Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
3-2.0: Introduction.
dipoles which are present, will lag behind the applied field. So, the
electric displacement current
D Do cos ( t ) , (3.17)
where = lag phase angle.
D Do cos cos t Do sin sin t (3.18)
This leads us to define two dielectric constants
Do cos Do sin
` & `` (3.19)
o Eo o Eo
Co ( `` j ` ) V
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ46)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
I c j Co ` V , (3.23)
which leads the voltage by 90°, and a resistive component,
I R Co `` V , (3.24)
which is in phase with the voltage.
S
or ` ( ) (3.27)
12 2
S
`` ( ) (3.28)
12 2
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ47)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
S
This is the equation of a circle, with center, at , 0 , and of radius
2
S
. So that a plot of `` against ` should given a semicircle, as
2
shown in Fig. (9).
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ) (48ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
)Fig. (8
Deoye dielectric dispersion curves.
Relaxations observed in amorphous materials, show broader
dispersion curves and lower loss maximum than those predicted by the
Debye model, and the curve falls inside the semicircle. This led Cole
and Cole [39] to suggest the following semiempirical equation for
dielectric relaxations.
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ) (49ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
S
, 0 1 (3.30)
1 ( j )1
where denotes the angle of tilt of the circular arc from the real axis,
this equation (3.30) better describes a broad dispersion, and gives a
[ `` ` ] -plot where the center of the semicircle is depressed below the
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ50)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
)Fig. (9
Semicircular Cole-Cole plot
)Fig. (10
A schematic dielectric loss curve
3-2.2: The A.C Conductivity in amorphous semi conductors.
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ) (51ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
3-2.2 (a). Transport by carriers excited to the extended states near
Ec or Ev.
For these we might expect that ( ) would be given by a formula
of the Drude type,
( 0)
( ) (3.31)
1 2 2
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ52)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
(kT) is small compared with the energy range over which N(Ef) may be
taken as constant, and independent of T if (kT) is larger than the width
of some well-defined defect band in which Ef lies.
The analysis of observed results has been given by Mott and Davis
[37], using the formula given by Austin and Mott [41], namely:
4
ph
( ) e 2 kT N ( Ef ) 2 5 n (3.32)
3
3.66 2
[43].
6
4
1
n ( ph / )
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ53)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
)Fig. (11
Schematic illustration of the frequency dependence of conductivity
for the three modes of conduction
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ) (54ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
Elliott [44, 45] has proposed a model for the mechanism responsible
for a.c conductivity in chalcogenides which overcomes most of the
problems associated with interpretation in terms of the Austin-Mott
formula [41]. The model considers hopping of carriers between two sites
over a barrier separating them, rather than tunneling through the barrier
Fig. (12, a, b). On this model the a.c conductivity can be represented by
6
2 N 2 o 8 e2 S
( ) (3.34)
24 o WM ( o)
where:
6 KT
S 1 , (3.35)
WM
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ55)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
According to this model, s is predicted to have a temperature
dependence proportional to T and the magnitude of s at any temperature
is determined by the binding energy of the carrier in its localized site. A
connection between the a.c conductivity and the d.c. conductivity is
predicted for these materials where, WM 2 ( Eo E ) .Values of N
deduced, according to this model, from data on arsenic chalcogenides
and Se lie between 1.8 x 1018 and 2.2 x 1019 cm-3, which have values
similar to those deduced from other measurements.
Elliott also has pointed out that in "IVAP" state, Intimate Valence
Alternation Pairs, (i.e R. 1 1 ) the energy required to remove an
electron from its site to the conduction band is ( W ) ,which can be
1
calculated if (n p ) is plotted versus ( )
T
,where:
W (3.36)
n ( p ) n (o)
KT
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ56)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
)CHAPTER (IV
4-1.0: Introduction.
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ59)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
The models proposed for explanation of fast threshold switching is
qualitative and has the following features:
(1) After application of the electric field, heating produces local
devitrification. Once nucleated, it proceeds extremely rapidly,
possibly at the speed of sound and produces a filamentary path of
devitrified material.
(2) The current increases further until a limit determined either by the
external circuit or the resistance of the structure is reached. The
filamentary path consists now of molten material at high
temperature.
(3) Upon reduction of the current, cooling results in transformation of
the molten filament into the glassy state. The cooling rate must
be fast enough so that the transformation to the glassy state rather
than phase separation, occurs.
4-1.2: Thermal switching mechanism.
