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ELETRNIC
AI
Presidente da FIEMG
Robson Braga de Andrade
Gestor do SENAI
Petrnio Machado Zica
Diretor Regional do SENAI e
Superintendente de Conhecimento e Tecnologia
Alexandre Magno Leo dos Santos
Gerente de Educao e Tecnologia
Edmar Fernando de Alcntara
Elaborao
Vanderlei Batista Flausino
Unidade Operacional
Centro de Formao Profissional Aloysio Ribeiro de Almeida
Varginha - MG
2004.
Sumrio
APRESENTAO............................................................................................................................. 4
TRANSISTOR BIPOLAR.................................................................................................................. 6
POLARIZAO................................................................................................................................ 7
OPERAO BSICA....................................................................................................................... 8
CONFIGURAES BSICAS....................................................................................................... 13
REPRESENTAO DE TENSES E CORRENTES.....................................................................16
CURVAS CARACTERSTICAS...................................................................................................... 18
CIRCUITOS DE POLARIZAO:.................................................................................................. 20
RETA DE CARGA........................................................................................................................... 31
TRANSISTOR COMO CHAVE ELETRNICA................................................................................37
TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE.............................................................................40
REGULADOR SRIE...................................................................................................................... 45
REGULADOR PARALELO............................................................................................................. 50
REGULADOR COM AMPLIFICADOR DE ERRO..........................................................................54
CONFIGURAO DARLINGTON.................................................................................................. 60
PR AMPLIFICADORES................................................................................................................ 64
AMPLIFICADOR DE POTNCIA CLASSE A E B........................................................................76
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS............................................................................................... 83
Fundamentos de Eletrnica I
Apresentao
4
Curso Tcnico em eletrnica - Mdulo II
Fundamentos de Eletrnica I
Fundamentos de Eletrnica I
Transistor Bipolar
O transistor de juno bipolar um dispositivo semicondutor de trs terminais,
formado por trs camadas consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e
uma de tipo "p" ou de duas de material tipo "p" e uma de tipo "n".
O primeiro chamado de transistor npn enquanto que o segundo chamado de
transistor pnp.
Atravs de uma polarizao de tenso adequada consegue-se estabelecer um
fluxo de corrente, permitindo que o transistor seja utilizado em inmeras
aplicaes como: chaves comutadoras eletrnicas, amplificadores de tenso e de
potncia, osciladores, etc.
O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e eltrons participarem
do processo do fluxo de corrente. Se for utilizado apenas um portador, eltron ou
lacuna, o transistor denominado unipolar (FET).
Estrutura Bsica:
As figuras abaixo ilustram a estrutura bsica de um transistor, representando um
circuito T equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificao
da polarizao das junes, as quais so: base-emissor e base-coletor (B-E e B-C
respectivamente).
Observa-se que no transistor pnp a juno dos dois catodos do diodo forma a
base, que negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no
transistor npn a juno dos dois anodos forma a base que positiva, sendo o
emissor e o coletor negativos. A simbologia utilizada para os transistores de
juno mostrada logo abaixo dos circuitos equivalentes "T" com diodos.
Fundamentos de Eletrnica I
Polarizao
Para que um transistor funcione necessrio polarizar corretamente as suas
junes, da seguinte forma:
1 - Juno base-emissor: deve ser polarizada diretamente 2
- Juno base-coletor: deve ser polarizada reversamente
Esse tipo de polarizao deve ser utilizado para qualquer transistor de juno
bipolar, seja ele npn ou pnp.
As figuras abaixo ilustram exemplos de polarizao para os dois tipos de
transistores:
Transistor
npn
com
polarizao direta entre base e
emissor e polarizao reversa entre coletor e base.
Transistor
pnp
com
polarizao direta entre base e
emissor e polarizao reversa entre coletor e base
Fundamentos de Eletrnica I
Operao Bsica
Juno Diretamente Polarizada:
A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarizao direta
entre base e emissor. Para estudar o comportamento da juno diretamente
polarizada, foi retirada a bateria de polarizao reversa entre base e coletor.
Fundamentos de Eletrnica I
Fluxo de Corrente:
Quando um transistor polarizado corretamente, haver um fluxo de corrente,
atravs das junes e que se difundir pelas camadas formadas pelos cristais p
ou n.
Essas camadas no tem a mesma espessura e dopagem, de tal forma que:
1. A base a camada mais fina e menos dopada;
2. O emissor a camada mais dopada;
3. O coletor uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que
o emissor.
Uma pequena parte dos portadores majoritrios ficam retidos na base. Como a
base uma pelcula muito fina, a maioria atravessa a base a se difunde para o
coletor.
A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (I B), sendo
da ordem de microampres. As correntes de coletor e emissor so bem maiores,
ou seja da ordem de miliampres, isto para transistores de baixa potncia,
podendo alcanar alguns ampres em transistores de potncia. Da mesma forma,
para transistores de potncia, a corrente de base significativamente menor.
Podemos ento dizer que o emissor (E) o responsvel pela emisso dos
portadores majoritrios; a base (B) controla esses portadores enquanto que o
coletor (C) recebe os portadores majoritrios provenientes do emissor.
Fundamentos de Eletrnica I
onde:
Fundamentos de Eletrnica I
Fundamentos de Eletrnica I
Como dito anteriormente, parte da corrente do emissor que fica retida na base
forma a corrente de base, assim:
IE = IC + IB ( II )
Substituindo ( I ) em ( II ), podemos calcular a corrente de base:
IB = (1 - ) . IE - ICBO =
1 - . IC
ICBO
3.
1-
Exemplos:
a) Um transistor possui um fator = 0,92. Qual o fator ?
Soluo:
0,92
0,92
= 11,5
= 1 - 0,92 = 0,08
b) Um transistor possui um fator = 100. Qual o fator ?
Soluo:
100
=
=
= 0,99
1 101
Podemos ento estabelecer uma relao entre e .
Temos ento:
IC
IC
= IB e = IE
assume valores muito mais elevados em relao a (o valor tpico de da
ordem de 30 a 600). Ento, quanto maior for o valor de , mais o valor de tende
a aproximar-se de 1.
