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INFORME FINAL

Laboratorio N 2

TEMA: Disparo del tiristor con


circuitos Integrados UJT Y PUT.
GRUPO: 3
SECCIN: B
Integrantes:
CESPEDES CHAUPIS YASSER LENIN

20132137H

LUJAN AREVALO CARLOS DAVID

20112588D

TOLEDO-YANA-GENARO JUNIOR

20132144D

YUPTON LLIUYA STHIP DAVID

20122680K

06/05/2016

INFORME FINAL

2016

ndice
N pag.
INTRODUCCIN ............................................................................................ 2
I.

OBJETIVOS ............................................................................................. 3

II. FUNDAMENTO TERICO ....................................................................... 4


III.

EQUIPOS Y MATERIALES ................................................................... 9

IV.

CIRCUITOS A IMPLEMENTAR .......................................................... 10

V.

CUESTIONARIO ................................................................................. 18

VI.

OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES ............................................ 21

VII.

BIBLIOGRAFA ................................................................................... 22

INFORME FINAL

2016

INTRODUCCIN
En el presente informe de la segunda experiencia del Laboratorio de
Electrnica de potencia, DISPARO DEL TIRISTOR CON CIRCUITOS
INTEGRADOS

UJT

PUT,

comprobaremos

experimentalmente

el

comportamiento de los transistores UJT y PUT al disparar un tiristor y


disearemos los parmetros que necesitamos para lograrlo; para ello
necesitamos saber previamente el correcto uso de los transistores, su curva
caracterstica, el funcionamiento bsico, entre otros que sern abordados en el
fundamento terico.

El transistor mono unin (UJT) es un dispositivo de conmutacin de transicin


conductiva. Sus caractersticas lo hacen ser muy til en varios circuitos
industriales que incluyen temporizadores, osciladores, generadores de formas
de onda y, lo que es ms importante, en circuitos de control de compuertas
para SCR y triacs.

El PUT (Transistor Un unin programable) es un dispositivo que, a diferencia


del transistor bipolar comn (que tiene 3 capas: NPN o PNP), tiene 4 capas. A
diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores
de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parmetros de conduccin del PUT
son controlados por la terminal G.

En este informe se dar una informacin previa de cada transistor, los circuitos
utilizados, la interpretacin de la experiencia al desarrollar el cuestionario y
finalmente las observaciones y conclusiones obtenidas.

INFORME FINAL

I.

2016

OBJETIVOS
Disear circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados
UJT y PUT.
Usando los circuitos diseados disparar un tiristor que activa una
carga.

INFORME FINAL

II.

2016

FUNDAMENTO TERICO

a. TRANSISTOR UJT.
El transistor uniunin (en ingls UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo
de transistor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales
denominados emisor ( ), base uno (

) y base dos (

una barra semiconductora tipo N, entre los terminales

). Est formado por


, en la que se

difunde una regin tipo P+, el emisor, en algn punto a lo largo de la barra, lo
que determina el valor del parmetro , standoff ratio, conocido como razn de
resistencias o factor intrnseco.

a.1. Construccin
Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos
contactos de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se
indican como

respectivamente. Un material de tipo p se utiliza para

formar una juntura p-n en el lmite de la varilla de aluminio y la placa de silicio


tipo n. El tercer terminal llamado emisor (

) se hace a partir de este material

tipo-p. El tipo n est ligeramente contaminado, mientras que el de tipo p est


fuertemente contaminado. Como el tipo n est ligeramente dopado, ofrece una
alta resistencia mientras que el material tipo p, ofrece baja resistividad puesto
que est fuertemente contaminado.

INFORME FINAL

2016

a.2. Curva Caracterstica


Fijndose en la curva caracterstica del UJT se puede notar que cuando el
voltaje

sobrepasa un valor

de ruptura, el UJT presenta un fenmeno

de modulacin de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el


dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, tambin baja el voltaje en el
dispositivo, esta regin se llama regin de resistencia negativa. Este es un
proceso con realimentacin positiva, por lo que esta regin no es estable, lo
que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y
en osciladores de relajacin.

En la figura, se muestra el aspecto de la curva caractersticas de un UJT.


nos indica la tensin pico que hay que aplicar al emisor para provocar el estado
de encendido del UJT. Una vez superada esta tensin, la corriente del emisor
aumenta (se hace mayor que ), provocndose el descebado del UJT cuando
la corriente de mantenimiento es inferior a la de mantenimiento .

