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MODULO

ELECTRNICA ANLOGA

OMAR TOVAR TOVAR

Editado por:
IVAN CAMILO NIETO SNCHEZ

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD BOGOTA


2010

GUA DIDCTICA
ELECTRNICA ANLOGA
@Copyright
Universidad Nacional Abierta y a Distancia

ISBN
2009
Centro Nacional de Medios para el Aprendizaje
Primera versin: febrero 7 de 2009
OMAR TOVAR TOVAR

NDICE
PRIMERA UNIDAD
FUNDAMENTOS DE LOS SEMICONDUCTORES
CAPTULOS 1 GENERALIDADES DE LOS SEMICONDUCTORES
1. Historia de los semiconductores
2. Conceptos y elementos de los semiconductores
3. Clases de semiconductores
CAPITULO 2 DIODOS SEMICONDUCTORES
1.
2.
3.
4.
5.

Smbolo de un Diodo
Clases de diodos
Polarizacin de un diodo
Curvas caractersticas del diodo.
Diodos de propsitos especial

CAPITULO 3 TRANSISTORES BIPOLARES


1.
2.
3.
4.
5.

Descripcin.
Tipos de transistores de unin bipolar.
Funcionamiento bsico.
Polarizacin de un transistor.
Zona de trabajo.

SEGUNDA UNIDAD
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
CAPITULO 4 TRANSISTORES FET
1.
2.
3.
4.

Tipo de FET.
Operacin y construccin de FET.
Caractersticas de funcionamiento.
Principales aplicaciones.

CAPITULO 5 MOSFET
1. Breve historia.
2. Funcionamiento.
3. Estado de funcionamiento de un transistor MOSFET.

4. Aplicaciones.
5. Ventajas.
CAPITULO 6 Amplificadores
1. Generalidades
2. Amplificadores de seal pequea
3. Amplificadores en Cascada
TERCERA UNIDAD
AMPLIFICADORES
CAPITULO 7 Amplificadores de Potencia
1. Generalidades
2. Clasificacin
CAPITULO 8 Amplificadores de tensin
1. Generalidades
2. Clasificacin
CAPITULO 9 Amplificadores Operacionales
1.
2.
3.
4.
5.
6.

Generalidades
Comportamiento en continua (CD).
Comportamiento en Alterna (CA).
Tipos de circuitos.
Clasificaciones
Estructuras

UNIDAD No 1
FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES
CAPITULO 1
1. Generalidades De Los Semiconductores
1.1. Historia De Los Semiconductores
En los ltimos aos las investigaciones realizadas por un gran nmero de
cientficos, sobre el comportamiento al paso de la corriente elctrica en los
materiales llamados semiconductores, han dado por resultado una serie de
descubrimientos y adelantos de tal naturaleza que su desenlace es casi imposible
prever.
Desde que apareci la primera aplicacin en 1915 con el detector de galena, hasta
1939-40, se puede decir que fue un periodo de incertidumbre, luego en 1948,
apareci el transistor de puntas; en 1950 el transistor de Shockley; en 1953 el
diodo de tnel; en 1958 el tecnetrn, y en 1960 los circuitos integrados, etc. .Quiz
ninguna tcnica ha hecho tan rpidos progresos como la de los semiconductores,
los cuales son capaces de representar los mismos papeles que los tubos de vaco,
pero con numerosas ventajas.
El ms conocido de estos elementos es el transistor que, sin embargo, no es ms
que un brillante representante de un grupo vastsimo.
Por medio de los mtodos qumicos y fsicos habituales, y la paciencia de grandes
cientficos es imposible descubrir estos residuos tan nimios de impurezas. Ha sido
necesario idear nuevos procedimientos de anlisis basados en los fenmenos
elctrico-magnticos, fotomagneto-elctricos, etc.
Antes de 1940, los fenmenos que se desarrollaban en los semiconductores eran,
desde muchos puntos de vista, bastante misteriosos. La conductibilidad elctrica
de estos cuerpos, siendo notablemente inferior a la de los metales, no era
suficientemente alta para considerarlos como aislantes; adems, en muchos casos
aumentaba rpidamente la conductibilidad con la temperatura, lo que constitua un
fenmeno desconocido en los metales.

Actualmente, en el vasto campo de los semiconductores se emplean mezclas de


xidos de metales: cobre, uranio, manganeso, nquel, cobalto, hierro, etc., segn
sea su aplicacin y el fenmeno que se desee utilizar, pues en unos su resistencia
elctrica varia con el calor, en otros con el potencial elctrico empleado, en otros
an con la luz o con la cantidad de flujo magntico a que estn sometidos.
Tambin son muy empleados el selenio, el silicio, el germanio, etc., y ahora
empiezan a emplearse combinaciones como antimoniouro de indio, seleniuro de
cadmio, sulfuro de plomo, etc. Igualmente se utilizan mezclas de xidos tales
como el xido ferroso-frrico o magnetita y combinaciones oxigenadas de titanio,
Magnesio, Cromo, Circonio, etc. El Titanato de cinc y el Aluminato de Magnesio,
etc. , se emplean principalmente para la fabricacin de los llamados termistores,
cuyo nombre deriva de la contraccin del trmino ingls thermal-resistor
(resistencia trmica) o resistencias NTC ( Negative Temperature Coefficient ).
En el ao 1947 un grupo de cientficos de los Laboratorios BELL, John Bardeen,
William Shockley y Walter Brattain, descubrieron uno de los primeros
Semiconductores que podra reemplazar al TUBO, y ese sera el DIODO hecho de
GERMANIO (ubicado en la TABLA PERIDICA dentro del grupo de los
Metaloides), que teniendo una cierta cantidad de impurezas podra trabajar como
rectificador.
1.2.

Concepto Y Elementos Semiconductores

Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como


aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los
elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla
siguiente.

Elemento

Cd
(Cadmio)

Grupo

Electrones en
la ltima capa

II B

2 e-

Al, Ga, B, In
(Aluminio, Galio, Boro, Indio)
Si, Ge
(Silicio, Germanio)
P, As, Sb
(Fosforo, Arsnico, Antimonio)
Se, Te, (S)
(Selenio, Telurio, Asufre)

III A

3 e-

IV A

4 e-

VA

5 e-

VI A

6 e-

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, aunque idntico


comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III
con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y
SCd). De un tiempo a esta parte se ha comenzado a emplear tambin el azufre.
La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio
una configuracin electrnica sp.
1.3. Clases De Semiconductores
1.3.1.
Semiconductores Intrnsecos
Un cristal de silicio forma una estructura tetradrica similar a la del carbono
mediante enlaces covalentes entre sus tomos. Cuando el cristal se encuentra a
temperatura ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la energa
necesaria, saltar a la banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en
la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente son de
1,12 y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones
pueden caer desde el estado energtico correspondiente a la banda de

conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este


fenmeno, se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada
temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se
igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece
invariable. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la
concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p
siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensin, se producen dos
corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres
de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos
(2), originando una corriente de huecos en la direccin contraria al campo
elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de
conduccin.
1.3.2.

Semiconductores Extrnsecos

Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo


porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado.
Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina
sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.
1.3.2.1.

Semiconductor Tipo N

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado


aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones).
Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms
dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente
dopante es tambin conocido como material donante ya que da algunos de sus
electrones.

El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones


portadores en el material. Para ayudar a entender como se produce el dopaje tipo
n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia
atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los
tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales
como los del grupo VA de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o
antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio,
entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado.
Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el
nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en
ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los
portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de
valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores.
Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion
dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga
elctrica neta final de cero....
1.3.2.2.

Semiconductor Tipo P

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,


aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin
conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido
un electrn son conocidos como huecos.

CAPITULO 2

2. DIODOS SEMICONDUCTORES
Presentacin fsica de los diodos semiconductores.

Tipos de diodos de estado slido

Diodo de alto vaco

Un diodo (del griego "dos caminos") es un dispositivo semiconductor que permite


el paso de la corriente elctrica en una nica direccin con caractersticas
similares a un interruptor. De forma simplificada, la curva caracterstica de un
diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se
comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un
cortocircuito con muy pequea resistencia elctrica.

Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son


dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua. Su
principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest.
2.1.

Smbolos De Un Diodo Semiconductor

Los diodos semiconductores se representan:

Smbolos grficos
El material tipo P recibe el nombre de nodo
El material tipo N recibe el nombre de ctodo.

La flecha indica el sentido convencional de la corriente

2.2.

Clases De Diodos

2.2.1. Diodo pn o Unin pn


Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos
p y n, por lo que tambin reciben la denominacin de unin pn. Hay que destacar
que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en
cada cristal, el nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos
decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).

Formacin de la zona de carga espacial


Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p
(Je).
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados
de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga
espacial, de agotamiento, de deplexin, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin
entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V 0) es de 0,7 V en el caso del
silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser
del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado
que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito,
tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice
que no est polarizado. Al extremo p, se le denomina nodo, representndose por
la letra A, mientras que la zona n, el ctodo, se representa por la letra C (o K).
Existen tambin diodos de proteccin trmica los cuales son capaces de proteger
cables.

A (p)

C K (n)

Representacin simblica del diodo pn

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el


diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.

2.2.2. Polarizacin Directa E Inversa.


2.2.2.1.

Polarizacin directa

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga


espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es
decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo
positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas
condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p,
esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor
que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones
libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos
del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la
zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p
convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es
atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo

hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo


conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente
elctrica constante hasta el final.
2.2.3. Polarizacin inversa

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo


positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin
en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como
se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los


cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se
desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres
abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al
verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren
estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y
tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones
positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes
de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de
valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con

los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el


electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los
electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de
estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8
electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1,
convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al


efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco a ambos lados de la
unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada
corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada
corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce
una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los
tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro
enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos
de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su
orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos.
No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial
de fuga es despreciable.
2.3.

Curva caracterstica del diodo

Tensin umbral, de codo o de partida (V ).

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin


directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo
no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial
se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de
la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral,
la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos
de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente mxima (Imax ).


Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin
fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor
que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.

Corriente inversa de saturacin (Is ).


Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo
por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura,
admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.

Corriente superficial de fugas.


Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver
polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al
diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de
fugas.

Tensin de ruptura (Vr ).

Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el


efecto avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente
inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la
tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto

avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la
ruptura puede deberse a dos efectos:

Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se


generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de
saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran
incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones
de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos
electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin,
chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El
resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente
grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a
6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material,
menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E
puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d;
cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo
elctrico ser grande, del orden de 310 5 V/cm. En estas condiciones, el
propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia
incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V
o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como


los Zener, se puede producir por ambos efectos.
Modelos matemticos
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William
Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la
mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la
diferencia de potencial es:

Donde:

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo


VD es la diferencia de tensin entre sus extremos.
IS es la corriente de saturacin (aproximadamente 10 12A)
q es la carga del electrn cuyo valor es 1.6 * 10 19
T es la temperatura absoluta de la unin
k es la constante de Boltzmann
n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del
diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de
2 (para el silicio).
El trmino VT = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del
orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C).

2.4.

Diodos De Proposito Especial.

2.4.1. Diodo avalancha


Un diodo avalancha, es un diodo semiconductor diseado especialmente para
trabajar en tensin inversa.
En estos diodos, poco dopados, cuando la tensin en polarizacin inversa alcanza
el valor de la tensin de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de
conduccin por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo elctrico
incrementando su energa cintica, de forma que al colisionar con electrones de
valencia los liberan; stos a su vez, se aceleran y colisionan con otros electrones
de valencia liberndolos tambin, producindose una avalancha de electrones
cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas
incremento de la tensin.
USOS

Proteccin

La aplicacin tpica de estos diodos es la proteccin de circuitos electrnicos


contra sobretensiones.

El diodo se conecta en inversa a tierra, de modo que mientras la tensin se


mantenga por debajo de la tensin de ruptura slo ser atravesado por la corriente
inversa de saturacin, muy pequea, por lo que la interferencia con el resto del
circuito ser mnima; a efectos prcticos, es como si el diodo no existiera. Al
incrementarse la tensin del circuito por encima del valor de ruptura, el diodo
comienza a conducir desviando el exceso de corriente a tierra evitando daos en
los componentes del circuito.

Fuentes de ruido de RF

Los diodos avalancha generan ruido de radio frecuencia; son comnmente


utilizados como fuentes de ruido en equipos de radio frecuencia.
Tambin son usados como fuentes de ruido en los analizadores de antena y como
generadores de ruido blanco.
2.4.2. Fotodiodo
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja.
Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se
producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz.
Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas,
es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el
positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en
ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.
Principio de operacin
Un fotodiodo es una unin P-N o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente
energa llega al diodo, excita un electrn dndole movimiento y crea un hueco con
carga positiva. Si la absorcin ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a
una distancia de difusin de l, estos portadores son retirados de la unin por el
campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente.
2.4.3. Diodo Gunn

Es una forma de diodo usado en la electrnica de alta frecuencia. A diferencia de


los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene
regiones del tipo N, razn por lo que impropiamente se le conoce como diodo.
Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N
fuertemente dopadas y una delgada regin intermedia de material ligeramente
dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a travs de sus terminales, en la
zona intermedia el gradiente elctrico es mayor que en los extremos.
La frecuencia de la oscilacin obtenida a partir de este efecto, es determinada
parcialmente por las propiedades de la capa o zona intermedia del diodo, pero
tambin puede ser ajustada exteriormente.
Los diodos Gunn son usados para construir osciladores en el rango de frecuencias
comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias an ms altas (hasta Terahertz).
Este diodo se usa en combinacin con circuitos resonantes construidos con guias
de ondas, cavidades coaxiales y resonadores YIG (monocristal de granate Itrio e
hierro, Yttrium Iron Garnet por sus siglas en ingls) y la sintonizacin es realizada
mediante ajustes mecnicos, excepto en el caso de los resonadores YIG en los
cuales los ajustes son elctricos.
Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta
200 GHz, mientras que los de Nitruro de Galio pueden alcanzar los 3 Terahertz.
2.4.4. Diodo lser
El diodo lser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que
bajo las condiciones adecuadas emite luz lser. A veces se los denomina diodos
lser de inyeccin, o por sus siglas inglesas LD o ILD.
Algunas aplicaciones

Comunicaciones de datos por fibra ptica.


Lectores de CDs, DVDs y formatos derivados.
Interconexiones pticas entre circuitos integrados.
Impresoras lser.
Escneres o digitalizadores.
Sensores.

2.4.5. Diodo LED (e IRED)


Diodo emisor de luz, tambin conocido como LED
es un dispositivo
semiconductor (diodo) que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se
polariza de forma directa la unin PN del mismo y circula por l una corriente
elctrica. Este fenmeno es una forma de electroluminiscencia. El color (longitud
de onda), depende del material semiconductor empleado en la construccin del
diodo y puede variar desde el ultravioleta, pasando por el visible, hasta el
infrarrojo. Los diodos emisores de luz que emiten luz ultravioleta tambin reciben
el nombre de UV LED (UltraV'iolet Light-Emitting Diode) y los que emiten luz
infrarroja suelen recibir la denominacin de IRED (Infra-Red Emitting Diode).

2.4.6. Diodo p-i-n


Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia
semiconductor intrnseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura
P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la prctica, la capa intrnseca se
sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad () o bien por una capa n de
alta resistividad ().
El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:

conmutador de RF
resistencia variable
protector de sobretensiones
fotodetector
2.4.7. Diodo Schottky o diodo de barrera Schottky

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico


alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona
conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa
(menos de 1ns en dipositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas
tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls
se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensin de codo es la
diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo acte como conductor
en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la regin Zener, que es
cuando ms bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa
para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- ste opere
de igual forma como lo hara regularmente.

