ESTRUCTURA CRISTALINA

GENERALIDADES. La mayora de los denominados materiales de ingeniera son slidos. Por ello es
necesario conocer los factores o causas que implican la existencia del estado slido y sus propiedades.
En la naturaleza, la materia se presenta en tres estados fundamentales: Slido; lquido y gaseoso.
Estos pueden caracterizarse en funcin de dos propiedades microscpicas, que son: cohesin y ordenamiento
atmico (o molecular). La tabla N 1 muestra como se puede definir los estados de la materia en funcin de
tales propiedades.
Propiedades
Microscpicas
Ordenamiento
Cohesin

Slido
Alto (*)
Muy alta

Estados
Lquido
Parcial
Alta

Gaseoso
No existe
No existe

En la tabla se indica que el estado slido se caracteriza por tener tomos ordenados y unidos
mediante una alta fuerza de cohesin. Existen, sin embargo, excepciones: los vidrios y los lquidos
subenfriados, que tienen tomos unidos por altas fuerzas cohesivas y que sin embargo no muestran
ordenamiento. Eso hace que a veces se hable de estado vtreo y que se considere slidos slo a los materiales
con alto ordenamiento atmico, como los metales, por ejemplo. En ingeniera comnmente no se hace esta
consideracin y se acepta que son slidos los materiales con alta cohesin atmica, de la que derivan las
propiedades mecnicas que se mencion en el captulo precedente. En este captulo se hablar solo de
materiales ordenados a escala atmica.
Un gran grupo de tomos ordenados segn cierto patrn de ordenamiento, se denomina cristal.
De all surge un criterio para definir dos grandes estados de la materia:
Estado cristalino, cuando existe ordenamiento atmico
Estado amorfo, cuando no existe este orden.
En base a esta ltima definicin, existen dos tipos de slidos: cristalinos y amorfos o vidrios.
ENLACES ATMICOS Y COORDINACIN. La cohesin es producto de las atracciones interatmicas,
las que a su vez dependen de la estructura electrnica de los tomos. El mecanismo que genera las atracciones
interatmicas es el establecimiento de fuerzas (enlaces) entre tomos, por accin de los electrones de valencia.
Los estudiantes que han cursado qumica saben que una configuracin electrnica particularmente estable es
la de capa llena, es decir aquella en que todos los orbitales correspondientes al ltimo nivel cuntico
principal, albergan dos electrones. No nos extenderemos en ese sentido, sino slo estableceremos una regla
nemotcnica:
Todos los tomos, cuando entran en relacin con otros tomos tienden a adquirir la
configuracin de capa llena, esto es a llenar los orbitales de la ltima capa.
Esta regla se conoce como Regla de los Octetos, ya que la mayora de los tomos al entrar en
combinacin, completa la ltima capa con ocho electrones.
Para que un tomo adquiera la configuracin de capa llena, tiene que ceder; captar o compartir
electrones. Cuando sucede cualquiera de los dos primeros casos, resultan iones estables de carga neta positiva
o negativa. En el ltimo caso se requiere de la formacin de un orbital molecular que albergue los electrones
compartidos. En los tres casos se generan fuerzas de atraccin entre tomos, que se conocen como enlaces.
ENLACE INICO. Este enlace es el resultado de la atraccin electrosttica de iones de carga opuesta. Se
produce entre tomos de gran diferencia de electronegatividad ( E.N.
> 1.7 en la escala de Pauling). Es muy
fuerte y no direccional. Lo anterior, lo explicaremos con un ejemplo:
El sodio y el cloro, al combinarse, se enlazan inicamente. Para que ello suceda, el sodio que tiene
una configuracin electrnica 1s2, 2s2, 2p6, 3s1; pierde el electrn 3s y queda con una carga neta positiva,
convertido en un in Na+. El cloro por su parte tiene una configuracin 1s2, 2s2, 2p6, 3s2, 3p5. Esto le posibilita

acomodar el electrn perdido por el sodio en la posicin 3pz, convirtindose en el in Cl-. Entre ambos iones
(Na+ y Cl-) se establece una fuerza de naturaleza electrosttica, que los mantiene en una posicin relativa fija,
impidiendo que se separen. Tal es el enlace Na+ -- ClExaminemos algo ms el caso anterior. Es claro que una carga elctrica puntual, produce un
campo elctrico radial, de manera que es posible esperar que ms de un in cloro se asocie a un in central de
sodio. Se asociarn tantos como sea espacialmente posible, sin que la repulsin entre los iones de cloro
interfiera. El nico requisito que debe cumplirse es que el total de las cargas positivas sea igual al total de las
cargas negativas. En la naturaleza el cloruro de sodio se presenta como un cristal inico, en que cada in Na+
est rodeado de seis iones Cl- y cada in Cl- esta rodeado de seis iones Na+. Esto puede observarse en la
figura.

Na+
Cl-

Figura 1 Compuesto inico NaCl

Veamos ahora cual es la longitud del enlace inico, o dicho de otra manera, cual es la distancia de
equilibrio entre iones de carga opuesta. El enlace inico ya lo dijimos- es la fuerza que mantiene unidos a
dos iones. Esta fuerza es de naturaleza electrosttica, de manera que tiene la expresin:
Fa = k

q1 q 2
a2

En esta expresin Fa es la fuerza de atraccin entre los iones; k es una constante; q1 y q2 son las
cargas de los iones y a es la distancia entre ellos. En el sistema de unidades CGS, k = 1.

Si recordamos que q = Ze, en que Z es la valencia del in y e es la carga del electrn, la expresin
precedente se reduce a:

Z1 Z2e 2
Fa =
a n+1
Cuando la distancia decrece, llega un momento en que las nubes de electrones comienzan a
repelerse. Esta fuerza de repulsin se ha determinado- responde a la relacin:
Fr =

nb
a n+1

En esta expresin a y b son constantes.

Si se representa ambas fuerzas (Fa y Fr) en funcin de la distancia a, se obtiene la figura 2.

F
Fa
Resultante Fa - Fr

ao
Figura 2

Fr

En la figura se observa que si a = ao Fa = Fr . Esto significa que ao es la distancia de equilibrio.

Es fcil deducir que ao es la distancia entre el centro de los iones que participan en el enlace. A la conclusin
anterior se puede llegar tambin mediante consideraciones energticas.
Si la energa necesaria para separar dos iones, desde a hasta una distancia infinita es:
E=

FdA

Entonces:
E=

E=

( Fa + Fr )dA =

Z 1 Z 2 e 2 nb
n+1 )dA
a2
a

Z1Z 2 e b
+ n
a
a

Graficando la expresin anterior, se obtiene la figura:

a
r+

ao
Figura 3.a

Figura 3.b

r-

Sabemos que la condicin de equilibrio corresponde al nivel mnimo de energa. Este mnimo se
da a la distancia de equilibrio. La distancia ao es tambin la longitud de enlace o la suma de los radios inicos,
como se observa en la figura 3.b.
Resumiendo, enlace inico es la fuerza necesaria para separar dos iones desde la distancia de
equilibrio hasta el infinito.

