Está en la página 1de 109

DISEO E IMPLEMENTACIN DE UN GAUSSIMETRO PARA TERAPIA

MAGNETICA

MAYERLY JUREGUI DAZ

UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER


FACULTAD DE CIENCIAS FISICOMECNICAS, ESCUELA DE INGENIERAS
ELCTRICA, ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES
BUCARAMANGA
2005

DISEO E IMPLEMENTACIN DE UN GAUSSIMETRO PARA TERAPIA


MAGNETICA

MAYERLY JUREGUI DAZ

Tesis de grado

Director
Ing. MPE. JAIME BARRERO

Codirector
Ing. ERNESTO AGUILERA

UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER


FACULTAD DE CIENCIAS FISICOMECNICAS, ESCUELA DE INGENIERAS
ELCTRICA, ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES
BUCARAMANGA
2005

CONTENIDO

INTRODUCCIN
1. MARCO TEORICO
1.1MAGNETOTERAPIA.
1.1.1. Efectos de la Magnetoterapia
1.1.2 Equipos utilizados en magnetoterapia
1.1.3 Equipos utilizados para medicin de campos magnticos.
1.2 FUNDAMENTOS DE CAMPO MAGNTICO
1.2.1. La ley de Biot-Savart
1.2.2. Ley de Ampre
1.2.3. Campos magnticos inducidos
2. MEDICIONES DE CMPOS MAGNTICOS
2.1 MAGNETMETROS VECTORIALES DE CAMPO BAJO (H < 1mT )
2.1.1 Magnetmetro Bobina de Induccin.
2.1.2 Magnetmetro de Puerta de Flujo.
2.1.3 Magnetmetro SQUID.
2.2 MAGNETMETROS VECTORIALES DE CAMPO ALTO ( >1 mT)
2.2.1 Sensores de Efecto Hall
2.2.2 Sensores Magneto resistivos
2.3 MAGNETMETROS ESCALARES
2.3.1 Magnetmetro Presesin del Protn
2.3.2 Magnetmetro de Bombeo ptico.
3. DISEO E IMPLEMENTACIN DEL SISTEMA
3.1 ESPECIFICACIONES GENERALES.
3.2 TRANSDUCTOR
3.2.1 Principio de funcionamiento
3.2.2 Programacin del sensor.
3.2.3 Descripcin del software implementado en la programacin del sensor.
3.2.4 Implementacin de la tarjeta para programacin del sensor HAL815.
3.3 ACONDICIONAMIENTO DE SEAL.
3.3.1Filtrado Pasa Alto.
3.3.2 Rectificacin.
3.3.3 Amplificacin
3.3.4 Detector de frecuencia.
3.4 VISUALIZACIN Y CONTROL

Pg
9
10
10
13
20
22
24
24
26
28
38
40
40
41
44
45
45
49
50
50
52
54
54
55
57
58
61
66
67
69
71
73
76
78

3.4.1 Microcontrolador
3.4.2 LCD
3.4.3 Comunicacin a un puerto RS-232.
3.5 MODULO DE ALIMENTACIN
3.6 SOFTWARE DEL SISTEMA
3.6.1Algoritmo general del programa
3.6.2 Diagrama de flujo
3.6.3 Configuracin de los Mdulos del Microcontrolador.
4. PRUEBAS
4.1 PRUEBAS ELCTRICAS
4.2 PRUEBAS FSICAS.
CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES
RECOMENDACIONES
BIBLIOGRAFA.

78
80
81
83
85
85
87
90
95
95
100
106
108
109

LISTA DE FIGURAS

Figura 1. Ubicacin de los iones de Sodio y Potasio en la clula


Figura 2. Equipo de magnetoterapia de emisin cuerpo entero
Figura 3. Campo producido por un elemento diferencial de corriente.
Figura 4. Campo magntico producido por un alambre rectilneo
Figura 5. Filamento rectilneo
Figura 6. Espira circular
Figura 7. Campo magntico en un solenoide
Figura 8. Lneas de campo magntico fuera de un toroide.
Figura 9. Lnea de campo magntico dentro del toroide.
Figura 10. Lnea de campo magntico fuera del toroide
Figura 11. Lneas de campo magntico producidas por una barra magntica.
Figura 12. Induccin de un lazo de alambre.
Figura 13. a) ncleo anillado. (b) Fluxgate
Figura 14. Respuesta del magnetmetro fluxgate ante una excitacin sinusoidal.
Figura 15. Magnetmetro SQUID
Figura 16. Semiconductor del Efecto Hall
Figura 17. Funcionamiento de un sensor de efecto hall en conjuncin con un imn
permanente
Figura 18. Efecto resistivo de un material ferromagntico.
Figura 19. Movimiento de Presesin del protn
Figura 20. Estructura espectral de los electrones de valencia del rubidio
Figura 21. Sistema propuesto
Figura 22. Sensor HAL 815
Figura 23. Diagrama de bloques del funcionamiento interno del HAL 815
Figura 24. Definicin de un 0 y 1 lgico
Figura 25. Paquete de datos para escritura de los registros
Figura 26. Paquete para la programacin de los datos
Figura 27. Diagrama de flujo-Programa principal-programacin del sensor
Figura 28. Diagrama de flujo _ subrutinas
Figura 29. Fuente de alimentacin para programar el sensor
Figura 30. Sistema implementado
Figura 31. Seal de salida del sensor ante un campo magntico sinusoidal a 60Hz.
Figura 32. Implementacin Filtro Pasa Alto
Figura 33. Respuesta en tiempo del circuito implementado

Pg
12
21
25
27
29
30
31
33
34
34
35
41
42
43
44
45
47
49
51
53
55
56
57
58
60
60
63
64
67
68
69
70
70

Figura 49 Registro de estado y control del IRQ

71
72
72
73
73
75
76
77
77
79
80
82
83
84
91
91

Figura 50. Registro ADSCR

92

Figura 51. Registro ADR

92

Figura 52. Registro TSC0

93

Figura 53. Registro INTKBIER

94

Figura 54 Registro INTKBSCR

94

Figura 55. Respuesta del sensor para un campo magntico inducido a 60Hz.

95

Figura 56 Respuesta del sensor para un campo magntico inducido a 120Hz

96

Figura 57 Respuesta del sensor para un campo magntico inducido a 180Hz

97

Figura 58. Respuesta del filtro Pasa alto implementado.

97

Figura 59. Salida de la etapa de Rectificacin

98

Figura 60. Salida de la etapa de amplificacin

98

Figura 61. Detector de ciclo positivo a una seal de entrada con frecuencia de 60Hz
Figura 62. Detector de ciclo positivo para una seal de entrada con frecuencia de
120Hz
Figura 63 Detector de ciclo positivo para una seal de entrada con frecuencia de
180Hz

99

Figura 34. Respuesta en frecuencia del filtro


Figura 35. Rectificador de precisin
Figura 36 Respuesta del rectificador de precisin de onda completa.
Figura 37. Rectificador convencional
Figura 38. Respuesta del rectificador convencional
Figura 39. Circuito Amplificador implementado.
Figura 40. Salida del amplificador
Figura 41. Detector de ciclo positivo
Figura 42. Respuesta del detector de ciclo positivo
Figura 42. Asignacin de pines del microcontrolador.
Figura 44. Esquemtico de la pantalla LCD
Figura 45. Interfaz RS-232
Figura 46 Fuente de 5V y -5V
Figura 47. Circuito cargador de batera
Figura 48. Registro de estado del reset

Figura 64. Gaussmetro


Figura 65. Montaje para prueba realizada con el generador de seales.
Figura 66. Montaje realizado para medicin de campos magnticos

99
100
104
104
105

LISTA DE TABLAS.

Pg
Tabla 1. Patologas tratadas con magnetoterapia.

23

Tabla 2. Transductores de campo magntico.

40

Tabla 3. Aplicaciones ms usuales de los transductores.

53

Tabla 4. Parmetros de programacin del sensor.

61

Tabla 5. Modo, flanco y nivel del TIM.

93

Tabla 6. Respuesta del equipo para diferentes tipos de seal

101

Tabla 7. Cambio en Vrms con respecto a la frecuencia

102

Tabla 8. Comparacin de campos magnticos medidos.

103

INTRODUCCIN
Actualmente la Ingeniera Electrnica, juega un papel importante en el desarrollo
de la ciencia, logrando mediante aportes tecnolgicos, un mejor aprovechamiento
de los recursos disponibles brindando herramientas que permita mejorar las
capacidades del capital humano en distintas reas del conocimiento.
En el rea de la Bioingeniera, se han realizado trabajos con el fin de identificar
intensidades de campo magntico a las que se someten los tejidos vivos bajo
tratamientos de medicina alternativa. Actualmente, existe la posibilidad de efectuar
estos tratamientos para normalizar los campos magnticos alterados del
organismo, esta tcnica consiste en someter los tejidos vivos, a una emisin de
campo magntico artificial. Los equipos generalmente utilizados son sistemas que
controlan la emisin de campo magntico. En estos tipos de terapias es de
importancia conocer la magnitud del campo magntico aplicado en el paciente,
este campo puede ir cambiando segn sea el requerimiento individual, para ello
se debe contar con un instrumento capaz de detectar e identificar las
caractersticas de los campos emitidos, el cual es el objetivo a cumplir con el
sistema a desarrollar.
En el presente trabajo se hace una introduccin a la magnetoterapia dando a
conocer de esta manera la influencia que ha tenido en la medicina alternativa y los
tratamientos que hasta la actualidad se han llevado a cabo. Se expondrn algunos
conceptos y definiciones bsicas del campo magntico y de los estndares
definidos

para su medicin. Se tratarn las tecnologas de los dispositivos

disponibles en la actualidad para la medicin de campos magnticos tanto


escalares como vectoriales dependiendo de su intensidad, as como sus
aplicaciones, para luego continuar con la explicacin del proceso de construccin
y las caractersticas del equipo a construir.

1. MARCO TEORICO

1.1 MAGNETOTERAPIA.
La obtencin final de un prototipo capaz de medir la intensidad de los campos
magnticos emitidos por un equipo utilizado para terapia magntica es el objetivo
ltimo de este proyecto, razn por la cual es necesario tener un conocimiento
acerca de los avances que ha tenido la terapia magntica a travs de los aos y
de los equipos que se estn utilizando a nivel global para dichos tratamientos.
La Magnetoterapia o terapia magntica fue usada desde hace mucho tiempo, las
primeras referencias provienen de frica donde fue hallada una mina de magnetita
de la cual se extrajo la piedra para usar en pociones, alimentos y aplicaciones
tpicas. Las ms antiguas civilizaciones, (egipcia, rabe, griega, hebrea, hind y
china) usaron magnetos naturales para corregir problemas de salud pero por
mucho tiempo el uso de ellos se vinculo a la magia1.
En el siglo I d C., Plinio, historiador romano, habl sobre la utilizacin de los
imanes para curar los problemas oculares. Durante ese mismo siglo, algunos
geomnticos chinos empezaron a documentar lo efectos del campo magntico
terrestre en la salud humana despus de utilizar brjulas de gran precisin para la
exploracin de las condiciones geomagnticas. En el siglo II, el clebre mdico
Galeno recomendaba el empleo de imanes para tratar el estreimiento y diversos
trastornos dolorosos. En el siglo IV, Marcel, filsofo y mdico francs, aconsejaba
llevar un imn alrededor del cuello para aliviar los dolores de cabeza. En el siglo
VI, Alejandro de Tralles utilizaba imanes para tratar el dolor de las articulaciones.
1

Alberto Govea.
REV Cubana Med Integr 2002;18:73-5

Los magnetos no fueron hecho de investigacin cientfica hasta el principio del


siglo XVI, por un mdico y alquimista suizo llamado Paracelso (1493 1543),
quien llevo sus conocimientos por Asia, frica y Europa e impulso mas adelante a
los mdicos William Gilbert (1540-1603) y Frederik Franz Mesmer (1743-1815), a
incursionar en el tema del magnetismo, ellos manifestaron que los imanes tenan
un poder curativo cuya causa provena de deficiencias magnticas, a raz de ellos
se iniciaron tratamientos teraputicos utilizando magnetos naturales para corregir
problemas de salud. Michael Faraday (1791-1867) fue el que estableci las pautas
en los asuntos del biomagnetismo y campos magnticos2.
El famoso qumico francs Louis Pasteur document los descubrimientos que
haba realizado en relacin con los efectos de los imanes en el proceso de
fermentacin. Pasteur tambin desarroll el proceso de esterilizacin de la leche
(pasteurizacin). Pasteur se percat de que si colocaba un imn cerca de una
cuba de fermentacin llena de fruta (tal como se utiliza en la produccin de
bebidas alcohlicas), el proceso de fermentacin era ms rpido. En aquella
misma poca Samuel Hahnemann, el creador de la homeopata, tambin
experiment con los imanes con fines teraputicos y acab defendiendo el uso de
los imanes para tratar un gran nmero de trastornos de la salud.
El cuerpo humano se encuentra rodeado de un campo magntico o energtico
llamado campo bioplasmtico. El cuerpo funciona con distintas manifestaciones de
compuestos qumicos que realizan una serie de reacciones, que cargan
elctricamente las clulas. La concentracin de los iones de potasio y sodio
presentes en la membrana celular son los que mantienen el equilibrio elctrico de
la misma. El potasio permanece en alta concentracin en el interior de la clula,
mientras que el sodio lo hace en la parte exterior de la membrana, lo que genera
una diferencia de potencial que permite que la clula pueda actuar recibiendo y
2

Historia de la magnetoterapia
Facultad de Ciencias Mdicas Enrique Cabrera.

11

emitiendo

informacin

(figura1).

Estos

iones

se

encuentran

cargados

elctricamente, transformando a cada clula en una fuente de energa.


Figura 1. Ubicacin de los iones de Sodio y Potasio en la clula.

