TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMP0

DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS
ELECTRONICOS I

Laboratorio N11
TRANSISTORES DE EFECTO DE
CAMPO
Alumno: Juan Jos Silva Zavala
Profesora: Helena Margarita Carretero Blanco
Seccin: C5-E
Fecha de entrega: 20/05/16
2016-1
1

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMP0

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Fundamento terico
Un JFET tiene una gran impedancia de entrada (que se halla frecuentemente en el
orden de1010 ohmios), lo cual significa que tiene un efecto despreciable respecto a
los componentes o circuitos externos conectados a su terminal de puerta.
A diferencia del transistor de unin bipolar el JFET, al ser un dispositivo controlado
por un voltaje de entrada, no necesita de corriente de polarizacin. La carga
elctrica fluye a travs de un canal semiconductor (de tipo N o P) que se halla
entre el drenaje y la fuente. Aplicando una tensin elctrica inversa al terminal de
puerta, el canal se "estrecha" de modo que ofrece resistencia al paso de la
corriente elctrica. Un JFET conduce entre los terminales D y S cuando la tensin
entre los terminales G y S (V GS) es igual a cero (regin de saturacin), pero
cuando esta tensin aumenta en mdulo y con la polaridad adecuada, la
resistencia entre los terminales D y S crece, entrando as en la regin hmica,
hasta determinado lmite cuando deja de conducir y entra en corte. La grfica de la
tensin entre los terminales D y S (V DS) en el eje horizontal contra la corriente del
terminal D (ID o corriente de drenaje) es una curva caracterstica y propia de cada
JFET.

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Objetivos
-

Identificar los terminales de un FET.

Probar el estado de un FET
Mostrar y medir el efecto del voltaje de drenaje con polarizacin cero en la
compuerta y determinar el voltaje de estrangulamiento para producir una
corriente de drenaje constante.
Medir el valor del voltaje de polarizacin inversa compuerta-fuente requerido
para producir estrangulamiento para un valor dado de voltaje de fuente a
drenador.
Implementar un circuito bsico de polarizacin con FET.
Medir los valores DC en un circuito bsico con FET.

Introduccin
Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de
material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del
otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n.
Son componentes semiconductores, que se basan en el manejo de tensin y
corriente de salida bajo el control del Campo Elctrico (V / mm), es decir, su
entrada no toma corriente, en la prctica esa corriente es extremadamente baja,
comparable a la I de fuga en un capacitor debido al dielctrico.
La conduccin en esta tecnologa, depende nicamente del flujo de portadores
mayoritarios, por eso son unipolares, (un solo tipo de portadores N o P).
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin
llamada puerta (g-gate) en el collar.

Smbolos grficos para un FET

CANAL N

CANAL P
3

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMP0

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMP0

LA INTERPRETACIN DE LA CARACTERSTICA DE SALIDA

Tiene 3 zonas: VDS (aumenta)
1- Zona lineal. Ley de Ohm
ID= VDS canal (cte.)
2- Zona alineal o de codo.
3- Zona de saturacin, es la utilizacin como amplificador

PRUEBA DE UN TRANSISTOR FET

Entre la compuerta G y Fuente S se conforma un diodo PN para el cual el canal N
y un diodo NP para el canal P.
La tensin VGS se debe polarizar en forma inversa y en directa siempre y cuando
en forma no se sobrepase la tensin de arranque V (= 0,6V, Si). Al sobrepasar 0,6
V el diodo conduce y se destruye, porque est fabricado para baja corriente
directa. En sntesis, es una barra de Si, con impurezas controladas, N si el canal
es N, e impurezas P para el de canal P, que tiene cierta resistencia

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VENTAJAS DEL FET

1. Son dispositivos sensibles a la tensin con alta impedancia de entrada (10 7
a 1012 W).Ya que la impedancia de entrada es mayor que la de los BJT, se
prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada a un amplificador
multietapa.
2. Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. Son ms estables con la temperatura que el BJT.
4. Se comportan como resistores variables controlados por tensin para
valores pequeos de tensin drenaje a fuente.
5. Puede ser utilizado como conmutador y como almacenador de carga (Tao
de entrada grande T=R.C).
6. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar
corrientes grandes.
7. Tamao mucho ms pequeo que los bipolares.
DESVENTAJAS DEL FET
1. Exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de
entrada.
2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
3. Se pueden daar al manejarlos debido a la electricidad esttica.

Preparacin
Para el desarrollo de esta experiencia de laboratorio, el alumno deber revisar ls
apuntes de clase el texto base, el manual de componentes electrnicos, asimismo
realizar sus diseos previos utilizando el software de diseo electrnico del curso.
Equipos y Materiales
01 Osciloscopio
01 Generador de Funciones.
01 Multimetro digital.
01 Fuente doble de DC
01 Protoboard.
01 Pelacables.

01 Resistencia de 1M, W.
01 Resistencia de 47, 1/2W.
01 FET de canal N. 2N5433 k104)
NTE 312
01 Resistencia de 100, 16 W.