ENLACE COVALENTE. Cuando la diferencia de electronegatividad entre los iones es menor a 1.7 en la
escala Pauling, estos comparten los electrones para adquirir la configuracin estable de capa llena. Si los
electrones compartidos se alojan en uno o ms orbitales moleculares, ubicados en ambos tomos, se establece
uno o ms enlaces covalentes.
La fuerza que une los tomos es, tambin en este caso de naturaleza electrosttica; pero a
diferencia del enlace inico, no se establece entre iones, sino entre una zona de alta carga negativa, que es el
orbital molecular y dos cargas puntuales positivas, que son los ncleos atmicos. La figura 4 muestra un
modelo grfico de este enlace.

in

Orbital molecular

Figura N 4

Los enlaces covalentes son muy fuertes, ya que las distancias de equilibrio suelen ser muy
pequeas. Son de tipo direccional, pues la posicin de los tomos es fija respecto del orbital molecular y se
producen en general para molculas discretas.
La alta energa del enlace covalente se puede inferir del alto punto de fusin de algunos cristales
covalentes como el diamante y el cuarzo, pues la fusin de estos implica la ruptura de enlaces covalentes.
ENLACE METLICO. El enlace metlico no se puede explicar con un modelo tan sencillo como el de
enlace covalente o inico. El modelo que explicaremos aqu es una primera aproximacin a este tipo de
enlace.
Cuando existen tomos que ejercen muy baja atraccin sobre sus tomos de valencia y cuando no
es posible que dos tomos puedan establecer un orbital molecular estable, ubicado entre los tomos y que
albergue electrones compartidos, los electrones se deslocalizan. Esto significa que pasan a pertenecer
simultneamente a un gran grupo de tomos. Como cada tomo
- aporta uno o ms electrones a este gran
orbital, esto genera un gran nmero de electrones deslocalizados. Este orbital especial se conoce como nube
electrnica y como se ha dicho, no pertenece a ninguno de los tomos del material, sino a todos. Lo anterior
sucede en un cristal metlico. Este tipo de cristales se puede considerar como un grupo ordenado de cationes
(tomos que han perdido sus electrones de valencia), rodeado por todos lados por electrones libres. Tal como
se muestra en la figura 5.

- -

Figura 5. Cationes metlicos en una nube electrnica

El enlace se establece entre la nube de carga negativa y los cationes. Por estar los electrones
deslocalizados en la nube, el enlace metlico es adireccional.
El modelo de enlace recin descrito explica muchas de las propiedades de los metales, por
ejemplo:
Ductilidad y maleabilidad. Un metal puede deformarse plsticamente sin que se rompan los
enlaces, ya que los cationes pueden moverse y reordenarse, sin que por ello deje de existir atraccin entre
ellos y la nube electrnica.

 Brillo. Los electrones libres pueden activarse energticamente por absorcin de luz de cualquier
longitud de onda y reemitir tambin en cualquier longitud.
Alta conductividad elctrica y trmica. Los electrones libres pueden migrar en el cristal sin
oposicin, conduciendo as la electricidad y los cationes pueden vibrar y transmitir vibraciones con entera
libertad, transmitiendo as el calor.
FUERZAS DE VAN DER WAALS O ENLACES SECUNDARIOS. Existe otro tipo de fuerzas a nivel
microscpico, que no une tomos, sino molculas entre si. Estas fuerzas son de naturaleza electrosttica y su
magnitud es mucho menor que la de los enlaces primarios. Se les denomina genricamente Fuerzas de Van
der Waals y se pueden clasificar en tres tipos:
a)
b)
c)

Fuerzas in dipolo y dipolo dipolo. Se producen entre una molcula polar (con momento
dipolar) y un in o entre dos molculas polares.
Fuerzas de London. Se producen entre molculas apolares (simtricas), por polarizacin
momentnea debido a movimiento de electrones.
Puente de hidrgeno. Se produce en hidruros fuertemente polares, en los cuales el protn (H+),
por su pequeo dimetro puede ubicarse casi equidistante de dos centros de carga negativa
(polos negativos), de molculas distintas, generando as una fuerte atraccin entre ellas.

NMERO DE COORDINACIN. Al explicar los enlaces se us modelos que involucraban, en general,

dos tomos, pero en algunos casos nos salimos de ese esquema y consideramos un grupo mayor de tomos,
con cierto patrn de ordenamiento. Ahora se intentar explicar la causa de este ordenamiento.
En un grupo de tomos, cualquiera de ellos (el tomo central) est rodeado por cierto nmero
de tomos ms cercanos (perifricos). La cantidad de tomos ms cercanos a un tomo central, se conoce
como nmero de coordinacin (NC). Este depende de dos factores principales:

Cantidad de enlaces covalentes del tomo central

Acomodamiento atmico
La cantidad de enlaces covalentes del tomo central o covalencia en funcin de la cantidad de
electrones de su ltima capa, de manera de cumplir con la regla de los octetos. As los tomos de los
elementos del grupo I al IV pueden participar de 1 a N enlaces (N es el nmero del grupo) y los de los
elementos de los grupos V al VIII pueden establecer 8-N enlaces covalentes.
El acomodamiento atmico depende de la relacin de radios del tomo central respecto a los
perifricos (r / R). A manera de ejemplo veamos que relacin de radios implica el nmero de coordinacin
NC = 6. Para que el tomo central est rodeado de seis tomos perifricos, este debe ubicarse en el centro y
los perifricos en los vrtices de un octaedro regular, tal como se muestra en la figura 6.

R+r
R

Figura 6.a

Figura 6.b

De la figura 6.b, se puede obtener la siguiente expresin:

r+R
1
=
r
cos 45
r
= 2 1 = 0.414
R

De aqu:

En conclusin, el mayor valor que puede tomar la r/R, para que exista un nmero de coordinacin
igual a seis es 0.414.

EJEMPLO DE APLICACIN
Determinar la relacin r/R, para que exista un nmero de coordinacin de cuatro.