4-1.3(a).Double injection
Double injection and trap limited space charge saturation may occur
when carriers are injected by emission at the electrodes. These carriers
are utilized to fill traps. When all traps are filled at saturation the Fermi
level is shifted completely into the neighboring conduction or valence
band. Then additional carriers will unimpeded producing the switching
transition and the low-resistance region. Applying a strong electric field
produces extra carrier concentrations. Then the Fermi level splits into
two quasi-Fermi levels, one near the conduction band and the other near
the valence band, producing charge neutrality in most of the
interelectrode gap of the material and leaving the potential drop at the
electrodes. In the double-injection model the carriers injected at the
electrodes have equivalent effects and result in space-charge neutrality
where the space-charge clouds overlap [53].
or by
C exp ( E e F S / 2 ) KT (4.2)
where Fo is in the order of 2.5×104 V/cm which is nearly 5 percent of
the field at threshold and S 200 A . o
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ62)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
cases, there is a current filament for both the switching and the memory
effect i.e. the current is conducted through filament.
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ63)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
change in the dispersion curve (E-K). This in turn cause a change in
the band structure of the strained region. So, the activation energy
of the conduction process undergoes a change according to the
topology of the top and the bottom of the valence and conduction
bands.
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ) (65ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
]CHAPTER [V
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ) (66ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
(1) When the dc voltage applied across the probes on the surface of the
sample, reached a certain threshold value, a process initiate on a line
joining the probes them travel outward. This process is characterized
by a decrease in the electrica1 resistance and a change in the surface
reflectively. This decreased resistance persists as long as certain
minimum current is maintained otherwise the resistance reverted to
its original high value.
(2) If the applied dc voltage is maintained a filament will grow out of the
anode and terminate at the cathode. The filament growth rate depend
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ67)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
on the applied voltage. When the filament growth is complete the
low resistance will remain if the applied voltage is removed.
(3) There are two possible ways to revert back to the high resistance
state. First by gradually increasing the dc applied voltage through a
small current limiting resistance until visible melting of the filament
occurs. A more suitable disordering of the filament occurs if a
narrow voltage pulse of sufficient energy is applied. In this manner
the high resistance state can be restored without any observable
disruption of the filament. This type of reversal probably transforms
only the narrowest portion of the filament back to the high resistance
state.
Stocker [47] added the following observations during the filament
formation:
(1) A sharp click can often be heard as the path forms.
(2) The formation of the path appears to be not thermal and once
initiated proceeds at an extremely rapid rate, possibly the speed of
sound.
(3) The path shows devitrification when examined under the
microscope.
(4) The current-voltage characteristic of the path tend to be rather
unstable but occasionally they can be stable for several hours.
Matsushita [63] reported that the shape of the high current density
path, formed between gold electrodes evaporated on the bulk surface of
As. Te. Ge glass depended on the material composition.
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ68)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
Sie [64], focused a radiometric microscope on a spot midway
between the anode and the cathode. As the applied voltage reached a
threshold value, an abrupt jump both in the current and temperature
traces. The measured temperature reached 320°c. The high temperature
maintained until the advancing filament passes through the spot. The
experiment indicate the exothermic nature of the filament formation and
the good thermal conductivity of the filament relative to that of the
material in front of the filament. The filament growth was not completed
until about 45 sec. after the first abrupt current increase.
Okade et.al [58], classified the glassy region in the ternary As.Ge.Te
phase diagram to two regions. The glassy region I, is the region of high
As concentration and the glassy II is that of lower As concentration.
They determined the composition of the filament of both regions using
microprobe analysis. They found that fro all samples belonging to the
small As concentration region, gives filaments of composition has nearly
the same composition as the original material. But the specimens belong
to region I of high As concentration. The lock ON filament has nearly
the stiochometric composition As2 Te3 in most of the filament. The
filament also has very high Te concentration near the anode and very
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ69)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
high As concentration near the cathode. X-ray structure studies prove
that all the filaments are crystalline.
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ70)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
with o about 103 ohm-1 cm-1 for most amorphous semiconductors with
values of E 0.6 and 1.5 eV.
Since only radial heat flow is considered, the current and voltage
scales can easily be changed to apply to different electrodes separations.
This characteristics which show an extended negative differential
resistance region. Some hysteresis is observed when the current is
changed too rapidly for maintaining thermal equilibrium. By using a
small values of load changed resistor RL, such device can be made to
dV
switch along the load line from a point at which RL
dI
to the point
of intersection of the load line and the I-V curve. In this case of
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ71)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
breakdown voltage Vth decreases rapidly with temperature,
approximately as Vth 1 / , and the highest internal temperature near
Vth is not much larger than ambient. The temperature at breakdown near
Vth is
To To (1 2 K To / E ) (5.3)
that is about 15o c above ambient for typical cases.
