Está en la página 1de 30

UNIDAD TEMTICA II

ESTRUCTURA DE LOS MATERIALES


INTRODUCCIN

Los ensayos macroestructurales no permiten justificar las causas del comportamiento del material, o las
anmalas variaciones del mismo y, por otra parte, profundizar en las causas locales del deterioro o fallo en
servicio.
Es necesario disponer de otros elementos que nos permitan analizar la constitucin del material a niveles
donde se requiere una observacin microscpica, con el objetivo de encontrar las causas que justifiquen el
comportamiento resistente de las piezas, adems de establecer modelos de correlaciones entre las
caractersticas del material (Cm), y las variables microestructurales (Xm), es decir Cm = f (Xm)
Los mtodos de laboratorio para anlisis microestructural son:
a) Anlisis qumico general del material
b) Anlisis metalogrfico, con observacin por microscopio ptico o, alternativamente, por
microscopio electrnico de barrido (MEB).
c) Anlisis qumico de componentes microestructurales.
d) Dureza y microdureza
e) Anlisis de las estructuras cristalinas e identificacin de fases por mtodos de difraccin de rayos
X.
En esta unidad nos ocuparemos de los anlisis grficos de los materiales (apartado b), metalografa, y de
sus microdurezas.

FUNDAMENTOS DE LA METALOGRAFA Y MATERIALOGRAFA

La metalografa es la tcnica que nos permite conocer la organizacin espacial de fases y


compuestos que forman un material metlico. Mientras que la materiolografa es cuando la
tcnica se aplica a cualquier material, y por tanto nos permite estudiar:
a) los diversos compuestos y fases,
b) las diferentes formas y tamaos que adoptan en la estructura,
c) las diversas configuraciones entre las fases y los compuestos.

ANLISIS DE LA TCNICA METALOGRAFCA

Para un ensayo metalogrfico son necesarias una serie de etapas:


1) Seleccin de la muestra, en esta etapa se rene tanto su dimensionamiento como la
ubicacin de las probetas y es funcin del objetivo de la investigacin o control de calidad. La
muestra escogida debe satisfacer las condiciones de amplitud y representatividad estadstica,
ms cuando la dimensin de la probeta unitaria se reduce a unos pocos milmetros.
Si corresponde a un control rutinario, la seleccin es por mtodos aleatorios. Si, por el
contrario, se investiga la causa de un fallo, la probeta debe ser tan prxima como se puede a
su hipottico origen. La probeta puede tener cualquier forma y dimensiones equivalentes a un
paraleleppedo de 5 a 15 mm de lado.
2) Extraccin de la probeta, la extraccin se realiza mediante un corte manual o con equipo
especializado. En cualquier caso deber evitarse el calentamiento, pues ello podra modificar
el estado del material a ensayar.
3) Preparacin de la probeta, este es un proceso que ejecutamos obre la probeta con el fin de
permitir la observacin de las peculiaridades de su estructura por medio del microscopio.
Existen principalmente dos maneras para la preparacin de la probeta:
a) por va mecnica
b) por va electroltica
En ambos mtodos puede ser necesario montar la probeta metlica sobre un soporte de
plstico, conseguido por proceso de embuticin a baja temperatura en una prensa hidrulica.
4) Observacin microscpica, en la mayora de los materiales, los granos constituyentes son
de dimensiones microscpicas, con dimetros del orden de micrmetros y sus detalles se
deben investigar mediante algn tipo de microscopio.

EL MICROSCOPIO PTICO

Con el microscopio ptico se utiliza la luz para estudiar la microestructura. En aquellos


materiales que son opacos a la luz visible slo la superficie es susceptible de ser observada, y
la luz del microscopio se debe usar en reflexin. Las distintas regiones de la microestructura
originan diferencias en la reflexin y stas producen contrastes en la imagen. Parte de la luz
incidente reflejada desde la superficie de la muestra se amplificara al pasar a travs del
sistema inferior de lentes, el objetivo, y continuar hacia arriba a travs del reflector de vidrio
plano; luego, una vez ms lo amplificar el sistema superior de lentes, el ocular.
1) Aumentos. Se denomina aumento del microscopio (A m ) a la relacin sobre el tamao de la
imagen y el del objetivo.
2) Poder de resolucin. Es la capacidad de un objeto para producir imgenes separadas y
distintas de dos detalles del objeto muy prximos. Es funcin directa de la longitud de onda, ,
de la luz incidente e inversa del ndice de refraccin del medio, n, y del ngulo de
semiabertura de la lente objetivo. El poder de resolucin queda cuantificado por medio de la
distancia mnima, d, entre dos detalles que son observados o resueltos por el microscopio.

El ndice n toma el valor 1 para el aire, 1,515 para el aceite de cedro y 1,7343 para el
monobromuro de naftalina, entre los ms usados. El valor mximo del ngulo es de 90 pero
o
por razones tcnicas no supera los 72 .
Se deduce que podemos ganar en resolucin, slo por la inmersin de la muestra en lquidos
de mayor ndice de refraccin, n, que el aire, pues no nos es posible iluminar con mayores ,
que adems sean perceptibles por el ojo humano. Aunque en la microscopa ptica se
empleen diversos tipos de iluminacin adems de la luz blanca, estos no aportan una mayor
resolucin, pero si facilitan la separacin de los incidentes observables.
El poder de resolucin del microscopio puede quedar limitado por el propio poder de
resolucin del ojo del observador.
3) Profundidad de campo. Tambin se llama penetracin o resolucin vertical del objetivo, y
es la capacidad de dar imgenes ntidamente enfocadas, cuando la superficie del objeto no es
completamente plana. La profundidad de campo es inversamente proporcional a los aumentos
propios del objetivo.

MICROSCOPIO ELECTRNICO DE BARRIDO (MEB)

El limite de aumentos del microscopio ptico es de aproximadamente 2.000 dimetros.


