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ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA

MECNICA Y ELCTRICA
UNIDAD AZCAPOTZALCO
ELECTRNICA DE POTENCIA APLICADA
UNIDAD I DIODO SEMICONDUCTOR
DIODO RECTIFICADOR
DIODO ZENER
FUENTES REGULADAS
Elaborado por : Ing. Carlos Adrin Amezcua Magaa
Academia de Elctrica Electrnica
Septiembre 2008

UNIDAD I
TEMARIO:
1.

Diodo semiconductor
Dopamiento de semiconductores
Smbolo
Diodo ideal, Diodo real
Polarizacin y curva caracterstica
Fuentes de voltaje con rectificadores
Rectificador de media onda
Rectificador de onda completa con 2 diodos
Rectificador de onda completa tipo puente
2. Diodo Zener
Smbolo
Diodo Zener ideal
Polarizacin y curva caracterstica
3. Regulacin de voltaje
Con diodo Zener
Con circuitos integrados de voltaje fijo
Con circuitos integrados de voltaje variable

TEORA DE LOS SEMICONDUCTORES


MATERIALES AISLANTES
Se denomina al material con escasa
conductividad elctrica, no existen cuerpos
absolutamente aislantes o conductores, sino
mejores o peores conductores, son materiales
muy utilizados para evitar cortocircuitos,
forrando con ellos los conductores elctricos,
para mantener alejadas del usuario
determinadas partes de los sistemas elctricos
que, de tocarse accidentalmente cuando se
encuentran en tensin, pueden producir una
descarga, para confeccionar aisladores los
materiales utilizados ms frecuentemente son
los plsticos y las cermicas.

MATERIALES CONDUCTORES
Son aquellos materiales que ofrece poca resistencia al flujo de electrones o
electricidad dejando pasar fcilmente la corriente elctrica, de manera
semejante como las tuberas conducen agua a travs de un circuito hidrulico.
Para que un cuerpo sea conductor necesita tener tomos con muchos
electrones libres, que se puedan mover con facilidad de un tomo a otro.
La diferencia entre un conductor y un aislante, que es un mal conductor de
electricidad o de calor, es de grado ms que de tipo, ya que todas las sustancias
conducen electricidad en mayor o en menor medida. Un buen conductor de
electricidad, como la plata o el cobre, puede tener una conductividad mil
millones de veces superior a la de un buen aislante, como el vidrio o la mica. El
fenmeno conocido como superconductividad se produce cuando al enfriar
ciertas sustancias a una temperatura cercana al cero absoluto su conductividad
se vuelve prcticamente infinita. En los conductores slidos la corriente elctrica
es transportada por el movimiento de los electrones; y en disoluciones y gases,
lo hace por los iones.

TEORA DE LOS SEMICONDUCTORES


MATERIALES SEMICONDUCTORES
Es un material que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de la
temperatura del ambiente en el que se encuentre. Material slido o lquido capaz de
conducir la electricidad mejor que un aislante, pero peor que un metal. La
conductividad elctrica, que es la capacidad de conducir la corriente elctrica
cuando se aplica una diferencia de potencial, es una de las propiedades fsicas ms
importantes. Ciertos metales, como el cobre, la plata y el aluminio son excelentes
conductores. Por otro lado, ciertos aislantes como el diamante o el vidrio son muy
malos conductores. A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se
comportan como aislantes. Sometidos a altas temperaturas, mezclados con
impurezas o en presencia de luz la conductividad de los semiconductores puede
aumentar de forma espectacular y llegar a alcanzar niveles cercanos a los de los
metales. Las propiedades de los semiconductores se estudian en la fsica del estado
slido.

Tiene 4 electrones en su orbita de valencia.

El semiconductor ms usado es el silicio, aunque idntico comportamiento presentan


las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V de
la tabla peridica.

Conceptos bsicos

Orbital de valencia: es la ltima orbita del tomo, all se encuentran definidas las
caractersticas elctricas del elemento

Electrn libre: es el electrn ubicado en la orbita de valencia y que tiene muy poca fuerza
de atraccin con el ncleo por lo que es muy fcil de arrancarse por una fuerza externa

Hueco: es el espacio que deja un electrn en un tomo cuando es arrancado por una
fuerza externa

Enlace covalente: es la unin que como resultado de la comparticin de uno o ms pares


de electrones se establece entre dos tomos. De esta forma, distinguimos entre enlace
simple o sencillo (los tomos comparten un solo par de electrones), enlace doble (los
tomos comparten dos pares de electrones) o enlace triple (los tomos comparten tres
pares de electrones).