3
4
Fundamentos de Eletrnica I
Configuraes Bsicas:
Os transistores podem ser ligados em trs configuraes bsicas: base
comum (BC), emissor comum (EC) e coletor comum (CC). Essas denominaes
relacionam-se aos pontos onde o sinal injetado e retirado, ou ainda, qual dos
terminais do transistor referncia para a entrada e sada de sinal.
Base Comum:
No circuito a seguir, observa-se que o sinal injetado entre emissor e base
e retirado entre coletor e base.
Desta forma, pode-se dizer que a base o terminal comum para a entrada
e sada do sinal. O capacitor "C" ligado da base a terra assegura que a base
seja efetivamente aterrada para sinais alternados.
CARACTERSTICAS:
Emissor Comum
No circuito emissor comum, o sinal aplicado entre base e emissor e retirado
entre coletor e emissor. O capacitor no emissor "CE" assegura o aterramento do
emissor para sinais alternados. CA um capacitor de acoplamento de sinal.
Fundamentos de Eletrnica I
CARACTERSTICAS:
Coletor Comum
A figura a seguir mostra um circuito na configurao coletor comum.
A configurao coletor comum tambm conhecida como seguidor de emissor.
Essa denominao dada devido a tendncia de todo o sinal aplicado na entrada
estar praticamente presente na sada (circuito de emissor).
O sinal de entrada aplicado entre base e coletor e retirado do circuito de
emissor. O capacitor "CC" ligado do coletor a terra assegura que o coletor esteja
aterrado para sinais alternados. CA um capacitor de acoplamento de sinal.
CARACTERSTICAS:
Fundamentos de Eletrnica I
Fundamentos de Eletrnica I
indicam as tenses.
Fundamentos de Eletrnica I
IB = I1 - I2
2.
I1 = I2 + IB
Fundamentos de Eletrnica I
Curvas Caractersticas:
As curvas caractersticas definem a regio de operao de um transistor, tais
como: regio de saturao, regio de corte, regio ativa e regio de ruptura.
De acordo com as necessidades do projeto essas regies de operao devem ser
escolhidas. Quando necessitamos de um transistor como chave eletrnica,
normalmente as regies de corte e saturao so selecionadas; no caso de
transistor operando como amplificador, via de regra, escolhe-se a regio ativa.
A regio de ruptura indica a mxima tenso que o transistor pode suportar sem
riscos de danos.
A seguir so mostradas algumas curvas caractersticas, apenas como fim
didtico, no sendo obedecido a rigor nenhum tipo de escala.
Fundamentos de Eletrnica I
Fundamentos de Eletrnica I
Circuitos de Polarizao:
Apresentaremos a seguir alguns circuitos de polarizao muito utilizados e suas
principais caractersticas:
Fundamentos de Eletrnica I
VRC = RCIC
Logo:
Adota-se como prtica para garantir a estabilidade trmica sem afetar o sinal de
sada: VRE = 0,1VCC
Equaes bsicas:
IC
VCC
ou
ainda:
I
=
B
IB =
RB RE
IE = ( + 1)IB
Equaes bsicas:
VRE = 0,1VCC
VRC = VCC - (VCE + VRE)
IB =
VCC
RB RC
Fundamentos de Eletrnica I
Seguidor de Emissor
O seguidor de emissor tem como caracterstica o ganho de tenso baixo ( 1)
Equaes bsicas:
VCE = 0,5VCC
RE =
0,5VCC
IE
IE = IB
RB2 . VCC
Fundamentos de Eletrnica I
RB1 . RB2
RTH = RB1 RB2
Isto nos d o circuito equivalente de Thvenin:
IE
1
RE
RTH
1
RTH
IE =
VTH - VBE
RE
Para se conseguir uma boa estabilidade no circuito utiliza-se a regra 10:1, o que
eqivale dizer que:
RTH 0,1RE
Apresentamos a seguir algumas regras prticas para a elaborao de um projeto
de polarizao por divisor de tenso na base:
VE = 0,1VCC
VCE = 0,5VCC
Fundamentos de Eletrnica I
VRC = 0,4VCC
RC = 4RE
RBB = 0,1RE
RBB .
RB1 =
VCC
VBB
ou
RB1 .
RB2 =
RBB RB1RBB
ou
VBB
RB2 =
RBB
1-
VBB
- CC
V
IE
(
1)
- ICBO
IC = IB + ( + 1)ICBO
IE = ( + 1)IB + ( + 1)ICBO
onde:
( + 1)ICBO = ICEO
Em funo de :
Partindo da equao ( II ) da pgina 6 desta apostila:
IC = IE + ICBO
Temos: IE = IC + IB
Logo: IC = (IC + IB) + ICBO
Portanto: IC = IC + IB + ICBO
Resolvendo: IC - IC = IB + ICBO
Colocando IC em evidncia resulta:
IC (1 - ) = IB + ICBO
Portanto:
IC = IB
1-
ICBO
1-
Fundamentos de Eletrnica I
Existem trs situaes distintas para o transistor: coletor aberto; emissor aberto e
base aberta.