Algunos elementos estructurales son demasiado finos o pequeos para su observacin
mediante microscopia ptica. En estas circunstancias se utiliza el microscopio electrnico,
capaz de conseguir muchos ms aumentos.
La imagen de la estructura investigada se genera utilizando haces de electrones en lugar de
radiacin lumnica. De acuerdo con la mecnica cuntica, un electrn de elevada velocidad
acta como una onda, con una longitud de onda inversamente proporcional a su velocidad.
Los electrones acelerados mediante altos voltajes, pueden conseguir longitudes de onda del
orden de 0,003 nm (3pm). Estos microscopios tienen grandes aumentos y elevado poder
resolutivo como consecuencia de la corta longitud de ondas del haz de electrones.
El poder de resolucin viene limitado, sin embargo, por el pequeo valor de la abertura del
microscopio, impuesto por las aberraciones de las lentes electrnicas. Esta dbil apertura
proporciona al microscopio electrnico una gran profundidad de campo.
La superficie de la probeta a examinar se barre con un haz de electrones y el haz reflejado de
electrones se recoge y se muestra con la misma velocidad de barrido en un tubo de rayos
catdicos (una pantalla similar a la TV). La imagen que aparece en la pantalla, que puede
fotografiarse, representa las caractersticas de la probeta. La superficie debe ser
elctricamente conductora, independientemente de que est o no pulida y atacada.
Son posibles aumentos de 10 a 50.000 dimetros, con gran profundidad de campo. Equipado
con accesorios, consigue el anlisis qumico elemental cualitativo y semicuantitativo de reas
superficiales muy localizadas.

PROCEDIMIENTO DE ANLISIS

a) Realizar la embuticin de cada probeta metlica en resina de polimetilacrilato, mediante la


prensa de embuticin metalografca, y por calentamiento hasta temperaturas de 150C.
b) Efectuar el pulido mecnico mediante hojas de esmeril y polvo abrasivo cermico, almina
o pasta de diamante, aplicando el siguiente procedimiento:
b.1) aplicar los sucesivos grados de esmeril en orden a disminuir el grado de rayado
b.2) aplicar las diferentes pasadas en direccin normal a las anteriores, lo que facilitar
la disminucin del rayado
b.3) aplicar agua en el lijado, a fin de evitar elevaciones de temperaturas puntuales
b.4) controlar la presin aplicada a fin de no incidir en elevaciones de temperaturas que
modifiquen el estado de acritud en la aleacin o metal
b.5) ultimar la preparacin mediante pulido con pasta de diamante o almina, de fina
granulometra, hasta conseguir el pulido espejo
c) Observar detenidamente las probetas por microscopa ptica y fotografiar los aspectos ms
sobresalientes
d) Atacar cada probeta con los reactivos y durante un tiempo determinado
e) Observar detenidamente las probetas ensayadas por microscopa ptica. Efectuar
fotografas de las partes ms representativas, empleando las siguientes tcnicas de
iluminacin:

NATURALEZA DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA

Si sometemos a un par de tomos a unas variaciones de presin y temperatura determinadas,


adquirirn una posicin de equilibrio que corresponde a una distancia interinica (d o ) en la que
se encuentra el mnimo de energa potencial.
La curva de energa potencial es la agregacin de dos ms simples:
a) la de atraccin (debida a las fuerzas electrostticas de enlace)
b) las de repulsin (debidas a la interaccin de los orbitales externos de los tomos
cuando las distancias interatmicas se reducen)

Figura. Energa potencial interatmica.

Las energas potenciales de atraccin y las correspondientes fuerzas son causa de los
diversos tipos de enlaces qumicos entre los tomos. En los slidos existen tres tipos de
enlace qumico: inico, covalente y metlico. En todos ellos, el enlace implica a los electrones
de valencia; por otra parte, la naturaleza del enlace depende de la estructura electrnica de
los tomos constituyentes. Cada uno de estos tres tipos de enlace surge de la tendencia de
los tomos a adquirir la configuracin electrnica de gas noble, llenando completamente de
electrones el nivel energtico ms externo, llamado nivel de valencia.

ENLACE INICO.

Existe en compuestos formados por elementos metlicos y no metlicos, es decir, entre


elementos situados en los extremos horizontales de la tabla peridica. Los tomos de un
elemento metlico dan fcilmente los electrones de valencia a tomos de un no metal, que es,
a su vez, un buen aceptor de electrones. En este proceso todos los tomos adquieren una
configuracin estable de gas noble, para ello se han de ionizar cargndose elctricamente. El
cloruro sdico (NaCI) es el compuesto inico clsico, el tomo de sodio (Na) es el donador
cediendo un electrn de valencia al cloro (CI). Despus de esta transferencia electrnica, el
+
ion cloro tiene una carga negativa, Cl , y el ion sodio una carga positiva, Na . En el proceso
de ionizacin, los electrones del metal son transferidos al de no metal con lo que se alcanza
una mayor estabilidad.

tomo
tomo
Ion
Ion
+
cloruro, Cl
de sodio, Na
de cloro, Cl
. sodio, Na
Radio
Radio
Radio
Radio
atmico =
atmico =
inico =
inico =
0,192 nm
0,099 nm
0,095 nm
0,181 nm
Figura: Formacin de un par inico ion sodio-ion cloro a partir de tomos de sodio y cloro. En el
1
proceso de ionizacin, un electrn 3s es transferido del tomo de sodio a un 3p semiocupado del
tomo de cloro.
Los enlaces inicos se forman entre iones de carga opuesta al producirse una disminucin
neta de la energa potencial en los iones enlazado,. Un ejemplo de slido con alto grado de
enlace inico es el cloruro sdico (ClNa). En el proceso de ionizacin para formar un par
+
1
inico Na Cl , un tomo de sodio pierde su electrn ms externo 3s y lo transfiere al orbital
+
3p que est medio ocupado de un tomo de cloro produciendo un par de iones Na y Cl .
En el proceso de ionizacin, el tomo de sodio que originalmente tena un radio de 0,192 nm
reduce su tamao a un catin sodio con un radio de 0,095 nm, y el tomo de cloro que
originalmente tena un radio de 0,099 nm aumenta su tamao transformndose en un ion cloro
de radio 0,181 nm.
El tomo de sodio reduce su tamao al transformarse en ion debido a la prdida del electrn
1
de su capa ms externa 3s y al disminuir la relacin electrn/protn. El ncleo del ion sodio
con alta carga positiva atrae fuertemente hacia s la nube de carga electrnica dando lugar a
una reduccin del tamao del tomo durante la ionizacin. Por el contrario, el tomo de cloro
aumenta su tamao durante la ionizacin al aumentar la relacin electrn/protn. Durante la
ionizacin los tomos reducen su tamao al formar cationes y aumentan su tamao al formar
aniones.
Fuerzas interinicas para un par inico
+

Consideremos un par de iones de carga opuesta (por ejemplo, un par inico Na CI )


aproximndose desde una distancia de separacin a. A medida que los iones se van
acercando sern atrados por fuerzas de Coulomb. De forma que, el ncleo de un ion atraer
la carga de la nube electrnica del otro, y viceversa. Cuando los iones se aproximen an ms,
eventualmente sus dos nubes electrnicas interaccionarn y aparecern fuerzas repulsivas.
Cuando las fuerzas atractivas igualen a las repulsivas, no habr fuerza neta entre los iones y
stos permanecern a una distancia de equilibrio, la distancia interinica a. La Figura
siguiente muestra esquemticamente para un par inico las curvas fuerza/distancia
interinica.

