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MEMORIA

RAM

random access memory


Memoria de acceso aleatorio

Memoria de acceso aleatorio es un tipo de


memoria voltil que permite almacenar datos e
instrucciones de forma temporal mientras que el
sistema hace uso de ella. Una vez dejan de
usarse, esos datos desaparecen.
La memoria RAM aportar fluidez a tu sistema,
por lo que la cantidad a instalar y el tipo de
memoria depender mucho del uso que vayas a
hacer del ordenador, capacidad de la placa
elegida e incluso el sistema de refrigeracin que
tengas instalado en tu PC.
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Es la memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones


y guarda los resultados. Es el rea de trabajo para la mayor parte
del software de un computador. Existe una memoria intermedia
entre el procesador y la RAM, llamada cache, pero sta slo es
una copia (de acceso rpido) de la memoria principal (tpicamente
discos duros) almacenada en los mdulos de RAM.
Se trata de una memoria de estado slido tipo DRAM en la que se
puede tanto leer como escribir informacin. Se utiliza como
memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la
mayora del software. Es all donde se cargan todas las
instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de
cmputo. Se dicen "de acceso aleatorio" porque se puede leer o
escribir en una posicin de memoria con un tiempo de espera
igual para cualquier posicin, no siendo necesario seguir un orden
para acceder a la informacin de la manera ms rpida posible.
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tamao y formato
Actualmente, la gran mayora de las placas base utiliza el tipo de memoria DDR3,
pero los fabricantes ya comienzan a lanzar nuevos modelos que soportan el nuevo
formato DDR4.
Los distintos formatos de memoria RAM (DDR400, DDR2, DDR3 y DDR4) se
diferencian por el nmero de contactos del conector de la placa base. Adems,
cada tipo cuenta con diferentes muescas en el conector que impide que, por
ejemplo, puedas confundirlos e intentar conectar un mdulo DDR2 en un conector
DDR3. Algo ms habitual de lo que podra llegarse a pensar.
Como hemos comentado, estamos en plena transicin entre la memoria DDR3 y
DDR4, por lo que debes asegurarte de elegir la memoria RAM adecuada para tu
placa base.
Algunos mdulos incorporan disipadores de aluminio que mejoran la refrigeracin
de los chips de memoria, pero tambin elevan su altura y pueden llegar a tocar con
el disipador que refrigera el procesador.
Por lo tanto, a la hora de elegir los mdulos de memoria, ten en cuenta las medidas
de ambos elementos ya que unas memorias demasiado altas podran impedir la
instalacin de un disipador sobredimensionado para el procesador.
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Frecuencias y perfiles de configuracin.


Cada mdulo de memoria RAM est formado por varios chips de
memoria que funciona a una determinada frecuencia de trabajo. Esta
frecuencia, al igual que en los procesadores, afecta directamente al
rendimiento y se mide en Megahercios (MHz).
Al elegir la memoria RAM que instalars en tu PC, debes asegurarte de
que la placa base soporta la frecuencia de trabajo de la memoria RAM.
Algunas placas base cuentan con soporte para perfiles XMP (Extreme
Memory Profile). Si tanto los mdulos de memoria, como la placa base,
soportan esta funcin de configuracin, al instalarlos, la placa detectar
automticamente la frecuencia de la memoria RAM y la configurar para
obtener el mximo rendimiento.
Al instalar algunos mdulos de memoria, la placa puede configurarlos
para que trabajen a una frecuencia inferior a la que el fabricante
prometa. En ese caso tendrs que configurar la frecuencia de la
memoria RAM manualmente desde la BIOS o UEFI para subir el
multiplicador de sus frecuencias y hacer que funcionen a la velocidad
correcta.
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Latencias en la RAM
Junto a la frecuencia, otro de los parmetros que
tienes que tener en cuenta a la hora de elegir la
memoria RAM adecuada para tu ordenador son las
latencias de la memoria.
La estructura interna de la memoria RAM es como
la de un tablero de ajedrez tridimensional en el
que cada cuadro del tablero es una celda en la que
se escriben los datos que se almacenan.

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El voltaje tambiEn importa


Si te damos a elegir entre un coche que consuma mucho
combustible y un coche que consuma muy poco,
probablemente no tendrs muchas dudas al elegir el que
menos consume, para de ese modo ahorrar algo de dinero
en gasolina.
Pues en la memoria RAM sucede algo similar. Aunque la
mayora de los mdulos DDR3 disponibles estn
diseados para consumir un mximo de 1,5 voltios,
existen algunos que rebajan esa cuota de consumo y la
sitan en torno a los 1,35 voltios.
Estos consumos, en situaciones normales simplemente
implican un menor consumo energtico.
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Pero si quieres llevar al lmite a tus


memorias RAM y subir sus frecuencias de
trabajo, este margen de voltaje te permitir
sobrealimentar los chips de memoria para
alcanzar el lmite de voltaje recomendado
de 1,5 voltios y obtener as un mayor
rendimiento. Por supuesto, esta operacin
de Overclocking debe realizarse con la
mayor de las cautelas o podras daar las
memorias y otros componentes de la placa
base.
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RAM para portAtiles


La memoria RAM para ordenadores porttiles funciona exactamente
igual que la de la de los ordenadores de sobremesa. La nica
diferencia entre ellas es que la memoria RAM para porttiles es
mucho ms pequea que la de los ordenadores de sobremesa.
A la hora de elegir un tipo de memoria RAM para porttil debes tener
en cuenta los mismos parmetros que para la normal, haciendo
especial hincapi en la compatibilidad del nuevo mdulo con la placa
base de tu porttil.
Si eliges un mdulo con una frecuencia ms alta de la que soporta el
porttil, puede provocar que no lo reconozca o, en el mejor de los
casos, que gastes ms dinero para que al final funcione por debajo
de sus prestaciones.
Por el contrario, un mdulo con una frecuencia de trabajo demasiado
baja har que tu porttil funcione ms lento que antes.
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DDR4. El futuro ya estA aquI


