1-QU ES

Este artculo trata de los dos ms importantes

componentes electrnicos de conmutacin. Un SCR o
TIRISTOR (thyristor en ingls) es un componente
electrnico rectificador de estado slido de 3 terminales:
nodo (A), ctodo (K) y un electrodo de control
denominado puerta (G, gate), desarrollado por la General
Electric (U.S.A.) en 1957 (10 aos despus de la
invencin del transistor bipolar de unin).
Es un dispositivo rectificador unidireccional (es decir, que
deja circular la corriente elctrica en un solo sentido:
desde A hacia K como un diodo rectificador
semiconductor), pero adems del estado "on" (cerrado,
conduciendo) del diodo comn, tiene un segundo estado
estable: "off" (cortado, abierto, sin conducir). Si el voltaje
VGK entre G y K es el adecuado, conduce desde A hacia K.
Su nombre "SCR" (Silicon Controlled Rectifier) proviene
de ser como un rectificador de silicio, pero controlado a
travs de G. Es la versin en estado slido de las antiguas
vlvulas termoinicas llamadas thyratron, y de ah su
nombre "thyristor": thyratron y transistor.
La versin para corriente alterna (AC, Altern Current) del
tiristor es el TRIAC. Mientras que el tiristor es un diodo
controlado y por lo tanto, en general se utiliza en circuitos
de control de corriente continua (DC, Direct Current), el
triac es como un tiristor bidireccional, para utilizar en
circuitos AC.
Los terminales del triac en vez de K y A se denominan

"terminal principal 1" (Main Terminal 1, MT1) y "terminal

principal 2" (MT2), o simplemente "terminales 1 y 2", T1
y T2 (El electrodo de control tambin se denomina puerta,
G, como en el tiristor).
Si el voltaje VG1 entre G y T1 es suficientemente positivo,
en el primer semiciclo AC con VAK positivo (sentido
"directo" o forward) conduce desde T2 hacia T1 (como lo
hara un tiristor). Pero en el otro semiciclo VAK negativo
(sentido "inverso" o reverse), si el voltaje VG1 es
suficientemente negativo, el triac tambin conduce al
revs, desde T1 hacia T2.
En la Figura siguiente se muestra el smbolo del SCR y el
smbolo del triac, en circuitos bsicos donde una fuente
DC y otra AC "alimentan" a una carga a travs del
respectivo dispositivo de conmutacin.
En la parte inferior derecha se muestran dos tiristores
conectados en "anti-paralelo" (back-to-back), indicando
que la funcin del triac puede ser implementada con dos
SCRs de ese modo.

Fig. 1: Se muestran los smbolos del thyristor y del triac

en 2 esquemas bsicos, donde una fuente DC y otra AC
alimentan una carga a travs de estos dispositivos de
conmutacin (se han omitido los circuitos de disparo).

2-PARA QU SIRVE
Adems de la funcin de rectificacin controlada del
tiristor, ste y el triac sirven como dispositivos de
conmutacin de estado slido en DC y en AC
respectivamente. Es decir, son como interruptores
(switches) pero compactos y pequeos, sin calefactor y de
bajo consumo, rpidos y silenciosos, sin partes mviles ni
contactos electromecnicos, sin chispas ni necesidad de
mantencin, y que adems pueden controlarse electrnica
y pticamente.

Estos componentes se utilizan en circuitos muy diferentes,

como por ejemplo controles de velocidad de motores,
regulador de intensidad de iluminacin de ampolletas
(dimmers y luces "psicodlicas"), para activar sistemas de
proteccin, o en convertidores de voltaje para viajes,
cargadores de bateras, magnetizadores de imanes, relays
de estado slido (SSRs), controles de temperatura de
hornos y de potencia de calefactores.

3-DE QU EST HECHO

El tamao de un SCR o de un TRIAC puede ser
relativamente pequeo o grande, ya que como en el caso
de los transistores y los circuitos integrados en general, el
encapsulado (que es lo que vemos desde fuera) vara
segn la potencia que deban disipar y la corriente mxima
de trabajo que deban tolerar. Hay algunos enormes, para
ms de 1500 A, de dimetros entre 5 y 10 cm y con
ctodos y nodos del grosor de un dedo. Estos pueden
costar unos USD 1000 o ms! Otros, en cambio, son
pequeos (menos de 1 cm3), muy econmicos (menos de
USD 2), y operan con corrientes menores que 5A o
disipando menos de 5W.
El triac BT 136-600 en encapsulado TO220 que se
muestra en la Figura siguiente (sobre la esquina superior
derecha de la pgina de un libro), cuesta unos USD 2,
tiene una masa de 2g, mide menos de 3 cm de largo, y
conduce hasta 4 A, en circuitos AC con voltaje de red V
RMS = 380V.

