INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

UNIDAD INTERDISCIPLINARIA EN INGENIERA Y

TECNOLOGAS AVANZADAS

PRCTICA 2
Tiempos de conmutacin del MOSFET

Tpicos Avanzados de Electrnica

Profesor: Peza Tapia Juan Manuel

Alumnas: Espejel Ballesteros Marisol
Lpez Mendoza Nancy Sarah

INTRODUCCIN
El MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) de Potencia es el
transistor de efecto de campo del tipo MOS, base de los circuitos digitales de seal, que ha
sido modificado para su utilizacin como llave apagable en electrnica de potencia.
Cuenta con tres terminales denominados fuente (source), compuerta (gate) y drenador
(drain).

Figura 1. Representacin de un transistor MOSFET canal N

Como se puede observar en la Figura 1, tenemos la representacin de un MOSFET, el cual
se construye sobre un sustrato semiconductor con dopaje tipo P, en el que por medio del
mtodo de difusin se crean dos zonas con dopaje tipo N.
Al aplicar un voltaje positivo entre la fuente y la compuerta no se produce conduccin entre
ellos, ya que la compuerta est fsicamente aislada del semiconductor. Sin embargo, si se
aplica un voltaje positivo en la compuerta (respecto a la fuente, que est cortocircuitada con
el sustrato), se produce una acumulacin de electrones producto de la atraccin elctrica
generada por esta diferencia de potencial. Si este voltaje es lo suficientemente grande, la
acumulacin de electrones forma un canal que une ambas zonas de tipo N, donde los
portadores mayoritarios son los electrones, permitiendo as la conduccin elctrica entre el
drenador y la fuente.
De lo anterior podemos ver que el tamao del canal depender fuertemente del nivel de
voltaje aplicado a la compuerta, ya que mientras mayor sea, ms electrones habr en el
canal, condicionando as la corriente que puede circular. Adems, existe un efecto
capacitivo de influencia no menor en muchos casos, producto de la aislacin con xido de
silicio, el cual puede ser crtico para alcanzar conmutaciones rpidas.
Estas caractersticas le dan al MOSFET su excelente desempeo en cuanto a velocidad de
conmutacin y bajas prdidas.

Prctica 2

Tiempos de conmutacin del MOSFET

DESARROLLO
Para el desarrollo de la pctica se utilizaron los siguientes materiales.
-

Transistor IRF150
Transistor IRFZ44
Fuente fija de 5 volts
Osciloscopio
Generador de Funciones
Resistencias de 1kohm y 1Mohm

La prctica consisti en realizar mediciones de voltaje entre la compuerta y la fuente (VGS)

y entre el drenaje y la fuente (VDS), de modo que podamos visualizar el comportamiento de
conmutacin y as poder obtener una medicin del tiempo de encendido y apagado a
diferentes frecuencias.

Figura 2. Circuito a realizar

Se realiz el circuito que se muestra en la Figura 2 a diferentes frecuencias, obteniendo la
siguiente informacin.

Respuesta de Conmutacin

IRFz44

Prctica 2

KHz
1
10
30
50
70
100

TON (us)
3.64
3.6
3.76
3.52
3.56
3.52

TOFF (us)
4.7
4.6
4.6
4
3.92

Tiempos de conmutacin del MOSFET

Respuesta de Conmutacin

IRF150

1
10
30
50
70
100

3.7
3.5
3.6
3.4
3.24
3.16

4.9
5
5.1
5.2
4.96
5.16

En las siguientes imgenes podemos visualizar el comportamiento de conmutacin del

MOSFET a diferentes frecuencias. La seal de color amarillo corresponde al monitoreo de
la seal de entrada VGG, por lo que la seal azul muestra el voltaje entre la compuerta y la
fuente.

Prctica 2

Tiempos de conmutacin del MOSFET

Para poder visualizar mejor el comportamiento de las seales podemos orientarnos con la
siguiente figura que muestra los tiempos del paso de un punto de corte OFF a conduccin
ON.

Prctica 2

Tiempos de conmutacin del MOSFET

CONCLUSIONES
Espejel Ballesteros Marisol: Con las mediciones que realizamos pudimos observar que el
tiempo de conmutacin en los MOSFET es del orden de los nano segundos, es decir, que la
velocidad de conmutacin es mayor comparada con los transistores bipolares. Podemos
deducir que la aplicacin de este dispositivo electrnico depende de aplicaciones en altas
frecuencias y de baja potencia.
Lpez Mendoza Nancy Sarahi: De acuerdo a las mediciones realizadas en los MOSFETs,
podemos observar que los tiempos de conmutacin son ms rpidos a diferencia de los BJT,
tambin podemos observar que trabajan bien con frecuencias altas del orden de KHz de
acuerdo a las mediciones tomadas, es decir, la respuesta de conmutacin entre el tiempo de
apagado y encendido es ms rpida entre mayor sea la frecuencia tanto para el IRFZ44 y el
IRF150.

Prctica 2

Tiempos de conmutacin del MOSFET