PRIMERA PARTE: RECONOCIMIENTO FSICO

El Transistor JFET:
Smbolo:
El smbolo de JFET es el mostrado; en l identifique y nombre sus terminales:

Drenador

Surtidor

Forma Fsica:

Puerta

CANAL: N
Drenador

Surtidor

CANAL: P
Puerta

A continuacin se muestran las diversas formas fsicas que presentan los JFETs;
con la ayuda del manual ECG identifique sus terminales y antelos en cada uno
de ellos as como su tipo de encapsulado
A) Tipo de empaquetamiento: TO-92
B)

Tipo
de

empaquetamiento: TO-18

Puerta

Surtidor

Drenador

C) Tipo de empaquetamiento= TO-22

Puerta

Drenador

Surtidor

....................................................................................................................................

SEGUNDA PARTE: CIRCUITO DE PRUEBA

Objetivo 1: Mostrar y medir el efecto del voltaje de Drenador en la corriente
ID con polarizacin cero en la compuerta y determinar el valor del voltaje de
Drenador Surtidor
(estrangulamiento) requerido para producir una
corriente constante de drenador.
1. Implemente el circuito mostrado en la figura 1. utilizar un JFET de canal N en
el se comprobar su funcionamiento a travs del control de la corriente del
drenador surtidor por medio de un voltaje aplicado en terminal de compuerta
(Ntese que el valor de R1 implica una corriente muy pequea a travs del
resistor).

2. Aumente el voltaje de la fuente VDD del Drenador hasta que la cada de

voltaje Vds indicada en el voltmetro sea 0.5 Vdc.
3. Mida la corriente Id del drenador y anote el resultado en la tabla 1
4. Siga aumentando VDD y registre el valor de Id para cada valor de VDS en la
tabla 1
VDS(V)
IDS(mA
)

0
0

VDS(V)
IDS(mA
)

4.0
9.76

0.5
3.08

4.5
9.82

1.0
5.62

5.0
9.87

1.5
7.13

6.0
9.97

2.0
8.33

2.5
8.9

3.0
9.37

3.5
9.54

8.0
10.01

10.0
10.01

15.0
10.01

20.0
10.01

5. Que puede comentar de los datos obtenidos?

Se puede observar que el voltaje drenador-surtidor (VDS) al alcanzar un valor
significativo mantendr la corriente constante, este caso a partir de 8V VDS la
corriente (IDS) se mantendr en un tope que es 10.01mA.
6. Muestre los datos obtenidos en el siguiente grfico.
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Ids Vs Vds

7. En su curva, seale el punto donde termina el aumento rpido en Id y

comienza el flujo de corriente constante. Dibuje una lnea vertical desde ese
punto hasta la escala Vds, registre el valor del voltaje en ese punto .Este es el
voltaje de estrangulamiento de Drenador- Surtidor: Vp
Aproximadamente 4.5V
8. Cmo se llama la zona en donde el valor es menor de Vp?
Zona de corte.
9. Cmo se llama la zona en donde la corriente ID no aumenta?
Zona de Saturacin.
10. Qu pasa con la corriente en la zona hmica?
En este caso la corriente aumenta de manera lineal hasta llegar a un punto en
la cual se estabiliza.

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Objetivo 2: Medir el valor del voltaje de polarizacin inversa Compuerta

Surtidor
(Fuente) requerido para producir estrangulamiento para un
valor dado de voltaje de fuente a Drenador.
11. Implemente el circuito mostrado en la figura 2

12. Ajuste el voltaje de la fuente de Drenador a 12 VDC.

13. Lentamente aumente el voltaje VGS de polarizacin de Compuerta Fuente
hasta que la corriente ID de drenador llegue a cero y repita el proceso hasta
asegurarse de cual es el punto exacto donde Id cae a cero, observe en el
voltmetro XMM2 el valor de VGS el cual representa el valor de Vp de
estrangulamiento de compuerta fuente, anote el valor.
Vp = - 3.32 Vcd.

Objetivo 3: Mostrar y medir el efecto de la corriente de Drenador para

cambios tanto en la polarizacin inversa de compuerta fuente como de
voltaje de Drenador- fuente y registrar una familia de curvas
14. Implemente el circuito de la figura 3.

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15. Conecte el osciloscopio en la opcin X-Y , el eje vertical representa la

corriente de drenador Id y el eje horizontal representa el voltaje Vds
16. Varie el voltaje desde cero hasta -10 VDC,
d
17. Graficar lo observado en el cuadro mostrado para cada valor de Vgs.