El nuevo estndar de memoria RAM es el tipo DDR4, que ya est dejando de ser
una especificacin exclusiva de las placas base de rendimiento extremo, y
comienza a extenderse poco a poco al resto de gamas.
Los mdulos de las memorias DDR4 tienen 288 contactos (o pines) a diferencia de
los240 contactos que tiene la DDR3. Esto se traduce en una mayor velocidad de
transferencia de datos que se sita en un mximo de 4.266 MT/s, mientras que la
memoria DDR3 se mantiene en 2.133 MT/s.
Los mdulos de memoria DDR4 no son compatibles con los conectores DDR3 de
las placas base.
Fsicamente existen algunas diferencias que permiten identificar los mdulos
DDR4 de los DDR3.
En los DDR4, los pines de contacto centrales son ligeramente ms largos que los
de los extremos.
Adems, no podrs equivocarte al conectarlos en un conector DDR3 ya que la
hendidura que tiene la conexin tambin ha cambiado, el nmero de conectores
es mayor y los voltajes a los que trabajan ambos componentes son diferentes.
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La memoria DDR4 ha conseguido optimizar el consumo fijando su voltaje


entre 1,05 y 1,2 V., frente a los 1,5 V. que necesitan la mayora de los
mdulos DDR3.
Esta optimizacin tambin afecta de forma directa a la generacin de
calor, que se reduce en la misma proporcin que el voltaje. Por lo tanto,
tambin afectar a la refrigeracin general del equipo.
Los mdulos de memoria DDR4 funcionan a una frecuencia de reloj
mucho ms alta que la de las memorias DDR3.
As, mientras que solo los mdulos DDR3 ms extremos eran capaces de
alcanzar frecuencias de hasta 2.933 MHz, los mdulos DDR4 ms bsicos
ya alcanzan los 2.133 MHz, mientras que los ms extremos son capaces
de alcanzar los 4.000 MHz.
Pero no todo iban a ser bondades en la nueva tecnologa. La parte
negativa es que las latencias de la memoria DDR4 es ms lenta que la de
la memoria DDR3.
Para que te hagas una idea, la latencia media de los mdulos DDR3 es de
CL9, mientras que en las memorias DDR4 lo ms comn es encontrar una
latencia de CL15. Por suerte esto se compensa gracias a que el resto de
valores que afectan al rendimiento son muy superiores.
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Tipos de Memorias RAM

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La frase memoria se utiliza frecuentemente para


referirse a los mdulos de memoria que se usan en los
computadores personales y servidores. En el sentido
estricto, los mdulos de memoria contienen un tipo,
entre varios de memoria de acceso aleatorio , ya que las
ROM, memorias Flash , cach (SRAM) , los registros en
procesadores y otras unidades de procesamiento
tambin poseen la cualidad de presentar retardos de
acceso iguales para cualquier posicin. Los mdulos de
RAM son la presentacin comercial de este tipo de
memoria, que se compone de integrados soldados sobre
un circuito impreso, en otros dispositivos como las
consolas de videojuegos, esa misma memoria va soldada
sobre la tarjeta principal.
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CaracterIsticas de la
memoria principal (RAM)
Un sistema de memoria se puede clasificar en funcin de muy diversas
caractersticas. Entre ellas podemos destacar las siguientes: localizacin de la
memoria, capacidad, mtodo de acceso y velocidad de acceso. En el caso de la
memoria RAM (tambin denominada memoria principal o primaria) se puede
realizar la siguiente clasificacin:

Localizacin:

Interna (se encuentra en la placa base)


Capacidad: Hoy en da no es raro encontrar ordenadores PC equipados con 512,
1024, 2048Mb de memoria RAM y mas.
Mtodo de acceso: La RAM es una memoria de acceso aleatorio. Esto significa
que una palabra o byte se puede encontrar de forma directa, sin tener en cuenta
los bytes almacenados antes o despus de dicha palabra (al contrario que las
memorias en cinta, que requieren de un acceso secuencial). Adems, la RAM
permite el acceso para lectura y escritura de informacin.
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Velocidad de acceso: Actualmente se pueden

encontrar sistemas de memoria RAM capaces de


realizar transferencias a frecuencias del orden
de los Gbps (gigabits por segundo). Tambin es
importante anotar que la RAM es una memoria
voltil, es decir, requiere de alimentacin
elctrica para mantener la informacin. En otras
palabras, la RAM pierde toda la informacin al
desconectar el ordenador.
Segn los tipos de conectores que lleve la
memoria, al conjunto de stos se les denominan
mdulos, y stos a su vez se dividen en:
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DIP, de Dual In line Package , un

tipo de encapsulado que consiste en un


nico chip de memoria rectangular con
dos filas de pines de conexin, uno a
cada lado del encapsulado, que conectan
a las celdas de memoria con el exterior.
Se encontraban en las primeras
computadoras. Una de las principales
desventajas es el lugar que ocupaban en
la placa principal.
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SIPP

es la sigla de "Single In-line Package"


lo que traducido significa soporte en simple lnea.
Son los primeros tipos de memorias DRAM (RAM
dinmicas, construidas a base de capacitores), que
integraron en una sola plaqueta varios mdulos del
tipo DIP, logrndose de sta manera comercializar
mayores capacidades en una sola placa.
Los terminales se concentraron en la parte inferior
del mdulo en forma de pines (30) que se insertaban
dentro de un zcalo especial en la motherboard.
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SIMM siglas de Single In-line Memory Module,