En una clula sana el potencial elctrico, vara entre 70 y 90 milivoltios. En una


clula afectada de un cuadro patolgico, este potencial disminuye un valor
aproximado de 50 milivoltios. Cuando este potencial disminuye a 30 milivoltios se
produce la muerte celular3.
En mltiples ocasiones la enfermedad aparece cuando el mecanismo de
regulacin metablica pierde su capacidad de equilibrio, un organismo sano
realiza el equilibrio metablico cada vez que se produce un cambio en el proceso,
cuando se bloquea esta reaccin curativa se produce una alta impermeabilidad de
la membrana celular que lleva a la enfermedad, sta se produce por la falta de
cambios alotrpicos (formacin de la estructura de la membrana), de las protenas
y la inactividad de elementos de regulacin.
La magnetoterapia es una tcnica que consiste en someter los tejidos vivos, a una
emisin del campo magntico bien sea por medio de imanes permanentes o
artificiales y bobinas solenoides.

Ctedra de Medicina Natural y Tradicional


Facultad de Ciencias Mdicas _ Enrique Cabrera.

12

La Magnetoterapia forma parte del Biomagnetismo y est orientada a la


prevencin y curacin de las enfermedades de los seres vivos.

1.1.1 Efectos de la magnetoterapia.


A continuacin se mencionan algunos efectos de la magnetoterapia causados en
el organismo:4

a. Orientacin molecular.
En 1970, se estudiaron los efectos de un campo magntico homogneo, con
intensidad de 1 Tesla, equivalente a diez mil Gauss, sobre los bastoncillos de la
retina inmersos en una suspensin acuosa. Los bastoncillos se orientaron
paralelamente a las lneas de flujo magntico, como si se tratara de una sustancia
ferromagntica Se considera que, las molculas de fosfolpidos y el pigmento de
rodopsina de los bastoncillos son los responsables de la orientacin en paralelo de
dichos bastoncillos. Se han encontrado orientaciones similares, en paralelo, en las
molculas de la queratina, el colgeno y las fibras musculares. Se podra asumir
que es la estructura proteica la que determina la orientacin en paralelo de las
molculas en las substancias consideradas paramagnticas.
b. Reaccin enzimtica.
Se ha demostrado un aumento de la actividad de la tripsina con la aplicacin de
campos

magnticos.

Tambin

se

ha

estudiado

la

actividad

de

la

desoxirribonucleasa con campos magnticos y se ha verificado el aumento del


treinta por ciento en la velocidad de hidrlisis del cido nucleico.

Magnetoterapia _ Medicina Alternativa.


Instituto Biocyber.

13

c. Interaccin oxgeno-substrato.
El oxigeno se acumula en los sitios en donde la intensidad del campo magntico
es mxima. Dado que el oxgeno ( O 2 ) es paramagntico, el campo magntico
ejerce una accin de migracin alineada sobre el oxgeno disuelto en el lquido,
ocasionando un cambio en la concentracin del elemento dentro de la clula. Al
aumentar la intensidad de campo magntico hay una mayor concentracin de
oxigeno que ha de beneficiar aquellos tejidos isqumicos, donde la circulacin
arterial se encuentra empobrecida.
d. Influencia sobre los cidos nucleicos.
La incorporacin de la 3H-timidina en el ADN nuclear, aument en cultivos de
fibroblastos, al ser expuestos a la influencia de un campo magntico. Se ha
demostrado un significativo incremento en la sntesis del ADN en cultivos de
condroblastos sometidos a la influencia de campos magnticos. Dicho aumento se
interpreta como el reflejo de una modulacin, directa o indirecta, de la duplicacin
de mismo cido desoxirribonucleico. Se ha estudiado tambin que la actividad del
ARN mensajero es aumentada por efecto de los campos magnticos.
e. Influencia sobre el colgeno.
Aplicando campos magnticos a cultivos de condroblastos, se ha observado un
aumento en la sntesis del colgeno. Se ha comprobado adems, un incremento
en la conversin de 3H-prolina en 3H-hidroxiprolina, en cultivos de clulas seas
embrionarias, expuestas a la accin del campo magntico. Dado que el colgeno
forma la sustancia intercelular, es posible encontrarlo, en distintas proporciones,
en todo el organismo. Los ligamentos musculares, el estroma de la membrana
sinovial presentan fibras colgenas. El cartlago articular muestra una trama de
fibras colgenas en una matriz de sustancia fundamental de proteoglicanos. En los
huesos, el colgeno junto con los mucopolisacaridos y mucoprotenas constituyen

14

la materia orgnica, y representan un 25% del tejido seo. Se ha reportado que, la


aplicacin de campos magnticos produce efectos benficos, en la reduccin del
proceso inflamatorio y la detencin del proceso degenerativo fibroso originados en
la ruptura del tejido conectivo.
f. Influencia sobre la funciones de transporte de la membrana celular.
Los campos magnticos aumentan la toma de calcio radioactivo en el hueso
osteoportico de las ratas (mayor actividad osteoblstica). Se ha observado
tambin un aumento en la toma de calcio en las clulas seas embrionarias
sometidas a campos magnticos. Se ha demostrado un aumento en la salida de
sodio de los eritrocitos humanos expuestos a campos magnticos. Para lograr una
buena polarizacin de la membrana celular, es importante el buen funcionamiento
de la bomba de sodio.
g. Influencia sobre la liberacin de la noradrenalina.
La aplicacin de campos magnticos aumenta la secrecin de 3H-noradrenalina
en la lnea clonal de la clula nerviosa. El efecto del campo magntico sobre la
liberacin de 3H-noradrenalina es semejante en magnitud al producido por
estmulo colinrgico.
h. Sistema Circulatorio.
El cuerpo humano contiene de 5 a 6 litros de sangre, las arterias y los capilares
transportan el oxigeno y otros elementos a estos rganos. Los mismos capilares
recogen la sangre empleada, la cual contiene toxinas y productos de desecho, y la
vacan en las venas. El magnetismo acta especialmente en la sangre, y ms que
nada a travs del sistema circulatorio en donde los efectos del magnetismo se
dispersan por todo el cuerpo. En su camino de regreso al corazn, la sangre pasa
por los riones, donde se filtra, y luego por los pulmones, donde se carga de
oxigeno. Esta sangre, con oxigeno fresco, llega al corazn, donde es enviada de

15

nuevo a todos los rganos. La clula roja funciona como un pequeo depsito de
una sustancia llamada hemoglobina, lo que da a la sangre su color particular. Una
molcula de hemoglobina contiene suficiente hierro para que las clulas rojas
sean ligeramente paramagnticas y por lo tanto sujetas a los efectos de los
campos magnticos. Cuando el conteo de las clulas sanguneas rojas del
organismo esta bajo, o cuando el contenido de hemoglobina y por consecuencia el
contenido en hierro es bajo, el organismo no recibe suficiente oxigeno para
mantener un adecuado nivel de energa. Las clulas rojas son los mayores
portadores de oxigeno. La anemia provoca una perdida de energa debido a la
falta de hierro. Se ha demostrado sin embargo, que los imanes pueden aumentar
ligeramente la conductibilidad de la sangre, y as al ionizarse mejora la circulacin
y estabiliza la presin sangunea. La sangre magnetizada puede transportar mas
oxigeno a las clulas y as lograr que ms energa este disponible para los tejidos
y los rganos, para que realicen un mejor trabajo. Debido a que el flujo sanguneo
en ocasiones se bloquea parcialmente por depsitos de grasa o por
acumulaciones de calcio y colesterol, la dotacin de oxigeno, as como el
abastecimiento de otros nutrientes esenciales, disminuye. Sin embargo, se ha
observado que el magnetismo activa la circulacin sangunea. La hemoglobina
magnetizada proporciona una mejor dotacin de oxigeno y tambin permite una
mejor eliminacin de desechos. Una mejora en la circulacin es favorable porque
una mejor dotacin de oxigeno contribuye a un funcionamiento ptimo de todos los
rganos del cuerpo y fortalece el sistema inmunolgico. Los imanes no curan, pero
tienen un efecto sinergtico ya que permiten al organismo recobrar el equilibrio y
defenderse mejor contra las invasiones externas. En los laboratorios Delawar,
Inglaterra, el personal que trabaja con un campo electromagntico producido por
un solenoide, han observado en la sangre de las personas las siguientes
reacciones: Una reduccin interesante de los niveles de colesterol, aumento en la
secrecin de hormonas corticales, menor conteo de clulas sanguneas blancas,
coagulacin rpida y disminucin en la tensin arterial, despus de tres semanas
de tratamiento.

16

i. Sistema Nervioso.
Lo esencial del sistema nervioso es la clula nerviosa o neurona. Estas clulas
producen una forma de energa que pasa a travs de sus membranas. Las
neuronas transportan impulsos entre el organismo y el sistema nervioso central.
Los iones se transportan en los axones. los axones estn cubiertos con un
revestimiento llamado mielina, que los asla y aumenta la velocidad de conduccin
del flujo nervioso. Las neuronas estn unidas por conexiones llamadas sinapsis.
Cuando las clulas nerviosas son estimuladas envan mensajes al cerebro. El
impulso electroqumico viaja a lo largo del nervio y su paso se facilita o se
inhabilita por la presencia o ausencia de sinapsis. Cuando el cerebro finalmente
recibe el impulso, interpreta el mensaje y responde a este. Las clulas nerviosas,
tienen una carga negativa interna y una carga positiva externa. Cuando se
estimulan las terminaciones nerviosas, hay un aumento en

la carga positiva

externa causando de esta forma que la membrana celular se abra durante una
fraccin de segundo, permitiendo que los iones positivos pasen al interior de la
clula. La carga positiva dentro de la clula se transmite a la clula nerviosa
adyacente, y as continuamente. Para sentir dolor, debe existir una estimulacin
de las terminales nerviosas, y el cerebro debe estar informado de esta
estimulacin e interpretarla. Si se corta el nervio, si algo mas impide que el influjo
alcance el cerebro, o si este influjo es demasiado dbil, no se experimentara dolor
que es el resultado esperado con las terapias magnticas.
j. Sistema Endocrino.
El sistema endocrino es importante tambin respecto al magnetismo. Al mismo
tiempo que el sistema nervioso acta directa y rpidamente sobre los msculos y
las glndulas, el sistema endocrino realiza un efecto mas lento, acta sobre las
clulas por medio de sustancias qumicas llamadas hormonas, que son
segregadas directamente a la sangre. Cada clula tiene receptores que reconocen
solo las molculas de las hormonas dirigidas especialmente a ella y que extraen

17

las molculas hormonales del torrente sanguneo. Las glndulas endocrinas se


activan por medio del sistema nervioso y otras por cambios qumicos en el
organismo. Las hormonas y los neurotransmisores del sistema nervioso central
tienen una funcin parecida, ambas transportan mensajes entre las clulas del
organismo. Un neurotransmisor transporta mensajes entre las neuronas que estn
cerca unas de las otras, siendo su efecto local. Por otro lado, una hormona puede
viajar grandes distancias en el organismo y producir diferentes efectos en distintos
grupos de clulas. An as, estos mensajeros qumicos tienen mucho en comn,
porque algunos realizan las dos funciones. Cuando son liberados por las
neuronas, la adrenalina y la norepinefrina actan como neurotransmisores,
actuando como hormonas cuando son producidos por las glndulas suprarrenales.
Las secreciones hormonales se pueden regular e incluso mejorar con el uso del
magnetismo, ya que los capilares que estn alrededor de las glndulas, son parte
del sistema circulatorio, del cual ya se ha comentado su efecto con el magnetismo.
Al dilatar los capilares, permitiremos una mejor transmisin de hormonas a todas
partes del organismo, un funcionamiento disminuido de la glndula pituitaria,
puede corregirse aplicando campos magnticos combinados con otros mtodos de
medicina alternativa, si es que el problema se ha detectado a tiempo.
k. Cicatrizacin.
El magnetismo no acta solo en la sangre, los nervios y las glndulas, sino
tambin en las clulas como ya lo hemos explicado. Holger Hanneman, importante
investigador de este campo, observ que la formacin de colgeno era simtrica y
en ngulo recto con la incisin a lo largo de una seccin tratada con imanes,
mientras que en la seccin no tratada con imanes, la cicatrizacin se dio de forma
totalmente dispareja e irregular. Descubri que el magnetismo puede ayudar a
restaurar la elasticidad en el tejido cicatrizado, de forma notable en los casos de
quemaduras.

18

l. Cncer.
La importancia del magnetismo y su investigacin en el campo de la oncologa no
debe ser ignorado, a continuacin, el siguiente tratamiento del Dr. John Pole es
totalmente cientfico. El doctor John Pole, profesor de Hematolgica Oncolgica
peditrica de la Universidad de Florida, reporta un tratamiento magntico sobre la
medula espinal que ha triplicado el ndice de supervivencia en nios que sufran
de neuroblastoma, un cncer del sistema nervioso que por lo general produce
tumores abdominales y metstasis en la medula espinal. El tratamiento consisti
en inyectar partculas magnticas en la medula espinal extrada, en la que las
partculas solamente se adhirieron a las clulas cancergenas. El fluido entonces
se filtra utilizando equipo magntico especial para separar las clulas sanas de las
clulas cancergenas. El fluido se congel y reinyect despus de que el paciente
recibi quimioterapia o radioterapia. El fluido reinyectado estaba libre de
enfermedad, pues ya no contena clulas cancergenas y en consecuencia
tambin era compatible con la ausencia del riesgo de rechazo. De acuerdo a las
declaraciones del doctor Robert Seeger, profesor de Hematolgica Oncolgica
peditrica en la Facultad de Medicina de la Universidad del Sur de California, un
nio de dos aos diagnosticado con neuroblastoma gozaba de buena salud tres
aos despus de recibir tratamiento magntico. Una vez ms, se observ que
aunque la aplicacin de campos magnticos no curaba, reforzaba y acentuaba de
manera importante el proceso curativo. Aproximadamente 50 por ciento de los
nios con neuroblastoma, enfermedad que es fatal en 90 por ciento de los casos,
vivi un promedio de dos aos despus del tratamiento magntico sin que volviera
la enfermedad. Tambin se ha reportado que el cncer de mama ha sido tratado
con xito con imanes Neomax, que son imanes de 4 000 gauss hechos de hierro,
boro y neodimio.
Como dato complementario, estos imanes que tienen el tamao de una moneda y
pesan cerca de 30 g se disearon en 1983 basados en las investigaciones del

19

profesor Goesta Wollin y se fabrican y comercializan por la Compaa Sumitomo


de Metales Especiales, en Japn.