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18. Observe las curvas obtenidas. Un pequeo voltaje de compuerta controla una
gran corriente de drenador? Se puede decir que esa afirmacin es correcta
basndonos en los resultados obtenidos.
19. Indique si el valor de estrangulamiento es aproximadamente igual para todas
las curvas.
El valor de estrangulamiento es diferente para cada caso.
20. Piensa que el JFET esta funcionando como amplificador
S, en este caso el JFET se est comportando como un amplificador.
21. Implemente el circuito fuente de corriente constante mostrado en la figura 3

23. Complete la tabla mostrada en la figura.

Resistencia

IL (mA)

VDS( voltios

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VRL( voltios)

PJFET(watts

de Carga RL
(Ohmios)
270
470
1K
1.5K
2.2K
4.7K
6.8K

)
70.6mA
41.5mA
18.6mA
11.5mA
8.3mA
4.1mA
2.8mA

1.2V
0.9V
0.88V
0.85V
0.835V
0.799V
0.783V

18.2
18.9
19.4
19.6
19.6
19.5
19.4

0.0707 W
0.036 W
0.017 W
0.011 W
0.007 W
0.0033 W
0.0022 W

22. Qu comentarios puede hacer de la tabla anterior, respecto a la corriente?

Se puede observar que mientras la resistencia aumente, la corriente tendr una
tendencia a disminuir y esto lo har de manera proporcional.
23. A cul caracterstica del JFET es igual la corriente de carga constante?
Zona de saturacin
24. Qu sucede a la corriente de carga si la resistencia de carga se hace
excesiva?
La corriente disminuir considerablemente.
25. Describa porqu el JFET no puede regular la corriente de carga para valores
grandes de la resistencia.
En JFET no puede regular corriente en ese caso debido a la alta impedancia, al
aumentarle un carga grande reducira el valor de la corriente.
26. Al aumentar RL aumenta la potencia entregada a la carga?Porqu?
La potencia de salida disminuye, esto se da debido a que el voltaje se mantiene
oscilando en un valor mientras que la corriente va disminuyendo.

Observaciones:
Es fundamental y ayudara mucho tener un conocimiento previo del tema a
desarrollar para as realizar las experiencias de manera rpida, intuitiva y
efectivamente.
Hay que tener conocimiento de la zona en la cual se est trabajando con el JFET
ya que este es muy sensible a pequeos cambios de corriente.

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Conclusiones:
En la primera experiencia del laboratorio, se produjo una corriente constante de
drenador y a la vez se pudo determinar el valor de voltaje Drenador-Surtidor para
lograr dicha corriente.
En la segunda experiencia del laboratorio, se midi el valor de voltaje de
polarizacin inversa Compuerta-Surtidor que se suficiente para producir
estrangulamiento para un valor de voltaje de fuente Drenador.
En la siguiente experiencia, se mostr y se midi el efecto de la corriente de
Drenador para cambios en polarizacin inversa de puerta-fuente y tambin de
voltaje Drenador-fuente.

APLICACIN DE LO APRENDIDO

1. Cul de los siguientes transistores se puede clasificar como dispositivo

unipolar?
a) Un transistor de unin NPN
b) Un transistor de unin PNP
c) Un transistor de efecto de campo de unin
d) Todos los anteriores.
2. De cual de los siguientes transistores se puede esperar que tenga elevada
impedancia de entrada a bajas frecuencias?
a) Un transistor bipolar NPN
b) Un transistor bipolar PNP
c) Un transistor de efecto de campo
d) Ninguno de los anteriores.
3. Un JFET en conduccin presenta una cada de voltaje a lo largo de su
canal que hace que se forme una regin de agotamiento, este efecto
produce.
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a)
b)
c)
d)

Una caracterstica de corriente constante de drenador

Ruptura de compuerta
Corriente de drenador no controlada
Excesiva corriente de compuerta

4. Los JFET presentan una alta impedancia de entrada debido a que:

a) Los terminales de compuerta fuente estn polarizados
directamente.
b) Los terminales de compuerta fuente estn polarizados
inversamente.
c) El canal esta polarizado directamente.
d) El canal esta polarizado inversamente.
5. Si se aplica el voltaje Vp de estrangulamiento a la unin de compuerta
fuente , se puede esperar que la corriente de drenaje sea:
a) Excesiva.
b) Moderada.
c) Baja.
d) Cero.
6. Cul de los siguientes enunciados no puede usarse para describir los
JFETS?
a) Normalmente son dispositivos encendidos.
b) Slo hay una polaridad de portadores mayoritarios de corriente en
movimiento.
c) El voltaje de compuerta controla la corriente de drenador.
d) Tienen baja impedancia de entrada.
7. Las fuentes de corriente constante se caracterizan por:
a) Impedancia muy baja.
b) Impedancia moderada.
c) Impedancia muy alta.
d) Ninguna de las anteriores.
8. Los JFETs presentan una caracterstica de corriente constante igual a Idss
condicionado a que:
a) Vds sea mayor que Vp.
b) Vgs sea igual a cero.

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c) Tanto a) como b)
d) Ni a) ni b)
9. Como una fuente de corriente constante la caida de voltaje a travs del
JFET debe:
a) Variar directamente con los cambios en la impedancia de carga
b) Variar inversamente con los cambios en la impedancia de carga.
c) Permanecer igual.
d) Ninguno de los anteriores.
10. Para que fluya corriente constante a travs de una carga y esta disminuya,
el voltaje de carga debe:
a) Disminuir.
b) Aumentar.
c) Mantenerse constante
d) Ninguno de los anteriores.

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