FISICA DE SEMICONDUCTORES

Colaborativo 1

CAMILO GONZALEZ PEREZ

CODIGO: 1057587785
GRUPO: 299002_24
Trabajo presentado a:
IVAN CAMILO NIETO SANCHEZ

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD

ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS TEGNOLOGIA E INGENIERIA

2016

INTRODUCCION

Los semiconductores constituyen son los materiales slidos clave en la fabricacin de

dispositivos electrnicos. Sus propiedades, los han convertido en el elemento fundamental
para el desarrollo de la informtica, los electrodomsticos y las telecomunicaciones
La fsica de los semiconductores es un conjunto de teoras y modelos que explican el
comportamiento de los semiconductores bajo diversas condiciones.

OBJETIVOS

Entender el correcto funcionamiento de los semiconductores bajo diferentes

condiciones fsicas

Profundizar en el objeto fundamental de la fsica de semiconductores

Identificar el funcionamiento de un semiconductor en simulacin

DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR
Como la misma palabra indica, no son buenos conductores, pero tampoco son
aislantes. Podemos definir los semiconductores como aquellos materiales que se comportan
como conductores, solo en determinadas condiciones. Por eso se dice que estn en un punto
intermedio entre los conductores y los aislantes.
Por ejemplo, hay materiales que a partir de una cierta temperatura son conductores, pero
por debajo, son aislantes. En electrnica son muy importantes los semiconductores, ya que
muchos componentes se fabrican con ellos
Los dispositivos semiconductores son componentes electrnicos que explotan las
propiedades electrnicas de los materiales semiconductores, principalmente de silicio,
germanio, arseniuro de galio, y as como semiconductores orgnicos. Los dispositivos
semiconductores han reemplazado dispositivos termoinicos en la mayora de las
aplicaciones. Ellos usan la conduccin electrnica en el estado slido en contraposicin al
estado gaseoso o emisin termoinica en un alto vaco.
Dispositivos semiconductores se fabrican ambos dispositivos como individuales discretos y
circuitos integrados, ya que se componen de un nmero de unos pocos miles de millones de
dispositivos fabricados e interconectados en un nico sustrato semiconductor, u oblea.
Los materiales semiconductores son tan tiles debido a que su comportamiento puede ser
manipulado fcilmente por la adicin de impurezas, conocido como el dopaje.
Semiconductor conductividad puede ser controlado por la introduccin de un campo
elctrico o magntico, por la exposicin a la luz o el calor, o por la deformacin mecnica
de una rejilla mono-cristalino dopado, por lo que, los semiconductores pueden hacer
excelentes sensores.

UNIN P-N

Semiconductores del Tipo P y del Tipo N

Los semiconductores extrnsecos del tipo N estn formados por tomos de material
semiconductor, Silicio o Germanio, al que se le aade impurezas con tomos de otro
material con 5 electrones de valencia. Como los tomos del material semiconductor tienen
4 electrones de valencia y los tomos de la impurezas 5, se pueden formar 4 enlaces
covalentes y sobrar un electrn por cada tomo de impureza que quedar libre. Este
electrn libre ser el portador de electricidad. En los semiconductores del tipo N los
electrones son los portadores de electricidad. Portadores mayoritarios = electrones.

Los semiconductores extrnsecos del tipo P son material semiconductor a los que se les
aade tomos de impurezas con 3 electrones de valencia. En este caso cada tomo del
material semiconductor solo podr formar 3 enlaces con los tomos de impurezas. Los
tomos semiconductores tienen un hueco esperando a que llegue un electrn para formar el
enlace que le faltar. En este tipo de semiconductores los huecos sern los portadores para
la conduccin. Portadores mayoritarios = huecos.

Resumiendo. En la zona N tenemos electrones libres y en la zona P tenemos huecos en

espera de ser rellenados por electrones.