La fuerza neta entre un par de iones con carga opuesta es igual a la suma de fuerzas
atractivas y fuerzas repulsivas. As que,

Fneta = Fatract;va + Frepuls;va


Las fuerzas de atraccin entre el par inico son fuerzas de Coulomb (al considerar a los iones
como cargas puntuales). Usando la ley de Coulomb con unidades del sistema SI podemos
escribir la siguiente ecuacin:

Fatractiva =

( Z 1 e)( Z 2 e)
4 0 r 2

donde Z1 y Z2 = nmero de electrones cedidos o aceptados por los tomos durante la formacin de
los correspondientes iones
e = carga del electrn (1,60x10

-19

C)

r = distancia interinica

o = permitividad en el vaco = 8,85 x10-12

C /(N . m )

La fuerza repulsiva entre un par inico ha resultado ser experimentalmente proporcional a la


distancia de separacin interinica r y puede ser descrita por la ecuacin

Frepulsiva =

nb
r n +1

donde r es la distancia de separacin interinica y b y n son constantes; n vara generalmente de


7 a 9, siendo 9 para NaCl.

Figura: Fuerza/distancia de separacin, para un par de iones de carga


opuesta. La distancia interinica de equilibrio es ao.

Ejercicio 1. Calcular la fuerza de atraccin culombiana y la fuerza de repulsin entre un par de


+
+
iones Na y Cl que acaban de ponerse en contacto. Considrese que el radio inico del Na es
0,095 nm y el del ion Cl es 0,181 nm.
Datos: e = carga del electrn (1,60x10

-19

C);

o = permitividad en el vaco = 8,85 x10-12

C /(N . m )

ESTRUCTURA ATMICA Y ENLACE

El trmino energa de atraccin representa la energa liberada cuando los iones se acercan y es
negativa porque el producto de (+Z1) (-Z2) es negativo.

Eatractiva =

( Z1 e)( Z 2 e)
4 0 a

El trmino de la energa repulsiva la representa la energa absorbida cuando los iones se


aproximan y es positiva.

Erepulsiva =

b
an

La suma de las energas asociadas con la atraccin y la repulsin de los iones es igual a la
energa total, que es mnima cuando la distancia de separacin entre los iones es la distancia de
equilibrio a.

Eneta =

( Z1 e)( Z 2 e) b
+ n
4 0 a
a

La figura que se observa a continuacin muestra la relacin entre estas tres energas e indica la
energa mnima Emin.. En el mnimo de energa la fuerza entre los iones es cero.

Ejercicio 2. Calcular la energa potencial neta de un par inico sencillo Na Cl haciendo uso de
la ecuacin:

Eneta =

( Z1 e)( Z 2 e) b
+ n
4 0 a
a
+

y tomando como b el valor obtenido de la fuerza repulsiva calculada para el par inico Na Cl en
el ejercicio anterior Considerar n = 9 para el NaCI.

Figura Disposiciones de empaquetamiento inico en (a) CsCl y (b) NaCl. Ocho iones Cl se pueden
+
+
empaquetar en torno a un ion Cs , pero slo seis iones Cl se pueden empaquetar en torno a un ion Na .

Energas de enlace de slidos inicos

Las energas reticulares y los puntos de fusin de slidos con enlaces inicos son
relativamente altas, como se indica en la tabla que recoge las energas reticulares y los
puntos de fusin de una seleccin de slidos inicos. As como el tamao del ion se
incrementa conforme se avanza en un grupo en la tabla peridica, la energa reticular
disminuye. Por ejemplo, la energa reticular del LiCl es 829 KJ/mol (198 Kca/mol), mientras
que la del CsCI es slo 649 KJ/mol (155 Kca/mol). La razn para esta disminucin de la
energa reticular es que los electrones de enlace en los iones ms grandes se encuentran
ms lejos de la influencia atractiva de los ncleos positivos. Asimismo, la presencia de
electrones de enlace mltiple en un slido inico aumenta la energa reticular, como por
ejemplo el MgO que tiene una energa reticular de 3.932 KJ/mol (940 Kcal/mol).

ENLACE COVALENTE
Un segundo tipo de enlace atmico primario es el enlace covalente. Mientras que el enlace
inico involucra tomos muy electropositivos y electronegativos, el enlace covalente se forma
entre tomos con pequeas diferencias en electronegatividad y prximos en la tabla peridica.
En el enlace covalente los tomos generalmente comparten sus electrones externos s y p con
otros tomos, de modo que cada tomo alcanza la configuracin electrnica de gas noble.
En un enlace covalente sencillo cada uno de los tomos contribuye con un electrn para formar
el par de electrones y las energas de ambos tomos enlazados covalentemente son menores
(mayor estabilidad) como consecuencia de la interaccin de los electrones. Mediante
enlazamiento covalente se pueden formar enlaces mltiples entre tomos iguales o tomos
distintos.
Tabla Energas reticulares y puntos de fusin de algunos slidos nicos
Slidos
inicos
LiCI
NaCI
KCI
RbCI
CsCI
Mg0
Ca0
Sr0
Ba0
*

Energas de enlace*
KJ/mol
Kcal/mol
829
766
686
670
649
3932
3583
3311
3127

198
183
164
160
155
940
846
791
747

Punto de
fusin, C
613
801
776
715
646
2800
2580
2430
1923

Todos los valores son negativos para la formacin de enlace (se libera energa).

ENLACE METLICO
Un tercer tipo de enlace atmico primario es el enlace metlico, que se presenta en los metales
slidos. En los metales en estado slido, los tomos estn empaquetados relativamente juntos
en una ordenacin sistemtica o estructura cristalina. Por ejemplo, la disposicin de los tomos
de cobre en el cobre cristalino se encuentran formando una estructura en la que los tomos
estn tan juntos que sus electrones externos de valencia son atrados por los ncleos de sus
numerosos vecinos. En el caso de cobre slido, cada tomo est rodeado por 12 vecinos ms
prximos. Los tomos de valencia no estn, por tanto, asociados exclusivamente a un ncleo
particular, de esta manera se extienden entre todos los tomos en forma de una nube de carga
electrnica de baja densidad.
Los slidos metlicos se representan como formados por ncleos de iones positivos (tomos
sin electrones de valencia) y por electrones de valencia dispersados en forma de una nube
electrnica que cubre una gran extensin de espacio. Los electrones de valencia estn
dbilmente unidos a los ncleos de iones positivos y pueden separarse fcilmente del metal
cristalino por lo que se denominan frecuentemente electrones libres. Las altas
conductividades trmica y elctrica de los metales se basan en la teora de que algunos
electrones son libres para moverse a travs de la celda cristalina del metal. La mayora de los
metales pueden deformarse considerablemente sin fracturas porque los tomos del metal
pueden deslizar unos sobre otros sin distorsionar completamente la estructura del enlace
metlico.