2.4.8. Diodo Shockley (diodo de cuatro capas)


Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados
estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir
con el diodo de barrera Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas
alternadamente. Es un tipo de tiristor.

2.4.9. Diodo tnel o diodo Esaki


El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se
produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en
un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin.

La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como


componente activo (amplificador/oscilador).

2.4.10.

Diodo Varicap

El Diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que


basa su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera de
potencial en una unin PN varie en funcin de la tensin inversa aplicada entre
sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera,
disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un
condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos
van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V.
La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de TV,
modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores
controlados por voltaje (Oscilador controlado por tensin).

2.4.11.

Diodo Zener

Un diodo Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en


las zonas de rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el
diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con
independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de
la resistencia de carga y temperatura.
El diodo Zener se representa en los esquemas con el siguiente smbolo:

2.5.

Circuito Equivalente De Un Diodo Ideal

Si el diodo est polarizado directamente, su circuito equivalente es el un


conmutador cerrado, la resistencia es pequea.

Con polarizacin inversa, el circuito representa un conmutador abierto, gran


resistencia.

CAPITULO No 3
3.

TRANSISTORES BIPOLARES

3.1. Descripcin
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de
sus terminales.
Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica analgica.
Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital como la tecnologa TTL o
BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.

3.2.

Tipos De Transistores De Unin Bipolar

NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N"
y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da
son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los

"huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades


de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P
(la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente
ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida
del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta
en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
est en funcionamiento activo.
PNP
El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N
entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la
fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea
corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la
direccin en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.

Transistor NPN

Estructura de un
transistor NPN

Transistor
PNP

Estructura de un
transistor PNP

Transistor Bipolar de Heterounin


El transistor bipolar de heterounin (TBH) es una mejora del BJT que puede
manejar seales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un
dispositivo muy comn hoy en da en circuitos ultrarrpidos, generalmente en
sistemas de radiofrecuencia.
Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores para los
elementos del transistor. Usualmente el emisor est compuesto por una banda de
material ms larga que la base. Esto ayuda a reducir la inyeccin de portadores
minoritarios desde la base cuando la juntura emisor-base est polarizada en
directa y esto aumenta la eficiencia de la inyeccin del emisor. La inyeccin de
portadores mejorada en la base permite que esta pueda tener un mayor nivel de
dopaje, lo que resulta en una menor resistencia. Con un transistor de juntura
bipolar convencional, tambin conocido como transistor bipolar de homojuntura, la
eficiencia de la inyeccin de portadores desde el emisor hacia la base est
principalmente determinada por el nivel de dopaje entre el emisor y la base.
Debido a que la base debe estar ligeramente dopada para permitir una alta
eficiencia de inyeccin de portadores, su resistencia es relativamente alta.
3.3.

Funcionamiento Bsico

Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del
transistor por lo que la lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se
encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).

F.1

F.2

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la
Base. As el transistor disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo que
pasar una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lmpara. (Figura
2).
En general: IE > IC > IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE
3.4.

Polarizacion De Un Transistor

Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo


mismo polarizar un transistor NPN que PNP.

Polarizacin de un transistor NPN

Polarizacin de un transistor PNP

Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente


y la unin base - colector inversamente.
3.5.

Zonas De Trabajo

CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y


Emisor tambin es nula. La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El
transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat

SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un


incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor
entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma,
se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en
el Colector.
IB IC ; Vbat = RC X IC.

ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente.


Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en
conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor.
La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los
transistores ya que relaciona la variacin que sufre la corriente de colector para
una variacin de la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus
hojas de caractersticas, tambin aparece con la denominacin hFE. Se expresa de
la siguiente manera:
= IC / IB

En resumen:
Saturacin

Corte

Activa

VCE

VCC

Variable

VRC

VCC

Variable

IC

Mxima

= ICEO 0

Variable

IB

Variable

=0

Variable

VBE

0,8v

< 0,7v

0,7v

Los encapsulados en los transistores dependen de la funcin que realicen y la


potencia que disipen, as nos encontramos con que los transistores de pequea
seal tienen un encapsulado de plstico, normalmente son los ms pequeos (
TO- 18, TO-39, TO-92, TO-226 ... ); los de mediana potencia, son algo mayores y
tienen en la parte trasera una chapa metlica que sirve para evacuar el calor
disipado convenientemente refrigerado mediante radiador (TO-220, TO-218, TO247...) ; los de gran potencia, son los que poseen una mayor dimensin siendo el
encapsulado enteramente metlico . Esto, favorece, en gran medida, la
evacuacin del calor a travs del mismo y un radiador (TO-3, TO-66, TO-123, TO213...).
Para conocer los encapsulados de los transistores ms utilizados:

El aspecto de los primeros transistores:


Los transistores unipolares o de Efecto de Campo (FET)

UNIDAD No 2
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
CAPITULO 4
4.

El transistor de Efecto de Campo

Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se


controla mediante tensin. Cuando funcionan como amplificador suministran una
corriente de salida que es proporcional a la tensin aplicada a la entrada.
Caractersticas generales:
Por el terminal de control no se absorbe corriente.
Una seal muy dbil puede controlar el componente
La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico
Se consideran tres tipos principales de FET:
1. FET de unin (JFET)
2. FET metal xido semiconductor de empobrecimiento (MOSFET de
empobrecimiento)
3. FET metal xido semiconductor de enriquecimiento (MOSFET de
enriquecimiento)
4.1. Transistor Efecto De Campo FET (Field Effect Transistor) Tipos De FET
Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente
(S, Source), y Drenaje (D, Drain). Segn su construccin pueden ser de canal P o
de canal N. Sus smbolos son los siguientes:

Smbolo de un FET de canal N

Smbolo de un FET de canal P

Ventajas y desventajas del FET


Las ventajas del FET pueden resumirse como sigue:
1. Son dispositivos sensibles a la tensin con alta impedancia de entrada (del
orden de 107). Como esta impedancia de entrada es considerablemente
mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de
entrada de un amplificador multietapa.
2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. Los FET so ms estables con la temperatura que los BJT.
4. Los FET son, en general, ms fciles de fabricar que los BJT pues suelen
requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar
un mayor nmero de dispositivos en un circuito integrado (es decir, puede
obtener una densidad de empaque mayor).
5. Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensin para
valores pequeos de tensin de drenaje a fuente.
6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el
tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de
almacenamiento.
7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar
corrientes grandes.
Existen varias desventajas que limitan la utilizacin de los FET en algunas
aplicaciones:
1. Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta
capacitancia de entrada.
2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
3. Los FET se pueden daar al manejarlos debido a la electricidad esttica.
4.2.

Operacin y Construccin del JFET

Al igual que el BJT, el FET es un dispositivo de tres terminales, pero solo tiene una
unin Pn en vez de dos, como en el BJT. El JFET de canal n se construye
utilizando una cinta de material de tipo n con dos materiales de tipo p difundidos
en ella, uno en cada lado. El JFET de canal p tiene una cinta de material de tipo p
con dos materiales de tipo n difundidos en ella.
El FET es un dispositivo controlado por tensin y se controla mediante v GS. Antes
de analizar estas curvas, tmese nota de los smbolos para los JFET de canal n y

de canal p. Estos smbolos son iguales excepto por la direccin de la flecha.