SOLUCIN
Para que el tomo central est rodeado de cuatro tomos perifricos, debe ubicarse en el centro de
un tetraedro regular y los perifricos en los vrtices. Esto se muestra en las figuras 7.a y 7.b
2R

Figura 7.a

R+ r
Figura 7.b

De la figura 7.b, se puede obtener la relacin:

2R
r+R
=
sen sen
Pero para un tetraedro regular:

r + R 2 sen
=
R
sen

= 35.2 y

Entonces:

r
= 0.225
R

= 109.5

r 2sen
=
1
R
sen

En los ejercicios anteriores se ha desarrollado un mtodo geomtrico para la relacin de radios

(r / R), que corresponde a un determinado nmero de coordinacin. Esta informacin se completa en la tabla
siguiente.
Relacin r / R
< o.115de 0.115 a 0.225de 0.225 a 0.414de 0.414 a 0.732de 0.732 a 11

N. de C.
2
3
4
6
8
12

Disposicin de los tomos exteriores

En lnea con el tomo central
En los vrtices de un tringulo equiltero
En los vrtices de un tetraedro regular
En las esquinas de un octaedro regular
En los vrtices de un cubo
Estructura FCC HCP

GEOMETRA DE LOS CRISTALES

Como ya se dijo, los materiales de ingeniera son slidos cristalinos y amorfos. Son cristalinos todos
los metales y aleaciones metlicas; muchos cermicos y muy pocos polmeros. Entre los polmeros cristalinos
encontramos el llamado cristal lquido, que no es un lquido, sino un material slido que al pasar al estado
lquido mantiene su cristalinidad y de all viene su nombre. Pero se usa en estado slido, para pantallas de
televisores; computadores y como display en aparatos electrnicos; calculadoras; relojes digitales; etc. Son
materiales amorfos el vidrio y algunos otros cermicos vitrificados, como los esmaltes, la loza y la gran
mayora de los polmeros. Para aclarar los trminos precedentes, se explicar lo que es un cristal y por
defecto, se entender lo que es un material amorfo.
Un cristal es un numeroso conjunto de tomos; de iones o de molculas ordenados en todas las
direcciones del espacio. Cuando se dice numeroso, se est hablando de muchos miles de millones o de
cantidades an mayores de estos tipos de partculas. En la figura 1 se muestra una celda unitaria de un
cristal inico de cloruro de sodio, con el fin de explicar como es fsicamente un material cristalino. Mas
adelante se definir el concepto de celda unitaria o celda unidad.

ClNa+

Figura 8 Celda unitaria del cloruro de sodio

En la figura precedente se muestra que en un cristal, en este caso inico, los iones estn
perfectamente ordenados, esto es, se va a encontrar que se repiten los iones a distancias regulares, en
cualquier direccin del espacio, como se muestra en la figura 9.

a
a

a
a
Figura 9 Repeticin a distancias regulares de los iones

Esta repeticin cclica que se muestra en las tres direcciones del espacio, se da en un cristal en
cualquier otra direccin. En tal caso se mantiene la repeticin a distancias regulares, pero esas distancias son
diferentes al valor a. Para verificar lo anterior, se pide a los estudiantes probar en las direcciones
diagonales. En la figura 8 se muestra tambin que la celda unitaria tiene una forma geomtrica simple, en este
caso un cubo. En general las celdas unitarias tienen formas simples de paraleleppedos, es decir de figuras
geomtricas de seis caras, que son paralelas e iguales de a pares. As, apilando celdas unitarias, una al lado o
encima de otra, tal como se hace con las cajas en un almacn, se puede llenar todo el espacio sin dejar
intersticios y formar un cristal. Ahora se puede definir celda unitaria o celda unidad: Ella es la figura
geomtrica asociada al menor conjunto de tomos ordenados, que al repetirse en todas las direcciones del
espacio originan un cristal. Hay slo siete formas posibles para una celda unidad. Ellas se definirn con ayuda
de la figura 10.
C

a
Figura 10 Celda unitaria genrica

c
A

En la figura 10 se muestra que la forma y las dimensiones de una celda unitaria se pueden definir en
base a seis parmetros. Tres de ellos son longitudes (a; b; c) y los otros tres son ngulos (; ; ).
Combinando adecuadamente estos parmetros se puede llegar a generar las siete formas que puede tener una
celda unidad como ya se dijo.
En la tabla 3 (pgina siguiente) se muestra, en la segunda columna, las combinaciones de parmetros
que ya se indic. En la primera columna se indica el sistema cristalino (la forma de la celda unitaria) que se
origina de una combinacin particular de parmetros y en la tercera columna se muestra las redes espaciales
de tomos que pueden originarse cuando estos ocupan slo los vrtices de esas celdas unitarias (redes
simples) y cuando ocupan otras posiciones cristalogrficas de las celda (centro de las caras; centro del cuerpo
y centro de las bases). Como se ve, a cada forma de la celda unitaria corresponde un sistema cristalino, de
manera que existen slo siete sistemas cristalinos. Y todos los cristales de la naturaleza tienen celdas unitarias
de alguna de estas siete formas.

SISTEMA
Cbico

PARMETROS
= = = 90
a=b=c

Tetragonal

= = = 90
a=bc
= = = 90
abc

Ortorrmbico

Rombodrico
Hexagonal
Monoclnico
Triclnico

= = 90
a=b=c
= = 90, = 120
a=bc
= = 90, 90
a bc
90
a bc

REDES DE BRAVAIS
Simple
Centrada en el cuerpo
Centrada en las caras
Simple
Centrada en el cuerpo
Simple
Centrada en el cuerpo
Centrada en las bases
Centrada en las caras
Simple

FORMA CELDA

Cbica

Tetragonal
Simple
Simple
Centrado en las bases
Simple
Hexagonal

Los metales comunes cristalizan en alguno de estos sistemas, como se muestra en la tabla 4.
Sistema cbico
Centrado en el cuerpo Centrado en las caras
Aluminio
Hierro (T < 910C)
Hierro (T > 910C)
Molibdeno
Nquel
Cromo
Cobre
Tungsteno
Paladio
Sodio
Plata
Potasio
Platino
Titanio (T > 882C)
Oro
Plomo

Sistema hexagonal

Sistema tetragonal

Berilio
Cobalto
Magnesio
Titanio (T < 882C)
Cinc
Zirconio

Estao
S. Rombodrico
Antimonio
Bismuto
Mercurio
S. Ortormbico
Uranio

En relacin a lo anterior, se puede entonces definir un sistema cristalino como la forma de la celda
unitaria que al repetirse en el espacio, forma un cristal y como red cristalina se entiende el arreglo de puntos
en el espacio, que al ser ocupados por tomos originan el cristal.
Los metales son en general policristalinos, es decir, estn formados por muchos microcristales
orientados en cualquier direccin del espacio. Esto se muestra en la figura 11. Las lneas negras que en la
figura rodean cada microcristal o grano se denominan lmites de grano. En los lmites de grano, los tomos
estn desordenados y por lo tanto no responden al patrn cristalino de ninguno de los granos vecinos. Quizs
todos nosotros hemos podido observar un recubrimiento de cinc sobre una lmina de acero. En este
recubrimiento se observan a simple vista, zonas de una tenuemente distinta coloracin. Ellos son granos de
cinc, un metal de granos gigantes. En otros metales, como el hierro o el cobre, los granos son ms pequeos y
no es posible observarlos a simple vista, sino mediante un microscopio ptico. Adems para distinguirlos se
debe preparar el metal, pulindolo y atacndolo qumicamente con un reactivo adecuado, para delinear los
lmites de grano o para obtener una coloracin diferente en los distintos granos.