In positivo: es un tomo que ha perdido uno o mas electrones

In negativo: es un tomo que ha ganado uno o mas electrones


6

Recombinacin: es el proceso en el cual un electrn libre llena un hueco


Tiempo de vida de un electrn libre: es el tiempo que transcurre entre la creacin de
un electrn libre y su desaparicin al ocupar un hueco
Flujo de electrones: al colocar un cristal de Si entre 2 placas metlicas cargadas
elctricamente un electrn de la orbita de valencia es repelido por el potencial
negativo y llena un hueco que encuentra ms prximo a la placa positiva, este
desplazamiento genera un hueco en el tomo que a su vez es ocupado por otro
electrn que fue repelido tambin por la placa con potencial negativo, generando un
flujo de electrones de la placa con potencial negativo y hacia la placa con potencial
positivo. La circulacin de corriente en sta direccin se le conoce como corriente
electrnica.
La direccin convencional de corriente viaja de positivo a negativo, en sentido
contrario a la corriente electrnica; para efectos del curso siempre tomaremos sta
direccin de corriente
+
+
+
+
+
+
+
+
+

-7
-

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS
Los materiales intrnsecos, son aquellos semiconductores que se han
refinado cuidadosamente con el objetivo de reducir las impurezas hasta un
nivel muy bajo, tan puros como sea posible mediante la utilizacin de la
tecnologa moderna

En un material, los electrones libres generados exclusivamente por causas


naturales se denominan portadores intrnsecos. A esta misma temperatura, el
material intrnseco de germanio contiene aproximadamente 2.5 X 1013
portadores libres por centmetro cbico. La proporcin de portadores libres en
el germanio comparada con la del silicio es mayor que 103, lo que podra
indicar que el germanio es mejor conductor a temperatura ambiente. Esto
puede ser cierto, sin embargo ambos materiales se consideran conductores
deficientes en estado intrnseco.

DOPAMIENTO DE SEMICONDUCTORES
Dopamiento de un material tipo P:
Se parte de un semiconductor intrnseco, que es un semiconductor qumicamente puro y
puede ser de Silicio (Si) o de Germanio (Ge) que tienen 4 electrones libres en su rbita
de valencia, ste material se dopa, es decir se le agregan impurezas deliberadamente
con el fin de modificar su conductividad elctrica, convirtindolo en un material
extrnseco; para generar un semiconductor tipo P, es decir con exceso de huecos, se
dopa con impurezas trivalentes (aceptores), como pueden ser el Aluminio (Al), Galio
(Ga) o Boro (B); en este dopamiento los portadores mayoritarios son los huecos, ya que
superan a los electrones los cuales son los portadores minoritarios.

DOPAMIENTO DE SEMICONDUCTORES
Dopamiento de un material tipo N:
Se parte de un semiconductor intrnseco, que es un semiconductor qumicamente puro y
puede ser de Silicio o de Germanio que tienen 4 electrones libres en su rbita de
valencia, ste material se dopa, es decir se le agregan impurezas deliberadamente con
el fin de modificar su conductividad elctrica, convirtindolo en un material extrnseco;
para generar un semiconductor tipo N, es decir con exceso de electrones, se dopa con
impurezas pentavalentes (donadores), como pueden ser el Arsnico (AS), Antimonio
(Sb), Fsforo (P); en este dopamiento los portadores mayoritarios son los electrones, ya
que superan a los huecos los cuales son los portadores minoritarios.

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UNIN PN
Se forma por la unin metalrgica de dos
cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque
tambin se fabrican de Germanio (Ge), de
naturalezas P y N segn su composicin a nivel
atmico.
Los electrones libres que se encuentran en el
material N, se recombinan con los huecos que
estn prximos del material P, solo hasta
alcanzar un equilibrio cerca de la unin de los 2
cristales.
Una vez alcanzado este equilibrio se dice que
se ha creado una barrera de potencial. Una
barrera de potencial es simplemente una
oposicin a que sigan pasando los electrones y
huecos de un lado a otro.
Esta situacin permanecer inalterable mientras
no hagamos nada externo para modificarla, es
decir, compensar el efecto de esa barrera de
potencial con otro potencial aportado por
nosotros, por ejemplo, conectndolo a una
batera.

