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ELECTRONICA DE POTENCIA

V 1.11
3.1 Diseo trmico

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DISEO TERMICO
Consideraciones:
El interruptor perfecto de potencia no est an disponible. Todos los semiconductores de
potencia disipan energa internamente, durante el encendido y apagado del los mismos y en la
transicin entre ambos estados. La cantidad de energa disipada internamente generalmente nos
habla de los incrementos de la potencia consumida de la lnea, en conformidad con la posibilidad
de manejar potencia por el semiconductor. La capacidad de un interruptor semiconductor para
operar en un circuito particular depender, por lo tanto, de la cantidad de potencia disipada
internamente y el aumento de la temperatura de juntura del semiconductor que esta potencia le
ocasiona.
Es por tanto muy importante el estudio del comportamiento trmico del sistema. Los
diseadores se deberan familiarizar con las caractersticas trmicas de los semiconductores de
potencia y ser de esta manera capaces de calcular las potencias lmites y temperaturas de
operacin de nuevos sistemas como as tambin poder analizar otros sistemas y corregir sus
fallas.
Introduccin:
El parmetro con mayor impacto en el diseo de componentes semiconductores de
potencia, es la potencia que se genera y que se tiene que disipar. Esta disipacin de potencia
contiene subidas de temperatura y fracturas de uniones, debido a la desigual expansin entre el
sustrato de silicio y sus uniones con el encapsulado. Deben tomarse especiales precauciones
para disipar este calor al ambiente para evitar excesivas elevaciones de temperatura en el
componente.
Veremos las prdidas que tienen lugar en los semiconductores de potencia, sus
caractersticas trmicas, y las tcnicas que se utilizan para enfriar los componentes.
Prdidas de potencia en semiconductores

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Hay cuatro fuentes principales de prdida de potencia en un semiconductor:


I.
Prdida de potencia durante la conduccin directa. Para un diodo es el producto entre la
corriente que atraviesa el componente y la cada de tensin directa en sus bornes. Lo
mismo se aplica para el tiristor, pero ya que el ngulo de conduccin puede variar,
normalmente en las hojas de datos, se dan curvas de prdida de potencia (figura 1), donde
se utiliza la corriente promedio sobre todo el ciclo de conduccin. Para un transistor, la
prdida de conduccin directa est dada por el producto entre la corriente y la tensin de
colector-emisor, a la que se aade la disipacin de base, igual al producto entre la
corriente y la tensin de base-emisor. Normalmente las prdidas de base son pequeas
comparadas con las prdidas de colector. Veamos un ejemplo
Angulo de conduccin
= 30
= 60
= 90 = 120 = 180
Prdidas de Potencia
320 W
210 W
180 W
160 W
145 W
Ejemplo de utilizacin de grficos para calculo de perdidas. IAF =125 A
II.

Prdida por fugas, cuando el semiconductor de potencia est bloqueando tensin directa
o inversa. Esto puede ocurrir cuando un diodo o tiristor est polarizado en inversa, o
cuando un transistor o tiristor est polarizado en directa pero no conectado. Estas
prdidas normalmente son pequeas en comparacin con las prdidas de conduccin
directa.

III.

Prdidas de conmutacin durante la conexin o desconexin del semiconductor de


potencia. Aunque relativamente pequeas, estas perdidas pueden ser apreciables cuando
el componente est trabajando a altas frecuencias.

Pueden ocurrir debido a los procesos graduales de conexin y desconexin, que permiten
que fluyan grandes cantidades de corriente mientras las tensin en bornes del componente
todava es alta. La figura 2 muestra la potencia a disipar producto del encendido de un
tiristor. Vemos que al no bajar la Tensin VAK, a cero en forma instantnea, esta implica
una cierta potencia de perdida en el dispositivo.

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IV.