Figura 11 Estructura granular de un metal

(con grieta intergranular)

La naturaleza cristalina de los metales determina alguna de sus propiedades (en el caso indicado en la
figura, la posibilidad de fracturarse a travs de los lmites de grano). La deformacin plstica y la fractura de
los materiales metlicos, entre otros, son fenmenos que dependen fuertemente de la estructura y la
orientacin cristalina. Por lo tanto es conveniente identificar en un cristal diferentes direcciones y planos
cristalinos. El sistema de notacin para direcciones y planos se denomina: ndices de Miller y se describe a
continuacin.
INDICES DE MILLER
Este sistema de notacin es sencillo para el sistema cbico. Cada plano cristalino se indica por tres
dgitos o ndices encerrados en un parntesis redondo, as: (h k l). Cada direccin se designa tambin por tres
dgitos, pero encerrados en parntesis cuadrado, as: [h k l]. Ahora veremos como se determinan esos ndices.

z
(0, a, a)

(0, 0, a)
(a, 0, a)

Primer paso (planos y direcciones):

(a, a, a)

(0, a, 0)
(a, 0, 0)

Se designan los distintos puntos de la celda

unitaria por sus coordenadas, segn el
sistema cartesiano (x, y, z). Como la celda
cbica tiene parmetro de celda a, segn
se muestra en la figura 5, los puntos
considerados tienen las coordenadas que se
indica.

(a, a, 0)

a
z

(1, 0, 1)

Segundo paso (planos y direcciones):

(0, 1, 1)

(0, 0, 1)

Se considera que el lado de la celda

cbica vale la unidad (a = 1), entonces
los puntos considerados tienen ahora
las coordenadas que se indican en la
figura 6

(1, 1, 1)

(0, 1, 0)
(1, 0, 0)

(1, 1, 0)

Tercer paso (direcciones):

Se toman los componentes del vector direccin,
tal como ya se indic: h en la direccin del eje
x; k en la direccin del eje y; l n la
direccin de z. Entonces las direcciones
indicadas sern:

a=1

Componentes:
1; 1; 0
ndices de Miller:
[1 1 0]
(notese que no hay comas entre los dgitos, en los
ndices de Miller y que se usa parntesis cuadrado
para indicar que se trata de una direccin)

B
C

y
A

x
Figura 12 Determinacin de los ndices de Miller de una direccin

Componentes:
ndices de Miller:

1 ; 1; 1
[111]

C Componentes:
1; 0 ;
(el sistema de ndices de Miller no acepta
fracciones, luego hay que amplificar por dos)
ndices de Miller:
[201]
D Componentes: -1 ; 1 ; 0
como no se puede colocar el signo antes de cada
ndice, este se coloca arriba de el, entonces se
tiene:
ndices de Miller
[1 10]

Normalmente no se indican los ejes al determinar los ndices de las direcciones y por comodidad el
origen se coloca en el punto de partida del vector direccin. Entonces para ejercitarse se propone a los
estudiantes determinar las direcciones indicadas en la figura 13.

[
[
[

]
[
[

Figura 13
En el caso de los planos cristalinos, se procede en una forma diferente: Para determinar los
ndices de Miller de un plano, se encuentra las intersecciones de ese plano con los ejes A, B y C. Se calcula el
recproco del valor de esas intersecciones y se forma el conjunto de enteros ms pequeos, que guarden entre
si igual relacin que los recprocos. Este conjunto se denomina ndices de Miller y se denota con la
expresin: (h, k, l). La unidad en cualquier eje es el mdulo del vector base, en esa direccin. La figura 14
muestra un plano genrico que intersecta con los ejes cristalinos.

C
1/l=3

v v v
(a , b , c )
B
1/k=4
A

1/h=2

Figura 14

Obtencin de los ndices del plano (6 3 4)

En la figura 9, el conjunto de intersecciones es:

2

El conjunto de recprocos de las intersecciones es:

1/2

1/4

1/3

Amplificando se encuentra el conjunto de enteros ms pequeos que est en la misma relacin de

los recprocos, que es:

12 / 2 = 6;

12 / 4 = 3;

12 / 3 = 4

Entonces los ndices de Miller del plano considerado son: (6 3 4).

Ntese que para determinar los I. de M., hemos amplificado el conjunto de recprocos por su
mximo comn divisor, en este caso 12. Ntese adems que este sistema de notacin asigna iguales I. de M. a
todos los planos paralelos.
De igual forma que en el caso de las direcciones, si hay un ndice negativo el signo menos se coloca
arriba del ndice, pero ahora los ndices se encierran en parntesis redondo para indicar que se trata de un
plano. Entonces:
[ h k l ] es una direccin
( h k l ) es un plano
Para ejercitarse en el uso de los ndices de Miller para planos, se identificar los planos mostrados en
las figuras 15; 16 y 17.
C

Intersecciones:

1 ; 1 ;

Inversos:

1 ; 1 ; 2

ndices de Miller:
B

( 1 1 2)

Ntese que no hubo necesidad de amplificar

A
Figura 15
C

A
Figura 16

Intersecciones:

1 ; ; 1

Inversos:

1 ; 0 ; 1

ndices de Miller: ( 1 0 1)
Notese que se habra obtenido el mismo
resultado si el origen se hubiera tomado en la
posicin ( 0, 1, 0), es decir en el vrtice
posterior inferior - derecho

Es claro que ahora debemos tomar el origen en la

posicin (1, 1, 1), entonces:
Intersecciones:

- 1 ; - 1 ; -1

Inversos

- 1 ; - 1 ; -1

ndices de Miller:

(1 1 1 )

A
Figura 17

ndices de Miller para sistema hexagonal

Para designar los planos y direcciones en sistema
hexagonal se puede usar tres dgitos, considerando slo el
paraleleppedo formado por los ejes a1; a2 y c, que se
muestran en la figura 18 o se puede usar una notacin de
cuatro dgitos, considerando los cuatro ejes indicados en la
figura, con el procedimiento que se describir a continuacin.

