PANORAMA GENERAL

DE LOS INTERRUPTORES DE
SEMICONDUCTORES
DE POTENCIA
2-1 INTRODUCCIN
Las crecientes capacidades de energa, la facilidad de control y los costos reduci
dos de los dispositivos de
semiconductores modernos de potencia, en comparacin con los de hace apenas unos c
uantos aos, han
hecho que los convertidores sean asequibles en un gran nmero de aplicaciones y ha
n abierto una infinidad
de nuevas topologas de convertidores para aplicaciones de la electrnica de potenci
a. A fin de entender
claramente la factibilidad de estas nuevas topologas y aplicaciones es fundamenta
l apreciar en su conjunto
las caractersticas de los dispositivos de potencia disponibles. Para este fin se
presenta en este captulo un
breve resumen de las caractersticas de terminales y las capacidades de tensin, cor
riente y velocidad de
conmutacin de dispositivos de potencia actualmente disponibles.
Si los dispositivos de semiconductores de potencia se consideran interruptores i
deales, el anlisis de
las topologas de convertidores se facilita en gran medida. Este planteamiento tie
ne la ventaja de que los
detalles de la operacin de dispositivos no ocultar la operacin bsica del circuito. P
or tanto, se entienden
mejor las importantes caractersticas de los convertidores. Un resumen de las cara
ctersticas de dispositivos
permitir determinar hasta qu grado es posible idealizar las caractersticas de dispo
sitivos.
Los dispositivos de semiconductores de potencia disponibles se clasifican en tre
s grupos, de acuerdo
con su grado de controlabilidad:
1. Diodos. Estados de conexin y desconexin controlados por el circuito de potenc
ia.
2. Tiristores. Son activados mediante una seal de control, pero pueden ser desa
ctivados por medio
del circuito de potencia (control por fase) o por un circuito de control externo
.
3. Interruptores controlables. Se conectan y desconectan mediante seales de con
trol.
La categora de interruptores controlables abarca varios tipos de dispositivos, co
mo transistores de unin
bipolar (bipolar junction transistors, BJT), transistores de efecto de campo xido
metlico semiconductor
(metal-oxide-semiconductor field effect transistors, MOSFET), tiristores desacti
vables por puerta (GTO) y
transistores bipolares de puerta aislada (insulated gate bipolar transistors, IG
BT). Durante los ltimos aos
se registraron avances importantes en esta categora de dispositivos.
2-2 DIODOS
Las figuras 2-1a y 2-1b muestran el smbolo de circuito para el diodo y su caracte
rstica de estado permanente i-v. Cuando el diodo est polarizado en directa, empiez
a a conducir con slo un pequeo voltaje en
directo a travs de l, que est en el orden de 1 V. Cuando el diodo est en polarizacin
inversa, slo una
corriente de fuga muy insignificante fluye a travs del dispositivo hasta que se a
lcanza la tensin de ruptura
inversa. En la operacin normal, el voltaje de polarizacin inversa no debe alcanzar
el punto de ruptura.

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16 CAPTULO 2 Panorama general de los interruptores de semiconductores de potenci
a
En vista de una corriente de fuga muy pequea en el estado de bloqueo (polarizacin
inversa) y una
pequea tensin en el estado de conduccin (polarizacin directa), en comparacin con las
tensiones y corrientes de operacin en las que se usa el diodo, se puede idealizar
la caracterstica de i-v para el diodo,
como se muestra en la figura 2-1c. Esta caracterstica idealizada sirve para anali
zar la topologa del convertidor, pero no se debe usar para el propio diseo del con
vertidor cuando se estiman, por ejemplo, los requisitos del disipador de calor p
ara el dispositivo.
Al encenderlo, el diodo puede considerarse un interruptor ideal porque se encien
de rpido en comparacin con los transitorios en el circuito de energa. Sin embargo,
al apagarlo, la corriente del diodo se invierte para un tiempo de recuperacin inv
ersa trr, como se indica en la figura 2-2, antes de caer a cero. Esta
corriente de recuperacin inversa (negativa) es necesaria para barrer los portador
es de exceso en el diodo y
permitirle bloquear un voltaje de polaridad negativa. La corriente de recuperacin
inversa puede dar lugar
a excesos de voltaje en circuitos inductivos. En la mayora de los circuitos, esta
corriente inversa no afecta
la caracterstica de entrada/salida del convertidor, as que el diodo tambin puede co
nsiderarse ideal durante el fenmeno transitorio de desconexin.
Segn los requisitos de la aplicacin, estn disponibles varios tipos de diodos:
1. Diodos Schottky. Estos diodos se usan donde se requiere una cada baja de ten
sin directa (normalmente 0.3 V) en circuitos de tensin de salida muy baja. Estos d
iodos estn limitados en su capacidad de tensin de bloqueo a 50  100 V.
2. Diodos de recuperacin rpida. Estos diodos estn diseados para el uso en circuito
s de alta frecuencia, en combinacin con interruptores controlables donde se neces
ita un tiempo corto de recuperacin inversa. En niveles de energa de varios cientos
de voltios y varios cientos de amperios,
estos diodos tienen un grado de trr de menos que unos cuantos milisegundos.
3. Diodos de frecuencia de lnea. El voltaje de estado de encendido de estos dio
dos est diseado
para ser lo ms bajo posible, y en consecuencia tienen tiempos trr ms grandes, acep
tables para
aplicaciones de frecuencia de lnea. Estos diodos estn disponibles con magnitudes d
e voltaje de
bloqueo de varios kilovoltios y magnitudes de corriente de varios kiloamperios.
Adems, se pueden
conectar en serie y paralelo para satisfacer cualquier requisito de corriente.
2-3 TIRISTORES
El smbolo de circuito y su caracterstica de i-v se muestran en las figuras 2-3a y
2-3b. La corriente principal fluye desde el nodo (A) al ctodo (K). En su estado in
activo, el tiristor puede bloquear una tensin de
i
iD D
Vnominal
Regin
de bloqueo
en inversa
a)
b) c)
A K
I
V (I)
y
D
i

