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ELECTRONICA GENERAL

Tema 2. Teora del diodo

Cuestiones tericas tipo test.

Tema 2. Teora del Diodo.


1.a)
b)
c)

En un diodo polarizado, casi toda la tensin externa aplicada aparece en


nicamente en los contactos metlicos
en los contactos metlicos y en las zonas p y n
la zona de vaciamiento o deplexin

2.a)
b)

En los diodos LED


se convierte la energa luminosa en energa elctrica
se genera radiacin electromagntica visible debida a las recombinaciones de los
pares electrn/hueco
se produce radiacin electromagntica cuando se supera la tensin inversa de
ruptura

c)
3.a)
b)
c)

En un diodo con polarizacin inversa


no existe barrera de potencial en la zona de deplexin
existe una corriente inversa de saturacin (Is) debida a la inyeccin de portadores
mayoritarios
existe una corriente inversa de saturacin (Is) dependiente de la temperatura

4.- Los diodos zener


a) no conducen con polarizacin directa
b) presentan una resistencia muy baja en la regin de conduccin inversa
c) pueden regular la tensin sin consumir energa
5.- En una unin pn, el equivalente de circuito abierto en la regin de polarizacin
inversa, se logra mejor
a) a altas temperaturas
b) a bajas temperaturas
c) a temperaturas intermedias
6.a)
b)
c)

La zona de carga de espacio


su anchura depende del dopaje del semiconductor
est constituida por portadores de electricidad
en directa disminuye hasta desaparecer y quemarse

7.a)

En una unin pn sin polarizar y en equilibrio termodinmico


aparece una zona de deplexin en donde la concentracin de cargas libres (e- y
h+) es muy alta
la suma de corrientes de difusin y arrastre es cero tanto para e- como para h+
la concentracin de e- y h+ es constante en todo el volumen

b)
c)

8.a)
b)
c)
9.a)
b)

Si comparamos las caractersticas de los semiconductores Si y Ge a temperatura


ambiente,
en el Ge la concentracin intrnseca (ni) y la corriente inversa de saturacin (Is)
son menores que en el Si
en el Ge la tensin umbral de conduccin (V) es mayor que en el Si
en el Ge la concentracin intrnseca (ni) y la corriente inversa de saturacin (Is)
son mayores que en el Si

c)

En una unin pn, el efecto de la tensin inversa de ruptura debida al efecto zener
aparece nicamente en diodos con zonas p y n muy poco dopadas
se debe a la ionizacin de tomos, causada por los choques entre los portadores
que se mueven a alta velocidad y los tomos
se puede utilizar para regular o estabilizar tensiones

10.a)
b)
c)
d)

En una unin pn en rgimen permanente


Existe una zona intermedia de portadores elctricos
Aparecen unas corrientes de difusin
Existe una zona de carga descubierta
Aparece un campo elctrico creciente

11.a)
b)
c)
d)

Si en un diodo el voltaje inverso aumenta de 5 a 10 V, la zona de carga de espacio


se hace ms pequea
se hace ms grande
no le pasa nada
se rompe

12.- Cuando un diodo tiene polarizacin directa, la recombinacin de electrones libres


y huecos puede producir
a)
calor
b)
luz
c)
radiacin
d)
todas las anteriores
13.a)
b)
c)
d)

El voltaje de codo de un diodo es aproximadamente igual a


el voltaje aplicado
la barrera de potencial
el voltaje de ruptura
el voltaje de polarizacin directa

14.- Cul de las siguientes afirmaciones es cierta con respecto a la tensin de ruptura
de un diodo Zener?
a)
disminuye al aumentar la corriente
b)
destruye el diodo
c)
es igual a la corriente por la resistencia
d)
es aproximadamente constante

15.- El diodo bajo polarizacin inversa:


a)
Crece la barrera de potencial de la zona de vaciamiento, y los portadores
mayoritarios no consiguen superarla y pasar a la otra regin. Por tanto, solamente
tendremos la corriente de minoritarios.
b)
Crece la barrera de potencial de la zona de vaciamiento, y solamente los
portadores mayoritarios consiguen superarla. Por tanto tendremos una corriente
baja, la corriente de saturacin.
c)
Disminuye la barrera de potencial de la zona de vaciamiento, y los portadores
minoritarios consiguen superarla. Por tanto tendremos una corriente baja, la
corriente de saturacin.
d)
Ninguna afirmacin es vlida.
16.a)
b)
c)
d)

En la zona de carga de espacio de una unin pn:


A mayor polarizacin inversa, ms iones
Los iones originados en ausencia de polarizacin no se pueden mover
A mayor polarizacin directa, menos iones
Todas las anteriores son ciertas

17.a)
b)
c)
d)

El efecto Zener en un diodo:


Se produce por las grandes velocidades de los portadores minoritarios
Requiere polarizacin inversa superior a las del efecto avalancha
Se produce en diodos muy dopados
Se produce debido a campos elctricos muy dbiles