En ambos casos se procede inicialmente de la misma

a3
manera que se indic para obtener los ndices en sistema
cbico, es decir, considerando slo la celda que se muestra
con lneas llenas. Entonces el plano de la figura 14 corta al eje
a1 en el valor 1; al eje a2 en el valor 1 y es paralelo al eje c,
a2
esto es, lo corta en el infinito. Los inversos respectivos son:
1; 1 y 0, por lo que en notacin de tres dgitos, ese plano sera
( 1 1 0 ). En trminos genricos, los ndices de Miller se
a1
designan como ( h k l ), de manera que entonces: h = 1; k = 1
y l = 0 , en este caso. Si se desea usar una notacin de cuatro
Figura 18 Celda unitaria hexagonal
dgitos, como se acostumbra para indicar que se trata de un
plano en una estructura hexagonal, el cuarto dgito, llamado
i, se obtiene por la expresin: i = - (h + k ) y se coloca en el tercer lugar. De manera que el plano en
cuestin sera (112 0 ).

Figura 19 designacin de un plano

Figura 20 designacin de una direccin

En el caso de las direcciones en notacin de cuatro dgitos, se procede en forma diferente. La

direccin mostrada en la figura 20, en tres dgitos sera [011], pero en cuatro pasa a ser [1 2 1 3]. Para hacer
esta transformacin se considera que en notacin de tres dgitos, la direccin es [ H K L] y que en notacin de
cuatro es [ h k i l ], entonces para pasar de una a otra notacin se usa la frmula de transformacin:
h = 1/3 (2 H K )
k = 1/3 (2 K H)
i = - (h + k )
l = L
Se recomienda comprobar la transformacin que ya se hizo para verificar que [011] y [1 2 1 3]
representan a la misma direccin en sistema hexagonal. Adems se propone representar y transformar a cuatro
dgitos las siguientes direcciones hexagonales: [ 1 1 2 ]; [ 1 1 1]; [ 1 0 0 ] y [1 10] .
DIFRACCIN DE RAYOS X. La difraccin de rayos X es una tcnica que se usa para conocer la geometra
de los cristales. En este curso se abordar el tema en forma muy superficial, slo con el objeto de
complementar el tema de cristalografa.
Los rayos X son un tipo de radiacin electromagntica, de longitud de onda comprendida entre
0.1 A y 10 A. Como cualquier otra radiacin E.M., los rayos X son difractados por una rejilla de difraccin.
Para que exista difraccin, la radiacin debe tener una longitud de onda comparable a la distancia entre lneas
de la rejilla. Los planos atmicos cumplen esta condicin frente a los R-X y por lo tanto los difractan.
Explicaremos ahora como se produce la difraccin: Los rayos X que inciden sobre una red de
tomos, excitan los electrones de estos. Al volver los electrones a su estado energtico inicial, emiten una
radiacin de la misma longitud de onda del rayo incidente, en cualquier direccin. En otras palabras, una red
de tomos dispersa el haz de R-X incidente en todas direcciones. Si un haz incide sobre un plano atmico, las
nicas radiaciones que sufren interferencia constructiva son aquellas que tienen un ngulo de reflexin igual
al ngulo de incidencia como se muestra en la figura 21. En ella, AA = BB, por lo que los rayos que venan
en fase, siguen en fase, es decir, interfieren constructivamente.
A

Figura 21

LEY DE BRAGG. Supongamos que un haz de rayos-X, paralelo y monocromtico (= constante), incide
sobre un grupo de planos igualmente espaciados y se refleja con interferencia constructiva. (ver figura 22)

Figura N 22

Se produce interferencia constructiva slo cuando: ab + bc = n , con n entero.

Pero ....

ab = bc = d sen

De all:

n = 2 d sen

La expresin anterior se conoce como Ley de Bragg. En dicha expresin, n es un entero

positivo; es la longitud de onda de los R-X; d es la distancia interplanar y es el ngulo de incidencia del
haz, respecto al plano.
EJEMPLO DE APLICACIN
Sobre los planos (110) de un cristal de Fe (BCC), incide un haz de rayos-X de longitud de onda =
1.54 A. qu ngulos de reflexin producen interferencia positiva?. El radio atmico del Fe es 1.241 A.
Solucin:
Aplicando la Ley de Bragg, tenemos: n = 2dsen

d=

Pero:

a
h +k +l
2

= Arcsen(
4R

3 h + k + l2
2

n
)
2d

= 2.028 A

= Arcsen ( 0.379 n)

De esto:

Si n = 1, se tiene la reflexin de primer orden para: = Arcsen (0.379) = 22.3

Si n = 2, se tiene la reflexin de segundo orden para: = Arcsen ( 0.758) = 49.3
Si n = 3, el argumento de la funcin Arcsen, se hace mayor a uno, por lo tanto no existe, en este caso,
reflexin de orden tres o superior.
El ejercicio anterior muestra lo que ocurre con un haz monocromtico. Veamos ahora que sucede cuando
incide un haz blanco ( de distintas longitudes de onda), sobre un plano atmico particular.
Supongamos que mantenemos fijo un cristal y hacemos incidir sobre l un haz blanco, formando un
ngulo de 60 respecto de los planos (100), espaciados entre si 2 A, y deseamos conocer qu longitudes de
onda sufren interferencia constructiva.
Usando la Ley de Bragg, tenemos:
De esto:
-

n = 2 dsen = 2 2

3
= 3.465 A
2

- Se tiene una reflexin de primer orden para = 3.405 A

Se tiene una reflexin de segundo orden para = 1.732 A
Se tiene una reflexin de tercer orden para = 1.155 A

De este resultado se deduce que un plano produce muchas reflexiones a un haz blanco, por lo que para
limitar su nmero conviene cortar el haz, de manera que o
METODO DE LAUE. Este mtodo sirve especialmente para determinar orientaciones cristalinas.
En el mtodo de Laue existen dos tcnicas:
Reflectante, para cristales opacos a los rayos-X
De transmisin, para cristales no opacos a los rayos-X

En el mtodo reflectante se usa un haz continuo con o. Las reflexiones aparecen como puntos en
una pelcula fotogrfica. (ver figuras 23.a y 23.b)
a

Figura 23.a Aparato de Laue

a) Filamento; b) Antictodo;
c) Tubo colimador, d) Cristal
e) Pelcula fotogrfica

Figura 23.b

Fotografa obtenida por el mtodo de Laue

En este mtodo, la orientacin de una familia de planos cristalinos se obtiene relacionando

geomtricamente la posicin de los puntos de la pelcula con las dimensiones de la cmara de Laue, como
veremos a continuacin.
EJEMPLO DE APLICACIN
Determine la orientacin de los planos {111} del hierro, respecto de un haz de rayos-X, de
longitud de onda 0.5 A, si este se refleja, en una reflexin de primer orden, a un punto situado a 5 cm del
centro de la cmara. La distancia entre la placa y el cristal es de 10 cm. Determine tambin la longitud de la
onda reflejada.
Solucin
La figura 24 muestra la trayectoria de los rayos que produjeron la reflexin citada.
Plano {111}

5 cm

Figura 24 Reflexin de rayos-X en una cmara de Laue

10 cm

En la figura 24:
es el ngulo entre el plano (111) y la superficie del cristal (orientacin)
es el ngulo entre el haz y el plano (111)
es el ngulo entre el rayo incidente y el reflejado. Este ngulo puede ser evaluado de los datos
del problema.