10

Los tomos en un metal slido enlazan consigo mismos por enlace metlico para alcanzar un
estado de ms baja energa (ms estable). En este tipo de enlace los electrones de valencia
ms externos de los tomos son compartidos por muchos tomos circundantes, y as en
general, el enlace metlico es no direccional.

DISPOSICIN ESPACIAL DE TOMOS.

Si consideramos solamente la energa potencial de los tomos podremos suponerlos como centrados
en sus posiciones medias y separados una distancia citada d0. Se comporta cada tomo como si de
una esfera se tratara, con un radio de magnitud d0/2. Es lo que se denomina modelo de esferas duras
y, en consecuencia, la distancia d0 se corresponde con el dimetro de la esfera o dimetro atmico.
Cuando existe una agregacin de tomos las fuerzas interatmicas de larga distancia, atracciones,
producen un acoplamiento de los tomos en unas estructuras lo ms densas posibles. Segn el
modelo de esferas duras, el acoplamiento en un plano (p.e. AlCl3) se alinean a lo largo de tres rectas
fsicamente equivalentes que forman entre s ngulos de 120, denominadas direcciones densas.
Se dice que una estructura es cristalina si esta formada espacialmente por una sucesin
regular de planos cristalinos, no necesariamente de mxima densidad.

11

TIPOS PRINCIPALES DE REDES CRISTALINAS.

La celda unitaria es la menor subdivisin de una red que retiene las caractersticas
generales de toda la retcula. Una celda unitaria se indica en la red mediante lneas
gruesas. Reuniendo celdas unitarias idnticas, se construve toda la red.

Una red (o retcula) es un arreglo peridico de puntos en el espacio.


La celda (o celdilla) unitaria (delineada con trazo grueso) es la
mnima subdivisin de una red que manifiesta las caractersticas de
toda la red.

Se consideran 14 tipos de celdas unitarias, o redes de Bravais, agrupadas en siete


estructuras cristalinas). Los puntos reticulares estn en las esquinas de las celdas
unitarias, y en algunos casos, en el centro de cada una de las caras o de toda la celda.
Consideremos ciertas caractersticas de una red o de su celda unitaria.

PARMETROS DE RED

Los parmetros reticulares, que describen el tamao y la forma de la celda unitaria, son
las dimensiones de los lados de la celda unitaria y los ngulos que forman. En un sistema
cristalino cbico, slo la longitud de un lado del cubo es necesaria para describir
completarnente la celda (se suponen ngulos de 90 a menos que se especifique lo
contrario). Esta longitud medida a la temperatura del ambiente es el parmetro de red a o .
-8
La longitud suele indicarse en angstrorns, donde 1 angstrom (A) = 10 cm
Se requieren varios parmetros de red para definir el tamao v la forma de celdas
unitarias complejas. Para una celda unitaria ortorrombica, se deben especificar las medidas de los tres lados de la celda, a o , b o y c o . La celda unitaria hexagonal requiere dos
dimensiones a o y c o , as como el ngulo de 120 entre los ejes a o , y 90 entre a o y c o . La
ms compleja de las celdas unitarias, la triclnica, se define rnediante tres lados y tres
ngulos diferentes.

12

REDES DE BRAVAIS

NMERO DE TOMOS POR CELDA UNITARIA

Un nmero especfico de puntos de red define a cada una de las celdas unitarias. Por
ejemplo, las esquinas de las celdas son fcilmente identificables, al igual que las posiciones
de centrado en el cuerpo y en las caras. Si se cuenta el nmero de puntos reticulares que
pertenecen a cada celda, debe notarse que los puntos citados pueden estar compartidos por
ms de una celda unitaria. Un punto de red en la esquina de una celda es compartido por
siete celdas adyacentes; slo 1/8 de cada esquina pertenece a una celda en particular y las
caras con .

13

Las redes cristalinas nos las encontramos, obligatoriamente, en materiales cermicos y metlicos, y
con menos profusin en los orgnicos.
El ordenamiento atmico en slidos cristalinos puede representarse asimilando los tomos a los
puntos de interseccin de una red de lneas en tres dimensiones.
El nmero de tomos por celda unitaria es el producto del nmero de tomos por punto reticular
multiplicado por el nmero de puntos de red por celda unitaria. En la mayora de los metales se
localiza un tomo en cada punto de red, de modo que el nmero de tomos es igual al nmero
de puntos reticulares. Las estructuras de celdas unitarias: cbica simple (CS), cbica centrada
en las caras (FCC) y cbica centrada en el cuerpo (BCC).

Figura: Celdillas unidad BCC: (a) de posiciones atmicas; (b) de esferas rgidas;(c) celdilla unidad aislada

Figura: Celdillas unidad FCC: (a) de posiciones atmicas; (b) de esferas rgidas; (c) celdilla unidad aislada.

En estructuras ms complicadas, particularmente materiales compuestos y cermicos, muchos y


aun cientos de tomos pueden estar asociados con cada punto de la red, formando celdas
unitarias muy complejas.

Figura: Modelos para las celdas unitarias cbica centrada en las caras (FCC), cbica centrada en el cuerpo
(BCC) y cbica simple (CS), suponen slo un tomo por nodo de red.

14

PRINCIPALES ESTRUCTURAS CRISTALINAS METLICAS

La mayor parte de los metales elementales (90%) cristalizan al solidificar en tres estrucutras cristalinas de
empaquetamiento compacto: cbica centrada en el cuerpo (BCC), cbica centrada en las caras (FCC) y
hexagonal compacta (HCP). La estructura HCP es una modificacin ms densa de la estrutura cristalina
hexagonal sencilla. La mayoria de los metales cristalizan en esta estructura de denso empaquetamiento
debido a que se libera energa a medida que los tomos se aprximan y se enlazan fuertemente entre si.
ESTRUCTURA CRISTALINA CBICA CENTRADA EN EL CUERPO (BCC)

Aqu hay un total de dos tomos por celdilla unidad

Celdilla unidad BCC que muestra la


relacin entre la constante de
red a y el radio atmico R.

FEA (factor de empaquetamiento tomico)

Factor de empaquetamiento tomico =

volumen de tomos en celdilla unidad


volumen de celdilla unidad

Ejercicio 3. El hierro a 20C es BCC con tomos de radio tomico 0,124 nm. Calcular la constante de
red a para el lado del cubo de la celdilla unidad del hierro.

