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ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

Laboratorio de Electrnica de Potencia.


PRACTICA N6
TEMA:
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (MOSFET)
1. OBJETIVO
1.1. Disear el circuito de control para un MOSFET y un IGBT de potencia.
1.2. Conocer las caractersticas de conmutacin de los MOSFETs y los IGBTs.

2. MARCO TEORICO
El MOSFET de potencia (Metal Oxide Semiconductor, Field Effect Transistors) difiere del transistor bipolar
de juntura en principios de operacin, especificaciones y funcionamiento. Las caractersticas de
operacin de los MOSFETs son superiores a las de los transistores bipolares de juntura: tiempos de
conmutacin ms rpidos, circuito de control simple, no segunda avalancha, posibilidad de colocarse en
paralelo, ganancia estable y amplio rango de respuesta de frecuencia y temperatura.

dioxido de
silicio (SiO2)

CANAL N
Figura 6.1

En un MOSFET un voltaje positivo aplicado al gate de un MOSFET tipo-N crea un campo elctrico en la
regin del canal debajo del gate, la carga elctrica en el gate provoca la conversin de la regin P en una
regin N, en este momento el elemento deja de ser un elemento PNP y la corriente fluye a travs de un
cuerpo de semiconductor tipo N. Por esta razn el principio de funcionamiento del MOSFET es
completamente distinto al de los TBJ.
El MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje (si bien lo ms apropiado es sealar que
es un elemento controlado por carga) a travs del terminal gate, el que esta elctricamente aislado del
cuerpo de silicio por una delgada capa de dioxido de silicio (SiO2). Por el aislamiento de la compuerta la
corriente que ingresa en el gate es pequea lo que hace que el circuito de control no deba entregar
valores considerables de corriente, ventaja importante con respecto al TBJ. Al ser un semiconductor de
portadores mayoritarios, el MOSFET opera a mayor velocidad que un transistor bipolar porque no tiene un
mecanismo de mantenimiento de carga.
Las regiones de operacin del transistor de efecto de campo son la regin de corte, regin activa y regin
hmica (Figura 6.2).
Regin de corte (Cutoff): el voltaje gate-source es menor que el voltaje de de umbral V GS(th) , el cual es
tpicamente unos cuantos voltios en la mayora de MOSFETs de potencia. El dispositivo puede

mantenerse abierto aunque se aplique una fuente de potencia entre sus terminales siempre y cuando
este voltaje sea menor que el voltaje de sustentacin BVSS.
Regin activa: la corriente de drain ID es independiente del voltaje drain-source VDS y depende nicamente
del voltaje gate-source VGS, y esta dada por ID = gm[VGS - VGS(th)].
Regin ohmica: cuando el valor de voltaje gate-source es considerablemente mayor al voltaje de umbral
VGS >> VGS(th) y VDS es igual o menor que VGS - VGS(th), el elemento entra en la regin ohmica. En esta
regin no es vlida la dependencia de la corriente I D del voltaje VGS, sino ms bien ID est limitada por el
circuito dentro del cual se encuentre el MOSFET.
ID
Regin
Ohmica

[ VGS - VGS(th) = VDS ]


VGS5
Regin Activa

VGS4

VGS5

VGS4

VGS3

VGS2

VGS1
VDS
BV

DSS

Regin de
Corte

Figura 6.2

El TBJ y el MOSFET tienen caractersticas que se complementan entre s, por ejemplo las prdidas
durante la conduccin son menores en el BJT especialmente en dispositivos con alto voltaje de bloqueo,
pero tiene tiempos grandes de conmutacin sobre todo durante el apagado. Por el contrario el MOSFET
puede encenderse o apagarse ms rpido, pero sus prdidas durante la conduccin son grandes
especialmente para dispositivos de alto voltaje de bloqueo, por lo que una combinacin de las
caractersticas positiva de cada elemento formaran un transistor de buen desempeo, con el objetivo de
lograrlo aparece el elemento conocido como IGBT.
El IGBT se lo puede considerar como un MOSFET el cual ha sido modificado en su estructura interna
Figura 6.3 (b) agregando una capa tipo P bajo el DRAIN, esta modificacin tiene como objetivo obtener
caractersticas entre Drain y Source similares a las de Colector-Emisor del transistor TBJ pero
manteniendo las caractersticas del MOSFET en el Gate. Es as que el IGBT se caracteriza por tener
reducidos tiempos de conmutacin, bajas prdidas durante la conduccinCy un control por voltaje.
C