Fig. 2: Triac BT 136-600 sobre un manual Motorola de

dispositivos de disparo y de conmutacin.
Como los diodos semiconductores de silicio, los SCRs y
los TRIACs se construyen con diferentes estructuras de
materiales semiconductores tipo-p, de silicio (Si) dopado
con elementos del Grupo III-A como el aluminio (Al),
galio (Ga) o indio (In), y tipo-n, de Si dopado con
elementos del Grupo V-A como fsforo (P), arsnico (As)
o antimonio (Sb).
Un diodo rectificador de unin n-p est formado por una
unin de 2 capas, una tipo-n (el K) y otra tipo-p (el A). La
fsica del diodo est en la unin y en la distribucin de
portadores en cada material. Pero el SCR es ms
complejo, y est hecho con 4 capas pnpn de
semiconductores: tipo-p (el A), tipo-n, tipo-p (la G) y tipon (el K). En el centro de la siguiente Figura se puede ver

un diagrama esquemtico de su estructura. Tres capas

forman un sandwich: tipo-p (el A), tipo-n y tipo-p.
Finalmente, el K se construye difundiendo material tipo-n
sobre la ltima capa tipo-p, y G se conecta muy cerca de
K, sobre la misma capa de material tipo-p.
El TRIAC est hecho de forma anloga a dos tiristores
puestos en antiparalelo, como si fuese un dispositivo de 5
capas npnpn de semiconductores. Su estructura central es
un sandwich: tipo-p, tipo-n y tipo-p, como el tiristor. Pero
el material tipo-n se difunde sobre ambas capas tipo-p,
para que funcionen como ctodos K en cada uno de los
sentidos de conduccin. El MT2 se conecta a una capa
tipo-p y a la tipo-n difundida sobre ella. En el otro
extremo, se hace lo mismo con el MT1. Y el G tambin
est en contacto con la capa tipo-p y una porcin de tipo-n
difundida sobre ella.

Fig. 3: Smbolo del thyristor, su estructura, y un modelo

con 2 transistores bipolares de unin.

4-CMO FUNCIONA
Se considera separadamente:
(a) Cmo conmuta
(b) Causas ms importantes de disparo
(c) Principales componentes de disparo
(a) Cmo conmuta
El funcionamiento del tiristor se puede entender como un
circuito implementado por dos transistores bipolares de
unin (BJTs) (ver Fig. anterior), en los que hay que tener
en cuenta las siguientes 2 caractersticas:
(I) Cuando a un BJT pnp de Si se le aplica un voltaje VBE
(entre base B y emisor E) suficientemente negativo
(superando el umbral de -0.6 V),
o cuando a un BJT npn de Si se le aplica un voltaje VBE
suficientemente positivo (superando el umbral de +0.6 V),
el transistor "se dispara", i.e. conmuta de off a on en
saturacin (conduce toda la corriente que el circuito y l
mismo permitan), desde el emisor E hacia el colector C en
el pnp, o desde C hacia E en el npn.
(II) Un BJT amplifica la corriente de base IB en un factor

dado aproximadamente por el parmetro denominado "