,

es un formato para que consiste en placas de circuito impreso


sobre las que se montan los integrados de memoria DRAM. Estos
mdulos se insertan en zcalos sobre la motherboard que pueden
tener 30 o 72 contactos. Los contactos en ambas caras estn
interconectados, esta es la mayor diferencia respecto de sus
sucesores los mdulos DIMM. Este tipo de memorias fueron muy
populares desde principios de los 80 hasta finales de los 90. Las
diferencias entre ambas radica en los tiempos de acceso, y la
capacidad de almacenamiento, siendo esta ltima para los SIMM
de 30 pines: 256kB, 1MB, 4MB, 16MB las cuales deban colocarse
de a pares.
Las capacidades de los SIMM de 72 pines eran: 1MB, 2MB, 4MB,
8MB, 16MB, 32MB, 64 MB.
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Pequea placa de circuito impreso con


varios chips de memoria integrados. Se
fabrican con diferentes velocidades de
acceso capacidades (4, 8, 16, 32, 64 Mb)
y son de 30 o 72 contactos. Se montan
por pares generalmente.

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DIMM

siglas de Dual In-line Memory Module.


Los mdulos DIMM son reconocibles
externamente por poseer sus contactos, o pines
separados en ambos lados de la plaqueta, a
diferencia de los SIMM que poseen los contactos
de modo que los de un lado estn unidos con los
del otro. Las frecuencias tpicas de stos mdulos
son: PC66, 66Mhz, PC100, 100Mhz y PC133 a
133Mhz.
stos mdulos de memoria pueden transmitir
hasta 64 bits, y en algunos casos 72 bits. Poseen
168 pines.
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Memoria SIMM

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Son ms alargados, cuentan con 168 contactos y


llevan dos muescas para facilitar su correcta
colocacin.
Pueden montarse de 1 en 1.

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RIMM acrnimo de Rambus In-line Memory Module


,

designa a los mdulos que utilizan una tecnologa


denominada RDRAM, desarrollada por la empresa
Rambus. ste tipo de memorias funcionan con un
rgimen alto de frecuencia, mucho mayor a los
DIMM, que van desde 133Mhz a 533Mhz, por este
motivo es que posean disipador. Poseen 184 pines y
fueron populares a mediados de los aos 90, aunque
su alto valor y el advenimiento de los mdulos DDR
hicieron que no fueran de implementacin masiva.
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DDR, acrnimo de Double Data Rate,

significa doble tasa de transferencia de datos.


Disponibles en encapsulado DIMM, que permite
la transferencia de datos por dos canales
distintos simultneamente en un mismo ciclo de
reloj. La nomenclatura estndar para este tipo
de memorias iba desde DDR-200 a 100Mhz, hasta
DDR-533 a 266Mhz. Poseen 184 contactos o
pines, pueden ser diferenciados fcilmente con
los mdulos DIMM por las muescas de insercin
en el zcalo de la motherboard.
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DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo de reloj,

es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando


sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma
frecuencia de una DDR tradicional (si una DDR a 200MHz reales
entregaba 400MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200MHz
reales entrega 800MHz nominales). Este sistema funciona debido
a que dentro de las memorias hay un pequeo buffer que es el que
guarda la informacin para luego transmitirla fuera del modulo de
memoria, este buffer en el caso de la DDR convencional trabajaba
tomando los 2 bits para transmitirlos en 1 slo ciclo, lo que
aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits
para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal
sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los mdulos de
memoria. Posee 240 pines o contactos a diferencia de su
antecesora la DDR de 184 pines o contactos.
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DDR3 El principal beneficio de las memorias

es la transferencias de datos de hasta ocho veces


ms rpido, esto nos permite obtener velocidades
pico de transferencia y velocidades de bus ms
altas que las versiones DDR anteriores. Sin
embargo, no hay una reduccin en la latencia, la
cual es proporcionalmente ms alta.
Si bien posee 240 pines o contactos como la DDR2,
es incompatible con la misma.
Una de las ventajas que trae consigo esta
tecnologa es que pueden fabricarse mdulos de
hasta 16GB de capacidad.
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DDR4

En el ao 2014 fueron lanzadas al


mercado estas memorias, junto a motherboards con
chipsets y zcalos compatibles con dicha memoria.
El chip DDR4 posee 288 pines o contactos, a
diferencia de su antecesora que posea 240. Con
este tipo de memorias se logran tasas de
transferencia muy superiores, ya que con un bus a
2133Mhz ejecuta 4266 MT/s (millones de
transferencias por segundo). El problema es que no
son compatibles con las DDR3, no solo por su
zcalo, sino tambin por que su tensin de
alimentacin es menor.
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Tipo RAM
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RAM
"Random Aleatory Memory", memoria

de acceso aleatorio Memoria primaria


de la computadora, en la que puede
leerse y escribirse informacin en
cualquier momento, pero que pierde la
informacin al no tener alimentacin
elctrica.
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EDO RAM

"Extended Data Out Random Access


Memory", memoria de acceso aleatorio
con salida de datos extendida
Tecnologa opcional en las memorias
RAM utilizadas en servidores, que
permite acortar el camino de la
transferencia de datos entre la
memoria y el microprocesador.
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BEDO RAM
"Burst EDO Random Access Memory",

memoria de acceso aleatorio con salida


de datos extendida y acceso Burst
Tecnologa opcional; se trata de una
memoria EDO RAM que mejora su
velocidad gracias al acceso sin
latencias a direcciones contiguas de
memoria
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DRAM