Conforme se incrementa vGS (ms negativo para un canal n y ms positivo para un
canal p) se forma la regin desrtica y se cierra para un valor menor que iD.
Caractersticas de transferencia del JFET
De gran valor en el diseo con JFET es la caracterstica de transferencia, que es
una grfica de la corriente de drenaje, iD, como funcin de la tensin compuerta a
fuente, vGS, por encima del estrangulamiento.
Por tanto, solo se necesita conocer IDSS y VP, y toda la caracterstica quedara
determinada. Las hojas de datos de los fabricantes a menudo dan estos dos
parmetros, por la que se puede construir la caracterstica de transferencia. El
parmetro de control para el FET es la tensin compuerta-fuente en lugar de la
corriente de base, como en el BJT.
La regin entre el estrangulamiento y la ruptura por avalancha se denomina regin
activa, regin de operacin del amplificador, regin de saturacin o regin de
estrangulamiento. La regin ohmica (antes del estrangulamiento) a veces se
denomina regin controlada por tensin. El FET opera en esta regin cuando se
desea un resistor variable y en aplicaciones de conmutacin.
La tensin de ruptura es funcin de vGS as como de vDS. Conforme aumenta la
magnitud entre compuerta y fuente (ms negativa para el canal n y ms positiva
para el canal p), disminuye la tensin por ruptura. Con v GS = VP, la corriente de
drenaje es cero (excepto por una pequea corriente de fuga), y con vGS = 0, la
corriente de drenaje se satura a un valor
iD = IDSS
Donde IDSS es la corriente de saturacin drenaje a fuente.
Curva Caracterstica De Transferencia
Indican la variacin entre la intensidad de drenador en funcin de la tensin de
puerta.

4.3.

Caracterstica De Funcionamiento.

Los parmetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la


siguiente figura:

Parmetros de un FET de canal N

Parmetros de un FET de canal P

La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este
dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:

Zona lineal
El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin
VGS.
Zona de saturacin
A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y
se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin que
existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , V GS.
Zona de corte
La intensidad de Drenador es nula.
Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones tpicas: Surtidor
comn (SC), Drenador comn (DC) y Puerta comn (PC). La ms utilizada es la
de surtidor comn que es la equivalente a la de emisor comn en los transistores
bipolares.
Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentran en la
amplificacin de seales dbiles.
Curva Caractersticas De Salida

Al variar la tensin entre drenador y surtidor varia la intensidad de drenador


permaneciendo constante la tensin entre puerta y surtidor.
En la zona hmica o lineal se observa como al aumentar la tensin
drenador surtidor aumenta la intensidad de drenador.
En la zona de saturacin el aumento de la tensin entre drenador y surtidor
produce una saturacin de la corriente de drenador que hace que esta sea
constante. Cuando este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta
zona.
La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula.
La zona de ruptura indica la mxima tensin que soportar el transistor
entre drenador y surtidor.

Es de destacar que cuando la tensin entre puerta y surtidor es cero la intensidad


de drenador es mxima.
4.4.

Principales aplicaciones

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:


APLICACIN

PRINCIPAL VENTAJA

USOS

Aislador o
separador (buffer)

Impedancia de entrada
alta y de salida baja

Uso general, equipo de medida,


receptores

Amplificador de RF Bajo ruido

Sintonizadores de FM, equipo para


comunicaciones

Mezclador

Baja distorsin de
intermodulacin

Receptores de FM y TV, equipos


para comunicaciones

Amplificador con
CAG

Facilidad para controlar


ganancia

Receptores, generadores de
seales

Amplificador
cascodo

Baja capacidad de
entrada

Instrumentos de medicin, equipos


de prueba

Troceador

Ausencia de deriva

Amplificadores de cc, sistemas de


control de direccin

Resistor variable
por voltaje

Se controla por voltaje

Amplificadores operacionales,
rganos electrnicos, controlas de
tono

Amplificador de
baja frecuencia

Capacidad pequea de
acoplamiento

Audfonos para sordera,


transductores inductivos

Oscilador

Mnima variacin de
frecuencia

Generadores de frecuencia patrn,


receptores

Circuito MOS digital Pequeo tamao

Integracin en gran escala,


computadores, memori

CAPITULO 5
5.

MOSFET

MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta


aislada, es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de
silicio. Cada uno entrega una parte a la corriente total.
Uno de los motivos que impuls su desarrollo es que los transistores bipolares
presentan limitaciones. Es un dispositivo controlado por tensin, Es un dispositivo
extremadamente veloz en virtud a la pequea corriente necesaria para estrangular
o liberar el canal. Por esta facultad se los usa ampliamente en conmutacin. Su
velocidad permite disear etapas con grandes anchos de banda minimizando, as,
lo que se denomina distorsin por fase.

5.1.

Breve Historia

Fue ideado tericamente por el alemn Julius von Edgar Lilienfeld en 1930,
aunque debido a problemas de carcter tecnolgico y el desconocimiento acerca
de cmo se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se
pudieron fabricar hasta dcadas ms tarde. En concreto, para que este tipo de
dispositivos pueda funcionar correctamente, la intercara entre el sustrato dopado y
el aislante debe ser perfectamente lisa y lo ms libre de defectos posible. Esto es

algo que slo se pudo conseguir ms tarde, con el desarrollo de la tecnologa del
silicio.
5.2.

Funcionamiento

Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado


en el que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo
opuesto separadas por un rea sobre la cual se hace crecer una capa de
dielctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se
dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cmo se haya realizado el
dopaje:

Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.

Transistor MOSFET de empobrecimiento canal N

Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.

Transistor MOSFET de empobrecimiento canal P

Las reas de difusin se denominan fuente(source) y drenador(drain), y el


conductor entre ellos es la puerta(gate).
5.3.

Estados De Funcionamiento Del Transistor MOSFET :

Estado de corte
Cuando la tensin de la puerta es idntica a la del sustrato, el MOSFET est en
estado de no conduccin: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador aunque
se aplique una diferencia de potencial entre ambos. Tambin se llama mosfet a los
aislados por juntura de dos componentes..
Conduccin lineal
Al polarizarse la puerta con una tensin negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se
crea una regin de deplexin en la regin que separa la fuente y el drenador. Si
esta tensin crece lo suficiente, aparecern portadores minoritarios (electrones en
nMOS, huecos en pMOS) en la regin de deplexin que darn lugar a un canal de
conduccin. El transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo que
una diferencia de potencial entre fuente y drenador dar lugar a una corriente. El
transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de puerta.
Saturacin

Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite, el canal de


conduccin bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador
y desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es
debida al campo elctrico entre ambos, pero se hace independiente de la
diferencia de potencial entre ambos terminales.
Modelos matemticos

Para un MOSFET de canal inducido tipo n en su regin lineal:

donde
en la que b es el ancho del canal, n la movilidad de los
electrones, es la permitividad elctrica de la capa de xido, L la longitud del
canal y W el espesor de capa de xido.

Cuando el transistor opera en la regin de saturacin, la frmula pasa a ser


la siguiente:

Estas frmulas son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores


MOSFET, pero no tienen en cuenta un buen nmero de efectos de segundo
orden, como por ejemplo:

Saturacin de velocidad: La relacin entre la tensin de puerta y la corriente


de drenador no crece cuadrticamente en transistores de canal corto.
Efecto cuerpo: La tensin entre fuente y sustrato modifica la tensin umbral
que da lugar al canal de conduccin
Modulacin de longitud de canal.

5.4.

Aplicaciones

La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo


CMOS, consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios.
Vase Tecnologa CMOS
Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:

Resistencia controlada por tensin.


Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

5.5.

Ventajas

La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, nmos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:

Consumo en modo esttico muy bajo.


Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media
micra).
Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao.
Funcionamiento por tensin.
Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro
de superficie que conlleva.

CAPITULO 6
6.

AMPLIFICADORES

6.1. Generalidades
Un amplificador aumenta, o amplifica la magnitud de una seal elctrica, y es el
ms utilizado para la construccin de sistemas electrnicos, como elemento
individual.
Si el amplificador se optimiza para amplificar la seal de voltaje, se le conoce
como amplificador de voltaje.
En el caso de amplificacin de seal de corriente, se denomina amplificador de
corriente.
Y para el caso de proporcionar una seal de potencia, a este generalmente se le
clasifica como amplificador de potencia.
Para que un transistor opere como amplificador debe estar polarizado en la regin
activa. El problema de polarizacin es el de establecer una corriente de cd.
Constante en el emisor (o colector). Esta corriente debe ser predecible e
insensible a variaciones en temperatura.
6.2.