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UNIN PN
Polarizacin directa
Cuando se juntan los semiconductores tipo P y tipo N, forman lo que se conoce como
diodo semiconductor, justo en la frontera de los dos materiales se forma la unin PN y en
esa unin se forma una rea conocida como zona de Deplecin, que es una barrera de
potencial equivalente a 0.3V cuando es material es Ge y de 0.7V cuando se usa Si;
Para polarizar en sentido directo esta unin se conecta el potencial positivo de la fuente
en el material P y el potencial negativo en el material N, en sta condicin, si la tensin
de la batera es menor a la barrera de potencial, los electrones no tienen la suficiente
energa para atravesar la zona de Deplecin y no se genera ningn flujo de corriente a
travs del diodo, cuando la fuente de alimentacin es mayor a la barrera de potencial, los
huecos y los electrones son empujados hacia la unin PN recombinndose con los
electrones libres y los huecos libres generando un flujo de corriente a travs del diodo.

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UNIN PN
Polarizacin inversa
Para polarizar en sentido inverso sta unin se conecta el potencial negativo de la fuente
en el material P y el potencial positivo en el material N, en sta condicin los electrones,
portadores mayoritarios, del material N son atrados por el potencial positivo de la fuente
y los huecos, portadores mayoritarios, del material P son atrados por el potencial
negativo de la fuente generando un ensanchamiento de la zona de Deplecin, la cual
depende de la magnitud del voltaje inverso aplicado, la zona de Deplecin deja de
aumentar en el momento en que su diferencia de potencial es igual a la tensin inversa
aplicada. Cuando la tensin inversa aplicada al diodo es ms grande al especificado, el
diodo sufre un dao irreversible, se abre y deja de ser til.

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Diodo ideal
Smbolo y Curva Caracterstica
Diodo ideal

ID
Voltaje
de
ruptura
inverso

Zona
directa

VD

Zona
inversa

14

Diodo Real
Circuito equivalente
Diodo real

15

Deteccin de averas en un diodo


semiconductor usando un Ohmetro
Polarizacin directa:
Impedancia muy baja,
En la funcin de diodo, voltajes
entre los 500 a 700 mV

Polarizacin inversa:
Impedancia muy alta o infinita

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Datasheet de diodos
Voltaje Directo (VF): Cada de voltaje entre nodo y ctodo al estar
el diodo en polarizacin directa y conduciendo corriente de nodo a
ctodo.
Voltaje inverso continuo (VR): voltaje mximo en continuo que
soporta el diodo conectado en sentido inverso
Voltaje pico inverso (VRRM): Voltaje mximo de pico inverso
repetitivo que soporta el diodo polarizado en sentido inverso.
Potencia disipada (PD): potencia mxima de disipacin que
soporta el diodo en sentido directo
Corriente en sentido directo (IF): corriente mxima que circula en
el componente en polarizacin directa.
Corriente inverso (IR): corriente mxima en sentido inverso
permitida a travs del componente sin que dae el dispositivo
Temperatura de almacenamiento (TSTG): Mxima temperatura de
almacenamiento del componente en conduccin. 17

Tipos de encapsulado:
Cristal,
Plstico,
Metlico,
SM: surface mounted,
SOT: Small Outline
Transistor.

