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ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

Laboratorio de Electrnica de Potencia.


TEMA: TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (TBJ)
1. OBJETIVO
1.1.
Disear el circuito de control para un transistor bipolar de juntura de
potencia.
1.2.
Conocer las caractersticas de conmutacin transistor bipolar de juntura
2. MARCO TEORICO

Transistores bipolares
El transistor es un dispositivo de tres terminales, a diferencia del diodo, que tiene dos
terminales. Este consiste en un material de tipo p y uno de tipo n; el transistor consiste
en dos materiales de tipo n separados por un material de tipo p (transistor npn) o en dos
materiales p separados por un material n (transistor pnp).
El emisor, capa de tamao medio diseada para emitir o inyectar electrones, est
bastante contaminado. La base, con una contaminacin media, es una capa delgada
diseada para pasar electrones. El colector, capa grande diseada para colectar
electrones, est poco contaminado.
El transistor se puede concebir como dos uniones pn colocadas "espalda contra
espalda", stas se denominan transistores bipolares de unin (BJT, bipolar funcin
transistor).
TBJ TRANSISITOR BIPOLAR DE JUNTURA
Las curvas caractersticas predicen el funcionamiento de un TBJ. Hay tres curvas, una
curva caracterstica de la entrada, una curva caracterstica de la transferencia y una
curva caracterstica de salida.
CURVAS CARACTERSTICAS:
Los elementos con caractersticas no lineales son difciles de especificar por medio de
valores fijos o funciones matemticas sencillas, de ah que, una de las mejores formas
de hacerlo es mediante la representacin de familias de curvas en las constan los
diversos parmetros y su variacin en funcin de las condiciones a las que estn sujetos.
Los transistores son elementos con tres terminales, pero su uso corresponden a una
configuracin de cuatro, por lo que resulta indispensable que uno de ellos sea comn a
la entrada y a la salida. Esta particularidad da como consecuencia el desarrollo de tres
configuraciones de circuitos que son: BASE COMN, EMISOR COMN Y
COLECTOR COMN, siendo las dos primeras las ms generalizadas en cuanto al a la
obtencin de caractersticas.

Las curvas caractersticas mencionadas se las puede obtener en forma esttica o en


forma dinmica. La modalidad esttica consiste en armar un circuito en el que se puede
ajustar los valores de corriente de entrada a valores fijos y variando punto a punto los
valores de la tensin en los terminales de salida, se puede observar la variacin de la
corriente en dichos terminales. Este mtodo es sencillo, bastante preciso y poco
costoso, pero es incomodo debido al gran nmero de valores que deben ser ledos. Las
curvas caractersticas slo pueden ser utilizados luego de ser dibujados los resultados.
El mtodo dinmico es muy rpido y permite apreciar inmediatamente las curvas en la
pantalla de un osciloscopio, pero requiere adicionalmente a ste, un mdulo llamado
Trazador de Curvas Caractersticas. En nuestro laboratorio disponemos de uno solo
de estos aparatos, por lo tanto, este ser utilizado por le profesor en forma demostrativa.
En la presente prctica se obtendrn las curvas caractersticas en emisor comn con el
mtodo dinmico.
CURVAS CARACTERSTICAS DE SALIDA
Para cada configuracin del transistor, emisor comn, base comn, colector comn las
curvas de salida son levemente diferentes. Una caracterstica de salida tpica para un
TBJ en modo comn del emisor se demuestra a continuacin:
Despus de la curva inicial, las curvas aproximan una lnea recta. La cuesta o el
gradiente de cada lnea representa la impedancia de la salida, para una corriente
particular de la base de la entrada. Se observa que para cada corriente de base, el grfico
es de colector comn, se tiene un valor de la corriente de salida, es til pensar que el
TBJ puede ser utilizado como una fuente de corriente controlada por corriente.
CURVAS CARACTERSTICAS DE LA ENTRADA
Se necesita ver una curva caracterstica de la entrada tpica para una seal pequea TBJ.
El voltaje bajo del emisor Vbe se cotiza como 0.6Vo 0.7V ambos valores de V son una
aproximacin y el valor de Vbe entre esta gama.
CONFIGURACIN COMN DEL EMISOR:
Aqu el terminal del emisor es comn a la entrada y a la seal de salida. El arreglo es
igual para un transistor de PNP. Utilizado en esta manera el transistor tiene las ventajas de
una impedancia media de la entrada, de la impedancia media de la salida, del aumento de
alto voltaje y del alto aumento actual.
CONFIGURACIN DE LA BASE COMN:
Aqu la base es el terminal comn. Utilizado con frecuencia para los usos del RF. esta
etapa tiene las caractersticas siguientes. Impedancia baja de la entrada, alto aumento
actual de la impedancia de la salida, de la unidad (o menos) y aumento de alto voltaje.
CONFIGURACIN DEL COLECTOR COMN:
Esta ltima configuracin tambin se conoce ms comnmente como el seguidor del
emisor. Esto es porque la seal de entrada aplicada en la base "se sigue" absolutamente de