1.1.2 Equipos utilizados en magnetoterapia.


Actualmente, existe la posibilidad de efectuar tratamientos que permiten
normalizar los campos magnticos alterados del organismo, a partir de equipos
generadores de campo magntico fabricados sobre todo por la antigua URSS y
Canad. En estos momentos en Latinoamrica se cuenta con una compaa de
servicios mdicos ubicada en Cuba, la cual brinda tratamientos utilizando equipos
MAGNA (Campo Magnticos Pulstiles), los cuales funcionan bajo prescripcin y
control mdico. Algunos de los equipos utilizados en magnetoterapia.

a. Equipos de emisin localizada.


Estos equipos tienen la posibilidad de emisin bilateral (planas) y dos cilindros de
campo envolvente. Estos equipos tienen la opcin de emitir hasta 150 Gauss y
tienen emisin continua y alterna. Los equipos estn adaptados para ser
transportados con facilidad dentro de un maletn especialmente diseado. Ideal
para tratamientos localizados y domiciliarios5.

b. Equipos de emisin cuerpo entero.


Modelo para patologas generalizadas, sectorizado en 3 partes de accionamiento
independiente con consola de comando, la cual controla e identifica la intensidad
de campo magntico emitida6 (figura 2).

5
6

Cuba Mdica_ Campos magnticos Pulstiles.


Cuba Mdica_ Campos magnticos Pulstiles.

20

Figura 2. Equipo de magnetoterapia de emisin cuerpo entero

Para la medicin de campos magnticos existe una coleccin variada de


transductores, caracterizados por sus propiedades de acuerdo a la aplicacin
determinada, las cuales van desde la presencia de un campo hasta la variacin
con exactitud de las medidas escalares y las propiedades vectoriales que estn
presentes. Los sensores utilizados para medir campos magnticos se clasifican
en:

sensores

que

miden

campos

bajos

(<1mT)

comnmente

llamados

magnetmetros y sensores que miden campos altos (>1mT) usualmente llamados


gaussimetros.7
Las tecnologas existentes hoy en da

abarcan tres tipos de categoras de

acuerdo a su sensibilidad: alta sensibilidad (SQUID, Optically Pumped), mediana


sensibilidad (Search-coil, Fluxgate, Magnetoresistive) y de baja sensibilidad
(Hall-effect sensor).

A Review of Magnetic Sensors


James E . Lenz_ IEEE

21

1.1.3 Equipos utilizados para medicin de campos magnticos.


A continuacin se enunciarn algunos equipos con sus caractersticas principales
los cuales han sido utilizados en el uso de mediciones magnticas:
En el departamento de Ingeniera Elctrica de la Universidad de Pavia, Italia; se
present un microsistema integrado para medicin de campo magntico en 3D,
este dispositivo monitorea el modulo del vector de campo magntico que este
percibiendo y almacena un histograma de los niveles percibidos para
posteriormente ser descargados a un PC. El transductor utilizado en este trabajo
es un sensor de efecto hall convencional de tecnologa CMOS. El propsito del
dispositivo es

detectar campos magnticos en el ambiente y entregar los

resultados a un microprocesador por medio de una interfase serial.8


TWILINGHT S.A, empresa ubicada en Monterrey, Mxico, la cual se dedica a la
distribucin de equipos de laboratorio industrial, present un gaussmetro porttil,
el cual trae incorporado un procesador digital de seal (DSP). Este instrumento
permite al usuario visualizar la lectura del campo magntico en una pantalla de
cristal lquido, en las unidades de gauss o tesla segn sea el requerimiento,
adems presenta una salida de comunicacin a travs del puerto USB.9
LakeShore, empresa especializada en la fabricacin de equipos industriales,
presenta una serie de dispositivos electromagnticos, los cuales implementan
transductores de efecto hall y se caracterizan por medir campos de intensidades
altas (hasta de 2 teslas), capaces de tomar hasta cuatro muestras diferentes de
campo magntico simultneamente.

An Integrated Microsystem for 3D Magnetic Field Measurements


Piero Malcotivati_Franco Maloberti
Universidad de Pavia _ Italia. IEEE
9
www.twilight.com.mx

22

Tabla1. Patologas tratadas con magnetoterapia.


Gauss
CERVICOARTROSIS
Nucalgias
Braquialgias
Hemicrnea y vrtigos
LUMBARTROSIS
Lumbago
Sacralgias
Lumbocitica
PODALGIAS
Sin. Tnel Tarsiano
Sin. Seno del Tarso
Epifisitis Calcnea
Sndrome Espoln
Artritis Reumatoidea
Epicondilitis
Fracturas
Retardo de consolidacin
ULCERAS CUTANEAS
Varicosas
Decbito
Quemaduras
Isqumicas
EDEMA
Venoso
Linfedema
Postraumtico
Depresiones (insomnio)
Sinusitis
Acn
Asma bronquial
Hemorroides
CONJUNTIVITIS
Infecciosas
Alrgicas
Qumicas
Dismenorrea
Hematomas
Lectura: X mejora discreta

N de sesiones

Resultado

35
50-35
20

20
25
15

XXX
XXX
XX

65
65
65

20
25
40

XXX
XX
XX

35
25-30
25-30
65
65
50
65-55-65-55
25-30-25-30

30
25
15
25
40
30
35-40
30-40

XXX
XX
XXX
X
XX
XX
XXX
XX

30-35
30-35
55
65-35

30
40
10
40

XXX
XX
XXX
XX

20-25
20-25
40
20-10
10-15-20-10
15-20 25-30
30-50-30 35
65

40
30
25
40
20
15
20
30

XXX
XX
XXX
XX
XX
XX
XX
XXX

10
10
XX
20
15
X
15
5
XXX
20
7
XX
35
10
XXX
XX mejora de mas del 50 % XXX mejora mayor del 80 %

23

En general, es posible observar la tendencia a desarrollar equipos porttiles con el


objeto de cubrir grandes reas en cortos perodos de tiempo con un nico equipo.
Tambin se destaca la incorporacin de software de procesamiento de seal con
el objeto de encontrar el espectro de las seales adquiridas y a partir de esto
factores de amplificacin o frecuencias predominantes.
En la tabla 1 se

presenta una lista de algunos tratamientos realizados con

intensidades de campo magnticos alrededor de 100 Gauss, que son valores


generalmente emitidos por los equipos utilizados para magnetoterapia.

1.2 FUNDAMENTOS DE CAMPO MAGNTICO


A continuacin se expondrn algunos conceptos y definiciones bsicas del campo
magntico, se tratarn las tecnologas de los dispositivos disponibles en la
actualidad para la medicin de campos magnticos tanto escalares como
vectoriales dependiendo de su intensidad, as como las aplicaciones

en las

diferentes reas del conocimiento.

1.2.1 La ley de Biot-Savart


La ley de Biot-Savart calcula el campo producido por un elemento dl de la
corriente de intensidad I en un punto P distante r de dicho elemento (figura3).

dB 0 I
(t r )
=
dl 4r 2

24

[1]

Figura 3. Campo producido por un elemento diferencial de corriente.

El campo producido por el elemento esta definido por la ecuacin [9], tiene la
direccin perpendicular al plano determinado por los vectores unitarios t y r y
sentido el que resulta de la aplicacin de la regla de la mano derecha. t es un
vector unitario que seala la direccin de la corriente, mientras que r seala la
posicin del punto P desde el elemento de corriente dl.
La ley de Biot - Savart tambin puede ser expresada en trminos de fuentes
2

distribuidas como la densidad de corriente J [A/ m ] y la densidad superficial de


corriente K [A/m]. La corriente superficial fluye en una hoja cuyo espesor tiende a
cero y la densidad de corriente resulta infinita. De manera que el elemento
diferencial de corriente es I dL, por tanto:

IdL = KdS = Jdv

25

[2]

Y se obtienen formas alternas de la ley de Biot Savart:

B=

o
K r
dS

4 s r 2

[3]

B=

o
J r
dv
4 vol r 2

[4]

1.2.2 Ley de Ampre.


La Ley de Ampre esta definida por la siguiente ecuacin:

B d l = J n
0

da

[5]

La cual dice que la integral de lnea de B alrededor de una trayectoria cerrada es


igual a 0 veces la intensidad de corriente total que pasa a travs de la trayectoria
cerrada.10
Para verificar la ecuacin se puede tomar el caso de un alambre rectilneo, cuando
a lo largo de l circula una corriente (figura 4).
En este caso la corriente se dirige hacia arriba y C se describe en el sentido
contrario de las manecillas del reloj. En el punto P a una distancia r el conductor el
campo magntico esta dado por:
B( r ) =

0
2r

[6]

tangencial a la circunferencia de radio r con centro en el conductor.

10

Fundamentos de la Teora Electromagntica


Reitz_Milford_Christy.

26

Figura 4. Campo magntico producido por un alambre rectilneo

De la figura 4 se puede observar que:


B dl = B dl cos x = B rd [7]
conociendo B se tiene:

B dl =
C

0I
rd = 0 I
2r

[8]

Existe una relacin entre campos elctricos y magnticos. El fsico dans Hans
Christian Oersted (1777-1851), realiz una serie de experimentos con el fin de
determinar si existe relacin entre electricidad y magnetismo, descubri que al
pasar una corriente a travs de un alambre cerca de una brjula la aguja
magntica de sta produce una rotacin, entonces una corriente elctrica exhibe
propiedades magnticas parecidas a alas de un imn, la brjula fue el primer
sensor de fuerza de campo magntico.

27

El cientfico ingls Michael Faraday (1791-1867), encontr que se podra producir


un voltaje elctrico en los terminales de un lazo de alambre si l mova un imn
cerca de ste. Esto condujo al diseo de la bobina de induccin.
Los campos magnticos son producidos por el flujo de carga elctrica, en efecto
un campo magntico es una transformacin en velocidad de campo elctrico (a
travs de una transformacin de Lorentz).
La ley de la fuerza de Lorentz describe la fuerza neta que acta sobre una
partcula puntual o distribucin de carga en movimiento cuando los campos
elctricos y magnticos se encuentran presentes al mismo tiempo11.
r r
f L = q( v B )

[9]

r
r
donde q es la carga de la partcula, v la velocidad con que se mueve y B el
campo magntico presente.

1.2.3. Campos magnticos inducidos.

A continuacin se presentan los campos magnticos producidos por algunas


distribuciones de corrientes importantes como son: corriente rectilnea, espira
circular, solenoides y toroides.

11

Fundamentos de Electromagnetismo para Ingeniera.


David K Cheng.

28

a. Campo magntico debido a un filamento rectilneo.


Las lneas de fuerza de un campo magntico en un conductor rectilneo son
circunferencias concntricas con el conductor como centro, el sentido de B esta
dado segn la regla de la mano derecha.

Figura 5 Filamento rectilneo

Si colocamos el alambre sobre el eje X y hacemos circular una corriente de


intensidad (figura 5), el campo magntico calculado en un punto P a una
distancia r del eje Y esta dado segn la ley de Biot-Savart por:
B=

quedando:

0 i r
dx [10]

4 r

B=

0I
4a

send =

de donde:

i r = rSenk

0I
I
k ( cos ) = 0 k [11]
4a
2a
0

29

b. Campo magntico debido a una espira circular


Si se tiene una espira circular de alambre por la cual circula una corriente
(figura 6). Teniendo en cuenta que la espira se encuentra en el plano XY el
campo magntico en un punto P puede calcularse haciendo un anlisis
vectorial.
Utilizando las siguientes relaciones:
dl = ad(isen + j cos )
r = ia cos jasen + kz
r = (a 2 + z 2 )

1
2

El campo magntico queda expresado por:


B=

0 I 2 (iza cos + jzasen + ka 2 )


d
3
4 0
(z 2 + a 2 ) 2

resolviendo la integral:

B=

0I
a2
k
2 (z 2 + a 2 ) 32

Figura 6. Espira circular

30

[13]

[12]

c. Campo magntico debido a un solenoide


Un solenoide es, en esencia, un conjunto de espiras iguales y paralelas
dispuestas a lo largo de una determinada longitud que son recorridas por la
misma

intensidad

de

corriente

Puede

describirse

como

vueltas

uniformemente enrolladas en una forma cilndrica de radio a y longitud L


(figura 7).
La induccin magntica en el punto P depende de la cantidad de los elementos
diferenciales dz existentes. Aplicando la ecuacin de una espira circular a cada
elemento diferencial y sumando los resultados, el campo magntico queda
expresado como:
Bz =

0 Ia 2
2L

dz

[(z

z) + a
2

Figura 7 Campo magntico en un solenoide

31

k [14]
2

Cambiando Z Z 0 = a.cot y resolviendo la integral queda:


Bz =

0 NI
[ cos( 1 ) + cos 2 ]
2L

[15]

Siendo 1 y 2 ngulos menores de /2 la ecuacin se convierte en:

Bz =

0 NI cos 1 + cos 2

L
2

[16]

Si la distancia Z 0 esta ubicada en la mitad del solenoide, siendo este lo


suficientemente grande en comparacin con su radio, los ngulos son pequeos y
se pueden aproximar mediante:

a
,
z0

a
L z0

el campo magntico queda determinado como:

Bz

0 NI
a2
a2

k
L 4z 02 4(L z 0 ) 2

[17]

Si Z 0 =L/2 y L/a =10, resulta un error del 2% utilizando la formula elemental

Bz =

0 NI
k
L

32

[18]

d. Campo magntico producido por un toroide.


Un toroide enrollado uniformemente, con N vueltas de alambre por la que pasa
una corriente de intensidad (), con radio interno (a) y radio externo (b) emite una
induccin magntica tangencial a lo largo de su trayectoria circular.
Para calcular la intensidad de campo que atraviesa la circunferencia de radio r (en
color azul) se encuentran tres casos:
Para cada circunferencia de radio r:

B dl = 2rB

[19]

B debe ser igual a 0 veces la corriente total que pasa a travs del crculo:
2rB = 0
2rB = 0

a<r<b

r>b y r<a.