Datasheet de diodo semiconductor serie 1N4000


18

FUENTE DE VOLTAJE DE MEDIA ONDA


200.0

V inst
Vrms

150.0
100.0
50.0
0.0
-50.0

Grados

-100.0
-150.0
-200.0
180.0
160.0

140.0
120.0
100.0
80.0
60.0
40.0
20.0
0.0

Grados

19

FUENTE DE VOLTAJE DE MEDIA ONDA


Voltaje pico
Voltaje de salida
Frecuencia de salida
Potencia de salida

Fout=Fin
PL=IL*Vout

Parmetros para proteccin del diodo


Corriente de diodo

IF=IL+20%IL = 1.2IL

Voltaje inverso del diodo

VR=Vsp+20%Vsp=1.2 Vsp
20

FUENTE DE VOLTAJE DE ONDA


COMPLETA CON DOS DIODOS

21

FUENTE DE VOLTAJE DE ONDA


COMPLETA CON DOS DIODOS
200.0

150.0
100.0
50.0
0.0
-50.0

Grados

-100.0
-150.0
-200.0
180.0
160.0

140.0
120.0
100.0
80.0
60.0
40.0
20.0
0.0

Grados

22

FUENTE DE VOLTAJE DE ONDA


COMPLETA CON DOS DIODOS

Voltaje pico

Voltaje de salida
Frecuencia de salida
Potencia de salida

Fout=2Fin
PL=IL*Vout

Parmetros para proteccin del diodo


Corriente de diodo

IF=IL+20%IL = 1.2IL

Voltaje inverso del diodo

VR=Vsp+20%Vsp=1.2 Vsp
23

FUENTE DE VOLTAJE DE ONDA


COMPLETA TIPO PUENTE

24

FUENTE DE VOLTAJE DE ONDA


COMPLETA TIPO PUENTE
200.0

150.0
100.0
50.0
0.0
-50.0

Grados

-100.0
-150.0
-200.0
180.0
160.0

140.0
120.0
100.0
80.0
60.0
40.0
20.0
0.0

Grados

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FUENTE DE VOLTAJE DE ONDA


COMPLETA TIPO PUENTE
Voltaje pico
Voltaje de salida

2(

Frecuencia de salida
Potencia de salida

Fout=2Fin
PL=IL*Vout

Parmetros para proteccin del diodo


Corriente de diodo

IF=IL+20%IL = 1.2IL

Voltaje inverso del diodo

Vd=Vsp+20%Vsp=1.2 Vsp
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FILTRO DE CHOQUE

El objetivo del filtro de choque es el evitar las


variaciones que presenta una corriente
continua.
Reactancia de la bobina
Reactancia del capacitor
Principio de diseo XL RL y XL XC
Si la frecuencia tiende a 0 Hz, entonces XL
tiende a ser un cortocircuito y XC tiende a ser
circuito abierto; por lo que la corriente de
carga pasa con pocas perdidas
Desventaja: para frecuencias bajas, 60 120
Hz, la reactancia inductiva tiende a ser muy
grande por lo que las bobinas son muy
grandes y caras, no son costeables para su
aplicacin.
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Filtro capacitivo
Voltaje de Rizo: son las variaciones
que presenta una seal rectificada
respeto del valor medio de la onda; su
valor esta dado en voltaje pico a pico
Vrc=
Voltaje de salida fuente con
dos diodos:
Vcc=VOUT=Vs1p-Vd
Voltaje de salida fuente tipo
puente:
Vcc=VOUT=Vsp-2Vd

30

25

20

15

10

V
in
st

Grados

28

VOLTAJE DE RIZO

27

25

23

21

V i nst
Vrm s
Vri zo
V i nst
Vrm s
Vri zo

19

17

Grados
15

29

FUENTES DE VOLTAJE CON FILTRO CAPACITIVO

Fuente de
Voltaje de
media
onda

Fuente de Voltaje de
onda completa con 2
diodos
Fuente de Voltaje
de onda
completa tipo
puente
30

DIODO ZENER
Funcionamiento y curva caracterstica
Un diodo Zener se produce cuando se agrega un exceso de
dopamiento a la unin PN, por lo que la zona de deplexin
disminuye de manera importante y el campo elctrico es muy
intenso. Cuando la fuerza del campo alcanza
aproximadamente los 300,000 V/cm, el campo es lo
suficientemente intenso para empujar a los electrones fuera
de sus orbitas de valencia.
La creacin de electrones libres de esta forma generan el
efecto conocido como EFECTO ZENER.

31

DIODO ZENER
Funcionamiento y curva caracterstica
El diodo Zener est diseado para que trabaje en
polarizacin inversa y en la regin de ruptura o
avalancha.
Este dispositivo mantiene casi constante la tensin de
voltaje en sus extremos con independencia de la carga
aplicada
Las principales aplicaciones del diodo Zener son como
regulador de voltaje o como referencia de voltaje,
cuando nos interesa que dicha referencia cambie su
valor con la temperatura.
Existen diodos Zener con coeficiente de temperatura
positivo y coeficiente de temperatura negativo
32

DIODO ZENER
Funcionamiento y curva caracterstica
Se emplean para producir entre sus
extremos una tensin constante e
independiente de la corriente que las
atraviesa segn sus especificaciones. Para
conseguir esto se aprovecha la propiedad
que tiene la unin PN cuando se polariza
inversamente al llegar a la tensin de
ruptura (tensin de Zener), pues, la
intensidad inversa del diodo sufre un
aumento brusco manteniendo
prcticamente constante el voltaje Zener.
Para evitar la destruccin del diodo por la
avalancha producida por el aumento de la
intensidad se le pone en serie una
resistencia que limita dicha corriente. Se
producen desde 3,3v y con una potencia
mnima de 250mW.