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En la figura 3 es mostrada la corriente y potencia en un ciclo tpico a bajas frecuencias,


vemos que existe picos de corriente en la conexin y desconexin del semiconductor.
Prdidas en el terminal de control del semiconductor de potencia. La prdida en la base
de un transistor ya se ha considerado como parte de la prdida de conduccin directa en
el punto (I), ya que siempre est presente mientras el componente est conduciendo. Sin
embargo, los componentes como los tiristores pueden activarse slo por pulso, por lo
que la prdida de potencia de puerta se puede separar de la prdida por conduccin
directa. Normalmente se definen dos parmetros; la potencia pico de puerta PGM, es decir
el valor mximo del producto entre la corriente de puerta directa y la tensin permisible:
la potencia promedio de puerta PG(AV) , que son los correspondientes valores inversos.

Caractersticas trmicas de los semiconductores:


Un semiconductor de potencia montado en
un disipador puede analizarse con analoga a los
circuitos elctricos, de forma que el flujo de
corriente se reemplaza por transferencia de calor y
las impedancias elctricas por resistencias trmicas.
La unidad de transferencia de calor se mide en julios
por segundo o vatios, y la unidad de resistencia
trmica se mide en grados centgrados por vatio.
Por lo tanto, si Q es la potencia trmica que se est
disipando en un componente, en vatios, y dT es la
diferencia de temperatura en el componente en
grados centgrados, entonces la resistencia trmica
Rth del componente est dada por:
dT C
(1)
Q W
Un circuito trmico complejo, tal como un semiconductor de potencia montado en un
disipador, se puede separar en partes y analizarlo utilizando la ecuacin (1). La figura 4 muestra
el circuito equivalente de tal disposicin.
Si TJ y TC son las temperaturas de la unin del semiconductor y su encapsulado, y Rth(j-c)
la resistencia trmica entre la unin y el encapsulado, entonces para un flujo de potencia de Q
[W] entre la unin y el encapsulado, la resistencia trmica ser:
(T TC )
Rth ( j c ) = J
( 2)
Q
De forma similar, pueden obtenerse las otras resistencias trmicas entre encapsulado y
disipador, y disipador y ambiente. La figura 4 tambin muestra las capacidades trmicas (Cja,
etc.), que normalmente pueden ignorarse en cualquier clculo rms y se utilizan slo para anlisis
transitorios. La resistencia trmica entre encapsulado y ambiente normalmente es grande
comparada con la del disipador, por lo que tambin se puede ignorar. Por lo tanto, el circuito
equivalente se simplifica a tres elementos en serie, y para este sistema total la resistencia trmica
entre la unin del semiconductor y el ambiente es la de la ecuacin 3 y el aumento de
temperatura por la ecuacin 4.
Rth ( j a ) = Rth ( j c ) + Rth ( c h ) + Rth ( ha )
(3)
Rth =

TJ Ta = Q.Rth ( j a )

(4)

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Hasta aqu, las discusiones se han ocupado exclusivamente de casos en los que hay
prdida de potencia esttica en un semiconductor. Sin embargo, a menudo slo se necesita
funcionamiento intermitente, y las figuras 5a y 5b muestran el efecto de un escaln de potencia
en la temperatura de la unin. El componente de potencia, junto con cualquier disipador
utilizado, presenta una masa trmica finita, por lo que la temperatura de la unin incrementa
gradualmente. Ya que la resistencia trmica se define como la relacin entre el aumento en
temperatura y el incremento de potencia, esta impedancia aumentar con el tiempo, como el la
figura 5c y esto se define como resistencia trmica transitoria (Rth(t)). Generalmente es difcil
calcular la resistencia trmica transitoria de forma precisa para un montaje, por lo que se mide
experimentalmente y se presenta en una grfica en las hojas de datos.
Se observa que esta informacin se aplica para una clula totalmente en conduccin, tal
como funciona en condiciones de fallo, y no se puede utilizar para componentes de potencia que
estn en el proceso de conectarse, ya que el rea de conexin todava se est extendiendo.
La figura 6 muestra algunos ejemplos de pulsos de potencia , y como puede calcularse el
aumento de temperatura bajo estas condiciones. El pulso individual mostrado en la figura 6a
puede considerarse que est formado de dos pulsos, Pm que empieza en t1 y Pm que empieza en
t2. El aumento de la temperatura de la unin en el instante t3 est dado por
dT(3) = Pm Rth(t1) - Pm Rth(t2) = Pm [Rth(t1) - Rth(t2)]