"Dinamic Random Access Memory",


memoria dinmica de acceso
aleatorio Es el tipo de memoria mas
comn y econmica, construida con
capacitores por lo que necesitan
constantemente refrescar el dato
que tengan almacenado, haciendo el
proceso hasta cierto punto lento.
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SDRAM
"Synchronous Dinamic Random Access
Memory", memoria dinmica de acceso aleatorio

Tecnologa DRAM que utiliza un reloj para


sincronizar con el microprocesador la entrada y
salida de datos en la memoria de un chip. Se ha
utilizado en las memorias comerciales como SIMM,
DIMM, y actualmente la familia de memorias DDR
(DDR, DDR2, DDR3, GDDR, etc.), entran en esta
clasificacin.
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RDRAM
"Static Random Access Memory",

Memoria DRAM de alta velocidad


desarrollada para procesadores con
velocidad superior a 1 GHz, en esta
clasificacin se encuentra la familia
de memorias RIMM.
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SRAM / Cach
"Static Random Access Memory", memoria

esttica de acceso aleatorio Memoria RAM


muy veloz y relativamente cara, construida
con transistores, que no necesitan de proceso
de refresco de datos. Anteriormente haba
mdulos de memoria independientes, pero
actualmente solo se encuentra integrada
dentro de microprocesadores y discos duros
para hacerlos mas eficientes
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ROM
"Read Only Memory", memoria de solo

lectura Memoria que permite un


nmero indeterminado de lecturas
pero no puede ser modificada.

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PROM
"Programmable Read Only Memory",

memoria programable de solo


lectura Memoria ROM que permite
una programacin y
posteriormente un nmero
indeterminado de lecturas pero no
puede ser modificada.
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EPROM
"Erasable Programmable Read Only Memory",

memoria programable y borrable de


solo lectura Memoria PROM que
permite reprogramacin por medio de
un dispositivo especial y borrado por
medio de luz ultravioleta.
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EEPROM
"Electrically Erasable Programmable Read Only Memory",

memoria elctricamente programable y


borrable de solo lectura Evolucin de
las memorias EROM que permite alterar
su contenido por medio de seales
elctricas. Es la mas utilizada en las
computadoras actuales para albergar el
SetUp de la computadora.
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Tipo Flash
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Flash NAND

el trmino Flash es debido a la


alta velocidad que puede manejar y NAND a
un tipo de conexin especial de sus
elementos electrnicos (Compuerta tipo
NAND) Memoria que permite almacenar
datos y mantenerlos almacenados sin
necesidad de alimentacin elctrica hasta
por 10 aos. Se utiliza en las memorias USB ,
memorias SD, Memory Stick de Sony,
unidades SSD, e incluso para BIOS, etc.
"Flash NAND",

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Tipo Swap
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Swap / Virtual Memory

De intercambio o memoria virtual Se trata de una


simulacin de RAM en un rea de un disco duro,
lo cul no permite que se detengan servicios al
escasear memoria RAM pero ralentiza a la
computadora.
Tambin se puede actualmente crear SWAP en una
memoria USB, utilizando el Software Ready Boost de
Microsoft
Windows Vista u otros programas para Microsoft
Windows XP, 6 de este modo se vuelve mas eficiente
el equipo de cmputo.
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Otros
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Buffer
Soporta informacin que
se encuentra en espera
de ser procesada y una vez
realizado ese proceso, la borra
para esperar nuevos datos, puede
ser espacio asignado en una
memorias RAM o en un disco duro.
"Amortiguador

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LINEA DE TIEMPO DE
LOS CAMBIOS
TECNOLOGICOS EN
LAS MEMORIAS RAM
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En 1969 fueron lanzadas una de las


primeras memorias RAM basadas
en semiconductores de silicio por
parte de Intel con el integrado
3101 de 64 bits de memoria
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Memoria DRAM de 1 KB,


referencia 1103 que se
constituy en un hito, ya que
fue la primera en ser
comercializada con xito
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En 1973 se present una


innovacin que permiti otra
miniaturizacin y se convirti en
estndar para las memorias DRAM:
la multiplexacin en tiempo de la
direcciones de memoria. MOSTEK
lanz la referencia MK4096 de 4 Kb
en un empaque de 16 pines.
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FPM-RAM
Aparece actualmente con dos
velocidades de acceso, 60
nanosegundos las ms rpidas y
70 nanosegundos las ms lentas.
Velocidad de transferencia: 200
MB/s
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EDO-RAM
Extended Data Output-RAM. Evoluciona de
la Fast Page; permite empezar a introducir
nuevos datos mientras los anteriores estn
saliendo, lo que la hace algo ms rpida
(un 5%, ms o menos).
Velocidad de transferencia: 320 MB/s

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BEDO-RAM
Velocidad de transferencia:
Ofrece tasas de transferencia
desde 533 MB/s hasta 1066 MB/s
1997
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SDR SDRAM
Memoria RAM dinmica de acceso
sncrono de tasa de datos simple.
Este tipo de memoria incluye
tecnologa InterLeaving, que permite
que la mitad del mdulo empiece un
acceso mientras la otra mitad est
terminando el anterior.
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PC100
La velocidad de bus de
memoria es de 125 MHz,
temporizacin de 8 ns y
ofrece tasas de
transferencia de hasta 800
MB/s.
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PC133

La velocidad de bus de
memoria es de 133 MHz,
temporizacin de 7,5 ns y
ofrece tasas de
transferencia de hasta
1066 MB/s.
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PC1600 - DDR200

Velocidad de
transferencia 1600
MB/s
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PC2100 - DDR266