P
N

G
G

dioxido de
silicio (SiO2)

E
CANAL N

(a)

(b)
Figura 6.3

3. EQUIPOS Y MATERIALES
3.1 Equipo
Osciloscopio
Fuente variable de 40 V / 1 A
Fuente variable de 150 V / 15 A
Resistencia de 100 / 45 W
Grupo motor generador de DC
3.2 Materiales
MOSFETde potencia
IGBT
LM555

4. PREPARATORIO
4.1 Disear un control PWM en base a un LM555 de 1 KHz con una fuente de 12 V

CONECCTION DIAGRAM

t1 0.693R2 C ; t 2 0.693( R1 R2 )C
1
T t1 t 2 ; f ; Ciclo de trabajo = t 2 / T
T
R1 1k ; R1 R2 6.6 M ; C 500 pF

Para el ciclo de trabajo de 0.9


Ciclo de trabajo = t 2 / T 0.9
Asumo C 10nF

t 2 0.9ms t1 0.1ms
0.693 0.1m
14.430k
10n
Sea R2 15k
0.9m 0.693( R1 15k ) 10n R1 114 .870k
Sea R1 110 k
t1 0.693R2 C R2

Forma de onda del PWM

Para que exista variacin del ciclo de trabajo se dispone del uso de un potencimetro
para R2
De la relacin t1 0.693R2 C se tiene que cuando el
Ciclo de trabajo = t 2 / T 0.1 t 2 0.1ms t1 0.9ms
R2

0.693 0.9m
62.370k
10n

Sea R2 62.k

Forma de onda del PWM

Este fue el diagrama utilizado para este punto de la prctica, la ventaja de utilizar el
LM555 es que ste circuito integrado nos permite implementar directamente y de una
manera ms sencilla un PWM.
Con las resistencias R1 y R2 manipulamos la frecuencia con la que se quiere trabajar,
con los valores implementados se obtuvo una frecuencia de 1250 Hz; el potencimetro
R3 regula el ancho de pulso, el capacitor C1 produce la oscilacin necesaria, la
alimentacin fue de 15 V, y la salida, es decir, el PWM se lo obtiene a travs del pin 3.
Fuente
Fuente
VCC (Potencia
VCC (Potencia
)
)
Carga

Carga

4.2 Disear los circuitos de la Figura 6.4 si la fuente de potencia a usarse es de 100 V y la resistencia de
carga es 100 , realizar el diseo si la carga es un motor de DC el cual consumir 1 A.

Figura 6.4

DATOS JFET:
g m 3.5ms Vp 6V

I DSS 2 6mA

g m .rd 420

rd 120 K

g d 8.33s

Fig. 1.24 Circuito de diseo de un amplificador en drenaje comn

Av

g m RL '
Vo

Vin 1 g m R L '

Vs

Rs
Vo
RL '

Sea :

g d

Rs
1
RL '

Rs 3.9 K

1
0
rd

Rs R L ' R L

R L ' R L Rs 3K 3.9 K 1.7 K

3.9 K
2V 4.6V *1.2 5.5V
1.7 K
Vs 6V

Vs

Is

Rs 3K

6V
1.538mA I DQ
3.9 K

I DQ
6 1 1.538mA 2.27V
VGSQ Vp 1

I DSS
4mA

VGG VGSQ Vs 2.27V 6V 3.72V

BIBLIOGRAFA:

COUGHLIN, Robert Amplificadores Operacionales y Circuitos Lineales


RASHID M., Electrnica de Potencia, Pretince - Hall.
http://focus.ti.com/lit/ds/symlink/cd40106b.pdf
Hoja Gua Prctica 3. Laboratorio de Electrnica de Potencia