DADOS:
= 100
IC = 3mA
VBE = 0,7V
Soluo:
Fundamentos de Eletrnica I
3mA
IC =
100 = 30A
Como = 100, podemos fazer IC = IE, logo: IB =
Clculo de RE
RE =
VRE 1,2V
= 400
IE = 3mA
Clculo de RBB
RBB = 0,1.400 = 4k
Clculo de VBB
-6
VBB = RBBIB + VBE + VRE = 4.000.(30.10 ) + 0,7 +1,2 = 0,12 + 0,7 + 1,2
VBB = 2,02V
Clculo de RC
RC =
VRC
4,8V = 1,6k (equivalente a 4RE)
IC = 3mA
Clculo de R1
R1 =
Clculo de R2
(23.762).(4.000) 95.048
R2 = R1 . RBB =
= 19.762 = 4.817
R1 - RBB
23.762 - 4.000
Podemos tambm calcular R2 da seguinte forma:
RBB
R2 =
1-
VBB
VCC
4.000
12,02
12
4.000
4.000
= 4.809 4.817
= 1 - 0,1683 =
0,8317
DADOS:
IE = 4mA
Fundamentos de Eletrnica I
Clculo de
0,92 11,5
1 - 1 0,92
Clculo de ICEO
ICEO = ( + 1)ICBO = 12,5.(6A) = 75A
Clculo de IC
IC = IE + ICBO = 0,92.(4mA) = 3,68mA + 75A = 3,755mA
Clculo de IB
IB = IE - IC = 4mA - 3,755mA = 245A
Clculo de RC
RC =
5,8V
3,755mA
= 1.54k (1.544,6)
Clculo de RE
RE =
27
Curso Tcnico em eletrnica - Mdulo II
VRE IE
=
1,2
= 300
4mA
Clculo de RB
28
Curso Tcnico em eletrnica - Mdulo II
Fundamentos de Eletrnica I
RB =
RB =
= 41,84k (41.836,7)
Clculo de IB
Clculo de IE
IE = ( + 1).IB = (41) 68,75A = 2,82mA
Clculo de VCE
VCE = VCC - REIE = VCC - VRE = 15 - (2,7k. 2,82mA) = 15 - 7,61V = 7,3V
Fundamentos de Eletrnica I
Clculo de IB
Clculo de IC
IC = IB = 100.(19,32A) = 1,932mA
Clculo de VCE
VCE = VCC - RCIC = 15 - (4k7 . 1,932mA) = 15 - 9,08 = 5,91V
Equaes bsicas
Fundamentos de Eletrnica I
15 8,18
5,68k (5.683,3)
1,2mA
Clculo de RB
VRB = VCB + VRC
RBIB = VCB + RCIC como: VCE = VCB + VBE, ento: VCB = 8 - 0,6 = 7,4V
Desta forma: RB . (6A) = 7,4 + (5,68k . 1,2mA) = 7,4 + 6,816 = 14,216V
RB = 14,216V
= 2,37M (2.369.333,33)
6A
Fundamentos de Eletrnica I
Reta de Carga
Podemos determinar o ponto de operao de um transistor atravs da reta de
carga, definindo em um projeto ou aplicao os parmetros de tenso e corrente.
Esse mtodo grfico somente pode ser aplicado se tivermos disponvel a curva
caracterstica do transistor, fornecida pelo fabricante.
A vantagem da utilizao do mtodo grfico a rapidez na anlise dos pontos de
operao de um transistor.
Neste captulo abordaremos apenas reta de carga para CC; reta de carga para
CA ser abordada posteriormente.
Entende-se como ponto de operao, um determinado ponto em que o transistor
opera na ausncia de sinal, podendo esse ponto ser escolhido ao longo da reta
de carga, se quisermos que ele opere na regio linear, regio de corte ou regio
de saturao.
Este ponto denominado "ponto quiescente" ou simplesmente "Q".
Tomemos como exemplo o circuito a seguir na montagem em emissor comum,
onde a curva caracterstica do transistor mostrada ao lado.
Fundamentos de Eletrnica I
VCC
25V 20mA
RC RE 1,25k
Procedimento:
Traa-se ento a reta de carga unindo os dois pontos.
Para que o transistor opere na regio linear, o ponto Q dever ser o ponto mdio
da reta de carga. No nosso exemplo o ponto mdio (bem aproximado) coincidiu
com a corrente de base equivalente a 30A.
A partir da ento podemos determinar a corrente de coletor e a tenso entre
coletor e emissor:
ICQ = 11,25mA
VCEQ = 11V
IBQ = 30A
Podemos ento calcular o e aplicar LKT para determinar a tenso nos
resistores:
IC 11,25mA
= IB 30A 375
Partindo da equao: VCC = VRC + VCE + VRE
Fundamentos de Eletrnica I
CONCLUSES:
1. Quando um transistor opera na regio de saturao ou bem prxima dela, a
tenso entre coletor e emissor (VCE) tende a zero, pois aumenta
consideravelmente a corrente de coletor.
2. Quando um transistor opera na regio de corte ou bem prxima dela, a tenso
entre coletor e emissor (V CE) tende a se igualar a V CC, pois a corrente de
coletor tende a zero.
A tenso de saturao tpica para um transistor de silcio da ordem de 150 a
250mV.
Podemos ento aplicar LKT referente aos pontos Q 1 e Q2, e constatar a variao
de ao longo da reta de carga.
Para Q1:
IC 18mA
=
400
IB 45A
VCC = VRC + VCE + VRE = 1k.(18mA) + 2,6 + 250.(18mA)
VCC = 18 + 2,6 + 4,5 = 25,1V 25V
Fundamentos de Eletrnica I
Para Q2:
IC 2,5mA
= IB 10A 250
VCC = VRC + VCE + VRE = 1k.(2,5mA) + 22 + 250.(2,5mA)
VCC = 2,5 + 22 + 0,625 = 25,125V 25V
A reta de carga pode ser tambm obtida para uma configurao base comum ou
emissor comum, seguindo o mesmo processo. Apresentaremos um exemplo de
uma reta de carga para uma montagem em base comum.
Como no caso anterior, devemos determinar dois pontos para traar a reta de
carga.
1 ponto:
Quando IC = 0, temos VCB = VCE = VCC.
Observe que o eixo da tenso est calibrado em V CB.
Quando IC = 0, VBE = 0, como VCB = VCE - VBE, logo VCB = VCE - 0
Fundamentos de Eletrnica I
Podemos ento aplicar LKT no circuito em funo dos dados obtidos no grfico.
Como trata-se de uma configurao base-comum, existem duas malhas definidas:
uma para o circuito de entrada (base-emissor) e outra para o circuito de sada
(base-coletor). Veja a figura abaixo:
Onde:
Desta forma:
Fundamentos de Eletrnica I
Fundamentos de Eletrnica I
Para que efetivamente o transistor opere como uma chave eletrnica, preciso
garantir sua saturao para qualquer tipo de transistor, sob todas as condies de
funcionamento; variao da temperatura, correntes, , etc.