(beta) del transistor" (o "ganancia de corriente"). Es decir
que la corriente de colector es IC IB, donde depende
de la misma corriente IC.
Ahora bien, supngase que se tiene un TIRISTOR al que
inicialmente solo se le aplica un voltaje VAK > 0 V.
Si se considera al tiristor como un transistor Tr1 npn de
ganancia 1 conectado con un transistor Tr2 pnp de
ganancia 2 como se esquematiza a la derecha de la Figura
anterior, se observa que:
(i) Inicialmente no hay conduccin (IA = 0 A; tiristor
abierto, off).
(ii) Cuando se aplica un voltaje VGK de G a K
suficientemente positivo (VBE1 > 0.6V), una corriente de
puerta IG ( IB1) dispara al tiristor, comenzando la
conduccin desde A hacia K (conmuta de off a on; tiristor
cerrado).
(iii) Entonces, despus del disparo, cuando IG = 0 A, es IB1
= IC2 2IB2. Pero como IB2 IC1 1IB1, se ve que las
corrientes del dispositivo se ajustan para que 1 2 1, y
por lo tanto la corriente de nodo IA del tiristor visto como
2 transistores, resulta aproximadamente igual a IA IE2 =
IC2+IB2 (1+1) IB1.
(iv) Mientras haya voltaje VAK desde A hacia K
suficientemente positivo, seguir existiendo corriente IA
(aunque IG = 0 A), ya que la corriente de colector del Tr2
mantiene alimentada la base del Tr1; y sta es la clave

de su funcionamiento:
El SCR comienza a conducir desde A hacia K por la seal
que hubo en G
El funcionamiento del TRIAC en cada semiciclo AC, est
basado en el funcionamiento del tiristor en DC. El triac
puede estudiarse como dos tiristores conectados en antiparalelo, pero con un solo electrodo de control G. De
hecho, en circuitos de potencia para corrientes AC
superiores a 700 A, suelen implementarse dos tiristores (ya
que no existen triacs de tanta capacidad).
En la Figura siguiente se muestran las correspondientes
curvas caractersticas que resumen el comportamiento de
estos elementos de conmutacin:
SCR: Curva IA vs. VAK (corriente de nodo versus voltaje
nodo-ctodo)
TRIAC: Curva I2 vs. V21 (corriente en el MT2 versus
voltaje entre MT2 y MT1)

Fig. 4: Curvas caractersticas de un thyristor y de un triac.

La zona de corte y saturacin (on-off), se encuentra en el

cuadrante I para el dispositivo unidireccional (SCR) y en
los cuadrantes I y III para el bidireccional (triac). Se
observa que el voltaje principal debe llegar a un cierto
valor para producir el disparo. Este valor cambia segn las
condiciones en la puerta (intensidad y forma de IG y de VGK
o VG1). Una vez disparado, el voltaje entre A y K (o entre
MT2 y MT1) disminuye al valor de conduccin VON, que
es de unos pocos volt (Sera "0 V" en un interruptor ideal
o perfecto). Despreciando la disipacin en la puerta, este
voltaje residual multiplicado por la corriente principal
determina la potencia que el encapsulado del componente
debe disipar:

PD VAKIA para el tiristor, y PD V21I2 para el triac

En la curva caracterstica del SCR tambin se ve (en el
cuadrante III) una corriente inversa de fuga, y para un
valor alto de voltaje inverso, la zona de ruptura donde se
destruira el dispositivo.
(b) Causas ms importantes de disparo
Es importante conocer que hay diferentes mecanismos o
formas o causas de disparo. El disparo por corriente en G,
se denomina cebado por puerta. Pero este disparo puede
producirse por corrientes inyectadas accidentalmente o
intencionalmente. Los casos ms importantes son:
(i) Disparo por magnitud del voltaje VAK inverso:
Cuando una unin semiconductora est polarizada
inversamente, hay una fuga de corriente inversa, que
depende del material, de la temperatura y de la
iluminacin. Si el voltaje inverso VAK es muy grande
cuando el tiristor est en off, la corriente inversa es mayor,
y tambin podra dispararse accidentalmente el tiristor.
(ii) Disparo por magnitud de la rapidez VAK/t de
cambio del voltaje inverso: Cuando el thyristor est en
off y el voltaje entre A y K cambia con un ritmo VAK/t,
se produce una corriente iT debida a la capacidad de
transicin CT, entre las cargas q a un lado y al otro de la
unin:
iT = q/t = (q/VAK) x (VAK/t) = CT (VAK/t)
O sea, se manifiesta el equivalente a una capacidad