Amplificadores De Seal Pequea

Los comportamientos de los amplificadores de seal pequea se puede


determinar con ayuda de algunas ecuaciones sencillas. Estas ecuaciones se
basan en modelos o circuitos equivalentes del amplificador en cuestin. En este
caso los amplificadores BJT y FET de seal pequeas.
En el anlisis de los amplificadores es deseable considerar las escalas
especficas de frecuencias de las seales, esto permitir el desarrollo de modelos
simples y proporcionar una visin del comportamiento del amplificador.
Hay tres tipos de configuraciones tpicas en los amplificadores de seal pequea
con transistores, cada una de ellas con caractersticas especiales que las
hacen mejor para cierto tipo de aplicacin, y se dice que el transistor no est

conduciendo. Normalmente este caso se presenta cuando no hay corriente de


base (Ib = 0)
6.2.1. Presentacion De Amplificadores Bjt
Estos amplificadores vienen en las siguientes situaciones:
- Amplificador emisor comn
- Amplificador colector comn

Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales,


pero se toman como tal, debido a la pequea diferencia que existe entre ellas, y
que no afectan en casi nada a los circuitos hechos con transistores.
Amplificador emisor comn

Caractersticas:

Para que una seal sea amplificada tiene que ser una seal de corriente alterna.
No tiene sentido amplificar una seal de corriente continua, porque sta no lleva
ninguna informacin.
En un amplificador de transistores estn involucradas los dos tipos de
corrientes (alterna y continua).
La seal alterna es la seal a amplificar y la continua sirve para establecer el
punto de operacin del amplificador.
Este punto de operacin permitir que la seal
amplificada no sea distorsionada.
En el diagrama se ve que la base del transistor est
conectada a dos resistores (R1 y R2).
Estos dos resistores forman un divisor de voltaje que
permite tener en la base del transistor un voltaje

necesario para establecer la corriente de polarizacin de la base.


El punto de operacin en corriente continua est sobre una lnea de carga
dibujada en la familia de curvas del transistor.
Esta lnea est determinada por frmulas que
se muestran.
Hay dos casos extremos:
- Cuando el transistor est en saturacin (Ic
max.), que significa que Vce es
prcticamente 0 voltios y....
- Cuando el transistor est en corte (Ic = 0),
que significa que Vce es prcticamente igual
a Vcc. Ver la figura.
Si se modifica R1 y/o R2 el punto de operacin se modificar para arriba o para
abajo en la curva pudiendo haber distorsin
Si la seal de entrada (Vin) es muy grande, se recortarn los picos positivos y
negativos de la seal en la salida (Vout)
Amplificador colector comn
El amplificador seguidor emisor, tambin llamado colector comn, es muy til
pues tiene una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida baja.
Nota: La impedancia de entrada alta es una caracterstica deseable en un
amplificador pues, el dispositivo o circuito que lo alimenta no tiene que entregarle
mucha corriente (y as cargarlo) cuando le pasa la seal que se desea amplificar.
Este circuito no tiene resistencia en el colector y la salida est conectada a la
resistencia del emisor (ver la figura).

El voltaje se salida "sigue" al voltaje en el emisor, slo


que es de un valor ligeramente menor (0.6 voltios
aproximadamente)
Ve = Vb - 0.6 Voltios
La ganancia de tensin es:
Av = Vout / Vin = Ve / Vb.
Como Ve es siempre menor que Vb, entonces la ganancia siempre ser menor
a 1.
La impedancia de entrada se obtiene con la siguiente frmula: Zin = ( + 1) x
Re
Donde: es la ganancia de corriente del transistor (dato del fabricante)
Del grfico anterior. Si Re = 2.2 Kilohmios (2.2 K) y = 150
Zin = ( + 1) x Re = (150 + 1) x 2200 Ohmios = 332,000 Ohmios (332 K)
Este amplificador aparenta una impedancia de entrada de 332,000 Ohmios a la
fuente de la seal que se desea amplificar. Este tipo de circuito es muy utilizado
como circuitos separadores y como adaptadores de impedancia entre las fuentes
de seal y las etapas amplificadoras

6.2.2. Presentacin De Amplificadores Tipo Fet


El transistor FET (Transistor de efecto de campo) se puede utilizar como
elemento activo de muchos amplificadores. Una de las configuraciones es:
El Amplificador seguidor de ctodo al que se le conoce tambin con el nombre
de circuito drenador comn o nodo comn
Este tipo de amplificador tiene una baja impedancia de salida, por lo que es
utilizado principalmente como adaptador de impedancias.
La salida se obtiene del resistor RS y la ganancia es aproximadamente igual a 1.

Esta ganancia no es 1 debido a que existe una pequea diferencia de tensin


entre la entrada (patilla compuerta G) y la salida (patilla fuente S): VGS.
La ganancia de este amplificador se obtiene con la ayuda de la frmula:
AV = gm x Rs / [ 1 + (gm x Rs) ]

De la frmula se deduce que la seal de salida est en fase con la seal de


entrada pues no existe el signo menos que indica inversin de fase
La impedancia de salida se obtiene con la siguiente frmula:

Ro = Rs / [ 1 + (gm x Rs) ]

Amplificadores con FET (transistor efecto de campo)


Amplificador surtidor comn
El FET, por sus caractersticas especiales, (alta impedancia de entrada, mejor
respuesta de frecuencia que los transistores bipolares, bajo ruido) se utiliza con
frecuencia en amplificadores.

En el primer circuito se grafica un amplificador que utiliza dos bateras (despus


de ver cmo hacerlo funcionar con solo una)
La batera VGG se utiliza para polarizar la compuerta del transistor. La tensin en
la compuerta ser negativa (-VGG), pues no hay cada de tensin, en corriente
continua, en la resistencia RG.
(Acordarse de que no hay paso de corriente entre la compuerta G y el surtidor S
y la corriente que suministra la fuente Vin es de corriente alterna)
De esta manera la tensin en la compuerta ser ms negativa que la tensin en
el surtidor.
Autopolarizacin
Para utilizar slo una batera, la batera de polarizacin VGG se reemplaza por
un resistor Rs, que se conecta entre el terminal surtidor S y el comn (ver punto
T). La corriente continua que pasa por el surtidor tambin pasar por el resistor
RS y causar una cada de tensin VS = IS x RS.
La corriente de surtidor y la corriente de drenaje son iguales (IS = ID) debido a
que no existe corriente de compuerta. Entonces la cada de tensin en RS es
igual a VS = ID x RS.
Esta cada de tensin tiene una polaridad con el
signo (+) en el terminal surtidor del FET y de
signo (-) en el comn (ver punto T). Esto
significa que el comn tiene una tensin inferior o
ms negativa que el terminal S del FET.
Como no hay cada de tensin en la resistencia RG (se explic anteriormente) la
tensin en VG es inferior a la tensin en VS. De esta manera se logra polarizar la
compuerta G del FET con una sola batera y a este tipo de polarizacin se le
llama autopolarizacin.
6.3.

Amplificadores En Cascada

Con el objeto de obtener mayor ganancia de la seal, es posible a partir de una


sola etapa amplificadora, se ponen en cascada varias etapas.

Entrada

A1

A2

An

salida

En un amplificador en cascada, la etapa de salida de un amplificador se acopla a


la entrada de la siguiente etapa.
Si las etapas no interactan, es decir, si no hay un cambio apreciable de la
ganancia o en algn otro parmetro de una etapa individual cuando se pone en
cascada, la ganancia total es igual al producto de las ganancias individuales.
El acoplamiento de etapas en cascada se da a travs de dos mtodos:

Acoplamiento resistivo capacitivo (RC).


Acoplamiento directo (DC).

UNIDAD No 3
AMPLIFICADORES
CAPITULO 7
7.