De la figura precedente:

= Arctg

5
= 26.6
10

= 13.3
2
180
=
= 90 = 76.7
2
=

De la ley de Bragg:

n = 2dsen ;

para n = 1 = 3.21 A

El mtodo de transmisin de Laue es esencialmente igual al de reflexin. Difiere slo en que

la placa se coloca al lado contrario de la fuente de rayos-X. Esto posibilita localizar planos que forman
ngulos muy pequeos con el haz incidente.
MTODO DEL CRISTAL GIRATORIO. Este mtodo sirve para identificar planos cristalinos. En el se utiliza
un haz monocromtico que incide sobre un cristal que gira respecto a un eje perpendicular al haz. Las reflexiones
aparecen como puntos en una pelcula fotogrfica colocada tal como se indica en la figura 25.

b
a

(e)

Figura 25 Esquema de la cmara para cristal giratorio a) Haz incidente; b) Cristal;

c) Imagen de reflexin; d) Pelcula fotogrfica; e) Imagen obtenida.
MTODO DE DEBYE SCHERRER. El mtodo del cristal giratorio exige disponer de cristales de un tamao
que haga posible su manejo e insercin en la cmara. Como esto no siempre es posible, se desarroll como
alternativa el mtodo de Debye-Scherrer. En este, se usa un pequeo receptculo que contiene cristal pulverizado,
sobre el que incide un haz monocromtico. Las reflexiones aparecen como lneas continuas en una cinta
fotogrfica que rodea el receptculo, tal como indica la figura 26.

Figura 26. Esquema de la cmara de Debye-Scherrer. a) recipiente con polvo de

cristal; b) Superficie cnica formada por las reflexiones de los planos {hkl}; c) cinta
fotogrfica; d) Impresin en la cinta; e) Trozo de la cinta mostrando lneas de reflexin.
Para calcular el ngulo de reflexin se usa la distancia S entre la lnea y el punto de salida
del haz (ver figura).

2 =

De all:

S
R

S
2R
(R es el radio de la cmara)

Este es el mtodo ms usado de los tres mencionados y tiene mltiples aplicaciones, por
ejemplo: Determinacin de estructuras; Identificacin de elementos; Identificacin de fases cristalinas; etc.
EJEMPLO DE APLICACIN
En un ensayo de difraccin de rayos-X a polvos de hierro ( BCC, Rat = 1.241 A); se obtuvo
el patrn de difraccin que se muestra en la figura 27, en que las medidas se dan en centmetros (se indican
slo las primeras cinco lneas). Determine los planos asociados a dichas lneas, si el ensayo se hizo en una
cmara de 5 cm de radio y se us R-X de una longitud de onda de 0.40 Amstrongs.
1.42
1.0

1.75
2.03
2.24

Figura N 27 Patrn de difraccin del Fe, usando R-X de = 0.4 A

Solucin
De la Ley de Bragg; de la ecuacin de la distancia interplanar y de la relacin geomtrica de
la cmara de Debye - Scherrer, tenemos:

h2 + k 2 + l 2 =

2a
S
sen
n
2R

Usando los datos del problema y considerando n = 1:

h 2 + k 2 + l 2 = 14.2 sen

S
10

Entonces:

Para la primera lnea h2 + k2 + l2

Para la segunda lnea h2 + k2 + l2
Para la tercera lnea
h2 + k2 + l2
Para la cuarta lnea
h2 + k2 + l2
Para la quinta lnea
h2 + k2 + l2

2
4
6
8
10

{110}
{200}
{211}
{220}
{310}

No todos los planos cristalinos producen reflexin, pues algunos planos de bajos ndices de
Miller son interferidos por planos paralelos de ndice mayor, en la tabla siguiente:

ESTRUCTURA CRISTALINA
Cbica simple
Cbica centrado en el cuerpo (BCC)
Cbica centrado en las caras (FCC)
Diamante

INDICES DE LOS PLANOS REFLECTORES

todos los valores de (h2 + k2 + l2), excepto 7; 15; 23.....
h + k + l es par
h, k, l todos pares o todos impares
h + k + l es impar o mltiplo par de dos

PROBLEMAS PROPUESTOS
1.
3.
4.

5.

6.
7.

Un haz de rayos-X, con 0.4 A incide paralelo a la direccin [110] en un monocristal de cobre (FCC;
Rat = 1.278 A). Determine la longitud de onda reflejada por los planos (111)
Un haz de rayos-X, con = 2.556 A, paralelo al plano (110) incide en la direccin [hkl], en un
monocristal de cobre. Determine los ndices de esa direccin si el haz es reflejado por los planos (020)
Un monocristal de hierro (BCC, Rat = 1.241 A) est orientado de modo que la direccin [100] es paralela
al haz de R-X en la cmara de Laue. Determine todos los planos que producen reflexin hacia una placa
de 12 cm por 9 cm, ubicada a 10 cm del cristal, entre este y la fuente de radiacin. Nota: Investigue slo
los planos en que h; k l son menores o iguales a tres.
Dibuje aproximadamente el patrn de difraccin del sodio (BCC; Rat = 1.857 A), que se obtiene al
efectuar un ensayo por el mtodo de Debye-Scherrer, con R-X de = 0.5 A. Nota: investigue slo los
planos en que h; k l son menores o iguales a tres.
Explique mediante un grfico adecuado, por qu no aparece la reflexin de los planos (100) y (110) en
difraccin por el mtodo de Debye-Scherrer, en los metales de estructura FCC.
Confeccione una tabla con los primeros quince planos reflectores en el sistema BCC. dem, para el
sistema FCC y para el sistema del diamante.

DEFECTOS CRISTALINOS
Hasta ahora se ha considerado slo cristales perfectos, esto es, todos los tomos del cristal estn
ubicados exactamente en las posiciones determinadas pos una red cristalina perfecta. En la naturaleza no
existen estos cristales. Los defectos y cristalinos son en gran medida los responsables de las propiedades
mecnicas y elctricas de los materiales.
Segn su extensin en el espacio, podemos clasificar los defectos cristalinos en cuatro
grandes grupos, a saber:
Defectos puntuales
Defectos de lnea
Defectos de superficie
Defectos volumtricos
DEFECTOS PUNTUALES. Este tipo de defectos afecta slo puntos reticulares. Se los puede dividir en
cinco grupos
Vacancias
tomo sustitucional
tomo intersticial
Defecto de Schottky
Defecto de Frenkel
VACANCIAS. Es el defecto ms simple, pues constituye la ausencia de un tomo de un punto reticular que
debiera estar ocupado. Las vacancias pueden resultar de una cristalizacin imperfecta o de vibraciones
trmicas. Pueden ser simples (figura 28) o condensarse formando huecos mltiples, cuando existen dos o ms
muy cercanas.