D
y
D
y
D
0 0
Figura 2-1 Diodo: a)
smbolo, b) caracterstica i-v,
c) caracterstica idealizada.
Figura 2-2 Apagado del diodo.
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2-3 Tiristores 17
a)
b)
c)
Tensin
de ruptura
directa
Tensin
de ruptura
inversa
Estado activo
Activo inactivo
Bloqueo
inverso
Bloqueo
directo
Ruptura
inversa
Regin
inversa
de bloqueo
Estado activo
Inactivo a activo
si se aplica
un pulso iG
Estado inactivo
Figura 2-3 Tiristor: a) Smbolo;
b) caractersticas de i-y; c) caractersticas idealizadas.
polaridad directa y no conducir, como se muestra en la figura 2-3b por la parte
inactiva de la caracterstica
de i-v.
El tiristor puede dispararse para entrar en el estado activo por medio de la apl
icacin de un pulso de
corriente de puerta positiva durante un periodo breve, en tanto que el dispositi
vo est en estado de bloqueo
directo. La relacin de i-v resultante se ilustra por la parte activa de las carac
tersticas que se muestran en
la figura 2-3b. La cada de tensin directa en el estado activo slo es de unos cuanto
s voltios (por lo general
1-3 V, segn la magnitud de bloqueo de voltaje del dispositivo).
Una vez que el dispositivo empieza a conducir, se enclava (conduce) y la corrien
te de puerta puede
eliminarse. El tiristor no puede apagarse por la puerta, y el tiristor conduce c
omo un diodo. Slo cuando la
corriente del nodo intenta volverse negativa (por influencia del circuito en el q
ue el tiristor est conectado)
se apaga el tiristor y la corriente va a cero. Esto permite que la puerta recupe
re el control, a fin de encender
el dispositivo en algn momento controlable despus de que nuevamente haya entrado e

n el estado de bloqueo directo.

En polarizacin inversa y con tensiones debajo del voltaje de ruptura inversa, slo
una corriente de
fuga muy insignificante fluye en el tiristor, como se muestra en la figura 2-3b.
Normalmente las corrientes
nominales de tiristores para voltajes de bloqueo directo e inverso son las misma
s. Las corrientes nominales
del tiristor se especifican en trminos de los rms (de root-mean-square) mximos y l
as corrientes medias
que fuese capaz de conducir.
Con los mismos argumentos que se emplearon para los diodos, el tiristor puede re
presentarse por
las caractersticas idealizadas que se muestran en la figura 2-3c para el anlisis d
e topologas de convertidores.
En una aplicacin como el circuito sencillo que se muestra en la figura 2-4a, el c
ontrol se ejerce sobre
el instante de la conduccin de corriente durante el semiciclo positivo de la tens
in del generador. Cuando
la corriente del tiristor trata de invertirse, cuando la tensin del generador se
vuelve negativa, el tiristor
idealizado tendra su corriente en cero inmediatamente despus de t  12T, tal como se
muestra en la forma
de onda en la figura 2-4b.
Sin embargo, como se especifica en las hojas de datos de tiristores y se ilustra
por las formas de onda
en la figura 2-4c, la corriente del tiristor se invierte antes de llegar a cero.
El parmetro importante no es el
tiempo que transcurre para que la corriente se vuelva cero desde su valor negati
vo, sino el intervalo de apa-