Na prtica, ao projetar uma chave eletrnica com transistor, utiliza-se a corrente
de base da ordem de 1/10 da corrente de coletor no extremo superior da reta de
carga, conforme mostra a figura abaixo:
Fundamentos de Eletrnica I
VCC- VBE
RB = VRB
IB
IB
12 0,7
2mA
11,3V 5,65k
2mA
Vcc
12
600
Ic
0,02
Para levar o transistor ao corte, basta abrir Sw, pois com isso, I B = 0.
Admitamos que queiramos no mesmo circuito controlar um led.
Deveremos ento recalcular o valor de RC.
Rc
Fundamentos de Eletrnica I
5V 0,7V
0,915mA
4,7k
15V
10mA
IC =
1,5k
Portanto, a relao vlida (10/0,915 = 10,9), garantindo a saturao
Fundamentos de Eletrnica I
Para entender melhor o que foi acima exposto, vamos considerar um transistor
operando como fonte de corrente.
Fundamentos de Eletrnica I
Determinando RE
Considerando IC = IE, temos:
RE =
VBB VBE
IE
VRE
IE
5V 0,7V
4,3V 860
5mA
5mA
Fundamentos de Eletrnica I
Quando o valor de VCC for relativamente baixo (por exemplo 5V) o acionamento
de leds mais eficaz com uma fonte de corrente, pois para leds de cores,
tamanhos e fabricantes diferentes (a tenso pode variar de 1,5V a 2,5V), a
corrente ser praticamente constante no prejudicando a luminosidade.
Para fixar melhor o conceito referente ao transistor operando como fonte de
corrente vamos admitir uma situao conforme ilustra a figura abaixo.
uma
Fundamentos de Eletrnica I
luminosidade ideal. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1,5V enquanto que
L-2 uma queda de 2,5V. Poder o led 2 ter sua luminosidade diminuda por
necessitar de mais tenso?
Soluo:
A primeira impresso de que realmente o led 2 ter sua luminosidade diminuda,
pois em comparao ao led 1 necessita de mais tenso em seus terminais.
No entanto como os leds esto sendo acionados por uma fonte de corrente tal
no acontecer, conforme ser mostrado nos clculos a seguir:
Fixando a corrente de emissor:
Se ambos os leds necessitam de 15mA para o brilho ideal ento basta fixar a
corrente de emissor em 15mA, dimensionando o valor de R E.
RE =
VBB VBE
IE
3V 0,7V
15mA
Fundamentos de Eletrnica I
1 ponto:
VCC - Vled
IC =
RE
6V -1,5V 30mA
150
2 ponto:
VCE = VCC - Vled = 6 - 1,5 = 4,5V
Reta de carga de L-2
1 ponto:
IC = VCC Vled
RE
6V - 2,5V 23,3mA
150
2 ponto:
VCE = VCC - Vled = 6 - 2,5 = 3,5V
Fundamentos de Eletrnica I
Regulador Srie.
O regulador srie na realidade uma fonte de alimentao regulada mais
sofisticada em relao aos reguladores que utilizam apenas diodo zener.
Funcionamento:
A tenso de sada estar disponvel na carga (V L), ento: VL = VZ - VBE
Como VZ >> VBE podemos aproximar: VL = VZ
Sendo VZ constante, a tenso no ponto "x" ser constante
Caso VIN aumente podemos analisar o que acontece aplicando LKT:
Limitaes:
Valores mnimos e mximos de VIN como
Fundamentos de Eletrnica I
Ento:
VIN = R(IZ + IB) + VZ
Para VIN mnima temos: VIN(MIN) = R(I Z(MIN) + IB(MAX))
Portanto, abaixo do valor mnimo de entrada o diodo zener perder suas
caractersticas de estabilizao.
Para VIN mxima temos: VIN(MAX) = R(I Z(MAX) + IB(MIN))
Acima do valor mximo de entrada o diodo zener perder tambm suas
caractersticas de estabilizao e ser danificado.
IZ(MAX)
IZ(MIN) IB(MAX)
VIN(MAX) - VZ
VIN(MIN) - VZ
Fundamentos de Eletrnica I
Projeto
Projetar uma fonte de alimentao estabilizada com diodo zener e transistor com
as seguintes caractersticas:
Tenso de sada (VL): 6V
Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A
Tenso de entrada (VIN): 12V 10%
Escolha do transistor
O transistor a ser utilizado dever obedecer as seguintes caractersticas:
VCBO > VIN(MAX)
no caso
6
13,2V IC(MAX) > I7L(MAX) no
caso 1,5A PC(MAX) > (VIN(MAX) VL) . IC(MAX)
Supondo que o transistor escolhido seja o BD235, que de acordo com o manual
do fabricante tem as especificaes:
VCBO(MAX) = 45V
IC(MAX) = 2A
PC(MAX) = 25W
40 > < 250
Neste caso, o valor mnimo de beta 40 e o mximo 250. Para que o projeto
funcione sem problemas adota-se o beta de menor valor. O transistor escolhido
atende as exigncias quanto a V CBO(MAX) e IC(MAX). No entanto preciso verificar se
a potncia que ser dissipada pelo coletor ser suficiente para este projeto.
Verificando a potncia que ser dissipada pelo coletor:
PC(MAX) = (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX)
IC(MAX) = IE(MAX) - IB(MAX)
IE(MAX) = IL(MAX) IC(MAX) = IL(MAX) - IB(MAX)
logo:
IB(MAX) =
IC(MAX)
(MIN)
IC(MAX) =
IL(MAX)
=
1 1
(MIN)
1,5
1,5
1
1
1 40 0,025
1,5 1,46A
1,025
6
7
Fundamentos de Eletrnica I
0,5W
6,8V
73,53mA
VIN(MAX) - VZ
. IZ(MIN) IB(MAX)
VIN(MIN) - VZ
IB(MAX) =
IZ(MAX) =
IC(MAX) 1,46A
36,5mA
(MIN) 40
13,2V - 6,8V
. 8mA 36,5mA
10,8V - 6,8V
IZ(MAX) =
6,4V
4V
. 44,5mA 71,2mA
Como PZ(MAX) terico = 73,53mA e IZ(MAX) = 71,2mA o diodo zener escolhido pode
ser utilizado.
Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada:
VIN(MAX) = 13,2V
VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ
Fundamentos de Eletrnica I
R=
6,4V 87,04
VIN(MAX) - VZ 13,2V - 6,8V
IZ(MAX)
73,53mA
73,53mA
E
2
P
=
(VIN(MAX)
- VZ)
0,508W
(13,2V - 6V)
2
91
(6,8V)
2
91
Fundamentos de Eletrnica I
Regulador Paralelo
A exemplo do regulador srie, o transistor atua como elemento de controle e o
zener como elemento de referncia.
Como a carga fica em paralelo com o transistor, da a denominao regulador
paralelo, cujo circuito mostrado abaixo.
Funcionamento:
VZ = VCB como VZ constante, VCB ser constante
VCE = VCB + VBE, mas VCB >> VBE
logo: VCE = VCB, onde VCE = VZ
Ao variar a tenso de entrada dentro de certos limites, como V Z fixa, variar
VBE variando a corrente IB e consequentemente IC. Em outras palavras, variandose a tenso de entrada ocorrer uma atuao na corrente de base a qual controla
a corrente de coletor.
Neste caso, VCE tende a permanecer constante desde que IZ no assuma valores
menores que IZ(MIN) e maiores que IZ(MAX).
Os parmetros para o projeto de em regulador paralelo so essencialmente: V IN,
VL e IL(MAX).
Tenso de entrada mxima:
Na pior condio RL = IL = 0
VIN(MAX) = R1.(IL(MAX) + IC(MAX)) + VZ +
VBE
VIN(MAX) - VZ - VBE
R1
IZ(MAX) IC(MAX)
(I)
Tenso de entrada mnima:
VIN(MIN) = R1.(IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + VZ + VBE
Fundamentos de Eletrnica I
VIN(MIN) - VZ - VBE
IC(MIN
( II )
)
I
Z(MIN)
I
L(MAX)
R1
Dividindo ( I ) e ( II ), temos:
IZ(MAX) IC(MAX)
IZ(MIN) IC(MIN) IL(MAX)
VIN(MAX) - VZ - VBE
VIN(MIN) - VZ - VBE
Isolando IZ(MAX):
IZ(MAX) =
VIN(MAX) - VZ - VBE
. (IZ(MIN IC(MIN) IL(MAX)) IC(MAX)
VIN(MIN) - VZ - VBE
( III )
Corrente em R2:
IC(MIN)
onde IB(MIN) = (MIN)
IC(MIN) ( IV )
(MIN)
Quando a tenso de entrada for mxima e a carga estiver aberta (pior condio),
um acrscimo de corrente circular pelo diodo zener. Como V BE praticamente
constante, essa corrente circular pela base do transistor, da ento teremos:
IC(MAX) (MIN) .
IB(MAX) IB(MAX)
IZ(MAX) - IR2
IC(MAX) =
(MIN)
. (IZ(MAX) - IR2 ( V )
IZ(MAX) =
VIN(MAX) - VZ - VBE
VIN(MAX) - VZ - VBE
IZ(MAX) =
.
VIN(MIN) - VZ - VBE (IZ(MIN)
(MIN) 1
Escolha do transistor:
Devero ser observados os parmetros:
8
VCEO > (VZ + VBE)
IC(MAX) > IL(MAX)
8
Fundamentos de Eletrnica I
PROJETO
Projetar um regulador paralelo , com as seguintes caractersticas:
VL = 15V
IC(MAX) = 600mA
VIN = 22V 10%
Escolha do transistor:
O transistor dever ter as seguintes caractersticas:
VCEO > (VCE + VVBE)
Ic(MAX) > IL(MAX)
PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX)
Adotaremos o transistor 2N3534, que tem as caractersticas:
VCEO = 35V
IC(MAX) = 3A
PC(MAX) = 35W
(mnimo = 40; mximo = 120)
Escolha do diodo zener:
O diodo zener escolhido foi o BZXC1C15, que tem as caractersticas:
PZ(MAX) = 1,3W
IZ(MIN) = 20mA
VZ = 15V
IZ(MAX) =
PZ(MAX) 1,3W
86,67mA
VZ 15V
1
(MIN) 1
IC(MIN)
, IR2 = 20mA
(MIN)
0,7V
. (20mA 0 600mA)
0,7V
41
1(20mA)
40.
.
8,5V
IZ(MAX) =
. (620mA
4,1V
800mA) .
0,0244
Fundamentos de Eletrnica I
Calculando IC(MAX):
IC(MAX) = (MIN) . (IZ(MAX) - IR2)
IC(MAX) = 40 . (71,83mA - 20mA)
IC(MAX) = 40 . 51,83mA = 2,073A
IC(MAX) = 2,073A (o transistor compatvel quando a I C(MAX))
Calculando PC(MAX):
PC(MAX) = (VZ + VBE) . IC(MAX) = 15,07 . 2,073 = 31,24W
PC(MAX) = 31,24W
O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a dissipao
de potncia, por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo fabricante.
Torna-se necessrio entretanto o uso de um dissipador adequado para evitar
sobreaquecimento do transistor.
Calculando R2:
VR2 = R2.IR2 VR2 = VBE
0,7V
R2 = VBE
20mA 20mA
35
PR2 =
(adotar 33)
2
ER22 0,7
R2
0,49V
33 33
Calculando R1:
14,85mW
19,8V -15V V
IN(MIN) - VZ - VBE
0,7V
20mA
R1 = IZ(MIN) IC(MIN) IL(MAX)
600mA
4,1V 6,613
620mA
OBS: IC(MIN) = 0
R1 =
VIN(MAX) - VZ - VBE
IZ(MAX) IC(MAX)
VR1 2
R1
VIN(MAX) -2
VZ - VBE
5,6
24,2V
-15V -
5,6
0,7V
8,5V 2
5,6
12,9W
Fundamentos de Eletrnica I
Funcionamento:
Quando houver uma variao da tenso de entrada, a tendncia ocorrer uma
variao da tenso de sada.
Supondo que VIN aumente, a tenso nos extremos de R L tender a aumentar,
aumentando a tenso VR2 e VR3, mas, como a tenso no emissor de T2 fixada
por VZ, ento um aumento de tenso no ponto "x" provocar um aumento de V BE2,
que aumentar IB2 e consequentemente IC2.