(5)

En el caso de los pulsos mltiples de potencia, mostrados en la figura 6b, pueden


considerarse como una serie de pulsos individuales superpuestos, y el aumento de temperatura en
el instante t7 est dado por
dT(7) = Pm1 [Rth(t1) - Rth(t2)] + Pm2 [Rth(t3) - Rth(t4)] + Pm3 [Rth(t5) - Rth(t6)]

(6)

En la situacin del tren de pulsos mostrado en la figura 6c, los ltimos pulsos son los
nicos que realizan contribuciones individuales, y el resto puede promediarse, por lo que el
aumento de temperatura est dado por:
t

dT(5) = PM m + PM
ts tm

{[R ( ) R ]+[R
th t1

th(t2)

th(t3)

Rth(t4) }

(7)

El ltimo ejemplo de funcionamiento transitorio que hay que considerar es el de un pulso


no cuadrado. Esto se puede aproximar a una serie de pulsos rectangulares, como en la figura 6d.
El aumento de temperatura en el instante t20 est dado por:
dT(t20) = Pm1 Rth(t1) + (Pm2 - Pm1) Rth(t2) + (Pm3 - Pm2) Rth(t3) +......=

[P

m(n)

Pm ( n 1) .Rth ( tn )

(8)

Rth(t): Para las ecuaciones 5, 6, 7 y 8 se extraen de las curvas del fabricante.


Veremos ahora en detalle el mtodo para determinar las temperaturas, trabajando con pulsos de
onda rectangular y otros tipos de onda.

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Operacin: Pulso de Potencia.


Cuando un semiconductor de potencia es sometido a una carga pulsante, se darn altos picos de
potencia. Los materiales en un semiconductor de potencia tienen una capacidad trmica bien
definida, y as la temperatura crtica de juntura no se alcanzar instantneamente, igual cuando
una potencia excesiva es disipada por el dispositivo. El lmite de disipacin de potencia se puede
extender para la operacin intermitente. El tamao de la extensin depender de la duracin de la
operacin (ancho del pulso) y la frecuencia con que la operacin ocurre (ciclo de trabajo = duty
cycle).

Si se aplica potencia a un semiconductor de potencia, el dispositivo inmediatamente comienza a


calentar (Figura 7a). Si la disipacin de potencia contina, se llegar a un balance entre la
generacin de calor y la extraccin del calor (PE va ambiente), resultando esto en la
estabilizacin de Tj y Tj-mb . Algo de la energa [de calor], ser almacenada por la capacidad

trmica del dispositivo, y las condiciones estables sern determinadas por las resistencias
trmicas del dispositivo y su ambiente trmico. Cuando la disipacin de poder cesa, el
dispositivo enfriar (las leyes de calentamiento y enfriamiento sern idnticas, ver Figura 8). Sin
embargo, si la disipacin de potencia cesa antes de la temperatura del semiconductor se
estabilice, los valores de pico de Tj y Tj-mb ser menores que los valores alcanzados para el
mismo nivel de disipacin continua de potencia. (figura 9)
Si aplicamos un segundo pulso, idntico al primero, pero lo aplicamos antes que se enfre,
el pico la temperatura alcanzada por el dispositivo al final del segundo pulso, estar a mayor
temperatura que al final del primer pulso.
.

