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Laboratorio N 2
20132137H
20112588D
TOLEDO-YANA-GENARO JUNIOR
20132144D
20122680K
06/05/2016
INFORME FINAL
2016
ndice
N pag.
INTRODUCCIN ............................................................................................ 2
I.
OBJETIVOS ............................................................................................. 3
IV.
V.
CUESTIONARIO ................................................................................. 18
VI.
VII.
BIBLIOGRAFA ................................................................................... 22
INFORME FINAL
2016
INTRODUCCIN
En el presente informe de la segunda experiencia del Laboratorio de
Electrnica de potencia, DISPARO DEL TIRISTOR CON CIRCUITOS
INTEGRADOS
UJT
PUT,
comprobaremos
experimentalmente
el
En este informe se dar una informacin previa de cada transistor, los circuitos
utilizados, la interpretacin de la experiencia al desarrollar el cuestionario y
finalmente las observaciones y conclusiones obtenidas.
INFORME FINAL
I.
2016
OBJETIVOS
Disear circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados
UJT y PUT.
Usando los circuitos diseados disparar un tiristor que activa una
carga.
INFORME FINAL
II.
2016
FUNDAMENTO TERICO
a. TRANSISTOR UJT.
El transistor uniunin (en ingls UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo
de transistor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales
denominados emisor ( ), base uno (
) y base dos (
difunde una regin tipo P+, el emisor, en algn punto a lo largo de la barra, lo
que determina el valor del parmetro , standoff ratio, conocido como razn de
resistencias o factor intrnseco.
a.1. Construccin
Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos
contactos de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se
indican como
INFORME FINAL
2016
sobrepasa un valor
INFORME FINAL
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= 1
2 =
104
< <
= + 0.5
INFORME FINAL
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b. TRANSISTOR PUT
El PUT es un semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es
similar al del UJT. Es un tipo de tiristor y a veces se le llama tiristor disparado
por nodo debido a su configuracin. Al igual que el UJT, se utiliza
como oscilador y base de tiempos, pero es ms flexible, ya que la compuerta
se conecta a un divisor de tensin que permita variar la frecuencia del oscilador
sin modificar la constante de tiempo RC.
INFORME FINAL
2016
= (1 )
=
2
=
1 + 2
= (
INFORME FINAL
III.
2016
EQUIPOS Y MATERIALES
Osciloscopio digital
Multmetro digital
01 tiristor 2N3669 o su equivalente
01 UJT 2N4870
01 PUT 2N6027
01 PROTOBOARD
01 foco o motor monofsico
Condensadores electrolticos de 0.22, 0.5, 1, 5, 10, 30 y 50uF a 50V
Resistencias cuyos valores determin en el diseo (15K, 27K, 50 ohm,
0.5K, 100 ohm)
01 potencimetro de 100K para 2W
INFORME FINAL
IV.
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CIRCUITOS A IMPLEMENTAR
Circuito 1
Circuito 2
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INFORME FINAL
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PROCEDIMIENTO
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INFORME FINAL
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14
INFORME FINAL
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15
INFORME FINAL
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INFORME FINAL
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INFORME FINAL
V.
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CUESTIONARIO
2. El informe debe contener todos los datos tcnicos del UJT, PUT,
valores de los componentes utilizados, as como los grficos
obtenidos en la experiencia.
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INFORME FINAL
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INFORME FINAL
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La principal diferencia entre el UJT y el PUT es que las resistencias RB1 y RB2
son resistencias internas en el UJT, mientras que en el PUT estas resistencias
son externas y por tanto pueden modificarse, adems que la tensin mnima de
funcionamiento es menor en el PUT por ello los circuitos integrados PUT son
ms recomendables que UJT.
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INFORME FINAL
VI.
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OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES
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INFORME FINAL
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VII. BIBLIOGRAFA
http://www.academia.edu/7728470/CIRCUITOS_DE_DISPARO_DE_TIR
ISTORES_PARA_RECTIFICADORES_CONTROLADOS
https://es.wikipedia.org/wiki/Tiristor
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-tiristor.php
http://www.unicrom.com/Tut_tiristor_activacion_disparo.asp
Electrnica de potencia Mohammed H.Rashid
Electrnica de potencia Ned Mohan
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