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UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
Una Universidad incluyente y comprometida con el
desarrollo integral

PUENTE H CON MOSFET ACTIVADO POR COMPUERTA LGICA

PRESENTADO POR:
ALFREDO ANAYA PRASCA
COD.1103109528
CARLOS CUASTUMAL VSQUEZ
COD.1085293416
EDGAR GARCA COGOLLO
COD.95061410407

ELECTRNICA DE POTENCIA

PRESENTADO A:
ING. MSC (C) JULIO CSAR OSPINO ARIAS

UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
PAMPLONA - NORTE DE SANTANDER
2015

Universidad de Pamplona
Pamplona - Norte de Santander - Colombia
Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750 - www.unipamplona.edu.co

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desarrollo integral

INTRODUCCIN
Un Puente en H es un circuito electrnico que permite a un motor elctrico
DC girar en ambos sentidos, avance y retroceso.
El puente H propuesto se implementara MOSFET N y P complementarios
para activar el motor. Para activar un sentido de giro se activara los
MOSFET P y N respectivamente; los MOSFET deben estar funcionando en
zona hmica para que su funcionamiento sea optimo ya que en esta zona
los MOSFET el voltaje VDSP,SDN es pequeo entregando la mayora del voltaje
al motor; adems de que en esta zona la temperatura de funcionamiento
relativamente no es tan alta; en comparacin de la temperatura ambiente.
Para activar los sentidos de giro la seal vendr dada por compuerta lgica
TTL; en este parte es donde el diseo del puente H tiene su complejidad. Ya
que las compuerta lgica TTL su seal se limita mucho, la corriente es
pequea; por los tanto condicionara el voltaje que activaran los MOSFET.

Universidad de Pamplona
Pamplona - Norte de Santander - Colombia
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OBJETIVOS

Diseo de puente H con MOSFET, teniendo en cuenta los parmetros


del Motor seleccionado.
Anlisis del comportamiento de los MOSFET canal P y canal N ante
una seal de entrada de compuerta lgica.
Anlisis trmico del puente H.

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CIRCUITO PUENTE H CON MOSFET


(Activado por compuerta lgica)
V+

RC

RC

100k

100k

QA
IRF9640S

U1:A

Vin
1

RB

QB
IRF9640S

Q1

RB

Q2

BC547

BC547

100k

U1:B
4

74LS04

74LS04

QC

Vin

IRF620

QD
Vin

IRF620

R6

R1

100k

100k

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Vin
3

100k

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Pre-diseo
Estimacin de las constantes Kn y Kp, Rdon para los
MOSFET canal P y N.
MOSFET CANAL P (A)

VGG( VSG( ID(m


V)
V)
A)
27

-0,1

26,8

0,2

26,6

0,41

26,4

0,6

26,2

0,8

26

25,8

1,2

25,6

1,4

25,4

1,62

25,2

1,8

25

2,05

24,8

2,2

24,6

2,4

24,4

2,6

24,2

2,8

MOSFET IRF 9640


VSD( (VSG+VT VTH(
zona de trabajo RDON()
V)
H)V
V)
zona
de
27
3,08
saturacin
zona
de
27
3,38
saturacin
zona
de
27
3,59
saturacin
zona
de
27
3,78
saturacin
zona
de
27
3,98
saturacin
zona
de
27
4,18
saturacin
zona
de
27
4,38
saturacin
zona
de
27
4,58
3,18
saturacin
zona
de
27
4,8
saturacin
zona
de
27
4,98
saturacin
zona
de
27
5,23
saturacin
zona
de
27
5,38
saturacin
zona
de
27
5,58
saturacin
zona
de
27
5,78
saturacin
zona
de
27
5,98
saturacin

Universidad de Pamplona
Pamplona - Norte de Santander - Colombia
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RDONp(
)