18.- En la zona de carga espacial que aparece en una unin pn sin polarizar.
a)
Los electrones que provienen de la zona n (mayoritarios) se recombinan con los
huecos que provienen de la zona p (mayoritarios).
b)
Los electrones que provienen de la zona p (minoritarios) se recombinan con los
huecos que provienen de la zona n (minoritarios)
c)
No existen cargas libres.
19.- Si una unin pn se polariza en directa:
a)
Los huecos de la zona n (minoritarios) desaparecen por completo debido al
arrastre del campo elctrico que los lleva hacia la zona p (su lugar natural).
b)
Aparece una corriente elctrica en el sentido de la zona n a la zona p debida al
movimiento de los electrones.
c)
Aparece una corriente elctrica en el mismo sentido que el campo elctrico
aplicado.
20.- En un diodo polarizado en inversa:
a)
Los electrones de la zona n tienden a acercarse a la zona de la unin.
b)
Aparece una corriente tan pequea que es despreciable a efectos prcticos y que
depende de la concentracin de los mayoritarios de cada una de las zonas.
c)
Si la tensin aplicada es lo suficientemente grande la corriente puede ser tan
intensa que se queme el dispositivo.

21.a)
b)
c)

En la zona de deplexin o vaciamiento de una unin pn:


A mayor polarizacin inversa aparece ms carga
A mayor polarizacin directa aparece ms carga
La zona no tiene carga, o lo que es lo mismo, es elctricamente neutra

22.- En un diodo en polarizacin inversa la ruptura por efecto zener


a)
Se debe a la alta energa que tienen los electrones, parte de esta energa se
transforma en calor produciendo la ruptura del dispositivo
b)
El campo elctrico es tan intenso que es capaz de arrancar electrones de sus
enlaces de forma que cada vez hay ms corriente
c)
Los electrones en su movimiento chocan contra otros fijos en sus enlaces
arrancndolos de los mismos, as, cada vez hay ms electrones libres y, por tanto,
mayor corriente
23.- En una unin pn sin polarizar
a)
Aparece una zona de carga espacial con cargas positivas en el lado de la zona p y
cargas negativas en el lado de la zona n
b)
La zona de carga que aparece no tiene cargas elctricas, por eso se la llama
tambin de vaciamiento
c)
Aparece una barrera de potencial que se opone al flujo de electrones de la zona n
hacia la zona p
24.- En una unin pn polarizada en directa, cada zona semiconductora se comporta
como:
a)
Sumidero de sus portadores minoritarios
b)
Inyector de sus portadores mayoritarios
c)
Inyector de sus portadores minoritarios
25.- Sean las curvas A y B de la figura 2.1 pertenecientes a un mismo diodo a
diferentes temperaturas.
a)
La curva A corresponde a la temperatura ms alta, porque la recombinacin de
portadores es menor y se puede extraer mayor corriente a la misma tensin
b)
La curva A corresponde a la temperatura ms alta, porque la densidad de corriente
de saturacin del diodo aumenta con la temperatura
c)
La curva B corresponde a la temperatura ms alta, porque la densidad de corriente
de saturacin del diodo disminuye con la temperatura

Figura 2.1

26.a)
b)
c)

El efecto zener en la zona de ruptura de una unin pn.


Se da cuando la zona p est mucho ms dopada que la zona n
Se debe a la alta energa cintica que adquieren los electrones libres
Se origina cuando hay campos elctricos muy intensos en la zona de carga
espacial.

27.- En una unin pn polarizada en inversa


a)
Si aumentamos la temperatura aumentar la corriente elctrica
b)
Si aumentamos la temperatura la unin se calentar, pero la corriente slo
aumentar si aumentamos la tensin
c)
La barrera de potencial que aparece en la zona de carga de espacio impide el paso
de cualquier tipo de portador a su travs
28.- En una unin pn polarizada en directa
a)
Si no ponemos una resistencia exterior para limitar la corriente la unin se
quemar.
b)
Podemos tener corrientes prcticamente nulas.
c)
El sentido de la corriente depender de cul de las dos zonas es la que est ms
dopada, es decir, de si los mayoritarios son los huecos o los electrones.
29.- En una unin pn polarizada en directa, la corriente
a)
es debida al arrastre de los portadores minoritarios a lo largo de las zonas neutras
b)
La corriente se puede calcular como corriente de recombinacin de los portadores
minoritarios en cada una de las zonas neutras
c)
Se debe nicamente a la difusin de los portadores minoritarios de cada una de las
zonas neutras a travs de la unin.
30.a)
b)
c)

La corriente inversa de saturacin en un diodo polarizado en inversa


Aumenta al aumentar la polarizacin inversa
Disminuye, ya con la polarizacin inversa aumenta la zona de carga de espacio
Es constante

31.a)
b)
c)

El tiempo de recuperacin en el diodo


es despreciable en circuitos que conmutan a alta frecuencia
limita la frecuencia de trabajo en circuitos digitales
es instantneo cuando se pasa del estado de conduccin al estado de corte