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I.
II.
Transistor BJT
El transistor de unin bipolar (BJT) es un dispositivo electrnico de
estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s,
que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus
terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin
tiene
lugar
gracias
al
desplazamiento
de
portadores
de
dos
dos
por
estar
carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del
colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
Como probar un transistor
Para probar transistores bipolares hay que analizar un circuito
equivalente de ste, en el que se puede utilizar lo aprendido al probar
diodos.
Ver la figura.
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CIRCUITOS ELECTRONICOS
La prueba se realiza entre el terminal de la base (B) y el terminal E y
C. Los mtodos a seguir en el transistor NPN y PNP son opuestos.
Al igual que con el diodo, si uno de estos "diodos del equivalente del
transistor" no funcionan como se espera hay que cambiar el transistor
Relacin de corrientes
Considerando la ley de Kirchhoff: la suma de corrientes que entran en
un nudo es igual a la suma de corrientes que salen por dicho nudo. Al
aplicarse a un transistor PNP, la ley de Kirchhoff proporciona una
importante relacin entre las tres corrientes del transistor:
Ie = Ib + Ic
Esta ecuacin indica que la corriente de emisor es igual a la suma de
las corrientes de colector y base. Teniendo en cuenta que la corriente
de base es mucho menor que la corriente de colector, es habitual
hacer la siguiente aproximacin: la corriente de colector es casi igual
a la corriente de emisor.
Ie Ic
Y la corriente de base es mucho ms pequea que la corriente de
colector
Ib Ic
Alfa
El alfa de continua se define como la corriente de colector dividida
entre la corriente de emisor.
Ic
dc =
Ie
Como la corriente de emisor es casi igual a la corriente de colector,
dc
baja potencia,
alta potencia
dc
dc
Beta
El beta de continua se define como la relacin entre corriente de
colector y la corriente de base.
Ic
dc =
Ib
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CIRCUITOS ELECTRONICOS
El beta de continua se conoce tambin como la ganancia de corriente
porque una pequea corriente de base produce una corriente mucho
mayor de colector.
La ganancia de corriente es una gran ventaja del transistor y ha
llevado a todo tipo de explicaciones. Para transistores de baja
potencia (por debajo de 1W) la ganancia est entre 100 y 300. Los
transistores de alta potencia (por encima de 1W) normalmente tienen
ganancia entre 20 y 100
Regiones operativas del transistor
Los transistores de unin bipolar
tienen
diferentes
regiones
Regin activa:
Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la
regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin
activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende
principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de
corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador de seal.
Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo
activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso.
En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles.
Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la
ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo
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CIRCUITOS ELECTRONICOS
Corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima,(Ic =
Ie = Imx)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el
colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector
veces ms grande. (Ic = * Ib)
PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y
"N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes
regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP,
debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora
de las circunstancias.
Los
transistores
PNP
consisten
en
una
capa
de
material
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CIRCUITOS ELECTRONICOS
a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente
circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor
circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta
en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo est en funcionamiento activo.
invertir
la
forma
de
considerar
su
funcionamiento.
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CIRCUITOS ELECTRONICOS
nuevo se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir en
forma completa el comportamiento de la configuracin de emisor
comn: una para la entrada o circuito de la base y una para la salida
o circuito del colector.
Ecuaciones bsicas:
Ie = Ic + Ib
Vcc = Vce + IcRL
Vs = Vbe + IbRs
Pc = Vce Ic
CONFIGURACION BASE COMUN
La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que
la base es comn a los lados de entrada y salida de la configuracin.
Adems, la base es usualmente la terminal ms cercana o en un
potencial de tierra. Las direcciones de corriente se referirn a la
convencional (flujo de huecos) en vez de la correspondiente al flujo de
electrones.
Esta eleccin se fundamenta principalmente en el hecho de que
enorme
cantidad
de
literatura
disponible
en
las
instituciones
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CIRCUITOS ELECTRONICOS
III.
UNMSM
Fuente de C.C
Multimetro
Osciloacopio
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CIRCUITOS ELECTRONICOS
-
Generador de ondas
Resistencias
Transistor
Condensador
Potenciometro
Un Multmetro
Resistores de
Transistor PNP.
Potencimetro de 1M .
UNMSM
Cables conectores.
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CIRCUITOS ELECTRONICOS
Circuito
Potencimetro 1 k
Potencimetro
100k
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CIRCUITOS ELECTRONICOS
UNMSM
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