entre la tensin de pico de la seal moduladora y la de la portadora se
define como el ndice de modulacin de amplitud y se lo representa as:
Electrnica III
-3-
FCEyT-UNT
ma =
Vm
.
Vc
0 ma 1
III
vm(t)
O
NI
(a)
EL
E
CT
R
vAM(t)
CA
(b)
Vm
100 [%]
Vc
Asignando el valor de ma, a (6), la seal modulada en amplitud es:
v AM (t ) =Vc (1+ ma cos m t )cos c t
(7)
Electrnica III
-4-
FCEyT-UNT
ma
(8)
cos( c + m )t + Vc
ma
cos( c m )t (9)
EL
E
CT
R
O
NI
CA
III
En (9) se ve que una portadora modulada en amplitud por una seal senoidal, est
compuesta por tres trminos que son funciones seno. El primer trmino es la portadora, el
segundo se denomina banda lateral superior y el ltimo es la banda lateral inferior.
La representacin anterior de la seal de AM, denominada temporal, puede ser
sustituida por otra forma de presentacin, llamada espectro de frecuencias.
El espectro de la seal de AM se muestra en la figura 4, donde se observa que el
mismo se compone de una portadora de frecuencia fc, que tiene a ambos lados las bandas
laterales con las frecuencias fc-fm y fc+fm, separadas una distancia fm de la misma. La
portadora tiene una amplitud constante e igual a Vc, mientras que las bandas laterales pueden
tener magnitudes que varan entre 0 y Vc/2.
Tambin resulta esclarecedor verificar
Vc
como se forma la seal modulada en amplitud a
partir de la suma de los fasores que representa la
ma/2 Vc
ma/2 Vc
portadora y sus dos bandas laterales. En la figura 5
fm
fm
se observa que el valor de pico de la portadora se
f
obtiene de la suma vectorial de los tres fasores, en
fc-fm
fc
fc+fm
los tiempos t0, t1, t2, y t3.
Figura 4.- Espectro de una seal de AM
Si se tiene en cuenta que las frecuencias
angulares de los tres fasores tienen a c como valor
comn, se puede tomar como referencia de fase el fasor portadora. En este caso los fasores de
las bandas laterales se mueven en sentidos contrarios entre s, a las frecuencias m y -m
respecto al de la portadora.
En esta grfica es importante observar que el fasor resultante est siempre en fase
con la portadora. Esto se debe a que las bandas laterales siempre tienen igual amplitud y sus
fases son iguales en valor absoluto pero de signos contrarios. Como consecuencia se verifica
que no existe ningn tipo de modulacin de fase en una modulacin en amplitud.
En caso de que una seal moduladora est compuesta por ms de una senoidal, habr
tantos pares de bandas laterales como senoidales componen a la misma.
Ejemplo: Si la seal moduladora es:
(10)
Su espectro estar formado por 4 bandas laterales. Los ndices de modulacin para
cada frecuencia son los siguientes:
Electrnica III
-5-
FCEyT-UNT
vAM(t)
c -m
c +m
VBLI
VBLS
Vc
c +m
c -m
Vc
c -m
c +m
VBLI
c
VBLS
VBLI
c
VBLS
Vc
c -m
VBLI
VBLS
c +m
c
Vc
t2
t1
t3
t0
t1 t2
t3
III
t0
Vm1
V
y ma 2 = m 2
Vc
Vc
(11)
O
NI
ma1 =
CA
CT
R
AB = 2 f m mx
EL
E
V
m 1 ma 1
Pcm = c + Vc a
+ Vc
= Pc + PBLI + PBLS
2R
2 2R
2 2R
(13)
Electrnica III
-6-
FCEyT-UNT
2
2
2
2
Vc
Vc ma
2 ma
1 +
+ Vc
=
Pcm =
2R
4 R 2 R
2
Vc
2R
ma 2
Pcm = Pc 1 +
2
(14)
CA
III
O
NI
ma = 2 cm 1
Pc
(15)
Pcm =
2
v AM
(t ) dt
(16)
EL
E
CT
R
Vc
+ Vc
2R
ma1
4R
+ Vc
ma 2
+ ... + Vc
4R
1
2
2
2
Pcm = Pc 1 + ma1 + ma 2 + ... + man
2
man
(17)
4R
2
2
2
2
Vc ma1
m
m
1+
+ a 2 + ... + an
2R
2
2
2
Pcm =
(18)
Electrnica III
-7-
FCEyT-UNT
mef =
(m
2
a1
+ ma 2 + ... + man
(19)
Pcm = Pc 1 + mef2
2
(20)
Es conveniente hacer notar que la condicin de que mef<1, no implica que no exista
una distorsin por sobremodulacin de la seal.
Otra forma importante de evaluar la potencia de un transmisor de AM es medir o
calcular la potencia "PEP" (peak envelope power) que se define como la mxima potencia
media para un ciclo de RF y se expresa como.