0,64381

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desarrollo integral

zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin

24

27

6,18

23,8

3,22

0,48

27

6,4

23,7

3,3

1,82

27

6,48

23,6

3,4

6,1

26,9
3

6,58

23,5

3,5

15,4

26,6

6,68

23,4

3,62

36,2

26

6,8

23,3

3,72

86

24,5

6,9

23,2

3,81

148,
4

23

6,99

23,1

3,94

316

17,8

7,12

23

403

15,7

7,18

22,9

4,1

587

10,7
2

7,28

22,8

4,2

690

8,01

7,38

22,6

4,41

943

1,24

7,59

zona hmica

22,4

4,6

960

0,78

7,78

zona hmica

22,2

4,8

954

0,69

7,98

zona hmica

22

958

0,64

8,18

zona hmica

21,8

5,2

956

0,62

8,38

zona hmica

21,6

5,4

960

0,6

8,58

zona hmica

21,4

5,6

961

0,58

8,78

zona hmica

21,2

5,8

960

0,58

8,98

zona hmica

21

958

0,57

9,18

zona hmica

20,8

6,22

961

0,56

9,4

zona hmica

20,6

6,43

956

0,55

9,61

zona hmica

de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de

Universidad de Pamplona
Pamplona - Norte de Santander - Colombia
Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750 - www.unipamplona.edu.co

1,3149522
8
0,8125
0,7232704
4
0,6680584
55
0,6485355
65
0,625
0,6035379
81
0,6041666
67
0,5949895
62
0,5827263
27
0,5753138
08

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desarrollo integral

MOSFET IRF9640 (A)


800
f(x) = 1133.37x^2 - 7701.17x + 13066.8
R = 0.99

600

ID(mA)

400
200
0

3.2

3.4

3.6

3.8

4.2

4.4

VGS(V)

MOSFET CANAL P (B)


MOSFET IRF 9640 (B)
VGG( VSG( ID(m VSD( (VSG+VT VTH(
V)
V)
A)
V)
H)V
V)
zona de trabajo RDON()
3,1
zona
de
27
0
0
27
3,1
saturacin
26,8 0,2
0
27
3,3
zona
de saturacin

Universidad de Pamplona
Pamplona - Norte de Santander - Colombia
Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750 - www.unipamplona.edu.co

RDONp(
)
0,63225

8 de 23

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desarrollo integral

26,6

0,45

27

3,55

26,4

0,6

27

3,7

26,2

0,8

27

3,9

26

27

4,1

25,8

1,2

27

4,3

25,6

1,4

27

4,5

25,4

1,6

27

4,7

25,2

1,8

27

4,9

25

27

5,1

24,8

2,2

27

5,3

24,6

2,4

27

5,5

24,4
24,2
24
23,8
23,7
23,6
23,5

2,64
2,83
3
3,2
3,3
3,43
3,53

0
0
0
0,49
1,33
6,66
18,2

27
27
27
27
27
26,8
7
26,5
3

5,74
5,93
6,1
6,3
6,4
6,53
6,63

23,4

3,6

38,9

26

6,7

23,3

3,7

69,2

25

6,8

23,2

3,8

23,1
23

3,9
4

142
265,
2
456

22,8

6,9

19
13,7

7
7,1

zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona

de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de -

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desarrollo integral

22,8

4,2

715

7,17

7,3

saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin

22,6

4,4

953

1,4

7,5

zona hmica

22,4
22,2

4,6
4,8

949
960

0,78
0,69

7,7
7,9

zona hmica
zona hmica

22

957

8,1

zona hmica

21,8

5,2

957

0,66
0,62
8

8,3

zona hmica

21,6
21,4

5,4
5,6

958
960

0,61
0,6

8,5
8,7

zona hmica
zona hmica

21,2

5,8

966

0,58

8,9

zona hmica

21

966

0,57

9,1

zona hmica

20,8

6,2

963

0,57

9,3

zona hmica

20,6

6,4

963

0,56

9,5

zona hmica

22,9

4,1

11.5
5

552

7,2

de
de
1,469045
121
0,821917
808
0,71875
0,689655
172
0,656217
346
0,636743
215
0,625
0,600414
079
0,590062
112
0,591900
312
0,581516
096