Velocidad de
transferencia
2133 MB/s
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PC2100 - DDR266
Velocidad de transferencia
Tecnologa de memoria RAM
DDR que trabaja a una
frecuencia de 333 MHz con un
bus de 166MHz y ofrece una
tasa de transferencia mxima
de 2.7 GB/s.
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PC3200 DDR400
Esta tecnologa de memoria RAM
DDR que trabaja a una frecuencia
de 400 MHz con un bus de
200MHz y ofrece una tasa de
transferencia mxima de 3.2
GB/s.
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PC4800 DDR600
Tecnologa de memoria RAM DDR2
que trabaja a una frecuencia de
600 MHz con un bus de 150MHz y
ofrece una tasa de transferencia
mxima de 4.8 GB/s.
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PC6400 DDR800

Velocidad de transferencia
Tecnologa de memoria RAM
DDR2 que trabaja a una
frecuencia de 800 MHz con
un bus de 200MHz y ofrece
una tasa de transferencia
mxima de 6.4 GB/s.
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Trabaja a una frecuencia de


800 MHz con un bus de
100MHz y ofrece una tasa
de transferencia mxima de
6.4 GB/s.
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DDR3 1066

Tecnologa de memoria RAM


DDR3 que trabaja a una
frecuencia de 1066MHz con
un bus de 133MHz y ofrece
una tasa de transferencia
mxima de 8.53 GB/s.
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DDR3 1800
Velocidad de
transferencia 14.40
GB/s @ 1800 MHz
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DDR3 2000
Velocidad de
transferencia 16.0
GB/s @ 2000 MHz
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Corsair Dominator GTX6


DDR3
Estos 2 mdulos de memoria RAM
de 1GB Corsair Dominator GTX6
DDR3 han sobrepasado sus
2625MHZ de serie para alcanzar los
citados 3078MHZ y batir el rcord
de velocidad usando para ello un
refrigerador especial alimentado
con nitrgeno lquido.
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memorias DDR3 Patriot G2


Estos kits de doble canal de
memoria DDR3 se ofrecen en
capacidades de 4 GB u 8 GB. Su
frecuencia es de 1333 MHz o 1600
MHz. Estn cubiertas con disipador
de calor de aluminio extruido,
cubierto con una etiqueta "AMD
Edition Black.
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MEMORIAS DDR3 RIPJAWSX


La nueva serie consiste en un
completo rango de mdulos DDR3
con velocidades de 1,333MHz,
1,600MHz, 1,866MHz, 2,133MHz,
2,200MHz y 2,300MHz con latencias
-segn las velocidades- de CL6, 7, 8
y 9.
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MEMORIA RAM DDR4


La celda de memoria se carga de una corriente elctrica
alta cundo indica el valor 1.
La celda de memoria se carga de una corriente elctrica
baja cundo indica el valor 0.
Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por
ello toda la informacin se pierde.
Este tipo de celdas tienen un fenmeno de recarga
constante ya que tienden a descargarse,
independientemente si la celda almacena un 0 o un 1, esto
se le llama "refrescar la memoria", solo sucede en
memorias RAM y ello las vuelve relativamente poco
eficaces.
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Memoria RAM tipo DDR-4, marca Crucial, modelo CT4K16G4RFD4213, capacidad 16 GB.

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proviene de "Dual Data Rate 4", significa


transmisin doble de datos cuarta generacin: se trata
de el estndar desarrollado inicialmente por la firma
Samsung para el uso con nuevas tecnologas. Al igual
que sus antecesoras, se basa en el uso de tecnologa
tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base
de capacitores), cuentan con 288 terminales, las cules
estn especializadas para las ranuras de las tarjetas
principales (Motherboard) de nueva generacin con
soporte Intel Haswell- E (X99). Tambin se les
denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con
conectores fsicamente independientes por ambas
caras como el primer estndar DIMM.
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componen la memoria DDR4


Los componentes son visibles, ya que no cuenta con
cubierta protectora; son bsicamente los siguientes:
Tarjeta: es una placa plstica sobre la cul estn
soldadas los componentes de la memoria.
Chips: son mdulos de memoria voltil.
Conector de 288 terminales: base de la memoria que se
inserta en la ranura especial para memoria DDR4.
Muesca: indica la posicin correcta dentro de la ranura
de memoria DDR4.
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Velocidad
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM
es en Mega Hertz (MHz). En el caso de los DDR-4, tiene
principalmente una velocidad dada a conocer, a la cul
se tienen que adaptar los dems componentes del resto
del sistema. Bsicamente se present la siguiente:
PC4-17000: 2133 MHz / 2400 Mhz / 2666 Mhz / 2800 Mhz /
3000 Mhz / 4266 Mhz?
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d
un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida
es en nanosegundos (nseg):
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Latencia
CL proviene de ("CAS Latency"), lo cul es el tiempo
que emplea la memoria en colocarse sobre cierta
celda de memoria, otra definicin es "Tiempo que
toma a un paquete de datos en llegar a su destino".
Este factor est relacionado directamente con la
velocidad de la memoria (Mega Hertz), ya que al
aumentar est, tambin aumenta la latencia.
DDR4 PC4-14900E:

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Latencias (CL)

12-15

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Capacidades de almacenamiento
La unidad prctica para medir la capacidad de
almacenamiento de una memoria DDR-4 es el Giga
Byte (GB). El modelo presentado es el siguiente:
DDR-4 288 terminales en un slo mdulo 2 GB, 4
GB, 8 GB y 16 GB
Se pueden encontrar memorias de "32 GB y hasta
64 GB", sin embargo se trata de Kits, es decir, 2 o
4 mdulos de 16 GB que suman 32 GB y 64 GB
respectivamente
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Usos especficos
Los DDR-4 de 288 terminales es un formato que se
encuentra desarrollada para el uso en sistemas con
soporte X99 Intel Chipset (Haswell), por lo que para
AMD an no esta disponible.