AMPLIFICADORES DE POTENCIA

7.1. GENERALIDADES
La primera clasificacin que podemos hacer con los amplificadores viene
determinada por las frecuencias con las que van a trabajar.
Si las frecuencias estn comprendidas dentro de la banda audible los
amplificadores reciben el nombre de amplificadores de audio frecuencia o
amplificadores de Baja frecuencia. (amplificadores A.F. o amplificadores B.F.,
respectivamente).
Dentro de las dos gamas de amplificadores vistas, tambin, podemos hacer una
clasificacin atendiendo a su forma de trabajo:
a) Amplificadores de tensin: son los que su principal misin es suministrar
una tensin mayor en su salida que en su entrada
b) Amplificadores de potencia: aquellos que, aparte de suministrar una mayor
tensin, suministran tambin un mayor corriente (amplificacin de tensin y
amplificacin de corriente y, por ende, amplificacin de potencia)
Podemos, segn esto, tener: amplificadores de tensin (tanto para B.F. como
para R.F.) y amplificadores de potencia (tambin, para ambas gamas de
frecuencias). En este tema nicamente vamos a entrar en los amplificadores de
potencia, que son los que nos interesan para iniciar el campo de las R.F., el resto
los damos por estudiados y aprendidos (porque son los montajes de
amplificadores que se estudian en los principios bsicos).
7.2.

Clasificacin de amplificadores de potencia

Este tipo de amplificadores (amplificadores de potencia, ya sean para B.F. o para


R.F.), tienen la particularidad de que en su salida tenemos ganancia de tensin y
de corriente con respecto a la seal de entrada. Este tipo de amplificadores
pueden entregarnos en su salida toda la seal de entrada o una parte de la
misma; atendiendo a esta caracterstica, los amplificadores de potencia,
podemos clasificarlos de la siguiente forma:
7.2.1. Amplificadores de clase A:
Un amplificador de potencia funciona en clase A cuando la tensin de
polarizacin y la amplitud mxima de la seal de entrada poseen
valores tales que hacen que la corriente de salida circule durante todo
el perodo de la seal de entrada.
7.2.2. Amplificadores de clase B:
Un amplificador de potencia funciona en clase B cuando la tensin de
polarizacin y la amplitud mxima de la seal de entrada poseen
valores tales que hacen que la corriente de salida circule durante un
semiperodo de la seal de entrada.
7.2.3. Amplificadores de clase AB:
son, por as decirlo, una mezcla de los dos anteriores, un amplificador
de potencia funciona en clase AB cuando la tensin de polarizacin y la
amplitud mxima de la seal de entrada poseen valores tales que
hacen que la corriente de salida circule durante menos de un perodo y
ms de un semiperodo de la seal de entrada.
7.2.4. Amplificadores de clase C:
Un amplificador de potencia funciona en clase C cuando la tensin de
polarizacin y la amplitud mxima de la seal de entrada poseen
valores tales que hacen que la corriente de salida circule durante
menos de un semiperodo de la seal de entrada.

Alguien puede que haya visto, en algn libro o manual de reparacin, una
notacin tipo a esto: Amplificador clase AB1 o tambin amplificador clase B2;
estas notaciones vienen de los antiguos amplificadores con vlvulas.
Los subndices 1 y 2 indicaban que no exista corriente de reja (el 1) o que si
exista (el 2), esto era debido a que en la polarizacin de la vlvula, la reja se
haca positiva con respecto al ctodo (para los que nunca hayan odo hablar de
las vlvulas, diremos, que la reja se correspondera con la base de un transistor y
el ctodo con el terminal de salida, que en los transistores, dependiendo del tipo
de conexin, puede ser el emisor o el colector).
En los amplificadores de clase A no hay nunca corriente de reja (base) por lo que
es indiferente decir que el amplificador es de clase A1 o de clase A. Lo contrario
ocurre en los amplificadores de clase C donde siempre va a existir corriente de
reja (base), en este caso es indiferente decir que el amplificador es de clase C2 o
de clase C (a secas). En los amplificadores de clase B y AB, puede que exista o
no la corriente de base (o reja) por lo que s es importante que nos especifiquen
el tipo de amplificador del que se trata (AB1 dira que no tiene corriente de base y
B2 indicara que s hay corriente de base). Este tipo de notacin tambin
podemos encontrarla en los amplificadores transistorizados.

CAPITULO 8
8.

EL AMPLIFICADOR DE TENSIN

8.1. Generalidades
Nos centrarnos en un nico montaje: el amplificador de tensin clase A con
conexin emisor comn.
En este tipo de montaje, para que el
amplificador nos entregue en su salida la
seal
de
entrada
convenientemente
amplificada, y sin recortes de esta seal,
debemos polarizar el transistor de forma que
en reposo la tensin de polarizacin de la
base (Vb) lleve a ste, al transistor, a un
punto medio, aproximadamente, de su curva
caracterstica esttica (grfico inferior).
Estas curvas del transistor son diferentes para cada carga conectada a la salida
del transistor y junto con la recta de carga nos sirven para determinar la
caracterstica de transferencia dinmica del transistor, es decir, la relacin entre
la corriente de colector y la corriente de base (en el tipo de montaje que estamos
examinando).

Otra caracterstica, de este tipo de amplificadores, era que la seal de salida sale
invertida con respecto a la seal de entrada (por eso se le denomina, tambin,
"amplificador inversor de fase"), es decir cuando la seal de entrada se
encuentra en el valor de pico del semiciclo negativo, en la salida nos
encontraremos en el pico del semiciclo positivo.
8.2. Clasificacin
8.2.1. Amplificadores clase B
Uno de los principales inconvenientes de los amplificadores en clase A es que, en
reposo, estn consumiendo corriente por lo que el rendimiento de conversin se
hace bastante bajo.
Para mejorar este rendimiento, y por tanto aprovechar al mximo la potencia
entregada por la fuente de alimentacin, los amplificadores se suelen construir en
clase B
Por norma general, los amplificadores que se van a hacer trabajar en clase B, se
montan con transistores que trabajen en contrafase (push-pull); con el fin de
minimizar los armnicos que se pueden generar en este tipo de montajes, estos
amplificadores adoptan una serie de montajes determinados.

Seal de entrada y salida para amplificadores clase A y clase B


En la figura, vemos como el amplificador en clase A (en azul), debido a que su
curva de respuesta es casi continua, la continuacin en las senoides de la seal
de salida es uniforme; en el amplificador de clase B (en rojo), debido al
desplazamiento de las curvas, se produce un pequeo salto entre las senoides
de la seal de salida (se producen armnicos).
A este salto entre las dos senoides es a lo que se le conoce como distorsin de
cruce del amplificador; el "aplanamiento" al que tiende la seal es debido a que
en la seal de salida se producen armnicos impares de la frecuencia de la
seal.
En este tipo de montajes, una cuestin a tener en cuenta (muy importante) es
que los dos transistores deben tener las mismas caractersticas en cuanto a
tensiones, ganancias, etc.
Si no ponemos dos transistores con las mismas caractersticas, puede ocurrir
que, uno de los semiciclos tenga ms amplitud que el otro (debido a que un
transistor tiene ms ganancia que otro) con lo que aumentaramos la distorsin
de la etapa.
Para minimizar el efecto de la distorsin de cruce, los transistores se suelen
polarizar de forma que se les introduce una pequea polarizacin directa. Con
esto conseguimos desplazar las curvas y disminuimos dicha distorsin de cruce.
8.2.2. Amplificador de potencia en contrafase de clase B

En el montaje de la figura, la resistencia Re (resistencia de emisor) debe ser muy


pequea (menor de 1 W); el valor de esta resistencia, junto con los valores de R1
y R2, deben escogerse de forma que los transistores trabajen con las
condiciones de polarizacin correctas y que tengan una buena estabilidad
trmica.
El condensador sirve para el desacoplo armnico; a veces, en paralelo con R2 se
coloca un diodo con el fin de mejorar la estabilidad trmica.
En este tipo de circuitos, el rendimiento de conversin suele estar cerca del 78%,
mientras que en los de clase A este rendimiento suele estar en torno al 36,4%
(aprovechamos la potencia de la fuente de alimentacin ms del doble, por eso
se recurre a este tipo de montaje).
8.2.3. Amplificador en contrafase simtrico complementario
En el esquema anterior hemos visto un montaje con dos transistores NPN, a
veces se recurre a montar dos transistores de tipo complementario (uno NPN y
otro PNP), en este caso el esquema lo vemos en el grfico siguiente. Este
montaje, adems, tiene la particularidad de ser un amplificador en clase B sin
transformador de salida, recibe el nombre de amplificador en contrafase
simtrico complementario.
La seal de entrada se aplica simultneamente a la base de los dos transistores,
en el semiciclo positivo el que conduce es el transistor PNP, mientras que el NPN

est bloqueado. En el semiciclo negativo el que conduce es el transistor NPN; el


PNP, en este caso, est bloqueado.
8.2.4. Amplificador clase B sin transformador de salida