MOSFET IRF9640 (B)


800
f(x) = 1115.6x^2 - 7550.51x + 12757.63
R = 0.99

600

ID(mA)

400
200
0

3.2

3.4

3.6

3.8

4.2

VGS(V)

Universidad de Pamplona
Pamplona - Norte de Santander - Colombia
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4.4

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desarrollo integral

MOSFET CANAL N (C)


MOSFET IRF620
VGS(V ID(mA VDS(V VTH(V Vds<Vgs)
)
)
)
Vth
3,1
0,34
19,95 3,17
-0,07
3,3
2,5
19,9
3,3
3,5
4
19,85
3,5
3,6
14,82 19,23
3,6
3,7
14,35 19,48
3,7
3,8
46,5
18,38
3,8
3,9
56,2
18,28
3,9
4
100
17,2
4
4,1
150
15,56
4,1
220,1
4,2
13,18
4,2
4
4,3
248,7 13,13
4,3
4,4
416
8,8
4,4
4,5
480
7,18
4,5
4,6
554
6
4,6
4,7
635
3,28
4,7

ZONA DE TRABAJO
Zona
Zona
Zona
Zona
Zona
Zona
Zona
Zona
Zona

RDON()

Saturacin
Saturacin
Saturacin
Saturacin
Saturacin
Saturacin
Saturacin
Saturacin
Saturacin

Zona Saturacin
Zona
Zona
Zona
Zona
Zona

Saturacin
Saturacin
Saturacin
Saturacin
hmica

Universidad de Pamplona
Pamplona - Norte de Santander - Colombia
Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750 - www.unipamplona.edu.co

5,1653543
3

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UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
Una Universidad incluyente y comprometida con el
desarrollo integral

4,9

722

0,94

4,9

Zona hmica

5,1

728

0,78

5,1

Zona hmica

5,3

731

0,73

5,3

Zona hmica

5,5

732

0,71

5,5

Zona hmica

5,7

733

0,68

5,7

Zona hmica

5,9

735

0,67

5,9

Zona hmica

6,1

735

0,66

6,1

Zona hmica

6,3

735

0,63

6,3

Zona hmica

6,5

733

0,64

6,5

Zona hmica

6,7

732

0,63

6,7

Zona hmica

6,9

731

0,63

6,9

Zona hmica

733

0,63

Zona hmica

MOSFET IRF620 (C)


700
600

f(x) = 412.32x^2 - 2826.51x + 4825.22


R = 0.99

500
400

ID(mA) 300
200
100
0

3.2

3.4

3.6

3.8

4.2

4.4

4.6

4.8

VGS(V)

Universidad de Pamplona
Pamplona - Norte de Santander - Colombia
Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750 - www.unipamplona.edu.co

1,3019390
6
1,0714285
7
0,9986320
1
0,9699453
6
0,9276944
1
0,9115646
3
0,8979591
8
0,8571428
6
0,8731241
5
0,8606557
4
0,8618331
1
0,8594815
8

12 de 23

UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
Una Universidad incluyente y comprometida con el
desarrollo integral

MOSFET CANAL N (D)


MOSFET IRF620 (D)
VGS(V
)
3,1
3,3
3,5
3,7
3,9
4,1
4,3

ID(mA)
0,32
1,91
8,34
29,4
86,4
197,7
397,4

VDS(V)
19,8
19,75
19,5
18,3
17,44
13,23
8,66

(VGS-VTH)V
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2

ZONA DE TRABAJO
zona de saturacin
zona de saturacin
zona de saturacin
zona de saturacin
zona de saturacin
zona de saturacin
zona de saturacin

RDON()
-

Universidad de Pamplona
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VTH(V)
3,1

13 de 23

UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
Una Universidad incluyente y comprometida con el
desarrollo integral