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Los pulsos adicionales formarn una curva creciente de temperatura hasta que se logre una
nueva situacin estable (Figura 10). La temperatura del dispositivo, en esta condicin estable,
fluctuar por arriba y abajo del valor medio. Si las excursiones ascendentes extienden en la

regin de Tj muy alta, entonces la expectativa de vida del dispositivo puede verse reducida. Esto
puede suceder con pulsos de alta potencia y bajo valor de trabajo (duty factor), aunque la
potencia promedio es menor que la continua del dispositivo.
La figura 11 muestra un rea de operacin segura para Corriente Continua de un Power
Mosfet (BUK 553-100). El correspondiente pulso rectangular en el rea de operacin con un
factor de trabajo = 0 (o sea T), y un tiempo de pulso tp como parmetro es mostrado
tambin. Estos lmites representan la mayor extensin del rea de operacin segura para un
tiempo de pulso en particular.
Cuando el tiempo del pulso se hace muy corto, la disipacin de potencia no tiene una
accin limitante y el valor del pulso de corriente y el de tensin son los que determinan los
mximos. Este rectngulo representa el mayor pulso posible en el rea de operacin segura.
En general, al acortar el pulso y disminuir la frecuencia, baja la temperatura de juntura
alcanzada. Podemos decir entonces que:

PtotM =

T J Tmb
Z thj mb

(V)

donde Zthj-mb es la impedancia trmica transitoria entre la juntura y la carcasa (base del
dispositivo). Esta depende de la duracin del pulso y del factor de trabajo .

tp
T

(VI)

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donde tp es el ancho del pulso y T es el periodo de pulso. La figura 12 muestra una tpica
familia de curvas de impedancia trmica contra la duracin del pulso, con el factor de trabajo

como parmetro
TmbK. Es generalmente 25 C y es el valor de Tmb mximo por encima del cual, se debe reducir la
potencia mxima a disipar, en forma lineal (grfico 7b).
Nuevamente, el mximo pulso de disipacin es limitado por la temperatura mxima de juntura o
por la mxima diferencia de temperatura entre juntura y carcasa Tj-mbMax
Esto es:

Ptot _ maxK =

T j mb _ max

(VII)

Z thj mb

cuando Tmb Tmb K , y:

Ptot _ M _ max =

T jmax Tmb

(VIII)

Z thj mb

cuando Tmb > Tmb K. Al aumentar la temperatura de carcasa la mxima potencia de disipacin
debe ser reducida linealmente (figura 7b).
Pulso de corta duracin (figura 13-a)
Como el pulso la duracin llega a ser muy corto, las fluctuaciones de la temperatura de juntura
pueden llegar a ser insignificantes, debido al la capacidad trmica interna del semiconductor.
Consecuentemente, solo el factor a ser considerado es la calefaccin de la juntura, por la
potencia promedio de disipacin; esto es:

Ptot ( AV ) = .Ptot _ M

(IX)

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La impedancia trmica transitoria llega a ser:

tp

lim 0 Z thj mb = .Rthj mb

(X)
Las curvas de impedancia trmica
transitoria juntura - carcasa [Zthj-mb],
aproximan este valor asintoticamente a
la disminucin del ancho de pulso [tp].
La figura 12 muestra que, para el ciclos
de trabajos en la gama 0.1 a 0.5, los
valores lmite dados por la ecuacin (X)
tienen el valor de tp = 10- 6 s = 1 s
Pulso de larga duracin (figura 13-b)
Como la duracin del pulso aumenta, la
temperatura de juntura se acerca un valor
estacionario hacia el fin de un pulso. La
impedancia trmica transitoria tiende al
mismo valor de la resistencia trmica
para la disipacin continua de potencia;
esto es:
tp

lim Z thj mb = Rthj mb

(XI)

