E-MOSFET

Simbologia, estructura y composicion.

En los simbolos esquematicos para el E-mosfet de canal n y canal p las lineas

quebradas simbolizan la ausencia de un canal fisico. Una flecha hacia afuera
indica un canal p, por el contrario una flecha hacia dentro indica un canal n.
Comportamiento
El E-mosfet funciona solamente en modo de enriquecimiento y no tiene modo de
empobrecimiento. Como se muestra en nuestra figuira el sustrato se extiende por
completo hasta la capa de SiO2. Para un dispositivo de canal n, un voltaje positivo
en la compuerta por encima de un valor de umbral induce un canal al crear una
delgada capa de cargas negativas en la region del sustrato adyacente a la capa de
SiO2 como se muestra en la siguiente figura:

La conductividad del canal se incrementa al incrementarse el voltaje de compuerta

a fuente y, por lo tanto, atrae ms electrones hacia el area del canal. Con cualquier
voltaje en la compuerta por debajo del valor de umbral, no existe ningun canal.
Con un voltaje positivo en la compuerta, mas electones de conduccion son
atraidos hacia el canal, por lo que la conductividad de este enriquece (incrementa).

Estructuras de MOSFET de potencia

Los E mosfet convencionales disponen de un largo y delgado canal lateral, esto
produce una resistencia relativamente alta del drenaje a puerta y limita el E mosfet
a aplicaciones de baja potencia. Cuando la compuerta es positiva el canal se
forma cerca de la compuerta entre la fuente y el drenaje, como se muestra en la
siguiente figura:

MOSFET lateralmente difundido

Conocido tambien como LDMOSFET tiene una estructura de canal lateral y es un
tipo de E-mosfet, que fue diseado para aplicaciones de potencia. Este dispositivo
tiene un canal mas corto entre el drenaje y la fuente que un E-mosfet covencional.

El canal mas corto opone menos resitencia, lo que permite una corriente y voltaje
ms altos.

VMOSFET
Este dispositivo esta diseado para alcanzar una capacidad de potencia ms alta,
creando un canal ms corto y ms ancho con menos resistencia entre el drenaje y
la fuente por medio de una estructura de canal vertical. Los canales mas cortos y
anchos permiten corrientes mas altas y por lo tanto una disipacion de potencia
ms grande. Tambien mejora su respuesta a frecuencias.
Tiene dos conexiones de fuente, una conexin de compuerta en la parte superior y
una conexin de drenaje en la parte inferior.

El canal se induce verticalmente a lo largo de ambos lados de la ranura en forma

de v entre el sustrato y las conexiones de fuente. El espesor de capas establece la
longitud de canal, lo cual se controla mediante las densidades y el tiempo de
difusion del dopado en lugar de las dimensiones del enmascaramiento.
TMOSFET
La estructura del canal vertical de TMOSFET esta incrustada en una capa de
bioxido de silicio y el contacto de fuente es continuo sobre el area de superficie. El
drenaje se encuentra en la parte inferior. El TMOSFET permite una mayor
densidad de encapsulado que el VMOSFET, al mismo tiempo que tiene la ventaja
del canal vertical corto.

GRAFICAS E-MOSFET

CARACTERISTICA DE TRANFERENCIA
El E-mosfet utiliza solo enriquecimiento del canal. Por lo tanto, un dispositivo de
canal n requiere un voltaje positivo de compuerta a fuente y un dispositivo de
canal p requiere un voltaje negativo de compuerta a fuente.
A continuacion se muestran las curvas caracteristicas de transferencia para ambos
tipos de E-mosfet

En estas graficas es visible que no hay corriente de drenaje cuando

V GS =0, por

lo tanto el E-MOSFET no tiene un parametro de IDSS significativo, asi mismo no

existe corriente en el drenaje gasta que VGS alcanza un valor conocido como
VOLTAJE DE UMBRAL.

La ecuacion para la curva caracteristica de transferencia del E-MOSFET es:

V GSV GS (umbral)
I D =k

K es la constante que depende del mosfet tomando el valor especificado de

I D (ENCENDIDO) al valor dado de V GS
POLARIZACION DE UN E-MOSFET
Debido a que los E-MOSFET deben de tener un
umbral,

V GS(umbral)

V GS

mayor que el valor de

no se puede utilizar la polarizacion en cero.

Existen dos formas de polarizarlo:

1. Polarizacin por divisor de voltaje.
2. Polarizacin por relimentacion de drenaje.

En cualquiera de estas dos formas de polarizacion el proposito es hacer el

voltaje ne la compuerta ms positivoque el de la fuente en una cantidad que
exceda

V GS(umbral) .

Las ecuaciones para el analisis de la polarizacion mediante divisor de voltaje

son las siguientes:

V GS=

( R 1+R 1R 2 ) V

DD

V DS =V DDI D R D
Donde

ID =

V GSV GS (umbral)
k

En el circuito de realimentacion de drenaje hay una corriente

despreciable en la compuerta y, por consiguiente ninguna caida de
V GS=V DS
voltaje a travs de RG esto hace

MOSFET DE DOBLE COMPUERTA

Este tipo de transistores difiere a los demas en que tiene dos compuertas y esto
hace que el dispositivo reduzca su capacitancia por lo cual se puede utilizar en
amplificadores de RF alta frecuencia.
Otra de sus ventajas es que permite una entrada de control automatico de
ganancia en amplificadoes de alta frecuencia.
Por ultimo tenemos una aplicacin mas que en en donde la polarizacion de la
segunda compuerta se utiliza para ajustar la curva de la transconductancia.