INFORME FINAL

2016

a.3. Circuito de Disparo


Las condiciones de diseo para un circuito de disparo de tiristores con UJT, no
son muy rigurosas. La resistencia RB1 se limita a un valor inferior a 100. En
algunas aplicaciones su valor podr valer entre 2000 y 3000. Si el pulso de
disparo se toma delos extremos de RB1, este tendr que tener un valor tal que
la tensin continua

producida por la corriente interbase, no tome un valor

superior a la de disparo del tiristor. VGtmax > RB1. Vcc / ( RBB+RB1+RB2.)El


resistor RE debe tener un valor comprendido entre 3 K y 3 M, para permitir
que el circuito oscile. Si es muy grande, es posible que no llegue a la tensin
de disparo. Si es muy chico, el UJT se dispara pero luego entra en la zona de
resistencia positiva y no vuelve a bloquearse.

= 1
2 =

104



< <

= + 0.5

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2016

b. TRANSISTOR PUT
El PUT es un semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es
similar al del UJT. Es un tipo de tiristor y a veces se le llama tiristor disparado
por nodo debido a su configuracin. Al igual que el UJT, se utiliza
como oscilador y base de tiempos, pero es ms flexible, ya que la compuerta
se conecta a un divisor de tensin que permita variar la frecuencia del oscilador
sin modificar la constante de tiempo RC.

b.1. Fu n cio n amie n to


Si el PUT est polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en
conduccin. El PUT permanece encendido hasta que el voltaje andico es
insuficiente, entonces, se apaga. El apagado se debe a que la corriente
andica llega un valor ligeramente menor a la corriente de sostenimiento.
Es un dispositivo de disparo nodo-puerta (nodo-compuerta) puesto que su
disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensin ms negativa que el
nodo, es decir, la conduccin del PUT se realiza por control de las tensiones
en sus terminales. Si el PUT es utilizado como oscilador de relajacin, el voltaje
de compuerta VG se mantiene desde la alimentacin mediante el divisor
resistivo del voltaje RB1 y RB2, y determina el voltaje de disparo Vp. En el caso
del UJT, Vp est fijado por el voltaje de alimentacin, pero en un PUT puede
variar al modificar el valor del divisor resistivo RB1 y RB2. Si el voltaje del
nodo Va es menor que el voltaje de compuerta Vg, se conservara en su
estado inactivo, pero si el voltaje de nodo excede al de compuerta ms el
voltaje de diodo Vag, se alcanzar el punto de disparo y el dispositivo se
activar. La corriente de pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de la
impedancia equivalente en la compuerta y del voltaje de alimentacin en VBB.
En general Rk est limitado a un valor por debajo de 100 ohm.

INFORME FINAL

2016

b.2. Curva Caracterstica


Mientras la tensin no alcance el valor , el PUT estar abierto, por lo cual
los niveles de corriente sern muy bajos. Una vez se alcance el nivel , el
dispositivo entrar en conduccin presentando una baja impedancia y por lo
tanto un elevado flujo de corriente.
El retiro del nivel aplicado en compuerta, no llevar al dispositivo a su estado
de bloqueo, es necesario que el nivel de voltaje caiga lo suficiente para
reducir la corriente por debajo de un valor de mantenimiento .

b.3. Circuito de Disparo


Consideraciones de diseo:
1 =
2 =

= (1 )
=

2
=
1 + 2

= (

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III.

2016

EQUIPOS Y MATERIALES

Osciloscopio digital
Multmetro digital
01 tiristor 2N3669 o su equivalente
01 UJT 2N4870
01 PUT 2N6027
01 PROTOBOARD
01 foco o motor monofsico
Condensadores electrolticos de 0.22, 0.5, 1, 5, 10, 30 y 50uF a 50V
Resistencias cuyos valores determin en el diseo (15K, 27K, 50 ohm,
0.5K, 100 ohm)
01 potencimetro de 100K para 2W

INFORME FINAL

IV.

2016

CIRCUITOS A IMPLEMENTAR

Circuito 1

Circuito 2

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INFORME FINAL

2016

PROCEDIMIENTO

Primera Parte: UJT


1. Disear e implementar el circuito de disparo de la figura para VZ=24V

1. Considerar que todas las resistencias y potencimetros deben disipar


potencias de 2W o ms.
2. Para C=0.22uF cerrar el interruptor SW1 y anote lo que ocurre, luego
cierre el interruptor SW2 anotando lo sucedido, luego variar RP observe
y anote.
3. Cambiar el valor de C por los dems y repita el paso 3.
4. Para los pasos 3 y 4 colocar el osciloscopio entre los terminales del
condensador y grafique la forma de onda.