Figura 28 Vacancia simple

Figura 29 Doble vacancia condensada

La existencia de vacancias en un cristal explica el fenmeno de difusin reticular, como se

explicar ms adelante.
Dependencia del nmero de vacancias de la temperatura. Supngase que en un cristal existen no
posiciones atmicas, ocupadas por n tomos y nv vacancias. Supngase adems que los lugares vacantes son
creados por migracin de los tomos hacia la superficie, como muestra la figura 30.

(a)

(b)

(c)

Figura 30 Generacin de una vacancia

El nmero de vacancias respecto al nmero de posiciones atmicas en un cristal est dado por la
expresin:
Qf

nv
N o kT
RT
=e
=e
no

En esta expresin: nv es el nmero de vacancias de equilibrio; no es el nmero de posiciones

atmicas; R es la constante universal de los gases (R = 1.987 cal /mol K); T es la temperatura en grados
Kelvin y Qf es la energa de activacin para formar vacancias. Los valores de Qf son caractersticos para
cada metal y se pueden conseguir en bibliografa.
EJEMPLO DE APLICACIN
La energa de activacin para formar un mol de vacancias, para el cobre vale 20000 cal /
mol. Calcular la concentracin de vacancias de equilibrio a 300 K; 1355 K y 0 K .
Solucin:

A 300 K
A 1355 K
A
0 K

nv / no = e-20000 / 600 = 4.45 x 10-15

nv / no = e-20000 / 2710 = 7.6 x 10-4
nv / no = e- = 0

ATOMO INTERSTICIAL. Este defecto consiste en la ubicacin de un tomo extrao en un intersticio de la

red cristalina . Este defecto tambin provoca endurecimiento de los metales. Una distribucin homognea de
tomos intersticiales da origen a una solucin slida intersticial.
(a)

(b)

Figura N 31 a) tomo sustitucional, b)tomo Intersticial

DEFECTOS DE LINEA: DISLOCACIONES. Existe una gran diferencia entre los valores tericos y los
valores reales del esfuerzo de fluencia en los metales. Por ejemplo en el magnesio la fluencia se presenta a
100 lb / pulg2 y el esfuerzo terico de fluencia es del orden de 106 lb / pulg2.
Examinemos este caso con mas detalle. Si se somete a traccin una probeta pulimentada de un
material que presenta fluencia prolongada, se observa que en la fluencia aparece una serie de lneas a 45
respecto a la direccin de la traccin ( lneas de Lueders). Estas lneas coinciden con la direccin del esfuerzo
mximo cortante, para esfuerzos principales en una sola direccin, y su aparicin sugiere deslizamiento de
planos cristalinos.
Supongamos que tenemos una probeta formada por un monocristal de magnesio (HCP), en que los
planos bsales compactos forman un ngulo de 45 con la direccin de traccin, y supongamos que la fluencia
se produce por deslizamiento de un plano compacto sobre otro ( ver figura 32)
r

2r

Figura 32 Deslizamiento de planos compactos.

a) Antes de deslizar, b) Posicin de deslizamiento
La deformacin angular (), es en este caso aproximadamente = r/2r = . Ademas se sabe que para
el magnesio, el modulo de elasticidad para corte (G) vale 2.5*106 psi, de manera que el esfuerzo de corte
teorico, para producir el deslizamiento es:
t = G = 2.5 x 106 = 1.25 x 106
Y como el esfuerzo de corte en la fluencia real es:

1
1
r = o sen(2 ) = o sen90 = 50
2
2

lb / pu lg 2

Entonces la discrepancia entre el valor terico y el valor real del esfuerzo de fluencia es del orden de 104.
En todos los metales la discrepancia entre el valor terico y el valor real de fluencia es parecido a
este. La discrepancia se debe a que hemos considerado un cristal perfecto, en que todos los tomos de un
plano compacto se mueven en la misma medida, respecto a los tomos de un plano paralelo inmediato, lo que
implica rotura de muchos enlaces. En la realidad el deslizamiento se produce, como veremos mas adelante
con la rotura de unos pocos enlaces.
En la actualidad se acepta que el deslizamiento de planos se produce debido a la existencia de un
defecto cristalino llamado dislocacin.
En forma genrica definiremos dislocacin como una discontinuidad en la red cristalina, que se
produce a lo largo de una lnea ( direccin). Esta discontinuidad puede ser de dos tipos:
Interrupcin de un plano de tomos. En este caso se ha habla de dislocacin de borde
Deslizamiento simultaneo de un grupo de planos, respecto a otro grupo de planos, en una
magnitud que varia de cero hasta una distancia atmica. En este caso se habla de
dislocacin de hlice (figura 33).

a
b

Figura 33 Dislocacin de borde.

a) Plano atmico extra
b) Lnea de dislocacin

Figura 34 Dislocacin de hlice

a) Lnea de dislocacin

DISLOCACIN DE BORDE. Consideremos un cristal cbico simple perfecto, en dos dimensiones (figura
35.a). En dicha figura se ha dibujado un circuito cerrado, en sentido horario, llamado circuito de Burgers.
Ntese que el circuito considera el mismo numero de tomos en cada direccin, hasta cerrarse en el mismo
tomo en que comenz. En caso de existir una dislocacin de borde( figura 35.b), el circuito no se cierra. El

vector b , que une el ultimo, con el primer tomo del circuito se denomina vector de Burgers. Su modulo es
una distancia atmica y su direccin estn dados por la posicin del ultimo y primer tomos de circuito de
Burgers. Si aplicamos un esfuerzo de corte en la forma que indica la figura 23.c, los planos atmicos que
estn por debajo del plano m-n, se irn reacomodando por movimiento sucesivo de los tomos sombreados de
la figura, hasta que la dislocacin llegue al extremo del cristal (figuras 23c, d y e. Vase que la dislocacin se
ha movido en sentido contrario al movimiento de los tomos.

