SISTEMAS DIGITALES II

MEMORIAS

Introduccin
Toda memoria contiene 5 elementos
escenciales:
Unidad de Memoria.
Unidad de Control.
Unidad Aritmtica Lgica.
Unidad de Entrada.
Unidad de Salida.

Organizacin Bsica de la
Microcomputadora
CPU
ALU

Entrada

Control

Memoria

Salida

Conceptos Bsicos
Memoria Principal: En ella se guardan las instrucciones y
datos sobre los que el CPU trabaja. Es la memoria ms rpida del
sistema de compto y en general, esta formada por dispositivos de
memoria de semiconductor.

Memoria Secundaria: Este tipo de memoria se conoce

como memoria auxiliar. Almacena grandes cantidades de
informacin externa a la memoria interna de la computadora. En
general es ms lenta que la memoria interna y siempre es no voltil.

Terminologa Empleada
en Memorias
Celdas de Memoria : Dispositivo o circuito elctrico que se
usa para alamacenar un solo bit (0 1).

Palabra de Memoria: Grupo de celdas de memoria que

representan instrucciones o datos de algn tipo.Algunos palabras de memoria
son:
BYTE. Palabra de 8 bits.
NIBBLE. Palabra de 4 bits.
WORD. Palabra de 16 bits.

Capacidad de Memoria: Forma de especificar, el nmero

de bits que puede almacenar una memoria o bien un sistema de memoria
completo.

Capacidad = #Palabras X #Bits de cada Palabra.

Direccin : Nmero que identifica la localidad de una

palabra de memoria.

Direcciones
000
001
010
011
100
101
110

Palabra
Palabra 0
Palabra 1
Palabra 2
Palabra 3
Palabra 4
10100010
11110000

Tipos de Memorias
de Semiconductor
Memorias Volatiles (RAM)
Dinmicas
Estticas

Memorias No Volatiles (ROM)

PROM (Program Read Only Memory)
EPROM (Erasable PROM)
EEPROM (Electric Erasable PROM)

Memorias Vlatiles
Definicin :

Tipo de memoria que requiere la aplicacin de

energa elctrica a fin de almacenar la informacin. Si se retira la energa
elctrica, toda la informacin almacenada se perder.

RAM(Random Access Memory): Memoria en la

cual la localizacin fsica real de una palabra em la memoria no tiene efecto
sobre el tiempo que tarda en leer o escribir en esa localidad. El tiempo de
acceso es el mismo para cualquier localidad de memoria.

Memoria Dinmica:

Dispositivos de memoria de
semiconductor en los cuales los datos almacenados no se quedarn
permanentemente guardados, aun con energa aplicada, a menos que los
datos se reescriban en forma peridica en la memoria. Esta operacin se
conoce como REFRESCO.

Memoria Esttica: Dispositivos de memoria de semiconductor

en los cuales los datos alamacenados se quedarn permanentemente
guardados, mientras se aplique energa elctrica, sin necesidad de escribir
perodicamente los datos en la memoria.

Memoria Esttica
En este caso se utiliza un circuito FLIP- FLOP formado por
Un par de transistores regularmente MOSFETS de doble
gatillo utilizados por su bajo consumo de energa electrica.
Teniendo en cuenta que actualmente el almacenamiento
temporal ha crecido en forma acelerada. Este tipo de
memorias se consideran lentas en comparacin a las
memorias Dinmicas, pero su tamao es mucho mas
pequeo que la que presenta una memoria dinmica.

Memorias Dinmicas
En este caso, las memorias dinmicas son una de las ms
rapidas que se pueden encontrar, son ideales para el
almacenamiento temporal en un PC.
Generalmente las memorias RAM Dinmicas tambin
conocidas com DRAMs contienen un bus de direcciones
de forma distinta a la de una RAM esttica o SRAM, lo
que las hace mejores para ciertas aplicaciones. Una celda
de memoria dinmica esta formada por un
circuitoseguidor con un FLIP FLOP el cual tiene un
circuito RC que es el que da la caracterstica de la seal
de REFRESCO que se menciono en la diapositiva
anterior.

Memorias No Voltiles
Definicin: Estos tipos de memoria solo requieren de energa
elctrica para tener acceso a la informacin que tienen alamacenada o
grabada previamente. Al quitar la energa elctrica la informacin se
mantiene dentro de la memoria.

ROM (READ ONLY MEMORY). : Son previamente grabadas

para despus ser nicamente extraida su informacin existen diferentes tipos
de nomenclaturas que identifican el tipo de grabacin utilizada y si pueden
ser borradas las memorias y como.
PROM ( Program Read Only Memory). : Tambin conocidas como
OTPPROM o ROMS de programacin nica. A diferencia de las ROM
de mascarilla estas memorias estan listas para ser programadas por el
usuario esto quiere decir que las mascarillas se encuentran conectadas
por fusibles que se quemaran para crear un cero 0 para quemar el
fusible se requieren de 12.5v hasta 21.5v de acuerdo a las
caracteristicas del fabricante.

Memorias De Solo Lectura

(ROM)
EPROM ( Electric Program Read Only Memory): En esta
memoria el usuario puede programar y borrar al dispositivo
cuantas veces como lo desee mientras lo permita la memoria. ( Es
decir hasta que el fabricante indique que cantidad de veces
soporta de grabacin.)
En esta memoria se utilizan transistores MOSFET que tienen
compuerta de SILICIO con ninguna conexin elctrica (
COMPUERTA FLOTANTE). El cero lgico se crea al inyectar
alta energa en la compuerta y como no hay trayectoria de salida
en el transitor este queda ENCENDIDO de manera
permanente.
Para el proceso de borrado la EPROM se expone a LUZ
ULTRAVIOLETA. La luz o foto corriente choca contra el
sustrato de silicio que es foto sensible y produce que el transistor
se apague. Este proceso permite que la la memoria se borre.

Memorias De Solo Lectura

(ROM)
EEPROM (Electric Erasable Program Read Only Memory). : La
EEPROM se invent en 1980 como una mejora a la EPROM. La
EEPROM aprovecha la misma estructura de compuerta flotante que
la EPROM. Agrega la caracterstica de borrado elctrico atravs de la
adicin de una delgada regin de oxido, arriba del DRENADOR del
MOSFET esto provoca que con el mismo voltaje de programacin
pueda ser borrada la memoria.
El borrado es para una sola localidad deseada, adems no se re
escribe la todalidad de las localidades de la memoria. El acceso a la
informacin de estas memorias son por lo regular lento en referencia
a una memoria RAM.

Circuito de Memoria
General
Vcc
Bus de
Direcciones
Bus de Datos

Circuito
de
Memoria

Bus de
Control*

* Nota : No en todos los casos el bus de control es de

entrada o salida en algunos casos es bidireccional.

Arreglos de Memoria
Expansion de la capacidad. El nmero de palabras
en un sistema de memoria se aumenta multiplexando la salida de
dos ms dispositivos de memoria. Los circuitos de memoria tiene
carctersticas que facilitan esto.

Expansion de Palabra. La longitud de palabra se

incrementa colocando la salida de dos o ms circuitos de memoria
en paralelo.

Expansin de Palabra.
Bus de 4
Mem
1
Bus de 8
Mem
Bus de 4 2

Bus de
Direcciones
en Paralelo

Expansin de Capacidad
Bus de 4
Mem
1
Selector
De Memorias

Direccin

cs

Mem
Bus de 4 2
cs

Bus de
Direcciones
en Paralelo