Quando IC2 aumenta, haver um aumento da tenso em R 1 (VR1), uma vez que a
tenso do emissor de T2 fixada pela tenso de zener (VZ).
Fundamentos de Eletrnica I
Formulrio:
Considerando a tenso de entrada mxima
VIN(MAX) = VL + VBE1(MIN) + R1.(IZ(MAX) + IB1(MIN))
mas, IZ(MAX) >> IB1(MIN), logo:
VIN(MAX) = VL + VBE1(MIN) + R1.(IZ(MAX))
IZ(MAX) =
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) ( I )
R1
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
R1
( II )
dividindo ( I ) e ( II )
IZ(MAX)
IN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IL(MAX) V
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
IZ(MIN) 1(MIN)
IZ(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IL(MAX)
=
( III )
. IZ(MIN)
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
1(MIN)
Fundamentos de Eletrnica I
Clculo de R1
VBE1(MAX)
R1 < VIN(MIN) - VL -IL(MAX)
IZ(MIN)
1(MIN)
A potncia desenvolvida em R1 no pior caso dada por:
VR1 = VIN(MAX) - (VL + VBE1(MIN))
R1 >
PR1 =
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX)
Clculo de R2
Adota-se uma regra prtica, onde: IR2 = 0,1.IC2
Quando IC2 = IZ(MIN) R2 VL - VZ - VBE2(MAX)
<
0,1.IZ(MIN)
VL - VZ - VBE2(MIN)
Quando IC2 = IZ(MAX)
0,1.IZ(MAX)
R2 >
IZ(MAX) =
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
R1(adotado)
IZ(MIN) =
Clculo de R3
R3
V .(R + R ) = V .R
VR3 = VL .
R3
3
2
L 3
R3 R2
VR3.R2 + VR3.R3 = VL.R3 VR3.R2 = VL.R3 - VR3.R3
VR3.R2 = R3.(VL - VR3)
R3 =
Fundamentos de Eletrnica I
Clculo de potncia em R3
Em R3 temos: VR3 = VZ + VBE2(MAX)
(VZ VBE2(MAX))
PR3 =
R3(adotado)
PROJETO
Projetar uma fonte regulada com amplificador de erro, usando dois transistores e
um diodo zener de referncia, que obedea as caractersticas:
VIN = 25V 10%
IL(MAX) = 800mA
Tenso na carga (VL) = 12V
Teremos: VIN(MAX) = 25 + 2,5 = 27,5V VIN(MIN) = 25 - 2,5 = 22,5V
Escolha de T1:
O transistor T1 dever ter as seguintes caractersticas:
IC(MAX) > IL(MAX) = 0,8A
VCEO > VIN(MAX) - VL = 27,5 - 12 = 15,5V
PC(MAX) > (VIN(MAX) - VL).IL(MAX) = (27,5V - 12V).800mA = 12,4W
O transistor escolhido foi o BD233 que tem os seguintes parmetros:
VCEO = 45V
IC(MAX) = 2A
PC(MAX) = 25W
(MIN) = 40 (MAX) = 250
Escolha do diodo zener:
Podemos escolher uma tenso de referncia. Adotamos como tenso de
referncia para nosso projeto VZ aproximadamente 0,5VL. No entanto, outro valor
pode ser escolhido.
Para este projeto, optou-se pelo diodo zener BZX87-C5V1, que tem os
parmetros:
IZ(MIN) = 50mA
VZ = 5,1V
PZ(MAX) = 1,3W
Devemos verificar se o zener escolhido adequado ao projeto:
IZ(MAX) = PZ(MAX) 1,3W
255mA
VZ 5,1V
VIN(MAX)
- VL - VBE1(MIN)
IL(MAX)
IZ(MAX) =
. IZ(MIN)
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
1(MIN)
Fundamentos de Eletrnica I
IZ(MAX) =
. 50mA
IZ(MAX) =
40
14,9V
. 70mA 106,43mA
9,8V
Portanto, o diodo escolhido poder ser usado.
Escolha de T2:
O transistor T2 dever ter as seguintes caractersticas:
VCEO > (VL + VBE2(MIN) - VZ) = (12V + 0,6V) - 5,1V = 12,6V - 5,1V = 7,5V
IC(MAX) > IZ(MAX) = 255mA
PC(MAX) > [(VL + VBE1(MIN)) - VZ] . IZ(MAX)
PC(MAX) > [(12V + 0,6V) - 5,1V] . 255mA = 1,912W
Para o transistor T2 tambm foram adotados os valores de 0,6V e 0,7V para
VBE2(MIN) e VBE2(MAX) respectivamente.
O transistor escolhido foi o BD135 que tem as seguintes caractersticas:
VCEO = 45V
IC(MAX) = 1A
PC(MAX) = 8W
(MIN) = 40 (MAX) = 250
Clculo de R1:
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
R1 >
IZ(MAX)
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
22,5V -12V - 0,7V
9,8V
IL(MAX)
800mA 70mA 140
=
50mA
IZ(MIN)
1(MIN)
40
58,4 < R1 < 140 valor adotado: 100
R1 <
R1 (adotado)
(Adotar 5W)
(27,5V -12,6V)
100
2
(14,9V) 2,22W
100
Clculo de R2:
R2 >
VL - VZ VBE2(MIN)
0,1.IZ(MAX)
IZ(MAX) =
149mA
Fundamentos de Eletrnica I
R2 >
6,3V
422,8214,9mA
14,9mA
- IB1(MAX)
IZ(MIN) = VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
R1(adotado)
VL - VZ R2 <
VBE2(MAX)
0,1.IZ(MIN)
IZ(MIN) =
100
R2 <
6,2V 794,87
7,8mA
7,8mA
422,82 < R2 < 794,87 adotar 560
Calculando a potncia desenvolvida em R 2:
2
(VL - VZ - VBE2(MIN))
PR2 =
R2 (adotado)
PR2 =
6,3V2
70,88mW
560
560
3.192
VL - VR3
12V 5,7V
6,3
PR3 =
(5,1V 0,7V)
470
(5,8)
470 71,57mW
Fundamentos de Eletrnica I
Configurao Darlington
configura
Fundamentos de Eletrnica I
VCBO = 80V
IC(MAX) = 4A
PC(MAX) = 36W
(MIN) = 500 (MAX) = 1.000
Neste caso, VBE maior. Vamos considerar para este projeto, V BE = 1,4V
Desta forma, o diodo zener dever ter uma tenso: 6V + 1,4V = 7,4V.