La figura XII muestra que Zthj-mb


se aproxima al valor cuando tp es grande.
En general, los efectos trmicos
transitorios terminan en la mayora de
los dispositivos de potencia dentro de los
0,1 a 1,0 segundos. Este tiempo depende
del material y construccin del
dispositivo en cuestin, el tamao de la
carcasa, la manera que se monta, y otros factores.
Los pulsos de potencia con una duracin grande, de este tiempo tienen aproximadamente
el mismo efecto que una carga continua.
Pulso nico (figura 13-c)
Como el factor de trabajo llega a ser muy pequeo, la juntura tiende a enfriarse completamente
entre pulsos. Por lo que cada pulso puede tratarse individualmente.
Cuando consideramos solo pulso, la Zthj-mb toma el valor = 0 (Figura 12). Dando esto
resultados bastantes precisos.
CLCULO DE LAS TEMPERATURAS DE JUNTURA.
La mayora de las aplicaciones que incluyen semiconductores de potencia comnmente
involucran alguna forma de operacin de modo de pulso. Veremos ahora algunos ejemplos de
cmo se pueden calcular estas temperaturas para distintas formas de onda aplicadas a los
elementos semiconductores.

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Forma de ondas peridicas.


Pulso nico de potencia.
Forma de ondas compuestas.
Un Pulso tipo rfaga.
Pulsos No Rectangulares.

Desde el punto de vista de confiabilidad es muy importante que se sepa a que


temperatura pico de juntura estar el dispositivo cuando la forma de onda de potencia se aplica y
tambin cual es el promedio de la temperatura de juntura.
La temperatura pico de juntura ocurrir comnmente al final de un pulso aplicado y su
clculo involucrar la impedancia trmica transitoria.
La temperatura promedio de juntura (si es aplicable), es calculada usando la resistencia
trmica (rgimen permanente) y la potencia promedio disipada.
Cuando consideramos la temperatura de juntura en un dispositivo, la siguiente formula es
la utilizada:
T j = Tmb + T j mb
(XIV)
donde Tj-mb se encuentra despejando de la ecuacin (VII).
En todos los ejemplos que veremos a continuacin asumimos que la temperatura de
carcasa (Tmb) esta a 75C.

Pulso rectangular peridico.

La figura 14, muestra un ejemplo de pulso peridico rectangular.


Este tipo de pulsos es muy comn en aplicaciones de llaves conmutadoras (switching).
100 W son disipados cada 400 s, por un perodo de 20 s, esto representa un ciclo de
trabajo () de 0,05. El pico de temperatura de juntura es calculado de la siguiente manera:
Tj PICO;

t = 2 10 5 s
P = 100W

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20
= 0,05
400

Z thj mb = 0,12 C / W

(figura 15)

T j mb = P Z thj mb = 100[W ] 0,12[ C / W ] = 12 C

T j = Tmb + T j mb = 75 + 12 = 87 C
Pav = P = 100 0,05 = 5W

Tj PROMEDIO;

T j mb ( av ) = Pav Z thj mb ( =1) = 5 2 = 10 C

T j ( av ) = Tmb + T j mb ( av ) = 75 + 10 = 85 C
El valor para Zth j-mb se toma desde la curva = 0,05 mostrado en la figura 15.
El clculo anterior muestra que la temperatura promedio de juntura ser de 85C y la Pico 87C.

Pulso rectangular nico.


La figura 16 muestra un ejemplo de un pulso nico rectangular El pulso usado es igual al
del ejemplo anterior. Debe destacarse las diferencias de clculos trmicos. entre pulsos
peridicos y nico.
Para un nico pulso, el perodo de tiempo entre pulsos es el infinito, el factor de trabajo
es igual a cero ( = 0). En este ejemplo 100W se disipan para un perodo de 20 s. Para
encontrar la temperatura pico de juntura se procede como sigue:

t = 2 10 5 s
Z thj mb = 0,04 C / W

P = 100W

=0

T j mb = P Z thj mb = 100 0,04 = 4 C

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El valor para Zth j-mb se toma desde la curva = 0 mostrado en la figura 16.
El clculo anterior muestra que la temperatura pico de juntura ser de 4C, por arriba de
la temperatura de carcasa.