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INFORME FINAL

2016

Circuito UJT: El foco enciende con C= 0.22 uF

Circuito UJT: Grfica de voltaje en el condensador con C=0.22uF

12

INFORME FINAL

2016

Circuito UJT: El foco enciende con C= 0.47 uF

Circuito UJT: Grfica de voltaje en el condensador con C=0.47uF

13

INFORME FINAL

2016

Circuito UJT: El foco enciende con C= 4.7 uF

Circuito UJT: Grfica de voltaje en el condensador con C=4.7uF


Para los condensadores de 10uF y 33uF el foco permaneci apagado.

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INFORME FINAL

2016

Segunda Parte: PUT 2N6027


1. Disear e implementar el circuito de la figura para VZ=30V.

2. Repetir los pasos 3, 4 y 5 de la primera parte.

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INFORME FINAL

2016

Circuito PUT: El foco enciende con C= 0.22 uF

Circuito PUT: Grfica de voltaje en el condensador con C=0.22uF

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INFORME FINAL

2016

Circuito PUT: El foco enciende con C= 4.7 uF

Circuito PUT: Grfica de voltaje en el condensador con C= 4.7uF

As como en el caso anterior para los condensadores de 10uF y 33F el foco


permaneci apagado.

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INFORME FINAL

V.

2016

CUESTIONARIO

1. Hacer el fundamento terico del experimento realizado.

Ver la parte terica.

2. El informe debe contener todos los datos tcnicos del UJT, PUT,
valores de los componentes utilizados, as como los grficos
obtenidos en la experiencia.

Datos tcnicos del UJT 2N4870:

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INFORME FINAL

2016

Datos tcnicos del PUT 2N6027:

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INFORME FINAL

2016

3. Qu sucede con la lmpara cuando aumenta el valor de C en


ambos circuitos?

El foco empieza a reducir su luminosidad y a la larga aumentando ms el valor


de los condensadores deja de encender.

4. Segn su opinin cul de los circuitos integrados de disparo es el


recomendable Por qu?

La principal diferencia entre el UJT y el PUT es que las resistencias RB1 y RB2
son resistencias internas en el UJT, mientras que en el PUT estas resistencias
son externas y por tanto pueden modificarse, adems que la tensin mnima de
funcionamiento es menor en el PUT por ello los circuitos integrados PUT son
ms recomendables que UJT.

5. Qu dificultades encontr para realizar este experimento?.


Sugiera que cambios se podran hacer para mejorarlo.

Por lo observado durante la experiencia, el uso del diodo Zener es irrelevante


as que puede ser suprimido ya que su presencia o ausencia no afecta en nada
a los clculos ni al buen funcionamiento de los circuitos armados.
Dadas las condiciones de diseo muchas veces conseguimos valores que si
bien cumplen con varias de las condiciones de diseo no siempre se consiguen
dichos valores comerciales y debe ser aproximados lo cual a veces puede
afectar al buen funcionamiento del circuito as como alejar considerablemente
los valores obtenidos experimentalmente de los obtenidos en teora. Es por eso
que recomendamos utilizar potencimetros de 2W para poder trabajar con
valores ms prximos a los calculados.

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INFORME FINAL

VI.

2016

OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES

Se observ en los osciloscopios que la frecuencia del voltaje en el condensador


aumentaba conforme incrementbamos el valor de la capacitancia y luego de
un cierto valor en el circuito del UJT, el tiristor dej de dispararse y la carga se
apagaba.
Los circuitos de disparo UJT y PUT son similares pero el PUT posee un diseo
ms flexible que el UJT debido a que podemos controlar las resistencias
externas que permiten programar la tensin a la que se produce el cebado.

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INFORME FINAL

2016

VII. BIBLIOGRAFA
http://www.academia.edu/7728470/CIRCUITOS_DE_DISPARO_DE_TIR
ISTORES_PARA_RECTIFICADORES_CONTROLADOS
https://es.wikipedia.org/wiki/Tiristor
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-tiristor.php
http://www.unicrom.com/Tut_tiristor_activacion_disparo.asp
Electrnica de potencia Mohammed H.Rashid
Electrnica de potencia Ned Mohan

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