O valor comercial mais prximo de 7,5V.
O diodo zener escolhido foi oBZX75C7V5, cujas caractersticas so:
VZ = 7,5V
PZ(MAX) = 400mW
IZ(MIN) = 10mA
IZ(MAX) =
0,4W
7,5V
53,33mA
IC(MAX) =
logo:
IL(MAX)
=
1 1
(MIN)
1,5
1,5
1
1
1 500 0,002
1,5 1,497A
1,002
VIN(MAX) - VZ
. IZ(MIN) IB(MAX)
VIN(MIN) - VZ
IB(MAX) =
IC(MAX) 1,497A
2,994mA
(MIN) 500
IZ(MAX) =
13,2V - 7,5V
. 10mA 2,994mA
10,8V - 7,5V
Fundamentos de Eletrnica I
IZ(MAX) =
5,7V
3,3V
.12,994mA 22,44mA
Como PZ(MAX) terico = 53,33mA e IZ(MAX) = 22,44mA o diodo zener escolhido pode
ser utilizado.
Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V
VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ
Na pior condio: RL = IB(MIN) = 0
VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ
R=
5,7V 106,88
VIN(MAX) - VZ 13,2V - 7,5V
IZ(MAX)
53,33mA
53,33mA
10,8V - 7,5V
2,994mA
10mA
3,3V 253,96
12,994mA
E2
P
=
(VIN(MAX) - VZ)
(13,2V - 7,5V) 2
180
(5,7V) 2
180,5mW
180
Comparaes:
Parmetros
R1
PR1
91
508mW
IC(MAX)
PC(MAX)
IZ(MAX) terico
IZ(MAX) prtico
VZ
IB(MAX)
1,46A
10,5W
73,53mA
71,2mA
6,8V
36,5mA
1,497A
10,78W
53,33mA
22,44mA
7,5V
2,994mA
Fundamentos de Eletrnica I
Fundamentos de Eletrnica I
Pr Amplificadores
Aps o transistor ter sido polarizado com ponto Q prximo da metade da linha de
carga podemos acoplar um sinal ca base , isto produz flutuao na corrente de
coletor de mesma forma de freqncia .
Por exemplo , se for acoplado um sinal ca de 1Khz base , teremos no coletor
um sinal de 1Khz com a amplitude da onda aumentada.
O amplificador que mantm a forma de onda chamado de linear ou de alta fidelidade .
2fc
Tirando o valor de C:
1
c 2fXc 7.96F
Fundamentos de Eletrnica I
Capacitores de Desacoplamento
Um capacitor de desacoplamento semelhante a um de acoplamento , exceto
que ele acopla um ponto desaterrado um ponto aterrado . A reatncia
apresentada deve ser um dcimo da resistncia total do circuito no considerando
o resistncia de carga.
O capacitor se comporta como um curto para o sinal ca colocando o emissor em
potencial terra , quando se refere ao sinal ca , o capacitor no perturba tenso
cc ,pois se apresenta como uma chave aberta.
Para se manter a notao cc diferente da notao ca de uso comum empregar
letras maisculas para cc e minsculas para ca .
CC
IE - IC - IB - para correntes em cc .
VE - VC - VB - para tenses cc ao terra .
VBE - VCE - VCB - para tenses entre terminais .
CA
ic - ie - ib - para correntes em ca
ve - vc - vb - para tenses ca ao terra.
Vbe - vce - vbe - para tenses ca entre terminais .
Tambm comum usar o sinal negativo para indicar dois sinais senoidais que
esto defasados de 180
Exemplo:
V sada = -V ent.
Resistncia CA do Emissor.
Fundamentos de Eletrnica I
0.4
25
r' e
25mV
IE
Beta CA
Fundamentos de Eletrnica I
Fundamentos de Eletrnica I
Ganho de Tenso
O ganho de tenso de um amplificador a razo entre a tenso ca de sada e a
tenso ca de entrada
AV
Vsaida
Vent
A
V
250 3 100
2,5
Ao analisar defeitos , e bom ter idia de que teve ser o ganho de tenso . Aqui
esta como deduzir formulas para o ganho de tenso . substitua a circuito pelo seu
circuito equivalente ca , isto significa pr em curto a fonte de alimentao , e todos
os capacitores .A figura ( a ) abaixo mostra o circuito ca equivalente do ltimo
Fundamentos de Eletrnica I
Vent
r' e
Rc
Vent r' e
Fundamentos de Eletrnica I
Impedncia de Entrada
A fonte ca que aciona um amplificador , tem que fornecer a corrente alternada ao
amplificador . Geralmente quanto menos corrente o amplificador consome da
fonte melhor .A impedncia de entrada de um amplificador determina a
quantidade de corrente que ser retirado da fonte ca. Na faixa de freqncia
normal de um amplificador onde os capacitores de acoplamento e
desacoplamento se comportam como curto em ca e todas outras reatncias so
desprezveis , a impedncia ca de entrada definida assim :
Z Ventent
i ent
Vent
ib
A lei de ohm nos diz que :
Vent i .r' e
e
Fundamentos de Eletrnica I
Vent
.ib.r' e
Simplificando
Z ent(base )
.ib.r' e .r' e
ib
Impedncia de Sada
Faamos agora uma coisa interessante no lado da sada do amplificador . Vamos
theveniza-lo , a tenso thevenim que aparece na sada :
Vsada A.Vent
A impedncia thevenim a associao paralela de RC e da impedncia interna
da fonte de corrente do coletor , que se pode considerar ideal , portanto ela tem
uma impedncia interna infinita . Assim a impedncia thevenim :
Zsada Rc
Exemplo: calcule VB,IE,VC, re , Av .Zent(base) ,Zent e Vsada do circuito abaixo
Fundamentos de Eletrnica I
No circuito acima aparece duas coisas novas , a fonte ca tem uma impedncia de
1k. Portanto parte do sinal da fonte sofre uma queda atravs desta resistncia
antes de alcanar a base . Do lado da sada o capacitor acopla o sinal ca uma
resistncia de carga de 1.5k. Isto poderia produzir algum efeito na carga , coma
resultado , esperamos que o sinal de sada seja mais baixo .