15

Ejercicio 4. Calcular el factor de empaquetamiento (FEA), para la celdilla unidad BCC, considerando
a los tomos como esferas rgidas.

ESTRUCTURA CRISTALINA CBICA CENTRADA EN LAS CARAS (FCC)

Aqu hay un total de cuatro tomos por celdilla unidad. El FEA toma el valor de 0,74. Metales como el
aluminio, cobre, plomo, nquel y hierro a elevadas temperaturas (entre 912C y 1.394C) cristalizan en
este tipo de estructura.

Celdilla unidad FCC que muestra la relacin entre la


constante de red a y el radio atmico R. Los tomos
contactan a lo largo de las diagonales de las
caras 2a = 4R

Ejercicio 5. El cobre es FCC y tiene una constante de red de 0,3615 nm. Determinar el valor del radio
atmico de un tomo de cobre en nanmetros.

16

ESTRUCTURA CRISTALINA HEXAGONAL COMPACTA (HCP)

Aqu hay un total de seis tomos por celdilla unidad. El FEA toma el valor de 0,74. Metales como el
aluminio, cobre, plomo, nquel y hierro a elevadas temperaturas (entre 912C y 1.394C) cristalizan en
este tipo de estructura.

Hexagonal sencilla
HCP

La estructura HPC es la tercera estructura cristalina metlica


ms comn, se muestra en las figuras adjuntas. Los metales
no cristalizan en la estructura cristalina hexagonal simple
(sencilla) porque el APF es demasiado bajo. Los tomos
pueden alcanzar un estado de menor energa y unas
condiciones ms estables forzando la estructura HCP. El APF
de esta estructura es 0,74. el mismo que para la estructura
cristalina FCC, puesto que en ambas estructuras los tomos
estn empaquetados lo ms juntos posible. En ambas
estructuras cristalinas, HCP y FCC, cada tomo est rodeado
por otros 12 tomos por lo que ambas estructuras tienen un
nmero de coordinacin de 12.

La celdilla unidad aislada de la estructura HCP tiene un equivalente de seis tomos por celdilla
unidad. Tres tomos forman un tringulo en la capa intermedia como queda reflejado por las
posiciones atmicas en las figuras anteriores. Hay seis x 1/6 secciones de tomos en las capas
superior e inferior, contribuyendo con un equivalente de dos tomos ms por celdilla (2 x 6 x 1/6
= 2). Finalmente, hay medio tomo en cada capa superior e inferior contribuyendo entre ambas
con un equivalente de un tomo ms por celdilla. As, el nmero total de tomos por celdilla
unidad en la estructura cristalina HCP es de 3 + 2 + 1 = 6.
La relacin entre la altura c del prisma hexagonal de la estructura cristalina HCP y el lado a
de su base se llana relacin c/a. La relacin c/a para una estructura cristalina HCP ideal formada
por esferas uniformes empaquetadas tan juntas como sea posible es 1.633. La tabla que
mostramos a continuacin recoge los valores de la relacin c/a para algunos metales HCP. De
entre los metales citados, cinc y cadmio tienen una relacin c/a superior a la ideal lo que indica
que los tomos de estas estructuras estn ligeramente elongados a lo largo el eje c en la
celdilla unidad HCP. Los metales magnesio, cobalto, circonio, titanio y berilio tienen una relacin
c/a menor que la ideal. Por tanto, en estos metales los tomos estn ligeramente comprimidos
en la direccin del eje c.

17

Algunos metales con estructura HCP a temperatura ambiente (20 C), sus constantes reticulares,
sus radios atmicos relaciones c/ a

Metal

Constantes de red
(nm)
a
c

Radio atmico R,
nm

Relacin
c/a

Cadmio
Cinc

0,2973
0,2665

0,5618
0,4947

0,149
0,133

1,890
1,856

% de desviacin
de la relacin
ideal
+15,7
+13,6

HCP ideal
Magnesio
Cobalto
Circonio
Titanio
Berilio

0,3209
0,2507
0,3231
0,2950
0,2286

0,5209
0,4069
0,5148
0,4683
0,3584

0,160
0,125
0,160
0,147
0,113

1,633
1,623
1,623
1,593
1,587
1,568

0
-0,66
-0,66
-2,45
-2,81
-3,98

Ejercicio 6. El magnesio a 20C es HCP. El valor de c de su celd illa unidad es 0,52105 nm y su


relacin c/a es 1,623. Determinar el valor de su constante de red a en nanmetros.

Ejercicio 7. Calcular el volumen de la celdilla unidad de la estructura cristalina del cinc a partir de
los siguientes datos: el cinc puro tiene una estructura cristalina HCP con constantes de red a =
0,2665 nm y c = 0.4947 nm..

18

POSICIONES ATMICAS EN CELDILLAS DE UNIDAD CBICAS

Para localizar las posiciones atmicas en las celdillas unitarias cbicas vamos a usar un sistema x,
y, z. En cristalografa, el eje positivo x es normalmente la direccin hacia fuera del papel, el eje
positivo y es la direccin hacia la derecha del papel, y el eje positivo z es la direccin hacia arriba. Las
direcciones negativas son las opuestas a las que acaban de describirse.

Las posiciones atmicas se localizan usando las distancias unitarias a lo largo de los ejes x, y, z.

DIRECCIONES EN CELDILLAS DE UNIDAD CBICAS

Frecuentemente es necesario referirnos a direcciones especficas en las redes cristalinas. Esto es


especialmente importante para metales y aleaciones que tienen propiedades que varan con la
orientacin cristalogrfica. Para cristales cbicos los ndices de direcciones cristalogrficas son los
componentes vectoriales de las direcciones resueltas a lo largo de cada eje de coordenadas a los
enteros ms pequeos.
Para indicar en un diagrama una direccin en una celdilla unidad cbica dibujaremos un vector
de direccin desde el origen (que es normalmente un vrtice de la celdilla cbica) hasta que
salga a la superficie del cubo (ver figura ). Las coordenadas de posicin de la celdilla unidad
donde el vector de direccin sale a la superficie del cubo despus de ser convertidas a enteros
son los ndices de direccin. Los ndices de direccin se encierran entre corchetes sin
separacin por comas.

Por ejemplo, las coordenadas de posicin del vector de direccin OR en la figura anterior donde
sale a la superficie del cubo son (1, 0, 0) y, as, los ndices de direccin para el vector OR son
[100]. Las coordenadas de posicin del vector de direccin OS son ( 1, 1, 0) siendo los ndices
de direccin para OS [110].