En los equipos receptores de R.F., las etapas finales son, lgicamente,


amplificadores de B.F. que excitan un altavoz. En estas ocasiones se suele
recurrir a montajes como el que vemos en la imagen de arriba; ese montaje no
difiere de los esquemas estudiados hasta ahora, la nica salvedad es que, en
vez de tener un transformador de salida, el amplificador ataca directamente el
altavoz; con este tipo de montaje hacemos que el amplificador rinda un 15% ms
que si utilizsemos dicho transformador.
En esta ocasin (esquema superior) el altavoz es de doble bobinado; debido a la
complejidad de fabricacin de estos altavoces, se recurre a montajes como el de
la figura inferior, en el que se puede apreciar que el altavoz, a pesar de no tener
transformador de salida, solo tiene un bobinado.

CAPITULO 9
9.

AMPLIFICADORES OPERACIONALES

9.1. Generalidades
El extraordinario desarrollo de la tecnologa de los CI monolticos ha hecho que el
amplificador operacional (amp op) sea tal vez el componente con mayor
flexibilidad en electrnica. Con una adecuada seleccin de los elementos de
retroalimentacin, el amplificador operacional se puede utilizar como amplificador
de ganancia variable de precisin, como amortiguador, sumador, fuente de
corriente, convertidor, oscilador y en otras muchas aplicaciones ms. Por lo
general su campo se encuentra limitado por la ingenuidad y falta de imaginacin
con que se utilicen.
Un amplificador operacional (A.O., habitualmente llamado op-amp) es un
circuito electrnico (normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene
dos entradas y una salida. La salida es la diferencia de las dos entradas
multiplicada por un factor (G) (ganancia):
Vout = G(V+ V)
El primer amplificador operacional monoltico data de los aos 1960, era el
Fairchild A702 (1964), diseado por Bob Widlar. Le sigui el Fairchild A709
(1965), tambin de Widlar, y que constituy un gran xito comercial. Ms tarde
sera sustituido por el popular Fairchild A741(1968), de David Fullagar, y
fabricado por numerosas empresas, basado en tecnologa bipolar.
Originalmente los A.O. se empleaban para operaciones matemticas (suma, resta,
multiplicacin, divisin, integracin, derivacin, etc) en calculadoras analgicas.
De ah su nombre.
El A.O. ideal tiene una ganancia infinita, una impedancia de entrada infinita, un
ancho de banda tambin infinito, una impedancia de salida nula, un tiempo de
respuesta nulo y ningn ruido. Como la impedancia de entrada es infinita tambin
se dice que las corrientes de entrada son cero.
Notacin

El smbolo de un MONOLITICO es el mostrado en la siguiente figura:

Los terminales son:

V+: entrada no inversora


V-: entrada inversora
VOUT: salida
VS+: alimentacin positiva
VS-: alimentacin negativa

Las terminales de alimentacin pueden recibir diferentes nombres, por ejemplo en


los A.O. basados en FET VDD y VSS respectivamente. Para los basados en BJT
son VCC y VEE.
Normalmente los pines de alimentacin son omitidos en los diagramas elctricos
por claridad.
9.2.

Comportamiento En Continua (DC)

Lazo abierto
Si no existe realimentacin la salida del A.O. ser la resta de sus dos entradas
multiplicada por un factor. Este factor suele ser del orden de 100.000 (que se
considerar infinito en clculos con el componente ideal). Por lo tanto si la
diferencia entre las dos tensiones es de 1V la salida debera ser 100.000V. Debido
a la limitacin que supone no poder entregar ms tensin de la que hay en la
alimentacin, el A.O. estar saturado si se da este caso. Si la tensin ms alta es
la aplicada a la patilla + la salida ser la que corresponde a la alimentacin V S+,
mientras que si la tensin ms alta es la del pin - la salida ser la alimentacin VS-.

Lazo cerrado
Se conoce como lazo a la realimentacin en un circuito. Aqu se supondr
realimentacin negativa. Para conocer el funcionamiento de esta configuracin
se parte de las tensiones en las dos entradas exactamente iguales, se supone que
la tensin en la patilla + sube y, por tanto, la tensin en la salida tambin se eleva.
Como existe la realimentacin entre la salida y la patilla -, la tensin en esta patilla
tambin se eleva, por tanto la diferencia entre las dos entradas se reduce,
disminuyndose tambin la salida. Este proceso pronto se estabiliza, y se tiene
que la salida es la necesaria para mantener las dos entradas, idealmente, con el
mismo valor.
Siempre que hay realimentacin negativa se aplican estas dos aproximaciones
para analizar el circuito:

V+ = VI+ = I - = 0

9.3.

Comportamiento En Alterna (AC)

En principio la ganancia calculada para continua puede ser aplicada para alterna,
pero a partir de ciertas frecuencias aparecen limitaciones. (Ver seccin de
limitaciones)
Un ejemplo de amplificador operacional es el 741op
Anlisis
Para analizar un circuito en el que haya A.O. puede usarse cualquier mtodo, pero
uno habitual es:
1. Comprobar si tiene realimentacin negativa
2. Si tiene realimentacin negativa se pueden aplicar las reglas del apartado
anterior
3. Definir las corrientes en cada una de las ramas del circuito
4. Aplicar el mtodo de los nodos en todos los nodos del circuito excepto en
los de salida de los amplificadores (porque en principio no se puede saber
la corriente que sale de ellos)

5. Aplicando las reglas del apartado 2 resolver las ecuaciones para despejar la
tensin en los nodos donde no se conozca.
Configuraciones

Esta es una aplicacin sin la realimentacin. Compara entre las dos


entradas y saca una salida en funcin de qu entrada sea mayor. Se puede
usar para adaptar niveles lgicos.

9.4. Tipo De Circuitos


9.4.1. Seguidor

Es aquel circuito que proporciona a la salida la misma tensin que a la


entrada

Se usa como un buffer, para eliminar efectos de carga o para adaptar


impedancias (conectar un dispositivo con gran impedancia a otro con baja
impedancia y viceversa)
Como la tensin en las dos patillas de entradas es igual: Vout = Vin

Zin =
9.4.2. Inversor

Se denomina inversor ya que la seal de salida es igual a la seal de entrada (en


forma) pero con la fase invertida 180 grados.

El anlisis de este circuito es el siguiente:


o V+ = V- = 0

Definiendo corrientes:

y de aqu se despeja

Para el resto de circuitos el anlisis es similar.


Zin = Rin

Por lo cual podemos controlar la impedancia de entrada mediante la eleccin de


R1

Esta configuracin es una de las ms importantes, porque gracias a esta


configuracin, se puede elaborar otras configuraciones, como la configuracin del
derivador, integrador, sumador.
9.4.3. No inversor

Como observamos, el voltaje de entrada, ingresa por el pin positivo, pero como
conocemos que la ganancia del amplificador operacional es muy grande, el voltaje
en el pin positivo es igual al voltaje en el pin negativo, conociendo el voltaje en el
pin negativo podemos calcular, la relacin que existe entre el voltaje de salida con
el voltaje de entrada haciendo uso de un pequeo divisor de tensin.