Figura 8. Lneas de campo magntico fuera de un toroide.

33

Figura 9 Lnea de campo magntico dentro del toroide.

Figura 10. Lnea de campo magntico fuera del toroide.

34

La fuente ms familiar de campos magnticos es la barra magntica (figura 11), el


campo magntico en cada punto del espacio alrededor de este imn es una
cantidad vectorial que posee una direccin y una magnitud.
Figura 11. Lneas de campo magntico producidas por una barra magntica.

El campo magntico para una barra u otro objeto magntico cuando es medido a
una distancia (r) mayor que la longitud (l ) del objeto esta dado por:
r r r
r
r 3(m
a r )a r m
H=
[20]
r3
r
r
donde: a r es el vector unitario en direccin r , r es la distancia entre la fuente de
r
campo magntico y el punto de medida y m es el momento dipolar magntico
equivalente.

35

r
La magnetizacin M es definida como el momento dipolar magntico neto por
unidad de volumen:
N

r
M=

m
i =1

volumen

[21]

La magnetizacin es una cantidad vectorial y una propiedad material que puede


provenir de corrientes internas que pueden ser a su vez alteradas por un campo
magntico externo.
Hay un tercer vector magntico llamado induccin magntica o densidad de flujo.
En el espacio libre el campo magntico y la densidad de flujo son proporcionales
uno del otro por un factor constante 0 .
r
r
B = 0H

[22]

La siguiente ecuacin describe la relacin entre el campo intensidad magntica


r
r
r
H , la densidad de flujo B y los vectores de magnetizacin M en la materia:
r
r r
B = 0 (H + M )

[23]

Los vectores de campo magntico y densidad de flujo no necesariamente deben


tener la misma direccin, algunos materiales tienen propiedades magnticas
anisotrpicas que hacen que los vectores se orienten en direcciones diferentes.
Existen materiales con dominios magnticos permanentes como en un imn, otros
materiales requieren de un campo externo para magnetizarse. La magnetizacin
es generalmente inducida y esta descrita por la ecuacin:
r
r
M = H

36

[24]

donde es llamada la susceptibilidad magntica del material. En un material


isotrpico (las propiedades magnticas no dependen de la direccin), es una
cantidad escalar y la magnetizacin y los vectores de campo son proporcionales y
estn alineados. En un material anisotrpico la magnitud y la direccin del vector
de magnetizacin depende de la direccin y la fuerza de la induccin magntica.
Como consecuencia los vectores no siempre estarn alineados, por tanto se
puede definir para materiales magnticamente suaves:
r
r
r
B = 0 (1 + )H = 0 H

[25]

donde es la permeabilidad relativa del material.


r
Un objeto magnetizado con un momento magntico m experimentara un torque
r
T en presencia de un campo magntico uniforme, esta relacin se puede
expresar:
r r r
T = m H

37

[26]

2. MEDICIONES DE CAMPOS MAGNTICOS


El campo magntico es medido usando una tecnologa variada de transductores,
caracterizando sus propiedades de acuerdo a la aplicacin determinada, las
cuales van desde la presencia de un campo hasta la variacin con exactitud de
las medidas precisas escalares y las propiedades vectoriales que ste presente.
Los sensores utilizados para medir campos magnticos pueden medir tanto
componente vectorial como magnitud escalar, el esquema presenta la clasificacin
de dichos sensores:

Los transductores Bobina de induccin y Puerta de Flujo son los mas utilizados
para medir campos vectoriales ya que son confiables y relativamente mas

econmicos; los de fibra ptica son dispositivos recientemente desarrollados para


medir campos de intensidades bajas con una sensibilidad cercana a la bobina de
induccin, sin embargo su desempeo es mejor. El dispositivo superconductor
Squid es de transductores mas sensibles para la medicin de campo magntico,
trabajan a

temperaturas muy bajas y requieren sistemas

de control trmico

especializados, esto lo hace mas costoso y menos fiable.


El sensor de efecto Hall usado generalmente en gaussimetros, se utiliza
comnmente para la medicin de campos magnticos vectoriales de alta
intensidad (>1mT).
Los sensores magneto resistivos cubren un rango de medida intermedio entre
sensores de campo alto y campo bajo. El magnetmetro de presesin del protn
un dispositivo para medir la fuerza del campo magntico escalar, este tiene una
tasa de muestreo muy bajo (del orden de 1 a 3 muestras/segundo) por lo que no
puede medir cambios rpidos en el campo magntico
El magnetmetro de Bombeo ptico, opera a tasas de muestreo ms grandes que
el magnetmetro de presesin del protn pero este es ms costoso y menos
fiable12.
En tabla 2 se detalla una lista de los diversos Transductores con sus respectivas
caractersticas.

12

A REVIEW OF MAGNETIC SENSORS


James E. Lenz. IEEE.

39

Tabla 2. Transductores de campo magntico.

TRANSDUCTOR

RANGO

RESOLUCIN

ANCHO DE

(mT)

(nT)

BANDA

COMENTARIO

(Hz)
Induction Coil

Fluxgate

10

10

10

SQUID

10

Hall Effect

Magnetoresistance

a 10

4
9

0,1

a 0,5

10

a 0,1

0,1 a 3 10
10

Variable

10

a 10

dc a 2 10

No puede medir
campos estticos.

3 Magnetmetro vectorial

dc a 5

de propsito general.
Magnetmetro de alta
sensibilidad.

100

10

a 5

dc a 10
dc a

10 7

Mejor aplicacin para


campos >1mT.
Bueno para
aplicaciones de rango
medio

Proton Precession

0,02 a 0,1

0,05

dc

a 2

Magnetmetro escalar
de proposito general.

Optically Pumped

0,01 a 0.1

0,005

dc a 5

Magnetmetro escalar
de alta resolucin.

2.1 MAGNETMETROS VECTORIALES DE CAMPO BAJO


(H < 1mT )

2.1.1 Magnetmetro Bobina de Induccin.


La bobina de induccin es uno de los dispositivos mas sencillos para la medicin
de campos magnticos, se basa en la ley de Faraday quien descubri

40

experimentalmente que se induca una corriente en una espira conductora cuando


cambiaba el flujo magntico que atravesaba la espira.
e(t ) =

d
dt

[27]

El voltaje inducido es proporcional a la rata de cambio del flujo (figura 12).


Figura 12. Induccin de un lazo de alambre. (a) antena de lazo con ncleo de
aire. (b) solenoide de induccin con ncleo ferromagntico.

2.1.2 Magnetmetro de Puerta de Flujo.


Los magnetmetros Fluxgate han sido y son los transductores mas resistentes
en la medicin de campos magnticos, son confiables, fsicamente pequeos y
requieren poca energa de operacin. Este dispositivo mide componentes
vectoriales de campo magntico sobre un rango de 0,1 nT a 1 mT de DC.
Este es un transductor que convierte un campo magntico en un voltaje elctrico,
se construye generalmente de una cinta fina con un material ferromagntico de

41

fcil saturacin, envuelto en una bobina para formar un anillo o un toroide


(figura13).
Figura 13. a) ncleo anillado. (b) Fluxgate

Cuando una corriente sinusoidal es aplicada, la corriente magnetiza el ncleo


causando que este alcance su estado de saturacin cada medio ciclo (figura14).
Mientras que el material ferroso est entre los extremos de la saturacin, mantiene
una permeabilidad media mucho mayor que en el aire. Cuando el ncleo esta
entre el tiempo de saturacin la permeabilidad llega a ser igual como en el aire.

42

Figura 14. Respuesta del magnetmetro fluxgate ante una excitacin sinusoidal.

Cada vez que el material ferroso va a partir de un extremo de la saturacin al otro,


el flujo dentro de la base cambiar de un nivel bajo a un alto nivel. Segn la ley de
Faraday, un flujo que cambia producir un voltaje en los terminales de la bobina de
la seal que es proporcional al ndice del cambio del flujo.

e(t)=nA0 H

de (t)
dt

43

[28]

donde: H = Componente de campo magntico.


n = Nmero de vueltas.
A = rea transversal de la bobina.

e (t) = Permeabilidad relativa del ncleo.


2.1.3 Magnetmetro SQUID.
Dispositivo Superconductor de Interferencia Quntica (SQUID), son actualmente
los instrumentos ms sensibles disponibles para medir la

fuerza del campo

magntico, en un rango de 10 10 Gauss a 10 4 Gauss.

Figura 15. Magnetmetro SQUID

El SQUID (figura 15), esta

constituido por dos superconductores que son

separados por una capa fina de aislamiento (Ensambladura de Josephson). La


magnitud de la corriente que fluye a travs del superconductor al pasar por la

44

ensambladura es afectada por la presencia de un campo magntico, debido a una


reduccin de la temperatura de transicin
El magnetmetro SQUID mide el cambio en el campo magntico de cierto nivel
arbitrario, no mide el valor absoluto del campo.
La aplicacin ms importante de este dispositivo esta en la investigacin
biomdica ya que este tiene alta sensibilidad, necesitada para medir los campos
magnticos dbiles generados por el cuerpo.

2.2 MAGNETMETROS VECTORIALES DE CAMPO ALTO ( >1 mT)

2.2.1 Sensores de Efecto Hall.


El fenmeno Hall fue descubierto por Edwin H. Hall en 1879. Si una corriente fluye
en un conductor (o semiconductor) y se le aplica un campo magntico
perpendicular a dicha corriente, entonces la combinacin de corriente y campo
magntico genera un voltaje perpendicular a ambos. Este fenmeno se denomina
Efecto Hall. El voltaje Hall (VH) es funcin de la densidad de corriente, el campo
magntico y la densidad de carga y movilidad portadora del conductor.

Figura 16. Semiconductor del Efecto Hall

45

El dispositivo de efecto hall consiste en un conductor o un semiconductor


rectangular plano fino con dos pares de electrodos perpendicularmente uno a otro
(figura2.15). Un campo elctrico (Ex) se aplica a lo largo del eje X o del eje del
control. Cuando un campo magntico (Bz) es aplicado perpendicularmente a la
superficie del dispositivo, la carga libre, que est fluyendo a lo largo del eje X
como resultado de (Ex), ser desviada hacia el eje Y o del voltaje Hall. Puesto que
la corriente no puede fluir en el eje Y bajo condiciones de anillo abierto, sta
causar una acumulacin de la carga a lo largo del eje Y que crear un campo
elctrico que produzca una fuerza que opone el movimiento de la carga:
Ex = vx Bz
Donde: v x es la velocidad

[29]

media de los electrones (o de los portadores de

mayora). En un conductor que contenga n cargas libres por unidad de volumen


que tiene una velocidad media de v x , la densidad corriente est:
J x = qnv x

[30]

Ey =

J xBz
= R H J xB z
qn

[31]

donde: R H es llamado el coeficiente de Hall. Un semiconductor se trata en los


trminos de la movilidad () y de la conductividad ( ). En este caso, el valor del
R H vara substancialmente a partir de un material a otro.
El efecto Hall relaciona la tensin entre dos puntos de un material conductor o
semiconductor con un campo magntico a travs del material. Cuando se utilizan
por si mismos, los sensores de efecto Hall solo pueden detectar objetos

46

magnetizados. Sin embargo, cuando se emplean en conjuncin con un imn


permanente en la configuracin tal como la indicada en la figura 17 son capaces
de detectar todos los materiales ferromagnticos.
Figura 17. Funcionamiento de un sensor de efecto hall en conjuncin con un imn
permanente

Cuando un material ferromagntico se lleva a la proximidad del dispositivo, el


campo magntico se debilita en el sensor debido a la curvatura de las lneas del
campo a travs del material.
Los sensores de efecto Hall estn basados en el principio de una fuerza de
Lorentz que acta sobre una partcula cargada que se desplaza a travs de un
campo magntico. Esta fuerza acta sobre un eje perpendicular al plano
establecido por la direccin de movimiento de la partcula cargada y la direccin
del campo. Es decir, la fuerza de Lorentz viene dada por:
r
r r
F = q( v B ) [32]
r
r
v
B
donde: q es la carga, es el vector de velocidad,
es el vector densidad de
campo.

47

Al llevar un material ferromagntico cerca del dispositivo, el semiconductor


disminuir la intensidad del campo magntico, con la consiguiente reduccin de la
fuerza de Lorentz y finalmente la tensin a travs del semiconductor.
Esta cada en la tensin es la clave para detectar la proximidad con sensores de
efecto Hall.
Adems, la utilizacin de materiales semiconductores permite la construccin de
circuitos electrnicos para amplificacin y deteccin directamente en el propio
sensor, con lo que se reduce el tamao y el coste del mismo.
El efecto Hall es muy pequeo en conductores metlicos pero en semiconductores
tiene un mayor efecto ya que son menos los electrones de conduccin en un
semiconductor, los electrones en el semiconductor debe tener una velocidad de
flujo mucho ms alta que aquellos en el metal, los electrones se mueven mas
rpidamente, la fuerza que ellos experimentan es mas fuerte y mas grande el
voltaje hall producido.
Los sensores de efecto hall estn generalmente hechos de silicio, los ms
sensibles pueden ser hechos de semiconductores del grupo III-V, quienes tienen
ms alta movilidad del electrn que el silicio, los ms disponibles comercialmente
son de semiconductores de antimonio de indio.
Los dispositivos de silicio tienen un rango de sensibilidad de 10 G a 1000 G, y los
de antimonio de indio pueden extenderse a un limite mas bajo en el orden de
10 3 Gauss.
La corriente de control tpica para los dispositivos de efecto Hall es de 100 mA,
pero algunos operan a corrientes por debajo de 100 mA; el rango de sensibilidad
abarca desde 10 mV/T a 1.4 V/T; el rango de linealidad de 0,25% a 2% sobre sus
ratas de operacin; las resistencias de control del voltaje de entrada y de salida

48

estn en el rango de 1 a 3 . Estos dispositivos son ms efectivos para medir


densidades de flujo magntico en un rango desde 50 T a 30 T.