19

Las coordenadas de posicin del vector ON


(figura lateral) son (- 1, - 1, 0). Un ndice
negativo de direccin se escribe con una
barra sobre el ndice. As, los ndices de
direccin para el vector ON son


11 0 .

Obsrvese que para dibujar la direccin ON dentro del cubo el origen del vector direccin tiene
que llevarse al vrtice inferior derecho del cubo unidad.
Otro ejemplo de vectores direccin en celdillas unidad cbicas, es el que mostramos en la
figura que se muestra a continuacin:

Ejercicio 8. Dibuja los siguientes vectores de direccin en una celdilla unidad cbica.


(a )[121], (b)[100], (c)[110], (d )[112], (e) 110

20

NDICES DE MILLER PARA PLANOS CRISTALOGRFICOS EN CELDILLAS UNIDAD


CBICAS
Algunas veces es necesario referirse a planos reticulares especficos de tomos dentro de una
estructura cristalina o puede ser de inters conocer la orientacin cristalogrfica de un plano o
grupo de planos en una red cristalina. En estructuras cristalinas cbicas se utilizan el sistema de
notacin de Miller para identificar los planos cristalinos. Los ndices de Miller de un plano cristalino
se definen como los recprocos de las intersecciones fraccionales de los planos hechos con los tres
ejes cristalogrficos x, y, z, las tres aristas no paralelas de la celdilla unidad cbica. Las aristas del
cubo de una celdilla unidad representan longitudes unidad, y las intersecciones de los planos
reticulares se miden en base a estas longitudes unidad.
El procedimiento para determinar los ndices de Miller para un plano de un cristal cbico es
como sigue:
1. Se elige un plano que no pase por el origen en (0, 0, 0).
2. Se determina las intersecciones del plano con los tres ejes cristalogrficos x, y, z
para un cubo unidad. Estas intersecciones pueden ser fracciones.
3. Se obtienen los recprocos de estas intersecciones.
4. Se eliminan fracciones y se determina el conjunto ms pequeo de nmeros
enteros que estn entre s en la misma relacin que las intersecciones.
Estos nmeros enteros son los ndices de Miller de un plano cristalogrfico y se encierran
entre parntesis sin usar comas. Se utiliza la notacin (h k l) para indicar ndices de Miller en
un sentido general, donde h, k y l son los ndices de Miller de un plano de un cristal cbico para
los ejes x, y, z respectivamente.

(a)

(b)

(c)

Las figuras (a), (b) y (c) muestran tres de los ms importantes planos cristalogrficos de las
estructuras cristalinas cbicas. Consideremos primero el plano cristalino sombreado en la figura
(a), el cual tiene las intersecciones 1, , , para los ejes x, y, y z respectivamente. Tomamos
los recprocos de estas intersecciones para obtener los ndices de Miller que son entonces 1, 0,
0. Como estos nmeros no son fraccionarios, los ndices de Miller para este plano son (1 0 0)
que se lee como plano uno-cero-cero. Consideremos ahora el segundo plano mostrado figura
(b). Las intersecciones de este plano son 1, 1, . Puesto que los recprocos de estos nmeros
son 1, 1, 0, que no involucran fracciones, los ndices de Miller de este plano son (1 1 0).
Finalmente, el tercer plano figura (c) tiene las intersecciones 1, 1, 1 que nos da los ndices de
Miller (1 1 1) para este plano.

21

Consideremos ahora el plano cristalino mostrado


en la figura adjunta que tiene las intersecciones
1/3, 2/3, 1. Sus recprocos son 3, 3/2, 1. Puesto
que
no
estn
permitidas
intersecciones
fraccionarias, estas intersecciones fraccionarias
tienen que ser multiplicadas por 2 para convertir
la fraccin en un nmero entero. As, la
interseccin recproca se convierte en 6, 3, 2 y
los ndices de Miller son (6 3 2).
Si se considera que el plano cristalino pasa por
el origen de manera que una o ms
intersecciones son cero, el plano ha de ser
desplazado hasta una posicin equivalente en la
misma celdilla unidad de modo que el plano
permanezca paralelo al plano origen. Esto es
posible porque todos los planos paralelos
equidistantes se denotan mediante los mismos
ndices de Miller.
Si grupos de planos reticulares equivalentes estn relacionados por la simetra del sistema
cristalino, se llaman planos de una familia o forma. Los ndices de un plano de la familia son
encerrados entre llaves, como {h k l} para representar los ndices de una familia de planos
simtricos. Por ejemplo, los ndices de Miller de los planos de la superficie del cubo (100),
(010) y (001) se designan colectivamente como una familia o forma por la notacin {1 0 0}.
Ejercicio 9. Dibujar los siguientes planos cristalogrficos en celdillas unidad cbicas: (a) (1 0
1); (b) ; (c) (2 2 1); (d). Dibujar un plano (110) en una celdilla unidad BCC, situando los
1 1 0

tomos, y enumerar las coordenadas de posicin de los tomos cuyos centros estn
intersectados por este plano.

22

Una importante relacin para el sistema cbico, y slo para el sistema cbico, es que los
ndices de direccin de una direccin perpendicular a un plano cristalino son iguales a los
ndices de Miller de ese plano. Por ejemplo, la direccin [100] es perpendicular al plano
cristalino ( 1 0 0).
En estructuras cristalinas cbicas la distancia interplanar entre dos planos paralelos muy
cercanos con los mismos ndices de Miller se designa por d hkl donde h, k y l son los ndices
de Miller de los planos. Este espaciamiento representa la distancia desde un origen elegido
contenido en un plano y otro plano paralelo con los mismos ndices que est muy cercano a
l. Por ejemplo, la distancia entre los planos ( 1 1 0) 1 y 2, d110 , en la figura es AB.

Tambin la distancia entre los planos (1 1 0) 2 y 3 es d110 en la misma figura anterior es BC.
Por simple geometra se puede mostrar que para estructuras cristalinas

d hkl =

a
h + k2 + l2
2

donde d hkl = distancia interplanar entre planos paralelos muy cercanos con ndices de Miller
h, k, l.
a = constante de red (arista del cubo unidad)
h, k, l = ndices de Miller de los planos considerados.

Ejercicio 10. Determine los ndices de Miller para el plano cristalogrfico de la figura adjunta.

23

PLANOS CRISTALOGRFICOS Y DIRECCIONES EN CELDILLAS UNIDAD HEXAGONALES

Los planos cristalinos en celdillas unidad HCP se identifican generalmente utilizando cuatro
ndices en vez de tres. Los ndices para los planos cristalinos HCP, llamados ndices MillerBravais, se designan por las letras h, k, i y l y se
encierran entre parntesis: (h k i l). Estos ndices
hexagonales de cuatro dgitos se basan en un
sistema de coordenadas de cuatro ejes. como se
muestra en la figura en una celdilla unidad HCP.