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ72)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
and Maruno found that the glass forming region has two island structure.
GeSe and Te were formed in the samples comprising binary systems
GeSe2-Te. They considered that the structures of the glasses in the
system Ge10Se90-xTex are constructed from partially cross-linked Se-Te
chains with Ge, and that Se in the chain structure is progressively
substituted by Te with increasing Te content. In the system (Se1-zTez)2
the substitution of the Se in the structure of GeSe2 by Te makes possible
to form the glasses. This structure can be described as described as
distorted three-dimensional network structure in which the Se-Te chains
are completely cross-linked with Ge, The glasses with high Te content in
these system have a remarkable tendency towards phase-separation.
D.J. Sarrach et al. and J. Wieder et al. showed that the region of
easy bulk glass formation is limited to alloys containing more than about
50 at % Se with an additional region extending from Ge40 Se60 towards
Ge17T83 which is in reasonable agreement with the observations of
Borisova [75]. Most chalcogen-rich compositions showed a discontinues
increase of heat capacity when they heated through the glass transition
temperature Tg. The Ge-rich compositions, which could only be
prepared as sputtered amorphous films, were invariably characterized by
an irreversible exothermic crystallization process on heating beginning
at the crystallization temperature Tc.
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ73)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
of resistivety, , on annealing time (t) was described by o exp ( ct ) ;
where c is the crystallization rate.
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ74)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
switching and memory effects. Raising the applied electric field above a
certain value causes the material to jump from low to high conductivity
state in less than 0.5 n.sec.
When the current is then reduced there are two possibilities for the
electrical behavior. In the case of a material that shows only switching
effect, the former low conductivity state returns after the current has
fallen below a certain critical value. In the case of material that shows
memory effect the resulting state depends on the current reduction rate.
The high conductivity state can be maintained through slow reduction
even without current flow, whereas fast reduction leads to the low
conducting state.
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ75)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
(1) Measure the I-V curve for the prepared samples at different ambient
temperature and the effect of thickness and pressure on the I-V curve.
(2) Measure the electrical conductivity at constant current value to
neglect the lode line effect on the I-V curves.
(3) Measure the equivalent circuit for the prepared samples by using the
A.C conductivity.
4) Measure the differential thermal analysis of the prepared samples to
indicate the thermal behavior of these sampless.
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ77)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
)Fig. (13
Glass formation in the Ge-Se-Re system, showing quencing techniques
required to produce single-phase amorphous samples. Dots correspond
]to compositions successfully prepared [11
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ) (78ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
)Fig. (14
The sample holders
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ) (79ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
)CHAPTER (VI
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ) (80ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ81)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
temperature of 1200 ± 20oc. Ampoules have been heated for h hours at
temperature 1000 ± 20°c with continuous shaking to ensure good
homogeneity. The ampoules in a horizontal direction are then quenched
in ice-water to ensure constant cooling rate. Samples as a small flakes of
thickness ~ 0.05 cm were produced.
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ83)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
inverse direction. Three regions, with different dependence of the
current on the voltage, I V , I V , and I V were observed. 2 3
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ84)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ) (85ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
Fig (16)
The variation of the output voltage across the sweeping unit with time.
Time (sec)
Fig (17) represents the circuit diagram used for these measurements
which consist of a current source (Keithley 234 - A) connected to the
sample and the voltage drop across the sample was recorded from the
analogo voltage delivered from the electrometer (Keithley 155 null
detectr). A digital thermometer with analog voltage (1 m.V / 1o c) was
used to record the sample temperature. The heating rate was estimated to
be 3 7 c / min . The chosen current was monitored by using (Keithley
o
616) electrometer.
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ86)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
The impedance analysis method requires the determination of the
real part (Z ) and the imaginary part (Z ) of the impedance Z where,
V ( )
Z Z . Cos j Z .Sin ( )
I ( )
and Z Z / 2 Z // 2
The Z and data can be read directly from the impedance meter
used in our experiments at the chosen frequency and the desired
temperature. Hence, the equipment used to determine the complex
impedance is the TESLA BM.507 impedance meter which operates in
the frequency range 5Hz-500k.Hz. The value of Z ranges from
1 to 10 M . and from 90 to 90 . Theamplitude of the measured signal
o o
( ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ87)ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ
)Fig (17
The circuit diagram used to measure
the D.C. conductivity at constant current
ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ) (88ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