2.2.2 Sensores Magneto resistivos.


El efecto de la magnetorresistencia fue primero divulgado William Thomson en la
mitad del siglo XIX, l fundamento que un campo magntico aplicado a un material
ferromagntico causaba un cambio en su resistencia. La cantidad de cambio
depende de la magnitud de la magnetizacin y la direccin en la cual la corriente
usada para la medicin resistiva esta fluyendo. Las aleaciones ferrosas muestran
un cambio mas grande en la resistencias (sobre el 5% max).
En la figura 18 se puede observar la variacin de la resistencia de un material
ferromagntico en presencia de un campo magntico.
Figura 18. Efecto resistivo de un material ferromagntico en presencia de un
campo magntico

49

La forma de la curva y la magnitud del cambio dependen de la composicin de la


aleacin.
El cambio en la resistividad tambin es funcin del ngulo () de la direccin de la
magnetizacin y la direccin de la corriente

2.3 MAGNETMETROS ESCALARES


Los magnetmetros escalares miden la magnitud del vector campo magntico
explotando las caractersticas atmicas y nucleares de la materia. Los
magnetmetros escalares ms utilizados son: Protn de Presesin (Proton
Presesin) y Bombeo ptico (Optically Pumped Magnetometer). Cuando estn
funcionando bajo condiciones apropiadas estos instrumentos tienen alta resolucin
y exactitud y son relativamente insensibles a la orientacin. Ambos tienen varias
limitaciones de funcionamiento. Los elementos requieren que el campo magntico
sea uniforme a travs del volumen de deteccin del elemento. Tienen una gama
limitada en la medida de la magnitud del campo, tpicamente de 20 T a 100 T y
tienen limitaciones con respecto a la orientacin del vector de campo,
concerniente al elemento del dispositivo.

2.3.1 Magnetmetro Presesin del Protn


El Magnetmetro Presesin del Protn trabaja en base del spinng del ncleo el
r
r

cual tiene momento angular ( L ) y momento magntico ( p ), en presencia de un


campo magntico el ncleo experimenta un movimiento de presesin13, este
movimiento es realizado por el protn cuando su eje de movimiento varia

13

PHYSICS
The Nature of Things

50

gradualmente, como un giroscopio, la frecuencia de presesin

es proporcional

al campo aplicado (figura 19).

Figura 19 Movimiento de Presesin del protn

r
Cuando el campo magntico ( H ) es aplicado al ncleo, este producir un torque
sobre el ncleo:

r r r
T = p H a

[33]

En equilibrio, la relacin entre el torque, la variacin en la presesin y el momento


angular esta definida como:

r
r
p H = p L

[34]

El protn de presesin utiliza un campo para polarizar los protones en un


hidrocarburo y despus detecta la frecuencia de la presesin de los protones
mientras que ellos decaen al estado de las partculas negativamente polarizadas
luego que el campo polarizante es retirado. El muestreo de la fuerza del campo
magntico a travs de la secuencia audio polarizada hace que la respuesta sea
lenta.

51

2.3.2 Magnetmetro de Bombeo ptico.


El magnetmetro Optically Pumped se basa en el efecto de Zeeman quien
descubri que aplicando un campo a los tomos quienes emiten y absorben la luz,
causar que las lneas espectrales de los tomos se dividan en un conjunto de
nuevas lneas espectrales que son mucho ms cercanas que las lneas normales.
El espacio energtico de la frecuencia entre estas lneas es proporcional a la
magnitud del campo aplicado, estos niveles de energa representan los nicos
estados de energa que un tomo pueda poseer. Este magnetmetro explota esta
caracterstica estimulando pticamente los tomos para producir un estado sobre
poblado de la energa en una de las lneas espectrales y despus causando un
estado bajo de energa usando un campo magntico. La frecuencia requerida al
estado bajo de energa es igual a la diferencia de las lneas producidas por un
campo magntico y por lo tanto, es proporcional a la fuerza del campo magntico.
A comparacin del

protn de presesin ste muestrea con una rata mayor y

generalmente puede alcanzar una resolucin mas alta.


En la figura 20 se muestra la estructura espectral de los electrones de valencia del
rubidio (Rb), que se utiliza comnmente en estos magnetmetros. Cuando no
existe una excitacin ptica, los estados de la energa de los electrones de
valencia sern distribuidos segn la estadstica de Boltzmann y estarn en un
estado de equilibrio. Si los electrones se excitan con la luz circular polarizada en
la frecuencia D1 (longitud de onda de 794,8 nm), absorbern los fotones y
producir la transicin del estado 2 S1/2 al estado 2 P1/2 segn las reglas de la
transicin. Los electrones excitados entonces caern detrs en una manera al
azar a los estados ms bajos, siendo distribuido con una probabilidad igual entre
todos los estados segn el nmero quntico magntico (m).

52

Figura 20. Estructura espectral de los electrones de valencia del rubidio

Se opt por utilizar un sensor capaz de medir en un rango de 0 gauss a 300gauss


con frecuencia entre 1 kHz. En la siguiente tabla se presenta las aplicaciones ms
importantes de los transductores de acuerdo a su sensibilidad.
Tabla 3. Aplicaciones ms usuales de los transductores.

Aplicaciones

Alta

Mediana

Baja

Sensibilidad

Sensibilidad

Sensibilidad

-Mapeo de Funciones

-Exploracin minera.

-Medicin de corrientes

cerebrales

-Movimientos

-Switches de no

-Deteccin de anomalas vibratorios de particulas

contacto.

magnticas

Sensores ms
usados.

-SQUID

-Bobina de induccin

-Bombeo ptico

-Puerta de flujo

53

-Efecto hall

3. DISEO E IMPLEMENTACIN DEL SISTEMA


En el presente captulo se abordar el tema del diseo e implementacin de la
tarjeta electrnica la cual se encarga de la adquisicin de datos del sistema,
observando un orden secuencial similar al que sigue la seal fsica desde el
momento en el que se adquiere hasta el momento en que se visualiza los datos
medidos.
De esta manera se comenzar exponiendo una teora bsica acerca del
transductor utilizado en el presente trabajo, siguiendo con una explicacin de los
modelos empleados para modificar la seal proveniente de ste y su respectiva
justificacin, con el fin de entregarla a un

microcontrolador para finalmente

obtener un valor que represente la magnitud del campo magntico que se este
midiendo.

3.1 ESPECIFICACIONES GENERALES.


El diseo del gaussmetro, consiste de dos componentes importantes un sensor
de efecto hall (HAL 815) y una tarjeta electrnica que permite calcular y visualizar
la magnitud de densidad de flujo magntico.
La implementacin del instrumento puede cubrir campos magnticos en DC y en
AC, con capacidad de detectar campos con frecuencias de 180 Hz y magnitudes
de 300 Gauss, esto debido a la aplicacin especifica del medidor (Terapia
Magntica), puede medir tres densidades de campos magnticos de diferente
magnitud las cuales se seleccionan individualmente para ser visualizadas, tambin
cuenta con una salida que permite la comunicacin serial a travs de una interfase
RS- 232 (figura 21).

FIGURA 21. SISTEMA PROPUESTO

Visualizacin
independiente por LCD.

Comunicacin
serial a un PC

Sensor

Sensor

Sensor

Silla de terapia

3.2 TRANSDUCTOR.
El transductor utilizado para esta etapa es un sensor lineal programable de efecto
hall (HAL 815).
El HAL 815 es un sensor universal para la medicin de campos magnticos con
una salida lineal basada en el efecto Hall. El CI es un miembro de la familia de
Micronas, diseado y producido en tecnologa CMOS. Una de las ventajas que
ofrece es la posibilidad de programar los rangos de magnitud, sensibilidad y un
voltaje de salida estable (VOQ) (B=0mT). La salida del voltaje es proporcional al
flujo magntico percibido

55

El HAL 815 presenta un conversor A/D, procesamiento digital de la seal, un


conversor D/A, una memoria EERROM, una interfase serial para la programacin
de la memoria EEPROM, es programable modulando el voltaje de alimentacin ya
que no es necesario un pin adicional para este proceso (figura 22).
El sensor HAL815 esta diseado para usos industriales, funciona con un voltaje
de alimentacin tpicamente de 5 V, en temperatura ambiente con un rango desde
-40C a 150C .
Figura 22. Sensor HAL 815

El sensor Hal 815 es un producto con nueva tecnologa, las caractersticas por las
cuales fue seleccionado son las siguientes:

Sensor lineal de alta precisin de efecto Hall con procesamiento digital de


la seal de salida.

Caractersticas magnticas programables en una memoria permanente


(EEPROM).

Circuito- abierto (deteccin de conexin a tierra y alimentacin


interrumpida);

Caracterstica

deteccin de sobre y bajo voltaje.


de

temperatura

programable

(Temperatura

compensacin).

Cambio de las funciones por programacin.

Programacin por modulacin de la seal de alimentacin.

56

de

Opera en un rango de temperatura de -40 C a 150 C de temperatura


ambiente.

Opera con un voltaje de alimentacin desde 5 V a 5,5 V, en algunas


especificaciones puede operar a 8,5 V.

Opera con campos magnticos estables y campos magnticos alternos


hasta de 2 kHz.

Proteccin de sobre voltaje y bajo voltaje en todos los pines.

Proteccin de corto circuito (push-pull output).

3.2.1 Principio de funcionamiento.


El HAL 815, recibe la componente perpendicular externa del campo magntico
generando un voltaje Hall, este voltaje se convierte en un valor digital que se
procesa en la unidad de procesamiento de la seal (DSP), segn los ajustes de
los registros de la memoria EEPROM, para estabilizar finalmente una salida
anloga (figura 23).
Figura 23. Diagrama de bloques del funcionamiento interno del HAL 815

57

3.2.2 Programacin del sensor.


La programacin del sensor HAL 815 se realiza por comunicacin serial
enviando una seal PWM a travs de su pin de alimentacin.
Los anchos de pulsos de la seal PWM enviada para la programacin debe estar
previamente definidos para el reconocimiento de la informacin.
Es necesario definir el ancho de pulso que representa la seal sync que es
diferente del bit de confirmacin que se presenta al final del paquete enviado.
En la informacin un cero (0) lgico no presenta cambio en el voltaje durante el
tiempo de duracin de la seal sync y un uno (1) lgico se presenta mediante
un cambio en de nivel durante el tiempo de duracin de la seal sync, el voltaje
debe cambiar entre el VDDL (5,6 V) a VDDH (8,5 V), figura 24.

Figura 24. Definicin de un 0 y 1 lgico

58

Para escribir en los registros de la memoria EEPROM, es necesario enviar la


informacin con un orden especfico:

Cada paquete de datos debe comenzar con el bit de la seal sync, el cual
representara un cero (0) lgico.

Tres bits de comando (COM), que representa en nmeros binarios

la

funcin a ser realizada por el procesador en cada registro:


Comando

Cdigo

Escritura

Lectura

Programacin

Borrado

Seguridad

Un bit de paridad

de comando que depende de la cantidad de ceros

presentes del numero representado por el comando.

Cdigo de direccionamiento que consta de un nmero de 4 bits.


Registro

Cdigo

Nivel de tensin bajo.

Nivel de tensin alto.

VOQ (voltaje de salida estable)

Sensibilidad

Modo (rango y frecuencia)

Seguridad

Lectura del ADC

Temperatura de compensacin

11

Bit de paridad de direccin.

Bits de datos, contiene la informacin de los registros y puede tener un


tamao de 14 bits.

Bit de paridad de datos.

59

En las figuras 25 y 26 se puede observar el orden con el cual se debe enviar cada
informacin.

Figura 25. Paquete de datos para escritura de los registros

Figura 26 Paquete para la programacin de los datos

En la tabla 4 se observan lo parmetros del paquete de informacin.

60

Tabla 4. Parmetros del paquete de informacin


Simbolo

Pin

Min

Typ

Max

Unidades

VDDL

5,5

VDDH

6,8

8,5

tr

0,05

ms

tf

0,05

ms

tpo

1,7

1,75

1,8

ms

tpOUT

ms

tp1

1,3

50

65

80

VDD PROGR

12,4

12,5

12,6

T PROG

95

100

105

ms

trp

0,2

0,5

ms

tfp

ms

tw

0,5

0,7

ms

Vact

t act

0,05

0,1

0,2

ms

Para la programacin de los parmetros anteriormente mencionados, fue


necesario implementar una tarjeta electrnica compuesta por un Microcontrolador
Motorola el cual mediante la implementacin de un software genera la seal
modulada que contiene la informacin necesaria para la programacin del sensor
estableciendo la comunicacin serial con el mismo.

3.2.3 Descripcin del software

implementado en la programacin del

sensor.
La funcin principal es generar una seal PWM, en donde el ancho de pulso vara
dependiendo del valor en nmero binario de la informacin que se desea colocar
en cada uno de los registros de la memoria EEPROM del sensor.
Para hacer esto posible se utilizo un microcontrolador Motorola HC908GP32 el
cual presenta una herramienta de programacin llamada Code Warrior, esta

61

herramienta permite la programacin en lenguaje de mediano nivel (Lenguaje C)


que internamente es traducido al lenguaje ensamblador.
Son utilizados dos pines del puerto C que se encargan de generar a travs de
un regulador variable la seal PWM; el tiempo de transicin de un nivel alto a un
nivel bajo que determina el ancho de pulso es limitado de acuerdo a los
parmetros requeridos por el procesador del sensor (Tabla 4).
Para generar el tiempo de transicin se configur el modulo del temporizador del
microcontrolador, utilizando el contador y las interrupciones del mismo. Adems de
utilizar la funcin de captura de flanco descendente la cual reconoce la seal de
reconocimiento del sensor.
A continuacin se presenta el algoritmo implementado en el microcontrolador.
1. Configuracin de las variables
2. Configuracin de los puertos de entrada/salida.
3. Configuracin de los registros especiales.
4. Configuracin de las interrupciones del modulo temporizador el cual se
encarga de detectar la seal de respuesta del sensor.
5. Configuracin del contador del temporizador para generar las demoras
necesarias las cuales acondicionaran el ancho de pulso.

62

Figura 27. Diagrama de flujo-Programa principal-programacin del sensor.