elctrica dada por

CT q/VAK
Por lo tanto, un valor muy grande de VAK/t produce un
valor tambin grande de iT, que puede producir
accidentalmente el disparo.
(iii) Disparo por elevacin de temperatura: La corriente
inversa aumenta al doble aproximadamente cada 14C.
Por lo tanto, un aumento en la temperatura, tambin podra
producir un disparo accidental.
Estos casos deben tenerse en cuenta en el diseo de
circuitos con conmutadores de estado slido.
(iv) Disparo por iluminacin: Los tiristores diseados
con ventanas transparentes permiten la creacin electrnagujero a partir de los fotones absorbidos por la unin
semiconductora polarizada inversamente. Por lo tanto,
mediante la luz tambin pueden dispararse tiristores. Este
es el fundamento de los fototiristores (photo-thyristors o
LASCRs, Light Activated SCRs).
Por ltimo, hay que enfatizar que tanto los tiristores como
los triacs tpicos, mientras haya voltaje y est circulando
corriente, una vez disparados siguen conduciendo ("no
cortan solos"). Pero cuando el voltaje entre los electrodos
principales cruza por cero y/o desaparece la corriente,
conmutan a off y hay que volver a dispararlos. Por eso
los elementos de disparo suelen sincronizarse con el
voltaje de la red o de la fuente de alimentacin.

(c) Principales componentes de disparo

Finalmente hay que mencionar que as como el tiristor y el
triac son componentes DC y AC de conmutacin
(switching devices), existen componentes DC y AC de
disparo ( triggering devices), utilizados para disparar a los
tiristores y a los triacs.
Dependiendo del circuito y de la aplicacin, un tiristor se
puede disparar con un conmutador unilateral de silicio,
SUS (silicon unilateral switch), que dispara a un voltaje
fijo entre 6 a 10 V. Otra opcin es dispararlos con un
transistor uniunin, UJT (unijunction transistor), que
dispara a diferentes voltajes, o un transistor uniunin
programmable, PUT (programmable unijunction
transistor).
Tambin pueden dispararse con otro tiristor, o una
ampolleta de nen, o usando transistores, o relays, o un
dispositivo optoacoplado, o a travs de un transformador.
Un componente importante utilizado para disparo de SCRs
es el diodo de 4 capas o diodo Shockley, un dispositivo
precursor del SCR, tambin de 4 capas (npnp). Tiene un
estado off como un SCR abierto, pero cuando el voltaje
directo supera cierto umbral, conmuta bruscamente a un
estado on como el de un diodo rectificador (pero con una
cada de voltaje superior). Su curva caracterstica es
similar a la curva de un varistor asimtrico.
En un circuito AC, el dispositivo de disparo de un
conmutador bidireccional, debe ser tambin bidireccional.
El DIAC (DIode for AC) es la versin bidireccional del

Shockley, que se utiliza como elemento de disparo del

triac. Posee un voltaje de disparo de aproximadamente -32
V y +32 V (En algunos casos se utiliza un disparador
asimtrico). Un triac tambin puede dispararse con otro
triac, relay, dispositivo optoacoplado, o a travs de un
transformador.

Fig. 5: Smbolos y curva caracterstica de un diac (Se

encuentran adheridos a la pizarra un diac ST-2 y varios
diacs DB-3).
A continuacin se muestran partes de las curvas
caractersticas I vs. V de dos diacs, utilizando un trazador
de curvas (Hameg HM6042-1 (V2.01) Curve Tracer). Con
este instrumento, de los 4 cuadrantes (I y IV para
polarizacin directa; II y III para polarizacin inversa),
solo se puede ver un cuadrante por vez.

En el eje vertical Y de la corriente tiene 8 divisiones

(div.Y) y un selector con 3 escalas: 0-2 mA (0.25
mA/div.Y), 0-20 mA (2.5 mA/div.Y) y 0-200 mA (25
mA/div.Y).
En el eje horizontal X del voltaje tiene 10 divisiones
(div.X) y un selector con 3 escalas: 0-2 V (0.2 V/div.X), 010 V (1 V/div.X) y 0-40 V (4 V/div.X).

Fig. 6: Cuadrante I de la curva caracterstica

(0.25mA/div.Y; 4V/div.X) de un diac tipo ST-2 de silicio
(Diffused Silicon Bidirectional Trigger) de 32V/200A
(Breakover Voltage/Current). En el instrumento se observa
un voltaje de disparo VBO 32.9V.

Fig. 7: Cuadrante I de la curva caracterstica

(0.25mA/div.Y; 4V/div.X) de un diac tipo DB-3 (de la
Serie DB3/DB4 de STMicroelectronics) de 32V/50A, de
0.15g y con encapsulado DO-35 (2mm, largo 4mm). El
instrumento indica VBO 31.5V.