Calculando VB.
VB = R1 / R1+R2 x Vcc = 2200 / 12200 x 10 = 1.8V.
Calculo de IE
IE = VE / RE
VE : ser igual a tenso de base menos o VBE tpico do transistor assim:
VE = VB - VBE = 1.8 - 0.7 = 1.1 V
IE = 1.1/1000 = 1.1mA
Calculo de VC ( usando a lei de Kirchhoff )
VC = VCC - VRC
-3
+3
Onde : VRC = IC RC = 1.1 3.6 = 3.6V
VC = 10 - 3.6 = 6.04V
Calculo de re .
Usando o sinal de entrada ca e a corrente cc do emissor temos :
-3
-3
re = 25 / 1.1 = 22.7
Calculo do ganho de tenso
Av = RC / re = 3600 / 22.7 =-159
Calculo da Zent (base)
Zent(base) = re = 150. 22.7 = 3.4k
Calculo de Zent.
Zent = R1 \\ R2 \\ re
= 10
+3
\\ 2.2
+3
\\ 3.4
+3
= 1.18k
Fundamentos de Eletrnica I
+3
-3
AMPLIFICADOR LINEARIZADO
A quantidade re idealmente igual a 25mv/IE . Como foi evidenciado
anteriormente , o valor real de re depende da temperatura e do tipo da juno .
Por isso o re de um transistor pode variar ao longo de uma faixa para diferentes
temperaturas e transistores . Qualquer variao no valor de re variar o ganho
da tenso no amplificador com emissor comum ,Em algumas aplicaes ,
aceitvel uma variao no ganho de tenso do amplificador . Por exemplo , num
rdio , podemos compensar o ganho ajustando o controle de volume. Mas h
muitas aplicaes que precisa de um ganho o mais estvel possvel .
Muitos projetistas inseri um resistor rE em srie com o emissor , como mostra a
fig. abaixo . Agora o emissor no mais esta no potencial terra ca .Por isso ,a
corrente ca do emissor flui atravs do rE e produz uma tenso ca no emissor .
Quando rE for muitas vezes maior que re , praticamente todo sinal ca aparecer
no emissor , colocando de outra forma quando rE for bem maior que re ,o
emissor estar amarrado base tanto em ca quanto em cc.
Fundamentos de Eletrnica I
Fundamentos de Eletrnica I
Fundamentos de Eletrnica I
Fundamentos de Eletrnica I
Saturao e Corte C. A
Os pontos de saturao e de corte na linha de carga C .A so deferentes dos
pontos da linha de carga CC , fig. C . Observando a fig.D , podemos somar as
tenses C A ao longo da malha de coletor para obter:
Assim:
v ce ic.rc 0
Compliance CA de Sada
A linha de carga CA consiste num recurso visual para melhor compreenso do
funcionamento em grandes sinais , durante o semiciclo positivo da tenso da
fonte. A tenso de coletor oscila do ponto Q at a saturao .
No semiciclo negativo , a tenso de coletor oscila do ponto Q at o corte.
Para um sinal CA suficientemente grande , o ceifamento pode ocorrer mun ou nos
dois picos do sinal .
A compliance CA de sada a tenso CA mxima de pico a pico no ceifada que
um amplificador pode produzir.
Fundamentos de Eletrnica I
Operao Classe A
Define-se que o transistor opera na regio ativa em todos os instantes , isto
implica que a corrente de coletor flua durante 360 do ciclo CA.
Ganho de Tenso com Carga
Av
rc
r' e
Esta formula alternativa para o ganho de tenso , nos permite calcular os efeitos
de RL , sem thevenizar o circuito de sada .Ex:
Rc=10k , RL= 30K e re=50.
Av
10k // 30k
150
50
Ganho de Corrente
a razo entre a corrente CA do coletor a a corrente CA de base.
Ai
ic
ib
Entretanto na maioria dos circuitos , voc pode usar seguinte aproximao com
erro desprezivel.
Ai
Ganho de Potncia.
A potncia CA de entrada :
Pent, v ent .ib
A potncia de sada :
Psaida v sada .ic
Potncia na Carga.
Fundamentos de Eletrnica I
2
P v LL
R
L
Circuito PUSH-PULL
Quando um transistor opera em classe B , ele corta um semiciclo . para evitar a
distoro resultante coloca se dois transistor em um arranjo chamado push-pull.
Isto quer dizer que um conduz durante o semiciclo positivo e o outro durante o
semiciclo negativo. Observe o circuito:
Fundamentos de Eletrnica I
vcc
2
Ic sat
icQ
v ceQ
r' e
corte
vcc
2
RL
RL r'
e
Zsada
r' e
r' e
Ganho de Potncia
AP A V.AI
Fundamentos de Eletrnica I
Espelho de Corrente
A corrente de base muito menor do que a corrente atravs do resistor e do
diodo. Por esta razo , as correntes dos resistores e dos diodos so
aproximadamente iguais .Como a corrente do coletor praticamente igual a
corrente do emissor.
IC IR
Este resultado muito importante , quer dizer que podemos estabelecer IC
controlando IR .
A polarizao por diodo , de um seguidor de emissor push-pull classe B , conta
com dois espelhos de corrente. A metade superior um espelho de corrente NPN
e a metade inferior um espelho de corrente PNP.
O exemplo abaixo representa um circuito completo de amplificador sendo :
Fundamentos de Eletrnica I
Fundamentos de Eletrnica I
Referncias Bibliogrficas
FIGINI, Gianfranco ; Eletrnica Industrial ; Circuitos e aplicaes; So Paulo
Hemus-1983.
MALLEY , John OMalley ; Analise de Circuitos; So Paulo
Makron books - 1993
MALVINO, Albert Paul ; Eletrnica ;So Paulo
McGraw- Hill, 1987