INICIO

DEFINICIN D LOS
REGISTROS Y VARIABLES

K=0; K=4; K++

Fin

i = 0; i = 3; i ++

J =0; J = n; J ++

Lectura de los paquetes de datos


Leer bit J de la Variable i; del
registro K.

Bit i = 0

SI

NO

Rutina Ciclo Cero

Rutina Ciclo Uno

SI

Seal de Acuse
recibida

63

NO

Figura 28 .Diagrama de flujo-Subrutinas

Rutina Ciclo Uno

Rutina Ciclo Cero

INICI0

INICI0

PTC_PTC0=1
PTC_PTC1=0
( nivel de voltage 8 V)

PTC_PTC0=1
PTC_PTC1=0
( nivel de voltage 8 V)

Configurar Temporizador
Conteo de 1,34 ms

Configurar Temporizador
Conteo de 1,79 ms

PTC_PTC1=1
PTC_PTC0=0
(nivel de voltage de 5,6 V)

PTC_PTC1=1
PTC_PTC0=0
(nivel de voltage de 5,6 V)

Configurar Temporizador
Conteo de 0,44 ms

Salir

Salir

La primera orden, ejecutada por el microcontrolador es poner en alto el pin 1 y en


bajo el pin 0 del puerto C, seales que controlan el regulador variable de voltaje
para generar

5,6 V, tensin necesaria para alimentar el sensor y valor

correspondiente a VDDL. Luego se da inicio a la lectura y posteriormente al envo


de cada registro, cada uno representado por tres variables, la primera se encarga
de escribir en el registro interno del procesador del sensor el valor con el cual se
desea trabajar, la segunda ejecuta la funcin de limpiar el valor guardado en la
memoria EEPROM del sensor para luego ser actualizada con los valores escritos

64

anteriormente en los registros, la actualizacin de los datos se logra enviando la


tercera variable. Cada variable contiene los datos en el orden especfico con el
que se debe enviar cada paquete.
Cada vez que se enva un paquete de informacin se debe esperar la seal de
aceptacin del procesador para el envi del siguiente paquete. Para enviar la
variable

que contiene el comando de programacin es necesario esperar un

tiempo requerido por el procesador luego de ser recibida

la informacin

anteriormente enviada, el anterior proceso se repite hasta enviar el ltimo registro


que se desea actualizar en la memoria EEPROM del sensor.
En la aplicacin que en este trabajo se dio al sensor Hal 815, solo se actualizaron
los registros de:
Nivel de tensin bajo

0V

Nivel de tensin alto.

5V

VOQ (voltaje de salida estable)

2,5 V

Modo:
-Rango: 300 Gauss (para obtener mayor resolucin, alcanzando los niveles
necesarios por el equipo)
-Frecuencia: 2 kHz (frecuencia mxima permitida por el sensor).

65

3.2.4 Implementacin de la tarjeta para programacin del sensor HAL815.


El circuito esta compuesto por dos bloques funcionales: fuente de alimentacin y
control.
Fuente de alimentacin.
La fuente de alimentacin le suministra al circuito una tensin estable de 15 V, de
la cual se regula una tensin de 5 V que alimentara el microcontrolador. Esta
compuesta por un rectificador integrado, un regulador estable de tensin
(figura29).
Circuito de Control.
Este bloque esta compuesto por un microcontrolador MC68HC908GP32, que es
el encargado de la comunicacin serial con el sensor, all se procesa los datos y
se genera la seal modulada a travs de un regulador

de tensin variable

(LM317).
La tensin de 18 V alimenta el regulador variable de tensin (LM 317), con el cual
por medio de un arreglo de resistencias se obtiene a la salida voltajes de 5,6 V
(VDDL), 8,6 V (VDDH) y 12,5 V (Vprog). El arreglo de resistencias es controlado
digitalmente por el microcontrolador a travs de los pines 1 y 0 del puerto C.

66

Figura 29 Fuente de alimentacin para programar el sensor.

3.3 ACONDICIONAMIENTO DE SEAL.


El acondicionamiento de la seal es uno de los componentes ms importantes de
cualquier sistema de adquisicin de datos. Es la interfaz entre los fenmenos
fsicos o seales analgicas presentes en el mundo real y el resto del sistema.
Para el caso de inters es necesario llevar a cabo procesos de filtrado,
rectificacin y amplificacin cuando se trata de sensar seales en AC, con el fin de
entregarle al microcontrolador una seal que presente ciertas caractersticas que
permitan aprovechar al mximo sus potencialidades. Figura 30.

67

Figura 30. Sistema implementado

SISTEMA IMPLEMENTADO
HALL
815

+
SENSADO

RECTIFICACION

FILTRO

MOTOROLA

AMPLIFICACION

MICROCONTROLADOR

+
DETECCIO
N
TECLADO

PANTALLA

Para mediciones de campos magnticos, se hace indispensable la implementacin


de una bloque encargado de procesar la seal de salida del sensor debido a que
la seal toma la forma de onda de la seal que se esta sensando ya sea
sinusoidal, cuadrada o triangular, y es necesario tomar un valor eficaz de cada
una de estas medidas.
Para lograr estos clculos se har bajo la siguiente definicin de valor eficaz:

VRMS =

1
X (t ) 2

TT

[35] ;

VRMS =

1
N

N 1

X (i)

[36]

i =0

Utilizando la definicin para seales discretas, ya que el objetivo es digitalizar la


seal de respuesta del sensor la cual es muestreada por el conversor Anlogo
Digital del microcontrolador.

68

La frecuencia de muestreo es 200 veces la frecuencia de la seal en proceso.

3.3.1 Filtrado Pasa Alto.


Como primer paso se implementar un filtro pasa altos, que para el caso es
eliminar la componente de continua del sensor (Figura 31) con una frecuencia
inferior a 15 Hz.
Figura 31. Seal de salida del sensor ante un campo magntico sinusoidal a
60Hz.

Para cumplir con el objetivo, se utiliza un circuito de una constante de tiempo


(STC) los cuales estn compuestos por un componente reactivo y una resistencia,
o pueden reducirse a estos. Un circuito STC formado por una inductancia L y una
resistencia R tienen una constante de tiempo =L/R. La constante de tiempo para
un circuito STC con una capacitancia C y una resistencia R esta dada por =C.R,
en este caso se utiliz una red STC de paso alto (HP) (figura 32), donde su

69

transmisin es unitaria cuando la frecuencia tiende a infinito y se atena conforme


diminuye la frecuencia idealmente llegando a cero cuando la frecuencia es cero14.
Figura 32 Implementacin Filtro Pasa Alto
1

C1
2
470n

V1

VOFF = 2.5
VAMPL = 2.5
FREQ = 60

R1

150k
1

La funcin de transferencia para un filtro pasa alto de una red STC es:
T (s) =

Ks
; 0 = 1/ ; = CR
s + 0

Los requerimientos de este filtro son: 0 14 Hz ; a partir de esto se encuentra


C = 470 nF y R = 150 k .

que:

Figura 33 Respuesta en tiempo del circuito implementado


5.0V

0V

-5.0V
0s
V(C1:2)

10ms
V(V1:+)

20ms

30ms
Time

14

Filtros _ Circuitos Microelectrnicos


Sedra Smith University Press

70

40ms

50ms

Figura 34. Respuesta en frecuencia del filtro.

1.0V

0.5V

0V
0Hz

5Hz

10Hz

15Hz

20Hz

25Hz

30Hz

V(R1:2)
Frequency

3.3.2 Rectificacin.
Una vez se ha logrado una seal limitada a componentes en DC, el siguiente paso
es trabajar solamente con valores positivos, para ello se requiere utilizar un
circuito rectificador con precisin de onda completa (figura 35 y 36), se utiliza este
circuito debido a que la seal que se va a rectificar puede tomar valores muy
pequeos, en el orden de los milivoltios. Al utilizar un rectificador de onda
completa convencional (figura 37 y 38), se despreciara cualquier seal por debajo
del voltaje del diodo (0,7 V).
Este circuito esta compuesto por dos amplificadores operacionales, dos diodos de
alta velocidad y tres resistencias de igual valor.
En este punto se utiliza el CI LM1458, este CI presenta dos
operacionales de propsito general, caracterizados por

71

amplificadores

tener un consumo de

potencia bajo (400 mW), adems puede trabajar con seales positivas y negativas
dentro de un rango de -15 V a 15 V.
Figura 35. Rectificador de precisin
Vee
VCC
V2
5Vdc

V3

R3

-5Vdc

51k
1
7

U1

VCC
V+

0
+

OS2
OUT

V-

OS1

D1

1 D1N4148

Vee

VAMPL = 100mV

51k

51k

3
V1

U2
+

V-

VCC
OS2
OUT

FREQ = 60

R2

V+

R1

OS1

D2

6
1

D1N4148

Vee

Figura 36 .Respuesta del rectificador de precisin de onda completa


200mV

100mV

0V

-100mV
0s
V(D2:2)

10ms
V(U2:+)

20ms

30ms
Time

72

40ms

50ms

Figura 37. Rectificador convencional


D3

VOFF = 0
VAMPL = 100mV
FREQ = 60

V6

D1N4007

R4
D4

100

D1N4007

Figura 38. Respuesta del rectificador convencional


100mV

0V

-100mV
0s
V(D3:2)

10ms
V(D3:1)

20ms

30ms

40ms

50ms

Time

3.3.3 Amplificacin
Una vez se ha logrado rectificar la seal, el siguiente paso es brindarle a esta
seal una amplificacin suficiente con el fin de que la seal de salida presente
valores picos tan parecidos a los rangos de entrada del conversor analgico

73

digital como sea posible. Se emplea un amplificador de retroalimentacin negativa


donde su ganancia esta determinada en gran parte por la red de retroalimentacin,
que en este caso consta de componentes pasivos15.
En este trabajo se utiliza la configuracin no inversora cuya ganancia puede
calcularse como:
v0
1 + ( RF / RG )
V
R
=
; Si A>> , 0 = 1 + F
1 + ( RF / RG )
vi
Vi
RG
1+
A
Siendo:

A la ganancia de circuito abierto

RF la resistencia en la trayectoria de retroalimentacin.

RG la resistencia a la entrada del amplificador.

La retroalimentacin negativa presenta algunas propiedades como: Insensibilidad


de ganancia, aumento de ancho de banda, reduccin de ruido; propiedades por
las cuales es implementada esta configuracin, adems de la facilidad para
obtener ganancias exactas dependientes nicamente de la relacin entre las
resistencias.
Teniendo en cuenta los niveles mximos de tensin que puede entregar el sensor
(5 V) y la atenuacin producida por cada una de las anteriores etapas es
necesario amplificar la seal con una ganancia que permita alcanzar nuevamente
la tensin propia del sensor y de esta manera cubrir todo el rango de tensiones
permitidas por el conversor [0 V 5 V].

15

Amplifiers and Signal Conditioners.


Ramn Palls Areny. Universidad Politcnica de Catalunya.

74

Se utilizaron resistencias con los siguientes valores:


RG = 560

RF = 623

Con los anteriores valores de resistencia, la ganancia de tensin para esta etapa
es de 2,11 V/V. (Figura 39).
Al emplear un amplificador realimentado de tensin, se debe tener en cuenta la
especificacin de producto ganancia-ancho de banda (GBP), esto debido a que la
ganancia real trabajando con cualquiera de las configuraciones (inversora y no
inversora) es dependiente de la ganancia de tensin de circuito abierto ( AVOL ), la
cual a su vez depende de la frecuencia en la que se est trabajando. Es de
importancia la ventaja de utilizar un amplificador con un alto GBP como el LF 351
16

que se utiliza en este caso, aunque se vaya a trabajar en bajas frecuencias,

adems posee alta impedancia de entrada la cual evita sobrecargar la seal del
sensor.
Figura 39. Circuito Amplificador implementado.

V+

VCC
U3
+

OS2

V-

OUT
-

OS1

Vee

R6

R5
980
1k

16

Hoja de datos del fabricante.

75

5
6
1

Figura 40. Salida del amplificador.


5.0V

2.5V

0V
0s
V(D1:2)

4ms
V(R6:1)

8ms

12ms

16ms

20ms

Time

3.3.4

Detector de frecuencia.

Para realizar el muestreo de la seal recibida por el conversor anlogo-digital, es


importante conocer la frecuencia de la seal, ya que de esta depende la
frecuencia de muestreo, teniendo en cuenta que las seales a medir son
peridicas, es necesario implementar un circuito capaz de indicar el periodo de la
seal y de esta manera conocer la frecuencia. En este caso en particular se
implement un circuito comparador (figura 41), el cual mientras detecte tensiones
positivas en la seal de entrada, entregue a la salida un nivel de tensin de 5 V,
que indica el ciclo positivo de la seal. Para saber el periodo de la seal se haya el
tiempo de transicin de un ciclo positivo a un ciclo negativo, esto se logra llevando
la salida del comparador a un temporizador que contar el tiempo transcurrido de
un ciclo a otro y de esta manera conocer el periodo de la seal.
El circuito comparador esta compuesto por un op amp (CI LF351) en configuracin
de comparador con nivel de referencia cero, la salida del comparador va a un
transistor el cual trabaja como detector de nivel entre corte y saturacin teniendo

76

como carga una fuente de 5 V, mientras el transistor se encuentra en corte no


fluye corriente por el colector, entregando as un nivel de 0 V en el colector, y en
saturacin la cada colector emisor es Vsat, lo que permite ver en el colector un
nivel de 5 V.
Figura 41. Detector de ciclo positivo
V2

LO

V1

-5Vdc

HI

OUT
2

LM741
R1

OS1

Q1

R2
61
1

2
1k

Q2N2222
2

OS2

R3V

LO

VOFF = 0
VAMPL = 2
FREQ = 120

V3

HI

U1
3

V+

V-

HI

5Vdc

1k

1k

Figura 42. Respuesta del detector de ciclo positivo


5.0V

0V

-5.0V
0s
V(R3:2)

10ms
V(V3:+)

20ms

30ms
Time

77

40ms

50ms

3.4 VISUALIZACIN Y CONTROL


En esta parte del proceso se realizan los clculos necesarios para obtener un
valor numrico de la magnitud del campo magntico que se este midiendo y darlos
a conocer a travs

de un LCD, adems de poder trasmitirlos a un PC por

comunicacin serial.
La etapa de control esta compuesta principalmente por un microcontrolador donde
se procesan las seales provenientes de las etapas de acondicionamiento de
seal.