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La memoria SODDR4 (Variante DDR4)


Significado de SODDR4: proviene de "Small Outline
Dual Data Rate 4", siendo la posible variante

de memoria DDR4 para computadoras porttiles, sin embargo


an no se encuentra disponible para este tipo de dispositivos
sino slo para ciertas placas de la marca Intel
Caractersticas de la memoria SODDR4:
Se encuentra disponible con tecnologa ECC para el uso con
procesadores para servidor Intel Xeon

+ Cuentan con 260 terminales, especiales para la ranura.


+ Las dems especificaciones como latencia, capacidades de
almacenamiento, velocidad, etc. son similares a la del formato
DDR4 para computadora de escritorio.
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Memoria SODDR4, modelo KVR21SE15S8/4204, marca Kingston, 2133 Mhz

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Elegir correctamente la memoria DDR4


Intel ya tiene en el mercado los Haswell-E, que ms all
de repetir la frmula de las gamas ms altas del mercado
traen consigo una novedad reseable: los primeros chips
domsticos con compatibilidad con memoria RAM DDR4.
Aunque llevaba un tiempo presente en equipos
profesionales, la memoria DDR4 se estrena ahora con los
nuevos Core i7 de Intel. Aprovechamos su lanzamiento
para hablar ms sobre las novedades de esta nueva
versin, sobre cunta RAM necesita tu ordenador y
acerca del futuro de la DDR4

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Tenemos que remontarnos a la dcada de los 90 cuando


la JEDEC, organizacin encargada de disear y publicar
los estndares relacionados con la RAM - entre otras
tecnologas - anunciaba una pequea revolucin en la
memoria RAM. La SDR SDRAM (Single Data Rate
synchronous DRAM) se empezaba a quedar corta para las
exigencias de entonces, y decidieron dar un salto muy
importante: DDR SDRAM (Double Data Rate synchronous
DRAM) empez a desarrollarse en 1996, y fue en el ao
2000 cuando el estndar se dio por finalizado.
Sus nombres lo dicen todo: Single vs. Double. DDR puede
gestionar el doble de seales por ciclo de reloj que SDR,
dos (una al subir y otra al bajar) en vez de una (slo al
subir).
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SDR vs. DDR vs. QDR


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ste fue el germen para una nueva


tecnologa que ha estado presente en
nuestros ordenadores desde entonces, y
que poco a poco ha ido expandindose
tambin a otras categoras de producto.
Desde los porttiles (el salto ms
lgico) hasta los nuevos dispositivos,
como smartphones, tablets u
ordenadores en miniatura tipo
Raspberry Pi.
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El ritmo de actualizaciones de DDR ha sido


poco uniforme, siendo la DDR3 la que ms ha
perdurado en el tiempo. La penetracin de
cada nueva versin no es instantnea, por
supuesto, de forma que aunque DDR4 haya
aparecido en 2014 no ser hasta bien entrado
2015 o incluso ms adelante cuando se pueda
considerar una plena implantacin. Recuerdo
que los Core i7 'Haswell-E' compatibles con
DDR4 son equipos muy exclusivos y caros,
tpicamente orientados al gaming o a usuarios
con altos presupuestos para sus ordenadores.

Qu trae de nuevo DDR4


Cada iteracin en los estndares DDR ha trado
consigo mltiples mejoras, algo lgico teniendo en
cuenta los plazos de varios aos de diferencia en
los desarrollos. El caso de DDR4 no es una
excepcin, y viene acompaada de varias
novedades muy interesantes.
La ms representativa es el incremento de la
frecuencia unido a un menor voltaje de
funcionamiento, lo cual proporcionar un mayor
rendimiento cuantificado, segn algunos
fabricantes, en un 50% de mejora.
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Mdulos DDR4 y DDR3

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Tambin relacionado con esto estn las altas expectativas puestas


en el overclocking. Dado que apenas hay disponibilidad en el
mercado no existen pruebas que lo confirmen, pero la opinin
general es que DDR4 ser la RAM con mejor margen de
overclocking de la historia. Es algo que comprobaremos pasados
unos meses, a medida que se vaya introduciendo en el mercado.
La cantidad de memoria por mdulo recibir un nuevo empujn con
DDR4, al igual que ocurri con anteriores versiones. Ya existen
mdulos de 2, 4 y 8 GB, y se espera que no dentro de mucho tambin
se presenten mdulos de 16 GB DDR4. Esta nueva situacin nos
permitira llegar fcilmente a 64 GB de memoria RAM DDR4, que
podemos decir seran los equivalentes a tener 16 o 32 GB en los
sistemas actuales. Un hipottico mdulo de 32 GB ampliara an
ms los lmites, por supuesto, aunque an no hay ningn fabricante
que lo haya confirmado.
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Referente al formato fsico de DDR4 no hay


muchas novedades. La forma y tamao es la
misma que los anteriores estndares, la
muesca contina siendo diferente (ninguna
versin de DDR tiene la muesca en el mismo
lugar, con lo que no hay forma posible de
equivocarse) y, eso s, tal y como vimos en
nuestra toma de contacto ahora tienen una
pequea curva para poder instalarlas en los
zcalos de forma ms cmoda.
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Refirindonos a DDR4, es difcil comparar su rendimiento