(V + Vm )
Vcm
= c
2R
2R
III
(21)
CA
PPEP =
O
NI
EL
E
CT
R
Modulacin en DBL
Las seales de AM sin portadora, tambin llamadas de "doble banda lateral" o DBL
se obtienen a partir de una seal que modula a una portadora en un modulador balanceado o
Modulador
Balanceado
vDBL (t)
vc
Portadora
+
v m (t)
-
Seal moduladora
Electrnica III
-8-
FCEyT-UNT
(22)
Para ver con mayor claridad las componentes de vDBL es conveniente escribir la
ecuacin anterior as:
v DBL (t ) =
Vm
cos( c + m )t +
Vm
cos( c m )t
(23)
EL
E
(a)
CT
R
vDBL(t)
O
NI
CA
III
vm(t)
(b)
las dos bandas laterales se ven en la figura 7. Es importante destacar que la frecuencia de la
envolvente de la seal modulada es el doble de fm.
El espectro de la seal de doble banda lateral es representado en la figura 8. En una
seal de DBL no se habla de ndice de modulacin. El
Vc
nico lmite que existe para modular, es el que otorgan
los mrgenes fsicos de los componentes que integran el
modulador y sus amplificadores.
Vm /2
Vm /2
fm
fm
El ancho de banda necesario para transmitir
f
seales moduladas en DBL es similar al de AM. Por lo
fc-fm
fc
fc+fm
tanto es:
AB = 2 f m mx
Figura 8.- Espectro de un seal de DBL
Conclusiones para la modulacin en DBL
AC-0101 - Modulacin en Amplitud
Electrnica III
-9-
FCEyT-UNT
Las seales moduladas en DBL tienen como principal ventaja el ahorro de energa
que brinda la ausencia de la portadora. Sus desventajas ms notables son:
a) La potencia utilizada en una de las bandas laterales es
redundante desde el punto de vista de la informacin que se
transmite.
b) El ancho de banda est duplicado ya que las dos bandas
laterales contienen la misma informacin.
Modulacin en BLU
O
NI
CA
III
EL
E
CT
R
En la figura 9 se muestra una de las formas ms utilizadas para generar una seal de
BLU. Se parte de un portadora generada por un oscilador de RF que excita una de las entradas
de un modulador balanceado. En la otra entrada del modulador se conecta la seal
moduladora, que en este caso es v m (t ) = Vm cos m . En la salida del modulador balanceado se
obtiene la tensin de vDBL donde slo estn presentes las bandas laterales. Si a vDBL se lo pasa
a travs de sendos filtros de banda, uno que da paso a las frecuencias de banda lateral superior
del espectro y otro que pasa las frecuencias de la banda lateral inferior del mismo, se obtiene
a la salida de los mismos seales de BLS (Banda lateral Superior) y BLI (Banda Lateral
Inferior) respectivamente. La banda a transmitir se selecciona con una llave.
Ambos filtros deben tener una banda de paso de 3000 Hz (para uso en banda vocal) y
su atenuacin en el lado de la frecuencia central debe tener una pendiente de por lo menos 40
Filtro de BLS
A
Modulador
balanceado
Amplif. Sinton.
Vc
Filtro de BLI
Portadora
+
Vm (t)
-
Seal moduladora
Electrnica III
- 10 -
FCEyT-UNT
dB en 600 Hz. Si se genera la seal de DBL a una frecuencia de 455 KHz (un valor muy
usado), se observa que las condiciones de selectividad del filtro son muy exigentes.
Normalmente estas no son alcanzadas por filtros LC por lo que se utilizan filtros a cristal,
cermicos u otros.
Vc
Cualquiera de las seales seleccionadas
con la llave,
para ser transmitidas, son
Vm /2
Vm /2
amplificadas por uno o ms amplificadores
fm
fm
sintonizados. Estos deben ser muy lineales para
f
evitar el contenido de armnicas y espurias en sus
fc-fm
fc
fc+fm
salidas. El o los amplificadores deben estar
sintonizados a la frecuencia de la portadora (que
Figura 10.- Espectro de una seal de BLU
no est presente) y su ancho de banda debe
permitir el paso de las seales de BLS y BLI.
III
Mtodo de fase
CA
Oscilador de
Portadora
Seal moduladora
v m (t)
vc
-
EL
E
Red de
Desfasaje
90
Red de
Desfasaje
90
CT
R
O
NI
Modulador
Balanceado
A
Circuito de
Combinacin
Salida
de BLU
Modulador
Balanceado
B
(24)
vcA (t ) = Vc cos c t
(25)
(26)
vcB (t ) = Vc sen c t
(27)
Electrnica III
- 11 -
FCEyT-UNT
En las salidas de los moduladores se obtienen seales de doble banda lateral que
estn representadas por las expresiones (28) y (29). En las mismas, k es una constante que
depende del circuito utilizado para suprimir la portadora:
v A (t ) = kVmVc cos c t cos m t
(28)
(29)
sen sen =
1
[cos( + ) cos( )]
2
III
cos cos =
CA
O
NI
(30)
(31)
EL
E
CT
R
Electrnica III
- 12 -
FCEyT-UNT
CA
III
EL
E
CT
R
O
NI
Referencias bibliogrficas
- Roddy Dennis-Coolen John: "Electronic Communications", third edition, Prentice Hall, Inc-1984
-Tomasi Wayne : Sistemas de Comunicaciones Electrnicas, Segunda Edicin, Prentice Hall Lat.-1996
-Couch II Leon W.: "Sistemas de Comunicacin Digitales y Analgicos", Quinta edicin,Prentice Hall-1998
-Kraus-Bostian-Raab:"Solid State Radio Engineering", John Willey & Sons-1984
-Pgina de la Ctedra EIII- www.herrera.unt.edu.ar/EIII
Electrnica III
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FCEyT-UNT