Pulso rectangular compuesto


En prctica, un dispositivo de potencia frecuentemente tiene que manejar formas de onda
compuestas, ms que simples pulsos rectangulares. Este tipo de seal puede simularse por
superposicin de varios pulsos rectangulares, los que tienen un periodo comn, pero estas
tienen amplitudes positivas y negativas, adems de valores apropiados de anchos de pulso (tp)
y ciclos de trabajo ().
Como ejemplo de esto, consideremos la forma de onda ilustrada en la figura 18. Para
mostrar la manera en que el mtodo usado para pulsos rectangulares peridicos es extendido
para ser utilizado para cubrir las formas de onda compuestas, la forma de onda mostrada ha
sido elegida para ser una extensin del pulso rectangular peridico del ejemplo. El perodo es
400 s, y la forma de onda consiste de tres pulsos rectangulares, especficamente 40W para
10 s, 20W para 150 s y 100W para 20 s. La temperatura pico de juntura, puede
calcularse en cualquier punto en el ciclo. Para ser capaz de agregar los diversos efectos de los
pulsos en este momento, todos los pulsos, positivos y negativos, deben terminar al tiempo tx
en el primero clculo y en ty en el segundo clculo. Los pulsos Positivos aumentan la
temperatura de empalme, mientras los pulsos negativos la disminuyen.
El clculo para el tiempo tx:

T j mb @ x = P1 Z thj mb ( t1) + P2 Z thj mb ( t 3) + P3 Z thj mb ( t 4 ) P1 Z thj mb ( t 2) P2 Z thj mb ( t 4 )

(XV)

En la ecuacin 15, los valores para P1,P2 y P3 se conocen:


P1=40W, P2=20W y P3=100W.
Los valores de Zth se toman de la figura 12. Para cada trmino en la ecuacin, se debe
determinar el valor del ciclo de trabajo () equivalente. Por ejemplo el primer pulso
superpuesto dura un tiempo t1 = 180 s, esto representa un ciclo de trabajo de 180/400 =
0,45 = . Estos los valores pueden entonces usarse conjuntamente con la figura 12, para
encontrar el valor de Zth, que en este caso es 0.9K/W. La tabla K da los valores calculados
para este ejemplo.

Repetitivo
T = 400 s
Pulso nico
T=

t2
t3
t1
180 s
170 s
150 s
0,450
0,425
0,375

0,900
0,850
0,800
Zth
0,000
0,000
0,000

0,130
0,125
0,120
Zth
TABLA K, Parmetros de pulso compuesto para tiempo tx

Sustituyendo estos valores en la ecuacin (XV), para Tj-mb@x tenemos:


Repetitivo:

t4
20 s
0,050
0,130
0,000
0,040

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T j mb @ x = 40 0,9 + 20 0,85 + 100 0,13 40 0,85 20 0,13 = 29,4 C


T j = Tmb + T j mb = 75 + 29,4 = 104,4 C
Pulso nico:
T j mb @ x = 40 0,13 + 20 0,125 + 100 0,04 40 0,125 20 0,04 = 5,9 C
T j = Tmb + T j mb = 75 + 5,9 = 80,9 C
Por lo tanto el valor de Tj es de 104,4 C para el caso repetitivo y de 80.9C para el pulso
nico.
El clculo para el tiempo ty:

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T j mb @ y = P2 Z thj mb(t 5) + P3 Z thj mb(t 6) + P1 Z thj mb(t 8) P2 Z thj mb(t 6) P3 Z thj mb(t 7) (XVI)

Donde Zthj-mb(t) es la impedancia trmica transitoria para el pulso de tiempo t.


T6
t7
t5
380 s
250 s
230 s
0,950
0,625
0,575
Repetitivo

1,900
1,300
1,250
Zth
T = 400 s
0,000
0,000
0,000
Pulso nico

0,200
0,160
0,150
Zth
T=
TABLA M, Parmetros de pulso compuesto para tiempo ty

t8
10 s
0,025
0,080
0,000
0,030

Sustituyendo estos valores en la ecuacin (XVI) para Tj-mb@y tenemos:


Repetitivo:
T j mb @ y = 20 1,95 + 100 1,3 + 40 0,08 20 1,3 100 1,25 = 21,2 C
T j = Tmb + T j mb = 75 + 21,2 = 96,2 C
Pulso nico:
T j mb @ y = 20 0,2 + 100 0,16 + 40 0,03 20 0,16 100 0,15 = 3,0 C
T j = Tmb + T j mb = 75 + 3,0 = 78,0 C
Por lo tanto el valor de Tj es de 96,2 C para el caso repetitivo y de 78C para el pulso nico.
La potencia promedio y la temperatura promedio de la juntura pueden ser calculadas de la
siguiente manera:

Pav =

25 10 + 5 130 + 20 100
= 7,25 W
400

T j mb ( av ) = Pav Z thj mb ( =1) = 7,25 2 = 14,5 C


T j ( av ) = Tmb + T j mb ( av ) = 75 + 14 = 89,5 C
Claramente, la temperatura de juntura al tiempo tx debera ser ms alta que al tiempo ty, y
esto se prueba en los clculos mas arriba realizados.

Tren de pulsos
Los dispositivos de potencia se someten frecuentemente a un tren de pulsos. Este tipo de
seal, puede tratarse como una onda compuesta y como en el ejemplo previo simulamos por
superposicin a varios pulsos cuales tienen un perodo comn, pero con amplitudes positivas
y negativas, adems de valores apropiados de anchos de pulso (tp) y ciclos de trabajo ().

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Considere la forma de onda mostrada en la figura 20. El perodo es 240 s, y la rfaga


consiste de tres pulsos rectangulares de 100W poder y 20 s de duracin, separada por 30
s. El pico de temperatura ocurrir al final de la rfaga, al tiempo t = tx = 140 s. Para ser
capaz de agregar los diversos efectos de los pulsos en este momento, todos los pulsos,
positivos y negativos, deben terminar al tiempo tx. Los pulsos positivos aumentan el la
temperatura de juntura, mientras los pulsos negativos disminuyen la misma.
T j mb @ x = P Z thj mb (t1) + P Z thj mb (t 3) + P Z thj mb ( t 5) P Z thj mb ( t 2 ) P Z thj mb (t 4) (XVII)
donde Zthj-mb(t) es la impedancia trmica transitoria para un pulso de tiempo t.
Los valores de Zth se toman desde la figura 12, para cada trmino en la ecuacin (XVII),
estos valores pueden ser utilizados en combinacin con los de la Figura 12, para encontrar
un valor para Zth. La Tabla O da los valores calculados para este ejemplo.

Repetitivo
T = 400 s
Pulso nico
T=

Zth

Zth

t1
t2
t3
120 s
100 s
70 s
0,500
0,420
0,290
1,100
0,800
0,600
0,000
0,000
0,000
0,100
0,090
0,075
TABLA O, Parmetros de pulso tipo rfaga

t4
50 s
0,210
0,430
0,000
0,060

t5
20 s
0,083
0,210
0,000
0,040

Sustituyendo estos valores en la ecuacin XVII da:


Repetitivo:
T j mb @ x = 100 1,10 + 100 0,60 + 100 0,21 100 0,80 100 0,43 = 68 C
T j = 75 + 68 = 143 C

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3.1 Diseo trmico
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Pulso nico:
T j mb @ x = 100 0,10 + 100 0,075 + 100 0,04 100 0,09 100 0,06 = 6,5 C
T j = 75 + 6,5 = 81,5 C
Por tanto el valor de Tj es de 143 C para el caso repetitivo y de 81,5C para el pulso nico.
La potencia promedio y la temperatura promedio de la juntura pueden ser calculadas de la
siguiente manera:
Pav =

3 100 20
= 25 W
240

T j mb ( av ) = Pav Z thj mb ( =1) = 25 2 = 50 C


T j ( av ) = 75 + 50 = 125 C
El ejemplo de arriba para la forma de onda repetitiva, destaca un caso donde la temperatura
promedio de juntura (125C) es bien dentro de lmites, pero el clculo compuesto de pulso
muestra, la temperatura pico de juntura, ser significativamente ms alto. Por razones de
confiabilidad a largo plazo es usual operar los dispositivos con una temperatura pico de
juntura por debajo de los 125C.