con anteriores versiones del estndar. La ganancia del 50%
en el rendimiento que comentbamos antes se refiere a las
mismas condiciones, con lo que en un entorno real ser una
cifra ligeramente menor.
Las necesidades de memoria RAM no varan
significativamente entre una versin y otra. Los que a da de
hoy necesiten una cierta cantidad de gigabytes en DDR3
seguirn exigiendo una cantidad muy parecida en DDR4, y si
apuestan por la misma cifra ganarn algo de
rendimiento. Los precios de la DDR4 actual son
significativamente ms caros que DDR3, como es lgico,
pero esto es algo que ir bajando a medida que se vaya
implantando. Como referencia, en Newegg venden mdulos
de 4 GB DDR3 por 38 dlares la unidad, mientras que los 4
GB DDR4 equivalentes resultan en 52 dlares cada uno.
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STICK.
Memory Stick es un formato de tarjeta de memoria
extrable (memoria flash), comercializado por Sony
en octubre de 1998. El trmino tambin se utiliza
para definir a la familia entera de estos dispositivos
de memoria (Memory Stick). Dentro de dicha familia
se incluye la Memory Stick Pro, una versin
posterior que permite una mayor capacidad de
almacenamiento y velocidades de trasferencia de
archivos ms altas, y la Memory Stick Pro Duo, una
versin de menor tamao que el Memory Stick.
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Memorias de Acceso
Aleatorio RAM
Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas
como memorias RAM de la sigla en ingls Random
Access Memory.
Se caracterizan por ser memorias de lectura/ escritura y
contienen un conjunto de variables de direccin que permiten
seleccionar cualquier direccin de memoria de forma directa e
independiente de la posicin en la que se encuentre.

Estas memorias son voltiles, es decir, que se pierde la


informacin cuando no hay energa y se clasifican en dos
categoras bsicas: la RAM esttica y la RAM dinmica.
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Memoria RAM esttica


Este tipo de memoria conocida como SRAM
(Static Random Access Memory) se compone
de celdas conformadas por flip-flops
construidos generalmente con transistores
MOSFET, aunque tambin existen algunas
memorias pequeas construidas con
transistores bipolares.
La celda se activa mediante un nivel activo a la entrada
superior y los datos se cargan o se leen a travs de las
lneas laterales.
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Memoria RAM dinmica


Este tipo de memoria conocida como DRAM
(Dynamic Random Access Memory), a diferencia
de la memoria esttica se compone
de celdas de memoria construidas con
condensadores. Las celdas de memoria son de
fabricacin ms sencillas en comparacin
a las celdas a base de transistores, lo cual
permite construir memorias de gran capacidad.
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Memoria RAM dinmica


La operacin de la celda es similar a la de un interruptor,
cuando el estado en la fila se encuentra en alto, el
transistor entra en saturacin y el dato presente en el bus
interno de la memoria (columna) se almacena en el
condensador, durante una operacin de escritura y se
extrae en una operacin de lectura. El inconveniente que
tiene este tipo de memorias consiste en que hay que
recargar la informacin almacenada en las celdas, por lo
cual estas celdas requieren de circuitera adicional para
cumplir esta funcin. A este funcin especial se llama de
refresco
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Ventajas y Desventajas de los


dos sistemas de memoria
MEMORIA

SRAM

DRAM

VENTAJAS

DESVENTAJAS

La velocidad de acceso es alta.


Para retener los datos solo necesita
estar energizada.
Son mas fciles de disear.

Menor capacidad, debido a que


cada celda de almacenamiento
requiere mas transistores.
Mayor costo por bit.
Mayor consumo de Potencia.

Mayor densidad y capacidad.

La velocidad de acceso es baja.


Necesita recarga de la informacin.
almacenada para retenerla
(refresco).
Diseo complejo.

Menor costo por bit.


Menor consumo de potencia.

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Parmetros de las memorias


El parmetro bsico de una memoria es su capacidad, la
cual corresponde al total de unidades que puede almacenar.
En la actualidad se consiguen memorias en tamaos del
orden de Megabytes y Gigabytes
El tiempo de acceso es otro parmetro importante en las memorias.
Este corresponde al tiempo que tarda la memoria en acceder a la
informacin almacenada en una direccin.

Generalmente este tiempo se designan como tacc en las fichas


tcnicas de estos dispositivos.
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Memoria

Tiempo de Acceso

Ncleo de Ferrita
Cinta Magntica
Disco Magntico

0.3 - 1.0 us
5 ms - 1s
10ms - 50 ms

CD ROM

200 ms 400 ms

Memorias Integradas MOS

2ns 300 ns

Memorias Integradas Bipolares

0.5ns 30 ns

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Memorias de Solo Lectura


Las memorias de solo lectura son conocidas
como memorias ROM (del ingls Read Only
Memory). Se caracterizan por ser memorias de
lectura y contienen celdas de memoria no
voltiles, es decir que la informacin almacenada
se conserva sin necesidad de energa. Este tipo
de memoria se emplea para almacenar
informacin de forma permanente o informacin
que no cambie con mucha frecuencia
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Memoria ROM de Mscara


Este tipo de ROM se caracteriza porque la informacin
contenida en su interior se almacena durante su fabricacin
y no se puede alterar.
El proceso de fabricacin es muy caro, pero se hacen
econmicas con la produccin de grandes cantidades.
La programacin se realiza mediante el diseo de un
negativo fotogrfico llamado mscara donde se especifican
las conexiones internas de la memoria.
Son ideales para almacenar microprogramas, sistemas
operativos, tablas de conversin y caracteres celda de
memoria de una M-ROM , con tecnologas TTL y MOS.
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Memoria PROM
ROM programable del ingls Programmable Read Only Memory.
Este tipo de memoria a diferencia de la ROM no se programa durante el
proceso de fabricacin, sino que la efecta el usuario y se puede
realizar una sola vez, despus de la cual no se puede borrar o volver a
almacenar otra informacin.
Para almacenar la informacin se emplean dos tcnicas: por
destruccin de fusible o por destruccin de unin. Comnmente la
informacin se programa o quema en las diferentes celdas de memoria
aplicando la direccin en el bus de direcciones, los datos en los buffers
de entrada de datos y un pulso de 10 a 30V, en una terminal dedicada
para fundir los fusibles correspondientes. Cuando se aplica este pulso a
un fusible de la celda, se almacena un 0 lgico, de lo contrario se
almacena un 1 lgico (estado por defecto), quedando de esta forma la
informacin almacenada de forma permanente
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Memoria EPROM
Del ingls Erasable Read Only Memory.