Zin =

9.4.4. Sumador inversor

La salida est invertida


Para resistencias independientes R1, R2,... Rn
o

La expresin se simplifica bastante si se usan resistencias del mismo valor


Impedancias de entrada: Zn = Rn
9.4.5. Restador

Para resistencias independientes R1,R2,R3,R4:

Igual que antes esta expresin puede simplificarse con resistencias iguales
La impedancia diferencial entre dos entradas es Z in = R1 + R2
9.4.6. Integrador ideal

Integra e invierte la seal (Vin y Vout son funciones dependientes del tiempo)

Vinicial es la tensin de salida en el origen de tiempos

Nota: El integrador no se usa en la prctica de forma discreta ya que cualquier


seal pequea de DC en la entrada puede ser acumulada en el capacitor hasta
saturarlo por completo. Este circuito se usa de forma combinada en sistemas
retroalimentados que son modelos basados en variables de estado (valores que

definen el estado actual del sistema) donde el integrador conserva una variable de
estado en el voltaje de su capacitor.
9.4.7. Derivador ideal

Deriva e invierte la seal respecto al tiempo

Este circuito tambin se usa como filtro

NOTA: Es un circuito que no se utiliza en la prctica porque no es estable, esto se


debe a que al amplificar ms las seales de alta frecuencia se termina
amplificando el ruido por mucho.
9.4.8. Otros Circuitos

Osciladores, como el puente de Wien


Convertidores carga-tensin
Convertidores corriente-tensin
Filtros activos
Girador permite construir convertidores de inmitancias (empleando un
condensador simular un inductor, por ejemplo)

9.5.

Aplicaciones

Calculadoras analgicas
Filtros
Preamplificadores y buffers de audio y video
Reguladores

Conversores
Evitar el efecto de carga
Adaptadores de niveles (por ejemplo CMOS y TTL)

9.6.

Estructura

Aunque es usual presentar al A.O. como una caja negra con caractersticas
ideales es importante entender la forma en que funciona, de esta forma se podr
entender mejor las limitaciones que presenta.
Los diseos varan entre cada fabricante y cada producto, pero todos los A.O.
tienen bsicamente la misma estructura interna, que consiste en tres etapas:
1. Amplificador diferencial: es la etapa de entrada que proporciona una baja
amplificacin del ruido y gran impedancia de entrada. Suelen tener una
salida diferencial.
2. Amplificador de tensin: proporciona una ganancia de tensin.
3. Amplificador de salida: proporciona la capacidad de suministrar la corriente
necesaria, tiene una baja impedancia de salida y, usualmente, proteccin
frente a cortocircuitos.
Ejemplo del 741

Diagrama electrnico del operacional 741.


En el diagrama se destaca en azul el amplificador diferencial. ste es el
responsable de que las corrientes de entrada no sean cero, pero si respecto a las
de los colectores (Ntese como a pesar de aproximar las corrientes de entrada a
0, si stas realmente fueran 0 el circuito no funcionara). La impedancia de entrada
es de unos 2M.
Las etapas en rojo son espejos de corriente. El superior de la izquierda sirve para
poder soportar grandes tensiones en modo comn en la entrada. El superior de la
derecha proporciona una corriente a la circuitera de salida para mantener la
tensin. El inferior tiene una baja corriente de colector debido a las resistencias de
5k. Se usa como conexin de gran impedancia a la alimentacin negativa para
poder tener una tensin de referencia sin que haya efecto de carga en el circuito
de entrada.
Los pines llamados Offset null son usados para eliminar las tensiones de offset
que pueda haber en el circuito.
La etapa de ganancia en tensin es NPN.

La seccin verde es un desplazador de tensin. Esto proporciona una cada de


tensin constante sin importar la alimentacin. En el ejemplo 1V. Esto sirve para
prevenir la distorsin.
El condensador se usa como parte de un filtro paso bajo para reducir la frecuencia
y prevenir que el A.O oscile.
La salida en celeste es un amplificador PNP seguidor con emisor push-pull. El
rango de la tensin de salida es de un voltio menos a la alimentacin, la tensin
colector-emisor de los transistores de salida nunca puede ser totalmente cero. Las
resistencias de salida hacen que la corriente de salida est limitada a unos 25mA.
La resistencia de salida no es cero, pero con realimentacin negativa se aproxima.
Parmetros

Ganancia en lazo abierto. Indica la ganancia de tensin en ausencia de


realimentacin. Se puede expresar en unidades naturales (V/V, V/mV) o
logartmicas (dB). Son valores habituales 100.000 a 1.000.000 V/V.
Tensin en modo comn. Es el valor medio de tensin aplicado a ambas
entradas del operacional.
Tensin de Offset. Es la diferencia de tensin, aplicada a travs de
resistencias iguales, entre las entradas de un operacional que hace que su
salida tome el valor cero.
Corriente de Offset. Es la diferencia de corriente entre las dos entradas del
operacional que hace que su salida tome el valor cero.
Margen de entrada diferencial. Es la mayor diferencia de tensin entre las
entradas del operacional que mantienen el dispositivo dentro de las
especificaciones.
Corrientes de polarizacin (Bias) de entrada. Corriente media que circula
por las entradas del operacional en ausencia de seal
Slew rate. Es la relacin entre la variacin de la tensin de salida mxima
respecto de la variacin del tiempo. Se mide en V/s, kV/s o similares.
Relacin de Rechazo en Modo Comn (RRMC,o CMRR en sus siglas
en ingls). Relacin entre la ganancia en modo diferencial y la ganancia en
modo comn.

Limitaciones

Saturacin
Un A.O.L tpico no puede suministrar ms de la tensin a la que se alimenta,
normalmente algunos voltios menos. Cuando se da este valor se dice que satura,
pues ya no est amplificando. La saturacin puede ser aprovechada por ejemplo
en circuitos comparadores.
Un concepto asociado a ste es el Slew rate (analisis bsico de bajo flujo recoltor).
Tensin de offset
Es la diferencia de tensin que se obtiene entre los dos pines de entrada cuando
la tensin de salida es nula, este votltaje es cero en un amplificador ideal lo cual
no se obtiene en un amplificador real. Esta tensin puede ajustarse a cero por
medio del uso de las entradas de offset (solo en algunos modelos de
operacionales) en caso de querer precisin. El offset puede variar dependiendo de
la temperatura (T) del operacional como sigue:

Donde T0 es una temperatura de referencia.


Un parmetro importante, a la hora de calcular las contribuciones a la tensin de
offset en la entrada de un operacional es el CMRR (Rechazo al modo comn).
Ahora tambin puede variar dependiendo de la alimentacin del operacional, a
esto se le llama PSRR (power supply rejection ratio, relacin de rechazo a la
fuente de alimentacin). La PSRR es la variacin del voltaje de offset respecto a la
variacin de los voltajes de alimentacin, expresada en dB. Se calcula como
sigue:

Corrientes

Aqu hay dos tipos de corrientes que considerar y que los fabricantes suelen
proporcionar:

IOFFSET = | I + I |

Idealmente ambas deberan ser cero.


Caracterstica tensin-frecuencia
Al A.O. tpico tambin se le conoce como amplificador realimentado en tensin
(VFA). En l hay una importante limitacin respecto a la frecuencia: El producto de
la ganancia en tensin por el ancho de banda es constante.
Como la ganancia en lazo abierto es del orden de 100.000 un amplificador con
esta configuracin slo tendra un ancho de banda de unos pocos Hercios. Al
realimentar negativamente se baja la ganancia a valores del orden de 10 a cambio
de tener un ancho de banda aceptable. Existen modelos de diferentes A.O. para
trabajar en frecuencias superiores, en estos amplificadores prima mantener las
caractersticas a frecuencias ms altas que el resto, sacrificando a cambio un
menor valor de ganancia u otro aspecto tcnico. B
Capacidades
El A.O. presenta capacidades (capacitancias) parsitas, las cuales producen una
disminucin de la ganancia conforme se aumenta la frecuencia.
Deriva trmica
Debido a que una unin semiconductora vara su comportamiento con la
temperatura, los A.O. tambin cambian sus caractersticas, en este caso hay que
diferenciar el tipo de transistor en el que est basado, as las corrientes anteriores
variarn de forma diferente con la temperatura si son bipolares o JFET.