Pulsos No rectangulares
Los ejemplos trabajados anteriormente tienen solamente formas de onda rectangulares. Sin
embargo, las formas de onda triangular, trapezoidal y sinusoidal son tambin comunes. A fin
de aplicar los clculos trmicos anteriormente vistos a formas de onda no rectangulares, la
forma de onda ser aproximada por una serie de pulsos rectangulares. Cada rectngulo
representa parte de la forma de onda. El rectngulo equivalente debe ser igual, en el rea a la
seccin de la forma onda que es representada (igual energa) y tambin sern as los picos de
potencia. Nos referiremos a la figura 22, una forma de onda triangular se ha aproximado
con un pulso rectangular en el primer grfico (22a), y con dos en el segundo (22b),
obviamente aumentando el nmero de pulsos, se mejorar en exactitud referente a los
clculos trmicos. (esto es descomposicin de la onda).
En el ejemplo primero, hay uno nico pulso rectangular, de duracin 50ms, disipando 50W.
Ahora nuevamente usando ecuacin (XIV), y despejando de la ecuacin (VII), tenemos:

T j mb = Ptot Z thj mb
Pulso nico:

T j mb = 50 0,065 = 3,25 C
T jpico = 75 + 3,25 = 78,5 C

10% de Ciclo trabajo:

T j mb = 50 0,230 = 11,5 C

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T jpico = 75 + 11,5 = 86,5 C


50% de Ciclo

T j mb = 50 1,000 = 50 C
T jpico = 75 + 50 = 125 C

Cuando la forma de onda se divide en dos pulsos rectangulares:


T j mb = P3 Z thj mb ( t 3) + P1 Z thj mb ( t1) P2 Z thj mb (t 2)

Para el ejemplo P1 = 25W, P2 = 25W, P3 = 50W, la tabla Q muestra el resto de los parmetros.

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V 1.11
3.1 Diseo trmico
30/03/10
t1
t2
t3
75 s
50 s
37,5 s
Pulso nico
0,000
0,000
0,000

0,085
0,065
0,055
Zth
T=
10% Ciclo trabajo
0,075
0,050
0,037

0,210
0,140
0,120
Zth
T = 1000 s
0,000
0,000
0,000
10% Ciclo trabajo

0,100
0,090
0,075
Zth
T = 200 s
Tabla Q Clculos: Pulso No - Rectangular
Sustituyendo estos valores en la ecuacin XVIII, tenemos:
T j mb = 50 0,055 + 25 0,085 25 0,065 = 3,25 C

Pulso nico:

T jpico = 75 + 3,25 = 78,5 C


10% de ciclo de trabajo:

T j mb = 50 0,12 + 25 0,21 25 0,14 = 7,75 C


T jpico = 75 + 7,75 = 82,5 C

50% de ciclo de trabajo:

T j mb = 50 0,42 + 25 0,7 25 0,5 = 26 C


T jpico = 75 + 26 = 101 C

Para calcular la temperatura promedio de juntura se realiza lo siguiente:

10% de ciclo de trabajo:

Pav =

50 50
= 2,5 W
1000

T j mb ( av ) = Pav Z thj mb ( =1) = 2,5 2 = 5 C


T j ( av ) = 75 + 5 = 80 C

50% de ciclo de trabajo:

Pav =

50 50
= 12,5 W
200

T j mb ( av ) = Pav Z thj mb ( =1) = 12,5 2 = 25 C


T j ( av ) = 75 + 25 = 100 C

Conclusin:
Los mtodos y ejemplos mas arriba vistos, nos dan una alternativa actual para el clculo de
temperaturas (y regmenes que le correspondan), para semiconductores de potencia, relacionadas
con pulsos transitorios del tipo rectangulares o de otras diversas formas, permitiendo el clculo
sencillo de estos.