3.4.1 Microcontrolador
El microcontrolador es el cerebro de la tarjeta y el encargado del funcionamiento
correctos de los dispositivos externos como son LCD, selectores e indicadores que
requieren seales sincronizadas para su ejecucin.
Para la eleccin del microcontrolador se revisaron las caractersticas tcnicas
que ofrecen algunos fabricantes, enfatizando la necesidad de una interfas de
comunicacin serial, conversin anloga - digital adems del nmero de
terminales de entrada/salida.
Teniendo en cuenta estos parmetros se plante la solucin de seleccionar uno de
los siguientes microcontroladores: de Motorola el MC68HC908GP32, de Microchip
el PIC16F877.
Se opt finalmente por el microcontrolador MC68HC908GP32 de Motorola
(Figura 43), el cual brinda la facilidad de trabajo en simulacin in-circuit, posee
memoria flash y permite programacin en lenguaje de mediano nivel (Lenguaje C),
que internamente es traducido al lenguaje ensamblador, a travs de una
herramienta de programacin llamada Code Warrior, adems la Escuela de

78

Ingeniera Elctrica, Electrnica y Telecomunicaciones cuenta con el sistema de


desarrollo del mismo.
Figura 43. Asignacin de pines del microcontrolador.

Algunas caractersticas de este microcontrolador son:


La arquitectura del microcontrolador es compatible con toda la familia
CPU08 de Motorola.
Se puede trabajar con una frecuencia interna hasta de 8 MHz.
Posee 32 kbytes de memoria Flash, con programacin in-circuit.
Posee 512 bytes de memoria RAM.
Tiene un modulo de comunicacin serial (SCI).
Posee 8 canales de conversin anlogo-digital con 8 bits de resolucin.

79

Tiene dos mdulos de temporizacin (TIM1 y TIM2), que se pueden


seleccionar para las funciones de: Captura de un flaco, comparacin de
niveles de salida y generacin de seales PWM.
Tiene 30 pines de propsito general de Entrada/Salida.

3.4.2

LCD

El LCD es una pantalla de cristal lquido que cuenta con 16 columnas y dos filas
de caracteres alfanumricos. El LCD es controlado por los pines 0, 1, 2 del puerto
C del microcontrolador y el envo de los datos se realiza a travs de los pines 0, 1,
2, 3 del puerto D del mismo (figura 44).
Figura 44. Esquemtico de la pantalla LCD

5v

D3

D1
D2

D0

RW

RS

Cont

Vdd

Vss

LCD

Salidas del Puerto D

Salidas del Puerto C

80

3.4.3 Circuito de comunicacin serial.


La comunicacin realizada con el puerto serie es una comunicacin
asncrona, para la sincronizacin de una comunicacin se precisa siempre
de una lnea adicional a travs de la cual el emisor y el receptor intercambian
la seal del pulso. Pero en la transmisin serie a travs de un cable de dos
lneas esto no es posible ya que ambas estn ocupadas por los datos y la
masa. Por este motivo se intercalan antes y despus de los datos
informaciones de estado segn el protocolo RS-232. Esta informacin es
determinada por el emisor y receptor al estructurar la conexin mediante la
correspondiente programacin de sus puertos serie. Esta informacin puede
ser la siguiente:

Bit de paridad.- con este bit se pueden descubrir errores en la transmisin.


Se puede dar paridad par o impar. En la paridad par, por ejemplo, la
palabra de datos a transmitir se completa con el bit de paridad de manera
que el nmero de bits 1 enviados sea par.

Bit de parada.- indica la finalizacin de la transmisin de una palabra de


datos. El protocolo de transmisin de datos permite 1 1,5 y 2 bits de
parada.

Bit de inicio.- cuando el receptor detecta el bit de inicio sabe que la


transmisin ha comenzado y es a partir de entonces que debe leer las
seales de la lnea a distancias concretas de tiempo, en funcin de la
velocidad determinada.

81

La interfaz RS-232 dispone de hasta 25 lneas que estn orientadas a la


comunicacin de dos equipos PC (DTE) a travs de mdems (DCE). En este caso
se utilizarn para la conexin de los equipos PC prescindiendo de los mdems.
Para ello de las 25 lneas que posee se han utilizado slo las siguientes:

Lnea de transmisin de datos (TxD).- lnea por la que el DTE (PC) enva
los datos.

Lnea de recepcin de datos (RxD). lnea por la que el DTE (PC) recibe
los datos.

Masa. necesaria para que tenga lugar la transmisin.

Se implement comunicacin serial entre el sistema operativo y el PC a 3 hilos


(Tx, Rx y GND), aprovechando el mdulo que posee el microcontrolador para tal
fin. En la implementacin utilizamos un circuito MAX232 para manejar la
informacin, como lo muestra la figura 45.

Figura 45. Interfaz RS-232

82

MODULO DE ALIMENTACIN
La fuente de alimentacin para el medidor de campo magntico desarrollado, esta
conformada por una batera recargable de 9 V y cuenta con un sistema alterno de
alimentacin conformado por un adaptador de 12 voltios y un cargador para la
batera. Con esto se le da al medidor la posibilidad de funcionar sin red elctrica.
En el presente proyecto se requiere niveles de tensin con valores de +5 V y -5 V
en DC. La tensin de +5 V es necesaria para alimentar el microcontrolador, para
establecer el nivel de referencia del conversor anlogo-digital, alimentar el
visualizador de cristal lquido LCD,

adems suministra a los amplificadores

operacionales la fuente positiva que estos requieren. La tensin de -5 V se hace


necesaria ya que algunos amplificadores operacionales necesitan fuente dual para
ser debidamente operados. Para obtener los 5 V, se toma el voltaje que entrega
ya sea el adaptador de 12 V o la batera de 9 V que se selecciona a travs de un
rel mecnico a 12 V y capacidad de corriente del contacto de 10 A (Figura 46) y
se lleva a un regulador que garantiza a la salida 5V DC. Para obtener el voltaje de
-5 V, se utiliza un circuito integrado de Texas Instruments LT1054
configuracin de inversor de tensin (Figura 46).
Figura 46. Fuente de 5V y -5V

83

en

El cargador de la batera esta constituido por un comparador de nivel alto y bajo,


la batera empieza a ser cargada en el momento en que se detecte un nivel por
debajo de un valor mnimo requerido y deja de cargar cuando alcance su valor
mximo establecido. El control se realiza mediante un circuito comparador Schmitt
Trigger (Figura 47), con tensiones de transicin de 8 V y 10,2 V, donde la tensin
de histresis es de 2,2 V. Tambin esta presente un transistor (npn) que acta
como interruptor entre corte y saturacin que permite la carga o no carga de la
batera. La batera finalmente es cargada a travs de un regulador LM317 en
configuracin de regulador de corriente, proporcionando a la batera una corriente
constante de 26,5 mA.
Figura 47. Circuito cargador de batera

84

3.6 SOFTWARE DEL SISTEMA


En esta parte del capitulo se describe el software de programacin del sistema.
El programa del microcontrolador se presenta a continuacin con algoritmos y
diagramas de flujo utilizados para una mejor comprensin del mismo, sin
necesidad de enfatizar en cdigos de programacin.

3.6.1 Algoritmo general del programa.


Para el manejo de los mdulos del microcontrolador fue necesario configurar el
dispositivo a partir de instrucciones ejecutadas por el mismo. Los pasos a seguir
se exponen a continuacin:
1. Configuracin de variables.
2. Configuracin de registros especiales.
3. Inicializacin de rutina del LCD.
4. Configurar interrupcin externa

(IRQ) y esperar por unos segundos

respuesta de la misma, la cual indica si el transductor esta recibiendo un


campo magntico alterno.
5. Configurar Mdulo KBI, este modulo es utilizado para habilitar la
interrupcin por teclado, debido a que el instrumento debe estar en
capacidad de medir simultneamente tres densidades de campos
magnticos

de

diferente

magnitud

las

cuales

se

seleccionan

individualmente a travs de unos pulsadores.


6. Comparar niveles de tensin en los pines 3 y 4 del puerto B, con el fin de
detectar si el campo medido por el transductor es continuo.
7. Anlisis de seal para campo magntico en DC. Para calcular la magnitud
del campo en DC se implement una rutina llamada Continua donde fue
configurado el mdulo de conversin anlogo-digital (ADC) utilizando el
canal 1, el cual toma directamente la seal entregada por el transductor que
a su vez es analizada para hallar un valor de magnitud de campo que se

85

esta midiendo, para luego ser visualizado y transmitido por comunicacin


serial.
8. Anlisis de seal para campo magntico en AC. Para calcular la magnitud
del campo en AC fue necesario utilizar las siguientes subrutinas:

Alterna: configura tanto el modulo del temporizador (TIM1), como el


modulo del ADC. Tambin se crea un vector de datos para almacenar
las muestras tomadas por el ADC.

Configurar captura: se configur el temporizador (Mdulo TIM1), en su


funcin input capture, el cual se encarga de detectar la transicin de un
estado alto a un estado bajo de la seal proveniente del circuito detector
de

ciclo

positivo

(figura

41)

del

acondicionamiento

de

seal

anteriormente explicado.

Muestreo: se encarga de configurar el Mdulo ADC, el conversor inicia a


tomar muestras en el momento que el temporizador reconoce un flanco
ascendente de la seal que esta percibiendo, el ADC toma la muestra e
inmediatamente es guardada en el vector de datos, este procedimiento
se repite sucesivamente hasta que el temporizador detecta un flanco
descendente en la seal. Para la conversin se configuro el canal 0 del
ADC que recibe la seal amplificada (figura39).

Clculos: Se encarga de ejecutar las operaciones necesarias para


calcular el valor eficaz de la seal que se esta tomando, esto se hace
posible

con ayuda de la librera math.h proporcionada por la

herramienta de programacin Code Warrior, aqu se toma cada valor


almacenado en el vector y se realizan las operaciones necesarias
(potenciacin, multiplicacin, suma, divisin y radicacin).
9. Configuracin del modulo de comunicacin serial (SCI), transmisin de los
resultados va RS232.

86

3.6.2 Diagrama de flujo. Programa Principal


INICIO

Configuracin de puertos
Inicializacin de variables
Inicializacin del LCD

Habilitar interrupcin externa (IRQ)

No
Presencia de
Campo Magntico

Si

Seal de campo en
AC
No
Si
Llamar a subrutina de Alterna.
Llamar a subrutina de Clculos

Configurar LCD
Visualizacin LCD

Configurar mdulo SCI


Transmisin RS232

87

Llamar a subrutina de Continua

Subrutinas del programa.


Subrutina Alterna

INICIO

Configurar TIM0 como captura


de flanco ascendente.

Flanco ascendente
detectado

Configurar conversor (ADC).


Tomar una muestra de la seal.

Guardar dato adquirido en el


vector de datos

Configurar TIM0 como captura


de flanco descendente.

Flanco ascendente
detectado

Llamar rutina de
Clculos

Salir

88

Subrutina de Clculos
INICIO

Configurar variables
N = Cantidad de muestras
adquiridas

i=1; i=N; i++

Leer dato i del vector

Elevar al cuadrado el valor


tomado

Sumar progresivamente los


valores obtenidos

Dividir la suma resultante


entre el nmero de muestras

Sacar la raz cuadrada al


valor determinado

Realizar las conversiones


necesarias para expresar los
resultados en Gauus

Salir

89

Subrutina de Continua

Inicio

Configurar el
modulo ADC

Tomar muestra de la
seal de entrada

Convertir el valor
adquirido en Gauus

Salir

3.6.3 Configuracin de los Mdulos del Microcontrolador.


En esta parte se explicar con ms detalle la configuracin de los mdulos
utilizados por el microcontrolador.

Mdulo de Reset e Interrupciones: El reset es causado por una seal


en el pin de reset externo, el reset detiene la interrupcin del programa
en el microcontrolador (MCU), una vez se ha procesado el reset la
unidad vuelve inmediatamente a las condiciones de inicio y empieza
nuevamente a la ejecucin del programa. Un reset externo habilita el bit
PIN del registro de estado del reset del SIM (figura 48).

90

Figura 48. Registro de estado del reset

El pin IRQ fue utilizado para activar una interrupcin externa, generada
por una transicin de un nivel alto a un nivel bajo, habilitada por el biT
IMASK del registro de estado y control del IRQ (INTSCR). Figura 49.
Figura 49 Registro de estado y control del IRQ

Mdulo ADC: para configurar el modulo ADC, primero se debe


configurar el pin de alimentacin analgica VDDAD que en este caso se
conect a la alimentacin digital del sistema (5 V), el pin VSSAD fue
conectado a la referencia de 0 V del sistema. En las dos subrutinas
implementadas se utiliz el conversor

para que trabajara en modo

nico, es decir se completa una conversin y hasta no ser ledo el valor,


no vuelve a realizar otra conversin. Este modo de conversin se
configura en el registro de estado y control ADSCR con el bit ADCO; all
mismo se configuran los canales del ADC a utilizar (Figura 50). Una vez

91

configurado el conversor esta listo para convertir el voltaje de entrada a


una seal digital, usando una conversin lineal, el resultado es uno de
los 256 valores digitales que van desde $00 a $FF, debido a que el
conversor tiene una resolucin de 8 bits. Este valor es ledo en el
registro del ADC (ADR) figura 49. Para seleccionar la frecuencia en la
que trabaja el ADC fue necesario configurar el prescalador para dividir la
frecuencia de entrada en cuatro, ya que el cristal utilizado es de 16MHz,
generando una frecuencia de bus interna para el microcontrolador de
4 MHz, la cual no es optima para el buen funcionamiento del conversor,
el modulo ADC ha sido diseado para operar ptimamente con una
frecuencia de reloj de entrada de 1 MHz.
Figura 50. ADSCR

Figura 51. ADR

Mdulo TIM1: la funcin utilizada del temporizador es input capture, la


cual detecta cuando ocurre un cambio de nivel en el canal utilizado, esta
funcin se configura a travs del registro del canal TSC0 (figura 52), la
interrupcin que genera el TIM en el momento de capturar un flanco

92

puede ser leda en el bit CH0F del mismo registro. En la tabla 3.2 se
puede observar la configuracin de los bits para ejecutar las funciones
presentes en el temporizador.
Figura 52. Registro TSC0

Tabla 5. Modo, flanco y nivel de seleccin del TIM

Mdulo KBI (Keyboard Interrupt Module): el puerto disponible para este


modulo es el puerto A del microcontrolador, en este caso especfico se
utilizaron los pines 0, 1 y 2 del puerto. Para habilitar el puerto se
configura el registro de interrupcin del KBI (INTKBIER) colocando un
uno 1 en los bits que sern habilitados (figura 53). El registro utilizado
para configurar el modo de trabajo del KBI es el registro de estado y
control del mismo (INTKBSCR) (figura 54), en el cual se controlan los

93

niveles en que ocurre la interrupcin y en el cual se puede habilitar o


deshabilitar el mdulo.
Figura 53. Registro INTKBIER

Figura 54 Registro INTKBSCR

Todas las funciones realizadas por el microcontrolador, se configuraron haciendo


uso

del

Code

Warrior,

una

herramienta

de

programacin

para

los

microcontroladores de la familia CPU08 de Motorola que presenta las siguientes


caractersticas:

Generador de cdigo con un entorno integrado IDE de Code Warrior.