cerca en el emisor con un aumento del voltaje cerca de la


unidad.
Las
caractersticas son una alta impedancia de la entrada, una impedancia muy baja de la
salida, un aumento del voltaje de la unidad (o menos) y un alto aumento actual. Este
circuito tambin se utiliza extensivamente como impedancias que convierten de un
"almacenador intermediario" o para alimentar o conducir los cables largos o las cargas bajas
de la impedancia.
POLARIZACIN:
La polarizacin de un transistor implica establecer voltajes (V CE) y corrientes (IB, IC)
directos que determinen un punto de trabajo o de operacin, el cual mantendr fijo esas
caractersticas.
Los voltajes y corrientes directos de polarizacin deben estar dentro de los lmites
establecidos por el fabricante, los cuales son:

VCE < VCE mx.

IC < IC mx

PCE < PCE mx

El punto de operacin podr estar ubicado dentro de tres regiones de trabajo, estas son:

Regin Activa o Lineal: La juntura BaseEmisor polarizada directamente y la


juntura BaseColector polarizada inversamente.

Regin de Saturacin: La juntura BaseEmisor polarizada directamente y la


juntura BaseColector polarizada directa.

Regin de Corte: La juntura BaseEmisor polarizada inversamente y la juntura


BaseColector polarizada inversamente.

Si se desea que el transistor acte como amplificador el punto de trabajo debe ubicarse
en la regin lineal de trabajo, en lo posible en la parte media de la recta de carga:
VCE = VCC IC(RC + RE)

3. EQUIPOS Y MATERIALES
Osciloscopio
Fuente variable de 40V /1A.
Fuente variable de 150V /15A.
Resistencia de 100/45W
Grupo motor generador de DC
4. PREPARATORIO

4.1 Disear un control PWM en base a un LM555 de 1 kHz con una fuente de 12 V
CONECCTION DIAGRAM

t1 0.693R2 C ; t 2 0.693( R1 R2 )C
1
T t1 t 2 ; f ; Ciclo de trabajo = t 2 / T
T
R1 1k ; R1 R2 6.6M ; C 500 pF

Para el ciclo de trabajo de 1 kHz


Ciclo de trabajo = t 2 / T 0.9
Asumo C 0.1uF

t 2 0.9ms t1 0.1ms
0.693 0.1m
1.4430k
0.1u
Sea R2 2k

t1 0.693R2C R2

0.693 0.9m
10 2.98k
0.1u
Sea R2 2k

t2 0.693R1C R1

P1 10k

Forma de onda del PWM

Para que exista variacin del ciclo de trabajo se dispone del uso de un potencimetro
para R2

Forma de onda del PWM

Este fue el diagrama utilizado para este punto de la prctica, la ventaja de utilizar el
LM555 es que ste circuito integrado nos permite implementar directamente y de una
manera ms sencilla un PWM.
Con las resistencias R1 y R2 manipulamos la frecuencia con la que se quiere trabajar,
con los valores implementados se obtuvo una frecuencia de 1000 Hz; el potencimetro
R3 regula el ancho de pulso, el capacitor C1 produce la oscilacin necesaria, la
alimentacin fue de 12 V, y la salida, es decir, el PWM se lo obtiene a travs del pin 3.
4.2 Disear el circuito de la Figura 5.3 si la fuente de potencia a usarse es de 100V
y una resistencia de 100, tener en cuenta la potencia de la resistencia de la base.

VCB VCE V BE
VCB 0 VCE V BE
IC

VCC VCE
RC

VCC 100V
100V R3 I R 4 I 1.7
100V R1 I R 24 I 1.7
I B SAT

MIN

I C SAT

I C SAT 100 A
I B 8A
V BE 3V
VCE VCC (VCE VCC )

t
tr

12
1.5
10
12
Ib
1.2mA
10 K
I C 10.Ib 0.12 A
R

Re 1
R1 R3 1
R 2 R 4 4.7

VCB VCE V BE
VCB 0 VCE V BE
IC

VCC VCE
RC

VCC 100V
100
10
10
12
R
1.2
10
R

4.3 Disear el circuito de la Figura 5.4 si la fuente de potencia a usarse es de 100V


y una resistencia de 100, tener en cuenta la potencia de la resistencia de la base.

VCB VCE V BE
VCB 0 VCE V BE
VCC 100V
I C SAT

VCC VCE
RL

100 1.7
0.983
100
3.I C SAT 3.5 * 0.983 3.4405

I C SAT
IC

I B SAT
RB

MIN

I C SAT

VCE

VCC 2
I B SAT MIN

3.4405
3.44mA
1000

12 1.7
2993.75
3.44mA

R B 2.7 K
R E R B
R E 10 R B
R E 27 K

BIBLIOGRAFA:

COUGHLIN, Robert Amplificadores Operacionales y Circuitos Lineales


RASHID M., Electrnica de Potencia, Pretince - Hall.
http://focus.ti.com/lit/ds/symlink/cd40106b.pdf
Hoja Gua Prctica 3. Laboratorio de Electrnica de Potencia