4,5
4,7
4,9
5,1
5,3
5,5
5,7
5,9
6,1
6,3
6,5
6,7
6,9
7

582
706
719
723
724
725
727
726
730
730
726
727
731
731

7,86
3,465
1,152
0,9
0,73
0,71
0,65
0,64
0,63
0,63
0,62
0,62
0,64
0,64

1,4
1,6
1,8
2
2,2
2,4
2,6
2,8
3
3,2
3,4
3,6
3,8
3,9

zona
zona
zona
zona
zona
zona
zona
zona
zona
zona
zona
zona
zona
zona

de saturacin
hmica
hmica
hmica
hmica
hmica
hmica
hmica
hmica
hmica
hmica
hmica
hmica
hmica

4,907932011
1,602225313
1,244813278
1,008287293
0,979310345
0,894085282
0,8815427
0,863013699
0,863013699
0,85399449
0,852819807
0,875512996
0,875512996

MOSFET IRF620 (D)


700
600
f(x) = 487.86x^2 - 3310.47x + 5595.54
R = 0.99

500

ID(mA)

400
300
200
100
0

3.2

3.4

3.6

3.8

4.2

4.4

VGS(V)

Tabla resumen de parmetros determinados de los MOSFET N,P.

Universidad de Pamplona
Pamplona - Norte de Santander - Colombia
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4.6

14 de 23

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desarrollo integral

V th (V)

Referencia
IRF9640 (A)
IRF9640 (B)
IRF620 (C)
IRF620 (D)

3,18
3,18
3,17
3,17

R DON ( )
0,64
0,63
0,92
0,94

KN , P(
1,13
1,11
0,48
0,41

Medicin de Vce BJT BC547


BJT NPN (Q1)
TRANSISTOR BC547
VB( V+ VCE
V)
(V) (mV)sat
2,4 12
13,16
3,5 12
9,51
5
12
7,53

BJT NPN (Q2)


TRANSISTOR BC547
VB(V)
V+(V) VCE

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A
)
V2

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Una Universidad incluyente y comprometida con el
desarrollo integral

2,4
3,5
5

(mV)sat
13,03
9,32
7,36

12
12
12

Medicion de Im e Ia de motor
V+

IM(mA
)
743

12

IA(mA)
973

CALCULOS PARA DETERMINAR V e I DE LA COMPUERTA LOGICA

Linealizacin de la compueta Logca


0.6
0.4

Ioh(mA)

f(x) = - 0.17x + 0.85

0.2
0
2.5

3.5

4.5

5.5

Voh(V)

0,020,49
=0,165
( 52,7)
y=mx +b Reemplazando valores

m=

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desarrollo integral

0,02=(0,1655 ) +b
se obtiene que:

b=0,846

Los valores de voltaje de entrada y corriente de la compuerta son los


siguientes
V OH =3,4 V

I OH =0,28 mA

Con la ecuacin de la recta ( y y o )=m ( xx o )


que trabaja la compuerta
mA
( I DH 0,02 mA ) =0,165 V ( 3,4 V 5 V )
Despejando se obtiene que:

se obtiene la corriente con

I DH =0,2843 mA

CALCULOS PARA DETERMINAR RP,RN,RB

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Una Universidad incluyente y comprometida con el
desarrollo integral

Aplicando LVK en la malla se obtiene


R
( B0,2843 mA )+0,7 V
3,4 V +
Se despeja el valor de la resistencia

RB =9,49 K

I C =hfeI B =1700,2843 mA=48,331mA


Aplicando LVK en la malla se obtiene
R
( P48,331 mA)=11,98 V

Despejando el valor de la resistencia


Para la resistencia
RN =

RN

RP =242

por ley de ohm

V OH
4V
=
=14,069 K
V OH 0,2843 mA

ANALISIS TERMICO

Anlisis trmico MOSFET IRF620 (C)

Ta=31 Temperatura mxima de ambiente (pamplona)


=0,7 A
RDON =0,92
RJA=62,5 /W

Por ley de ohm trmica: temperatura de unin (TJ)


2
TJ Ta= RDON RJA
Reemplazando se obtiene
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desarrollo integral

TJ =28,175+ 31=59,175
Hallamos la constante del disipador

K=

59,175
=0,39
150

Se comprueba que el MOSFET IRF620 (C) no necesita disipador de calor.