33

DIODO ZENER

La pendiente de la curva en la seccin


de avalancha esta definida por la
resistencia interna del dispositivo,
entre mas pequea sea la impedancia
interna del Zener, menor ser la
variacin del voltaje de salida
Efecto de la tensin en la carga

Variaciones en el voltaje de salida

La resistencia Rs es muy importante


para el diseo de un circuito
regulado con diodo Zener, pues es la
que va a permitir el paso de corriente
para una adecuada regulacin de
voltaje y el paso adecuado de la
corriente de carga y la corriente del
diodo Zener.

Donde:
Zz= impedancia interna
Vz= voltaje Zener nominal
Iz= corriente Zener
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DIODO ZENER

Clculo de Rs para el peor de los


casos:

% de regulacin del diodo Zener, est


dado por

Donde: Izmin=10% de Izmax


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Voltaje de rizo de salida de una fuente


de voltaje regulada con diodo Zener
Clculo del voltaje de rizo de salida de una fuente de
voltaje regulada con diodo Zener
Donde el VRin es el voltaje de rizo del capacitor, tambin
denominado VRC ;
Para calcular el voltaje de rizo VRin se deber considerar
la corriente a travs de la resistencia Rs, por ser la
mxima corriente del circuito, por lo que la formula
manejada anteriormente cambia a
Voltaje de rizo en el capacitor
36

DIODO ZENER
Hoja de Datos (Datasheet)

Voltaje Zener (Vz): es el voltaje de ruptura o de avalancha que se presenta


al polarizar el diodo Zener en polarizacin inversa, dicho voltaje permanece
relativamente constante.
Impedancia Zener (Zz): es la resistencia interna que presenta el diodo
Zener al flujo de corriente y determina la pendiente de la curva en la regin
inversa o de avalancha
Corriente Zener (Iz): corriente tpica de prueba u operacin del
componente.
Disipacin de potencia (Pd): es la potencia mxima que puede disipar el
diodo Zener
Temperatura de almacenamiento(Tstg): temperatura mxima a la que se
puede trabajar el dispositivo
Coeficiente de temperatura (Tc): es la variacin que sufre el voltaje Zener
a cambios de temperatura se expresa en [%Vz/C]

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DATASHEET DE DIODO ZENER

38

Fuente de voltaje con dos diodos y


regulador de voltaje con diodo Zener

39

Fuente de voltaje tipo puente y regulador de


voltaje con diodo Zener

40

Notas para calculo de fuentes


de voltaje

Factor de seguridad del 20% sobre valor


terico en diseo de componentes
Componente

Valor

Variable de
seguridad

Resistencia

Ohms

Potencia

Capacitor

Farads

Voltaje

Transformador

Voltaje del
secundario

Corriente del
secundario

Diodo

Clculo del transformador:


Sin regulador de voltaje
Psec=Pout=PRL
Con regulador zener de
voltaje
Psec=PRS

Corriente directa
Voltaje inverso

Voltaje de rizo:
Sin regulador de voltaje: se calcula en el capacitor y con la corriente de carga
Con regulador Zener de voltaje: se requiere calcular el voltaje de rizo en el capacitor (Vc) y luego
en la RL
41

Fuente positiva fija con regulador de


voltaje integrado LM78XX

42

Fuente positiva fija con regulador de


voltaje integrado LM78XX
Vout

Regulacin Vout

Vin max

Vin min

Iout max

(V)
5

(V)
0.20

(V)
35

(V)
Vout +1.50

(A)
1.0

0.25

35

Vout +1.50

1.0

0.30

35

Vout +1.50

1.0

0.35

35

Vout +1.50

1.0

10

0.40

35

Vout +1.50

1.0

12

0.50

35

Vout +1.50

1.0

15

-0.40, +0.60

35

Vout +1.50

1.0

18

-0.30, +0.70

35

Vout +1.50

1.0

24

1.00

40

Vout +1.50

1.0

43

Fuente positiva fija con regulador de voltaje


integrado LM78XX

44

Fuente negativa fija con regulador de voltaje


integrado LM79XX

45

Fuente de voltaje regulada con salida de +5Vcd y 5Vcd

46

Fuente de voltaje positiva regulada y ajustable con


regulador de voltaje integrado LM317

47

Fuente positiva variable con regulador de


voltaje integrado LM317

48

Fuente de voltaje negativa regulada y ajustable con


regulador de voltaje integrado LM337

49

Fuente negativa variable con regulador de


voltaje integrado LM337

50

Fuente de voltaje con polaridad + y regulada y


ajustable

51