Hay tres ejes fundamentales, a 1 , a 2 y a 3 que forman


ngulos de 120 entre s. El cuarto eje o eje c es el
eje vertical localizado en e l c e n t r o de la celdilla
unidad. La unidad de medida a lo largo de los ejes
a 1 , a 2 y a 3 es la distancia entre los tomos a lo largo
de estos ejes tal como se indica en la figura. La
unidad de medida a lo largo del eje c es la altura de
la celdilla unidad. Los recprocos de las intersecciones que un plano determina con los ejes
a 1 , a 2 y a 3 , dan los ndices h, k e i, mientras que el recproco de la interseccin con el eje c da
el ndice l.

Planos basales. Los planos basales de la celdilla unidad HCP son planos muy importantes
para esta celdilla unidad y se indican en la figura
adjunta. Puesto que el plano basal de la parte
superior de la celdilla unidad HCP es paralelo a los
ejes a 1 , a 2 y a 3 , las intersecciones de este plano con
estos ejes sern todas de valor infinito. As, a 1 = ,
a 2 = , y a 3 = . El eje c, sin embargo, es unitario ya
que es interceptado por el plano basal superior a la
distancia unidad. Tomando los recprocos de estas
intersecciones tenemos los ndices de Miller-Bravais
para el plano basal HCP. As, h = 0, k = 0, i = 0 y l =
1. El plano basal HCP es, por tanto, cero-cero-cerouno o plano (0 0 0 1).

Planos de prisma. Utilizando el mismo mtodo, las intersecciones del plano del prisma frontal
(ABCD) son a 1 = + 1, a 2 = , a 3 = -1 y c = . Tomando los recprocos de estas intersecciones
tenemos h = 1, k = 0, i = -1 y l = 0, o el plano (1 0 1 0). Anlogamente, el plano del prisma
ABEF de la Figura 3.17h tiene los ndices (1 1 0
0) y el plano DCGH los ndices (0 1 1 0). Todos
los planos de prisma HCP pueden identificarse
conjuntamente como la familia de planos {1 0 1
0}
.
Algunas veces, los planos HCP son identificados
slo por tres ndices (h k l) puesto que h + k = -i.
Sin embargo, los ndices (h k i l) son los ms
habitualmente utilizados porque ponen de manifiesto la simetra hexagonal de la celdilla
unidad HCP.

24

CLCULOS DE DENSIDAD VOLUMTRICA, PLANAR Y LINEAL DE CELDILLAS UNIDAD

Densidad volumtrica. Utilizando el modelo atmico de esfera rgida para la celdilla unidad de
la estructura cristalina volumtrica de un metal y un valor para el radio atmico del metal
obtenido por difraccin de rayos X, se puede obtener un valor para la densidad volumtrica del
metal utilizando la ecuacin,

Densidad volumtrica del metal = V =

masa / celdilla unidad


Volumen / celdilla unidad
3

Para la celdilla unidad del FCC del cobre se obtiene, un valor de la densidad de 8,98 Mg/m
3
3
(8,98 g/cm ). El valor experimental conocido para la densidad del cobre es de 8,96 Mg/m (8,96
3
g/cm ). El valor ligeramente inferior del dato experimental pudiera atribuirse a la ausencia de
tomos en algunas posiciones atmicas (vacantes), defecto de lnea, y uniones defectuosas en
los granos (lmites de grano). Estos defectos cristalinos se discutirn posteriormente. Otro
origen de las discrepancias pudiera estar en que los tomos no son esferas perfectas.
Ejercicio 11. El cobre tiene una estructura cristalina FCC y un radio atmico de 0,1278 nm.
Considerando a loa tomos como esferas rgidas en contacto a lo largo de las diagonales
de la celdilla unidad FCC, calcule el valor terico de la densidad del cobre en megagramos
por metro cbico. La masa atmica del cobre es 63,54 g/mol.

Densidad atmica planar . Algunas veces es importante determinar la densidad atmica


en varios planos cristalinos. Para ello, se calcula una magnitud llamada densidad atmica
planar a partir de la relacin

Densidad atmica planar = p =

n equiv tomos int er sec tados por el rea


rea seleccionada

25

Por convenio, en estos clculos se utiliza el rea de un plano que intersecta a la celdilla
unidad, como se muestra, por ejemplo, en la figura anterior para el plano (110) en la celdilla
unidad BCC. Para que el rea de un tomo se tenga en cuenta en este clculo, el plano
considerado tiene que intersectar el centro del tomo.
Ejercicio 12. Calcule la densidad atmica planar p , sobre el plano (110) de la red BCC del
hierro en tomos por milmetro cuadrado.

Densidad atmica lineal. A veces es importante determinar las densidades atmicas en varias
direcciones de las estructuras cristalinas. En este caso calculamos una magnitud llamada
densidad atmica lineal a partir de la siguiente ecuacin,

Densidad atmica lineal = l =

n tomos diametralmente int er sec cionados


longitud lnea seleccionada

Ejercicio 13. Calcule la densidad atmica lineal l , sobre el plano (110) de la red cristalina
de cobre en tomos por milmetro.

26

POLIMORFISMO O ALOTROPA

Muchos elementos y compuestos existen en ms de una estructura cristalina bajo diferentes


condiciones de temperatura y presin. Este fenmeno se denomina polimorfismo o
alotropa. Muchos metales de importancia industrial como hierro, titanio y cobalto sufren
transformaciones alotrpicas a elevadas temperaturas a presin atmosfrica. La Tabla que
se presenta a continuacin muestra una seleccin de metales que experimentan
transformaciones alotrpicas, as como los cambios de estructura que sufren.
Tabla Formas cristalinas alotrpicas de algunos metales
Metal Estructura cristalina a temperatura ambiente A otras temperaturas
Ca
Co

FCC
HCP

BCC (>447 C)
FCC (>427 C)

Hf
Fe

HCP
BCC

Li
Na
TI
Ti
Y
Zr

BCC
BCC
HCP
HCP
HCP
HCP

BCC (> 1.742 C)


FCC (912 -1.394 C)
BCC (> 1.394 C)
HCP ( < -193 C)
HCP ( < -233 C)
BCC ('> 234 C)
BCC (> 883 C)
BCC (> 1.481 C)
BCC (> 872 C)

El hierro existe en las estructuras cristalinas BCC y FCC en el rango de temperaturas que va
desde temperatura ambiente hasta la temperatura correspondiente a su punto de fusin
1.539 C. El hierro alfa ( ) existe desde 273 a 912 C tiene la estructura cristalina BCC.
El hierro gamma ( ) existe desde 912 a 1.394 C y tiene estructura cristalina FCC. El hierro
delta ( ) existe desde 1.394 a 1.539 C, que es el punta fusin del hierro. La estructura
cristalina del hierro delta es tambin BCC pero con una constante de red mayor que la del
hierro alfa.
Ejercicio 14. Calcule el cambio terico de volumen que acompaa a una transformacin
polimrfica desde la estructura cristalina FCC a la BCC, en un metal puro. Considere el
modelo atmico de esferas rgidas y que no cambia el volumen atmico antes ni despus de
la transformacin.