Anlisis trmico MOSFET IRF620 (D)

Ta=31 Temperatura mxima de ambiente (pamplona)


=0,7 A
RDON =0,94
RJA=62,5 /W
Por ley de ohm trmica: temperatura de unin (TJ)
2
TJ Ta= RDON RJA
Reemplazando se obtiene
TJ =28,787 +31=59,787
59,7875
=0,39
Hallamos la constante del disipador K=
150
Se comprueba que el MOSFET IRF620 (D) no necesita disipador de calor.

Anlisis trmico MOSFET IRF9640 (A)

Ta=31 Temperatura mxima de ambiente (pamplona)


=0,7 A
RDON =0,64
RJA=62,5 /W

Por ley de ohm trmica: temperatura de unin (TJ)


TJ Ta=2RDON RJA
Reemplazando se obtiene
TJ =19,58+ 31=50,58
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Una Universidad incluyente y comprometida con el
desarrollo integral

Hallamos la constante del disipador

K=

50,58
=0,33
150

Se comprueba que el MOSFET IRF9640 (A) no necesita disipador de calor.

Anlisis trmico MOSFET IRF9640 (B)

Ta=31 Temperatura mxima de ambiente (pamplona)


=0,7 A
RDON =0,63
RJA=62,5 /W
Por ley de ohm trmica: temperatura de unin (TJ)
2
TJ Ta= RDON RJA
Reemplazando se obtiene
TJ =19,6 +31=50,6
50,6
=0,33
Hallamos la constante del disipador K=
150
Se comprueba que el MOSFET IRF9640 (B) no necesita disipador de calor.

IMPLEMENTACIN DEL PUENTE H

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Observacion: ya que el voltaje que trabaja la compuerta para activar los


MOSFET de canal N no es suficiiente,comprabando estos con la medicion
V GS
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Con compuerta:
V GS

medido: 3.548V
I=

3,548 V
=239,56 A
14,81 k

Sin compuerta:
V GS

medido: 4,88V
I=

4 , 48V
=329, 507 A
14,81 k

2 ( v GSV Th ) ( I A R DON ) (I A R DON )


despejando V GS teorico es 3,614V en
I A =K N
comparacion del medido que es 3,548V se deduce que la compuerta no
tiene el voltaje suficiente para que los MOSFET de canal N trabajen en zona
ohmica
MEDICIN DE SENTIDO HORARIO
BJT
VCE(V)
0,32

VSD(V)
0,34

VDS(V)
1,15

IC(mA)
47,41

IB( A)
280,85

TC(c)
25

MOSFET CANAL P
VSG(V)
ID(A)
TC(c)
11,5
0,762
32

VGS(V)
4,82

Tac)
21

VOH(V)
3,43

Ta(c)
21

MOSFET CANAL N
ID(A)
Ta(c)
TC(c)
0,772
21
57

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Iint(mA)
0,31

Vint(V)
4,88

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desarrollo integral

MEDICIN DE SENTIDO ANTI- HORARIO

VCE(V)
0,31

IC(mA)
47,13

MOSFET CANAL P
VSG(V)
ID(A)
11,46
0,727

VSD(V)
0,29

VDS(V)
1,09

BJT
IB( A)
TC(c)
285,10
24

VGS(V)
4,83

ID(A)

Tac)
22

TC(c)
27

MOSFET CANAL N
Ta(c)
TC(c)
22
56

VOH(V)
3,4

Ta(c)
22

Iint(mA)
0,32

OBSERVACIONES

CONCLUSIONES

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Vint(V)
4,89

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desarrollo integral

Segn las mediciones tomadas en el circuito del puente H y los


clculos tericos que en encuentra que la seal de las compuertas es
insuficiente para activar los MOSFET de canal N.
Al momento de realizar el anlisis trmico del MOSFET de canal N
se determina que la constante es menor a 0,5.pero en la prctica
presenta una temperatura considerable

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