Ensamblador, Liker y Depurador a nivel fuente soportando todos los


68HC08.

Compilador C y depurador a nivel fuente (ANSI C limitado a 64Kbytes


de cdigo).

Simulador completo del chip y programador de la memoria Flash.

Soporte total de todas las herramientas de desarrollo hardware de


68HC08 de Motorola .

Herramienta de diseo de aplicacin rpida Processor Expert

94

4. PRUEBAS
Por ltimo para verificar el adecuado funcionamiento del sistema desarrollado, se
realizaron pruebas que pudieran demostrar el comportamiento esperado del
mismo. En este capitulo se presentarn pruebas elctricas, as como tambin el
ajuste y calibracin de las medidas tomadas por el equipo.

4.1 Pruebas Elctricas


Se llamaron pruebas elctricas a las realizadas para verificar el funcionamiento
correcto de cada una de las etapas de acondicionamiento de seal como son:
filtrado, rectificacin, amplificacin y detector de frecuencia.
Para la realizacin de estas pruebas, se utilizaron algunas fuentes de emisin de
campo magntico como imanes permanentes y solenoides para inducir campos
magnticos constantes y alternos respectivamente. Como primer paso, se verific
la linealidad de respuesta del sensor de efecto hall utilizado (HAL 815).
Figura 55. Respuesta del sensor para un campo magntico inducido a 60 Hz.

En las figuras 55, 56 y 57 se presenta la respuesta obtenida por el sensor en


presencia de campos magnticos sinusoidales, emitidos a diferentes frecuencias.
Se uso un generador de corriente alterna EPOCH-10 MULTI-AMP, y una bobina
de 6 H a 1 kHz, con una longitud de 0,65 metros y numero de vueltas N=44. Se
espera generar por la bobina un campo de 25,5 Gauss, al circular por ella una
corriente de 3 A, que equivale a una variacin de seal de tensin en el sensor de
300 mV.
Figura 56 Respuesta del sensor para un campo magntico inducido a 120Hz.

Se puede observar que la seal de salida del sensor, mantiene la forma de onda y
la frecuencia de los campos magnticos percibidos. Tambin se puede apreciar la
componente de continua u offset presente.
En la figura 58 se puede verificar el funcionamiento del filtro implementado17 para
eliminar la componente de continua y dejar una seal sinusoidal pura.

17

Capitulo III. Figura 31 y 32.

96

Figura 57. Respuesta del sensor para un campo magntico inducido a 180 Hz.

Figura 58 Respuesta del filtro Pasa alto implementado.

La seal original se ve representada en el canal B del osciloscopio y el canal A


representa la seal filtrada.

97

Figura 59. Salida de la etapa de Rectificacin.

Figura 60. Salida de la etapa de amplificacin.

En las figuras 59, se puede observar claramente la seal rectificada en


condiciones crticas (niveles por debajo de 0,7 V), del rectificador de precisin
implementado en el diseo18 y la etapa de amplificacin se observa en la figura
6019. .
18
19

Capitulo II I, figura 34.


Capitulo III, figura 38.

98

Para corroborar la precisin del detector del ciclo positivo de la seal, se tomaron
respuestas del mismo, para seales a frecuencia de 60 Hz, 120 Hz y 180 Hz, que
se pueden observar en las figuras 61,62 y 63.
Figura 61. Detector de ciclo positivo a una seal de entrada con frecuencia de
60 Hz.

Figura 62. Detector de ciclo positivo para una seal de entrada con frecuencia de
120 Hz

99

Figura 63 Detector de ciclo positivo para una seal de entrada con frecuencia de
180 Hz

4.2 PRUEBAS FSICAS.


Una vez realizadas las pruebas a los componentes del sistema desarrollado, es
necesario implementar pruebas fsicas que permitan conocer el desempeo real
del equipo.
En primer lugar, se verific el desempeo del algoritmo implementado para
calcular el valor rms de tensin de las seales dadas por el sensor. Para ello se
realizaron pruebas utilizando un generador de seales como entrada al sistema
(figura 64).

100

Figura 64. Montaje para pruebas realizadas con el generador de seales.

En la tabla 6, se presenta la respuesta del equipo para diferentes tipos de entrada


tales como seal senoidal, seal triangular y seal cuadrada para diferentes
frecuencias. Se trabaj con las anteriores seales con el fin de determinar la
precisin en los clculos realizados y la frecuencia mxima a la que puede trabajar
el sistema.
En la tabla 6 se puede observar que el porcentaje de error en los clculos de valor
rms dados por el equipo con respecto a los valores medidos por un osciloscopio
Tektronix TDS210 es menor al 5%. Presentndose el mayor margen de error para
valores cercanos a 0,7 Vrms en seales senoidales y 0,6 Vrms para seales
cuadradas y triangulares.

101

Tabla 6. Respuesta del equipo para diferentes tipos de seal.


Vrms
(referencia)[V]

Vrms (Equipo) [V] Error

Senoidal
0,25
0,39
0,44
0,57
0,7
0,81
0,96
1,22
1,48
1,61

0,24
0,4
0,42
0,55
0,67
0,77
0,92
1,16
1,42
1,55

4,00%
2,56%
4,55%
3,51%
4,29%
4,94%
4,17%
4,92%
4,05%
3,73%

Cuadrada
0,16
0,28
0,45
0,59
0,65
0,69
0,79
1,2
1,72

0,16
0,29
0,45
0,61
0,66
0,7
0,81
1,22
1,78

0,00%
3,57%
0,00%
3,9%
1,54%
1,45%
2,53%
1,67%
3,49%

Triangular
0,11
0,2
0,3
0,47
0,62
0,73
0,99
1,78
1,34

0,11
0,2
0,29
0,45
0,59
0,74
0,95
1,72
1,3

0,00%
0,00%
3,33%
4,26%
4,84%
1,37%
4,04%
3,37%
2,99%

Para determinar la frecuencia mxima a la que puede trabajar el sistema se tom


como referencia un valor rms tomado por el equipo (1.04 V) y se hizo un aumento
en frecuencia. Los valores medidos se presentan en la tabla 7.

102

Tabla 7. Cambio en Vrms con respecto a la frecuencia.


Frecuencia
200 Hz
500 Hz
800 Hz
1 kHz
2 kHz
4 kHz
5 kHz

Vrms (equipo)[V]
1.04
1.04
1.04
1.04
1.03
1.02
1.02

Se puede observar en la tabla 7, la mnima diferencia existente entre los resultados


obtenidos en el valor rms calculado por el equipo al cambiar el valor de la
frecuencia de la seal. La frecuencia se hizo variar hasta un rango 10 kHz,
observndose

un retardo en la respuesta

a frecuencias mayores de 5 kHz,

cubriendo el rango en frecuencia de las seales aplicadas para el equipo de


terapia magntica que es de 180 Hz.
Finalmente se presenta una comparacin de valores medidos por el equipo
(figura65), el cual abarca un rango en intensidad de campo magntico entre
1 Gauss y 300 Gauss, emitidos por fuentes alternas y continuas.
Figura 65 Gaussmetro.

103

Los campos magnticos fueron emitidos por medio de una bobina selonoidal de
longitud L=0,065 m, nmero de vueltas N=44, con una inductancia igual a 6 H a 1
kHz y ncleo de aire ( 0 = 4 10 7 H/m), por la cual se hizo circular corrientes en
AC (figura 66) y DC con valores entre 0,3 A y 3 A.

Figura 66. Montaje realizado para medicin de campos magnticos.

En la tabla 8, se muestran los valores medidos por el equipo para corrientes en AC


y DC y el valor terico hallado por la ecuacin20:

Bz =

20

0 NI
k
L

[Tesla]; 1 Tesla = 10 4 Gauss.

Capitulo 1.
Campo magntico debido a un solenoide.

104

Tabla 8. Comparacin de Campos Magnticos Medidos.

Corriente [A]

Valor del
equipo en
DC
[GAUSS]

Error DC

Valor del
equipo en
AC
[GAUSS]

Error AC

Valor
terico
[GAUSS]

0,3

2,58

3,2%

2,6

4%.

2,5

0,5

4,3

1,17%

4,31

1,41%

4,25

8,92

4,87%

8,9

4,63%

8,506

1,5

12,35

3,14%

13,1

2,75%

12,75

17,36

2,06%

17,1

0,53%

17,01

2,5

22,36

5,17%

21,25

0,05%

21,26

25,65

0,55%

25,13

1,49%

25,51

De acuerdo a los datos adquiridos se puede estimar el mximo error en la medida


del quipo para seales en DC con respecto al valor terico (=2,5 A)

% Error

Valor esperado Valor Experimental


100
Valor Esperado
21,26 22,36
100
21,26

= 5,1%
Para seales en AC el mximo error estimado (=3 A) es: 4,63%.

105

CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES

Se

construy un equipo porttil operado ya sea con bateras o con

alimentacin de la red elctrica, especialmente diseado para la medicin de


campos magnticos emitidos entre 1 Gauss y 300 Gauss, de esta manera se
logra cubrir los rangos utilizados en tratamientos de terapia magntica. La
medicin se realiz por medio de un sensor de efecto hall. El equipo diseado
posee las siguientes caractersticas:
o Tres canales externos de entrada para la ubicacin de los sensores de
campo magntico.
o Los canales de entrada se seleccionan manualmente por el usuario.
o El equipo visualiza los resultados en un LCD, con dos dgitos de
precisin.
o Identifica automticamente los campos producidos por fuentes alternas
o continuas.

El sensor seleccionado HAL 815, entrega seales con niveles de tensin del
orden de los voltios en la entrada del equipo, lo cual minimiza el efecto del
ruido en la medicin del campo magntico.

El equipo realiza medida de campo magnticos peridicos en el tiempo con un


mximo de frecuencia de 2 kHz y un error en la medida menor al

5%,

comparado con los valores de voltajes rms de la seales entregadas por el

106

sensor hall, medido con el osciloscopio Tektronix TDS210 (ver

pruebas

fsicas).

En el

valor de medida del campo magntico dada por el equipo, se

encontraron diferencias del 5% comparadas con el valor terico de la bobina,


debido a errores de cuantificacin dados por el conversor anlogo-digital del
microcontrolador el cual tiene 8 bits de resolucin y a errores debido a las
operaciones aritmticas realizadas en el microcontrolador.

Para seales de diferentes formas (senoidal, triangular y cuadrada) simuladas


como entradas del equipo con un generador de seales , se determin un error
menor del 5% en la medicin de valor rms, comparado con los valores de
voltajes rms de la seales entregadas por el generador, medido con el
osciloscopio Tektronix TDS210 (ver

pruebas fsicas). Para frecuencias

menores a 1 kHz no se encontr cambio en la medida.

107

RECOMENDACIONES

Para disminuir el error en la medida del campo magntico es conveniente


utilizar un conversor anlogo-digital, con ms resolucin (mayor numero de
bits) reduciendo el problema de cuantificacin y garantizar ms precisin
en las medidas del equipo.

Para mejorar el diseo implementado de la tarjeta electrnica se podran


remplazar los reles mecnicos utilizados en el modulo de alimentacin, por
dispositivos de estado slido.

Habilitar el funcionamiento del equipo con sensores de campo magntico


con diferentes caractersticas con el fin de realizar mediciones

de

diferentes rangos y frecuencia.

Utilizar el equipo como apoyo

en el trabajo docente de

Teora Electromagntica I y II

108

la asignatura

BIBLIOGRAFA.

GOVEAREV, Alberto. Cubana Mdica. Integral. 2002, 18p


CABRERA, Enrique, Ctedra de Medicina Natural y Tradicional. Facultad de
Ciencias Mdica. Cuba Junio 2002, 1p.
MALCOTIVATI, Piero, MALOBERTI Franco. An Integrated Microsystem for 3D
Magnetic Field Measurements.Univewrsidad de Pavia _ Italia. IEEE 1998. 13p.
REITZ, MILFORD, CHRISTY. Fundamentos de la Teora Electromagntica.
Addison Wesley Iberoamericana S.A. Mxico 1996. 190p
CHENG David k. Fundamentos de Electromagnetismo para Ingeniera. Addison
Wesley. Mexico 1997. 190p
MACINYRE Steven A. Magnetic Field Measurement, Copyright 2002. 5p
LENZ James E. A Review of magnetic sensors. IEEE.
LEA, Susan. BURJE John. PHYSICS. The Nature of Things. West Publishing
USA 1997. 755p.
SEDRA, ADEL SMITH, Kenneth, Circuitos Microelectrnicos. University Press.
Oxford Mexico 1997. 667p
PALLS, ARENY. Amplifiers and Signal Conditioners.Universidad Politcnica de
Catalunya. Copryright 2002. 6p

109