27

ANLISIS DE ESTRUCTURAS CRISTALINAS

Nuestro actual conocimiento de las estructuras cristalinas se ha obtenido principalmente a


partir de las tcnicas de difraccin de rayos X, que utilizan rayos X de la misma longitud de
onda que la distancia interplanar de la red cristalina en cuestin. Sin embargo, antes de
discutir acerca de cmo los rayos X son difractados por los cristales, vamos a ver cmo se
obtienen rayos X para fines experimentales.
Fuentes de rayos X. Los rayos X utilizados para difraccin son ondas electromagnticas
con longitudes de onda comprendidas en el rango de 0,05 a 0,25 nm (0,5 a 2,5 ). Para
tener una comparacin, consideremos que una longitud de onda de luz visible es, por
ejemplo, 600 nm (6.000 ). Para obtener rayos X para su uso en difraccin, es necesario
suministrar un voltaje en torno a los 35 kV entre un ctodo, emisor de electrones, y un nodo
metlico o blanco, ambos contenidos en vaco, como muestra la figura.
Cuando se calienta el
filamento de tungsteno
del ctodo se liberan
electrones por emisin
termoinica
y
son
acelerados a travs del
vaco por la
diferencia
de
Al transformador
potencial entre
el ctodo y el nodo,
con lo que aumenta su
energa
cintica.
Cuando los electrones
golpean el metal o
blanco (por ejemplo,
molibdeno) se emiten rayos X. Sin embargo la mayor parte de la energa cintica (en torno al 98
%) se libera en forma de calor, por lo que el metal o blanco tiene que enfriarse externamente.
El espectro de rayos X emitido a 35 kV utilizando un blanco de molibdeno es un espectro
continuo de rayos X que cubre el rango de longitudes onda desde aproximadamente 0,2 a 1,4
(0,02 a 0,14 nm) y dos picos caractersticos de radiacin que se designan como las lneas K y
K . Las longitudes de onda de las lneas K y K . son caractersticas de cada elemento. Para el
molibdeno, la lnea K aparece a una longitud de onda en torno a los 0,7 (0,07 nm). El origen
de esta radiacin caracterstica se explica a continuacin. Primero los electrones K (electrones
de la capa n = 1) son expulsados del tomo al bombardear al blanco electrones altamente
energticos. A continuacin, algunos electrones de niveles superiores (como es, n = 2 0 3)
descienden a niveles inferiores de energa para reemplazar los electrones K perdidos, emitiendo
energa de una longitud de onda caracterstica. La transicin de electrones desde la capa L(n =
2) a la capa K(n = 1) genera energa de la longitud onda de la lnea K .
Difraccin de rayos X. Puesto que algunas de las longitudes de onda de los rayos X son
aproximadamente iguales a la distancia interplanar en slidos cristalinos, se producen picos de
difraccin de intensidades variables cuando un haz de rayos X incide sobre un slido cristalino,
como se muestra en las figura.

Por simplicidad, sustituimos los planos cristalinos de centros atmicos de dispersin por planos
cristalinos que actan como espejos reflejando el haz de rayos X incidente. En la figura las
lneas horizontales representan un conjunto de planos cristalinos paralelos con ndices de Miller
(hkl). Cuando un haz incidente de rayos X monocromtico de longitud de onda (incide sobre un
conjunto de planos a un ngulo tal que las ondas que abandonan los diferentes planos no estan
en fase, no se produce un reforzamiento del haz.

28

As, se dan interferencias destructivas. Si las ondas reflejadas en los diferentes planos estn en
fase, tiene lugar un reforzamiento del haz o interferencias constructivas.

Consideremos los rayos X incidentes 1 y 2 conforme se indica en la figura que mostramos a


continuacin.

Para que estos rayos estn en fase la distancia extra de recorrido del rayo 2, que es igual a MP
+ PN tiene que ser igual a un nmero entero de longitudes de onda . As,
n = MP + PN
donde n = 1, 2, 3, ... y se llama orden de difraccin. Puesto que MP y PN son ambos iguales a
dhklisen , donde dhkl es el espaciamiento o distancia interplanar de los planos del cristal de
ndices (hkl), la condicin para interferencia constructiva (por ejemplo, la produccin de un pico
de difraccin de radiacin intensa) tiene que ser
n = 2dhkl sen
Esta ecuacin, conocida como ley de Bragg, establece la relacin entre las posiciones
angulares de los haces difractados, la longitud de onda de la radiacin de rayos X incidente y
las distancias interplanares de los planos cristalinos. En la mayor parte de los casos se utiliza el
primer orden de difraccin donde n = 1, y en este caso la ley de Bragg toma la forma
= 2dhkl sen

29

Ejercicio 15. Una muestra de hierro BCC fue colocada en un difractmetro de rayos X utilizando
rayos X de una longitud de onda 0,1541 nm. Se obtiene difraccin de los planos (110) a 2 =
44,704 . Calcular un valor para la constante de red a del hierro BCC. (Considrese una
difraccin de primer orden con n = 1.)

Difraccin de rayos X. Anlisis de estructuras cristalinas por el mtodo de muestra en


polvo.
Es la tcnica de difraccin de rayos X ms comnmente utilizada. En esta tcnica se utiliza
una muestra en polvo con el fin de que se produzca una orientacin al azar de muchos
cristales que asegure que alguna de las partculas estn orientadas en el haz de rayos X para
satisfacer las condiciones de difraccin de la ley de Bragg. Para los modernos anlisis de
cristales por rayos X se utiliza un difractmetro de rayos X que tiene un contador de radiacin
para detectar el ngulo y la intensidad del haz difractado
Un
registrador
representa
automticamente la intensidad del haz
difractado mientras el contador se mueve
a lo largo de un gonimetro, que est
sincronizado con la muestra sobre un
rango de valores de 2.

Detector de
radiacin

Generador de
radiacin

Planos paralelos
(hkl) en el cristal

30