Este tipo de memoria es similar a la PROM con la diferencia


que la informacin se puede borrar y volver a grabar varias
veces. La programacin se efecta aplicando a un pin
especial de la memoria una tensin entre 10 y 25 Voltios
durante aproximadamente 50 ms, segn el dispositivo, al
mismo tiempo se direcciona la posicin de memoria y se
pone la informacin a las entradas de datos. Este proceso
puede tardar varios minutos dependiendo de la capacidad
de memoria.
La memoria EPROM se compone de un arreglo de
transistores MOSFET de Canal N de compuerta aislada
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Borrado de las memorias EPROM


La memoria puede ser borrada exponiendo el chip a una luz ultravioleta
a travs de su ventana de cuarzo transparente por aproximadamente de
10 a 20 minutos, esta ventana le permite a los rayos ultravioleta llegar
hasta el material fotoconductivo presente en las compuertas aisladas
y de esta forma lograr que la carga se disipe a travs de este material
apagando el transistor, y hacer que todas las celdas de memoria
quedan en 1 lgico.
Una vez programada, la ventana de cuarzo se debe cubrir con un
adhesivo para evitar la entrada de luz ambiente que pueda borrar la
informacin, debido a su componente de luz ultravioleta y el chip puede
ser reprogramado de nuevo. Las desventajas de la EPROM son:
Se debe de sacara del circuito para poderlas borrar

Se debe borrar todo el chip


El proceso de borrado se toma entre 15 y 30 minutos (este tiempo
depende del tipo de fabricante)
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Memoria EEPROM
La memoria EEPROM es programable y borrable elctricamente del ingls
Electrical Erasable Programmable Read Only Memory.
Actualmente estas memorias se construyen con transistores de tecnologa
MOS (Metal Oxide Silice) y MNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon).
Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y
la diferencia bsica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada
compuesta flotante, la cual es ms delgada y no es fotosensible.
La programacin de estas memorias es similar a la programacin de la
EPROM, la cual se realiza por aplicacin de una tensin de 21 Voltios a la
compuerta aislada MOSFET de cada transistor, dejando de esta forma una
carga elctrica, que es suficiente para encender los transistores y
almacenar la informacin.
El borrado de la memoria se efecta aplicando tensiones negativas sobre
las compuertas para liberar la carga elctrica almacenada en ellas.
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Ventajas de la EEPROM con


respecto a las EPROM
Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de
forma individual.
Para borra la informacin no se requiere luz ultravioleta.
Las memorias EEPROM no requieren programador.
Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo.
Se pueden reescribir aproximadamente unas 1000 veces
sin que se observen problemas para almacenar la
informacin.
El tiempo de almacenamiento de la informacin es similar
al de las EPROM, es decir aproximadamente 10 aos.
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Memoria FLASH
La memoria FLASH es similar a la EEPROM, es decir que se puede
programar y borrar elctricamente. Se caracteriza por tener alta
capacidad para almacenar informacin y es de fabricacin sencilla,
lo que permite fabricar modelos de capacidad equivalente a las
EPROM a menor costo que las EEPROM.

Las celdas de memoria se encuentran constituidas por un


transistor MOS de puerta apilada, el cual se forma con una puerta
de control y una puerta aislada.
La compuerta aislada almacena carga elctrica cuando se aplica
una tensin lo suficientemente alta en la puerta de control. De la
misma manera que la memoria EPROM, cuando hay carga elctrica
en la compuerta aislada, se almacena un 0, de lo contrario se
almacena un 1.
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Las operaciones bsicas de una memoria Flash son la programacin, la lectura y


borrado.
La programacin se efecta con la aplicacin de una tensin (generalmente de 12V o
12.75 V) a cada una de las compuertas de control, correspondiente a las celdas en las
que se desean almacenar 0s. Para almacenar 1s no es necesario aplicar tensin a las
compuertas debido a que el estado por defecto de las celdas de memoria es 1.
La lectura se efecta aplicando una tensin positiva a la compuerta de control de la
celda de memoria, en cuyo caso el estado lgico almacenado se deduce con base en
el cambio de estado del transistor:
Si hay un 1 almacenado, la tensin aplicada ser lo suficiente para encender el
transistor y hacer circular corriente del drenador hacia la fuente.

Si hay un 0 almacenado, la tensin aplicada no encender el transistor debido a que la


carga elctrica almacenada en la compuerta aislada.
Para determinar si el dato almacenado en la celda es un 1 un 0, se detecta la
corriente circulando por el transistor en el momento que se aplica la tensin en la
compuerta de control.
El borrado consiste en la liberacin de las cargas elctricas almacenadas en las
compuertas aisladas de los transistores. Este proceso consiste en la aplicacin de
una tensin lo suficientemente negativa que desplaza las cargas.
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TABLA COMPARATIVA ENTRE MEMORIAS

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