Si ahora los unimos, los electrones del material N, que estn ms cerca de la franja de la
unin, sern atrados por los huecos de la zona P que estn tambin ms cerca de la unin.
Estos electrones pasarn a rellenar los huecos de las impurezas ms cercanos a la franja de
unin.
Un tomo de impureza de la zona P, que era neutro, ahora tiene un electrn ms llegado de

la zona N para formar enlace en el hueco que tena. Este tomo de impureza ahora quedar
cargado negativamente (un electrn ms) y se convertir un anin o ion negativo.
As mismo un tomo de impureza de la zona N quedar cargado positivamente por que se le
ha ido un electrn y se convertir un catin o ion positivo.
Esto provoca que en la franja de la unin PN tengamos por un lado carga negativa y por el
otro positiva. Negativa en la zona P, que antes de la unin era neutra y positiva en la zona
N, que antes tambin era neutra. Esta franja con cationes y aniones se llama regin de
agotamiento o zona de difusin.

LISTA DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES COMUNES

Dispositivos de dos terminales

DIAC
Diodo
Diodo Gunn
IMPATT diodo
Diodo lser
Diodo emisor de luz
Clula fotoelctrica
Diodo PIN
Schottky diodo
Clula solar
Diodo tnel
VCSEL
VECSEL
Diodo Zener

Dispositivos de tres terminales

Bipolar transistor
Transistor Darlington
Efecto de campo transistor

Transistor IGBT
Silicio rectificador controlado
Tiristor
TRIAC
Unijunction transistor

Cuatro dispositivos terminales

Sensor de efecto Hall

Dispositivos multiterminal:
Circuito integrado
Dispositivo de carga acoplada
Microprocesador
Memoria de acceso aleatorio
Memoria de slo lectura

Diodo
El diodo es un dispositivo hecho a partir de una sola unin pn. En el cruce de una de tipo p
y un semiconductor de tipo n se forma una regin llamada la zona de agotamiento o de la
regin que bloquea la conduccin de corriente de la regin de tipo n a la regin de tipo p,
pero actual permite llevar a cabo a partir de la p tipo de regin a la regin de tipo n. Por lo
tanto, cuando el dispositivo est polarizado, con el lado p en mayor potencial elctrico, el
diodo conduce la corriente fcilmente, pero la corriente es muy pequea cuando el diodo
est polarizado inverso.
La exposicin de un semiconductor de luz puede generar pares electrn-hueco, lo que
aumenta el nmero de portadores libres y su conductividad. Diodos optimizados para tomar
ventaja de este fenmeno se conoce como fotodiodos. Diodos semiconductores compuestos
tambin se pueden utilizar para generar luz, como en diodos emisores de luz y diodos lser.
Transistor
Transistores de unin bipolar se forman a partir de dos uniones p-n, en cualquier
configuracin pnp o npn. El medio, o base, la regin entre las uniones es tpicamente muy
estrecha. Las otras regiones, y sus terminales asociados, son conocidos como el emisor y el
colector. Una pequea corriente inyectada a travs de la unin entre la base y el emisor
cambia las propiedades de la unin base-colector para que pueda conducir la corriente a
pesar de que se polariza inversamente. Esto crea una corriente mucho ms grande entre el
colector y el emisor, controlada por la corriente de base-emisor.
Otro tipo de transistor, el transistor de efecto de campo, opera sobre el principio de que la
conductividad de semiconductor puede ser aumentada o disminuida por la presencia de un
campo elctrico. Un campo elctrico puede aumentar el nmero de electrones y huecos en
un semiconductor libres, cambiando de esta manera su conductividad. El campo puede ser

aplicada por una unin p-n de polarizacin inversa, formando una unin-transistor de efecto
de campo o por un electrodo aislado de la masa del material por una capa de xido,
formando un metal-xido-semiconductor de efecto de campo transistor.
2. simulacin de semiconductor
https://youtu.be/lDn0JRO_LP4