(a)

(b)

(c)

(d)

(e)

Figura 35 a) Circuito de Burgers, b)Vector de Burgers c), d), e) Movimiento

de una dislocacin de borde bajo la aplicacin de un esfuerzo cortante positivo
Una dislocacin de borde queda totalmente definida por su vector de Burgers, de la siguiente
manera:

La direccin de la dislocacin es perpendicular al vector de Burgers y paralela al plano de

deslizamiento ( plano m-n)
El movimiento de la dislocacin, bajo un esfuerzo de corte positivo, se efecta en la
direccin del vector de Burgers, sobre el plano de deslizamiento
La energa de la dislocacin es proporcional al cuadrado del vector E b2

De la figura 35 es fcil inferir que bajos esfuerzos de corte pueden producir deslizamiento de planos
cristalinos, cuando en un cristal existen dislocaciones.
Los smbolos () y (T) indican respectivamente las dislocaciones de borde positiva y negativa. Esto
es, que el plano atmico extra se encuentra en el primer caso sobre y en el segundo caso bajo el plano de
deslizamiento
DISLOCACIN DE HELICE. Consideremos un cristal cbico simple (36a) y asumamos que cada cubo de
la figura representa un tomo. En la figura 36a el circuito de Burgers se cierra, lo que implica inexistencia de
una dislocacin. Si la parte anterior- superior del cristal se encuentra desviada, respecto a la parte anteriorinferior en una distancia atmica (figura 36b), el circuito de Burgers no se cierra y por lo tanto encierra una
dislocacin. Ntese que la dislocacin existe sin que haya un plano atmico extra y que su direccin es
paralela al vector de Burgers

r
b

(b)
(a)

(c)

Figura N 36 a) Circuito de Burgers, b) Vector de Burgers, c) Lnea de dislocacin y plano deslizamiento

Una dislocacin de hlice queda totalmente definida por el vector de Burgers, de manera tal que :
La direccin de la dislocacin es paralela al vector de Burges y esta contenida en el plano
de deslizamiento.
Al aplicar un esfuerzo cortante positivo, la dislocacin se mueve en direccin perpendicular
a

r
r r
r
b , en el sentido del vector b n donde n es la normal al plano de deslizamiento

El sentido de una dislocacin de hlice es indicado por el sentido del vector de Burgers. As pueden
existir dislocaciones de hlice a la izquierda y a la derecha, como se observa en las figuras 37a y 37b.

(a)

(b)

Figura 37 a) Dislocacin de hlice a la izquierda. La lnea punteada genera un helicoide

similar al de un tornillo con hilo izquierdo. B) Dislocacin de hlice a la derecha

Durante mucho tiempo las dislocaciones aparecan slo un modelo fsico, capaz de explicar la baja
resistencia de los materiales, en comparacin con los valores tericos. Con la aparicin del microscopio
electrnico, la existencia de dislocaciones qued fuera de toda duda. Hoy la fotografa de dislocaciones es
cosa frecuente, de manera que ya nadie puede dudar de su existencia.
EJEMPLO DE APLICACIN
Si se acepta que la energa de una dislocacin vale: E Gb , demostrar que una dislocacin cuyo
a
vector de Burgers es a [110 ] no es estable y se descompone en:
[111] + a 11 1 , para alcanzar el
2
2
equilibrio, es decir, su estado de mnima energa.
2

[ ]

Solucin:
Para efectuar la demostracin pedida basta verificar que la suma de las energas de las dislocaciones
producidas es menor que la energa de la dislocacin inicial.
Se sabe que:

E Gb 2

a2 3 a2 3
+
) = 1.5 G a 2
4
4
E1 2 G a 2

de aqu a energa de las dislocaciones producidas es: E 2 G (

de la dislocacin inicial es:

y la energa

Entonces E 2 < E1 , que es lo que se deseaba demostrar.

DEFECTOS DE SUPERFICIE. Cuando se ataca una probeta metlica perfectamente pulida, con una
solucin cida, se observa que est constituida por un gran nmero de microcristales o granos (figura 38).
Se observa adems que cada grano est separado de los vecinos por lneas negras. Estas lneas que en la
observacin microscpica se ven negras, corresponden al corte entre la superficie de la muestra y las
superficies alabeadas que delimitan cada microcristal. En metalografa se denomina a estas superficies,
lmites de grano y por extensin se denomina de igual modo a las lneas que se observa al microscopio.

Lmite de grano

Figura 38 Micrografa de un metal puro

Figura 39 Disposicin de los

tomos en el lmite de grano

Los lmites de grano tienen el espesor de unos cuantos tomos, que no responden al patrn cristalino
de ninguno de los cristales vecinos, tal como muestra la figura 39. Este desorden les confiere un mayor nivel
energtico que el resto de los tomos. La alta energa libre de los lmites de grano tiene, entre otras, las
siguientes consecuencias:

Regula el tamao de grano

Confiere alta actividad qumica a los tomos de estas regiones, como lo prueba el comportamiento
frente a los reactivos usados en metalografa.

El defecto denominado lmite de grano, se puede interpretar tambin como un complejo conjunto de
dislocaciones y como tal es responsable en gran parte de las propiedades mecnicas de los metales y
aleaciones.
El tamao de grano es importante en algunas propiedades. A menor tamao de grano los metales
son ms duros y resistentes. La ASTM norma la medida del tamao de grano con la siguiente relacin:

N = 2 n 1 ,
en que N es la cantidad de granos que hay en un crculo de una pulgada cuadrada de
rea medida en una fotomicrografa a cien aumentos y n es el numero de grano
ASTM, que en los aceros va normalmente de uno a ocho.

DEFECTOS VOLUMTRICOS. En este grupo se puede incluir defectos tan dispares como inclusiones;
grietas; poros; segregacin intergranular, macrodefectos, etc. Pero el defecto volumtrico que se puede
considerar como defecto cristalino es la macla. Una macla es un conjunto de planos semideslizados que
separa dos regiones de un grano que tienen estructura cristalina normal. El maclado se produce por
deformacin plstica y tiene lugar especialmente en los metales de estructura hexagonal compacta. En la
figura se muestra una macla formada por el desplazamiento conjunto de los planos (111) de un cristal FCC.
Ntese que basta un pequeo desplazamiento de cada plano, para que se forme la macla.
(110)

[112]

Plano (111)
(a)

(111)

[112 ]
(b)

Figura 40 Macla formada por los planos (111) en la direccin [11 2 ], en un cristal FCC a) Corte
de la macla segn el plano (111), b) Descripcin grfica de la direccin y el plano de la macla
Conforme a lo ya expuesto, una macla es una zona distorsionada de una red cristalina, formada por
un conjunto de planos semidesplazados, que separa dos zonas no distorsionadas de un cristal. Si se pule y
ataca una muestra en que hubo deformacin por maclado, se observa al microscopio una serie de rayas
paralelas que revelan el maclado. Esto diferencia esta deformacin de la producida por deslizamiento simple
de planos, pues en esta ltima los planos deslizan en una magnitud equivalente a una distancia atmica, con lo
que la red se reordena y no quedan deformaciones al interior del cristal y no hay, por lo tanto, seales
perceptibles con un microscopio.