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PORTAFOLIO
SISTEMAS ELECTRICOS LINEALES I
2. COMPETENCIAS DESARROLLADAS
2.1
CONCEPTOS
BASICOS,
ELECTRICOS Y LEYES DE TENSION.
CIRCUITOS
Figura 1
i=
dq
dt
(1)
dw
dq
dw dq
P= =
=vi(3)
dt
dt
Figura 2
La direccin del flujo de la corriente se toma
convencionalmente como la direccin del movimiento de
la carga positiva. (Figura 3)
P (t )=v (t )i ( t )
P=V I
V ab=
dw
(2)
dq
Figura 5.
P suministrada= Pabsorbida
V I
V =RI ()
Figura 6
Figura 9
Ley de OHM.
G=
1
()
R
Figura 7
La resistencia de los materiales est gobernada por una
propiedad elctrica llamada RESISTIVIDA (), medida
en ohm-metro.
R=
L
()
A
Figura 10
Figura 11
Resistencias en serie
I=
Requ=R 1+ R 2+ + Rn= R n ()
I=
n=1
atravezado
R equivalente
()
atravezada
Divisor de tensin.
Para resistores conectados en serie, la tensin de la
fuente se divide en proporcin directa con sus
resistencias.
Rn
V ( )
Req
Resistencia en paralelo.
La resistencia equivalente de dos resistores conectados
en paralelo es igual al producto de sus resistencias entre
su suma.
Req=
V n=
i
Req()
Rn
Pasos:
R 1R 2
()
R 1+ R 2
1
1
1
1
=
+
++ ()
Req R 1 R 2
Rn
1.
Obtener
la
considerando:
a.
b.
c.
matriz
de
conductancias
Relacin de voltaje-corriente
q=C . V q V
dq
dv dq
=C .
=i
dt
dt dt
dq
=i
Sustituyendo
dt
dv
i=C .
dt
idt=Cdv
Figura 12
V (t )
i dt=C dv
i0
V0
ii0
V 0 =V (t )
C
Energa almacenada
P=V . i
P=V . C .
dv
dt
W = Pdt
W= C . V
dv
dt
dt
W = C . Vdv
1
W= C V 2
2
Propiedades de los condensadores.
[ ]
C
=[F ]
V
i=C .
, Faradios
dv
=cte=0
dt
+
0
1
1
1
1
1
=
+
+
++
Cequi C 1 C 2 C 2
Cn
1
1
1
1
1
= +
+
++
Lequi L1 L 2 L3
ln
Unidades de Bobina
V .s
]
A
= [H] Henrio.
Cambios instantneos
di
dt
Vdt
di=
L
t
1
i (t )= Vdt +i(0)
Lt
V =L
t=0
(o)
Potencia
P=Vi
t=0
di
P=L .i
dt
t
W = Pdt
W =L idt
di
dt
1
W = L i2
2
V =L
di
=cte=0
dt
de
potencial
elctrico
travs
del
+
0
dv V
+ =0
dt R
V (t )=V 0 e
t
RC
.
En donde
V0
siguiente:
es la tensin o diferencia de potencial
di
+iR=0
dt
di iR
+ =0
dt L
=R .C
Grficamente
Rt
L
i (t )=i 0 e
En donde
i0
L
R
cero t> 0
Determinar la ecuacin para el problema que
se desee.
V (t )=Vs+(V 0Vs)e
Donde:
t
RC
Transitorio de voltaje:
Rt
L
Donde:
Para el caso del circuito RLC paralelo descrito
anteriormente, la ecuacin caracterstica es:
Transitorio de corriente:
Se definen los parmetros:
en trminos de
:
frecuencia
resonante
Donde
es la respuesta natural y
es la respuesta forzada.
Ecuacin caracterstica.
La ecuacin caracterstica se obtiene de la ecuacin
diferencial y sus races contienen la informacin
necesaria para determinar el comportamiento de la
respuesta natural.
Considerando
para la ecuacin
diferencial homognea de segundo orden, se tiene la
ecuacin caracterstica:
.
2.3 TERCER PERIODO DE EVALUACION
UNIDAD 4: ANLISIS DE ESTADO SENOIDAL
PERMANENTE.
EL anlisis de estado senoidal permanente, se refiere al
anlisis de circuitos que trabajan con corriente altera o
AC.
Senoide: Es una seal que tiene la forma de la funcin
seno o coseno.
Circuito
sub-amortiguado:
races
complejas
Figura 1. Grfica de un Senoide.
Comparacin entre seales senoidales.
Cuando se trata de comparar dos seales senoidales se
debe tener en cuenta algunos aspectos:
En este caso
donde el trmino
Se define como la velocidad angular amortiguada; dada
tambin por la relacin:
Por lo que:
Ejemplo 1.
Encontrar
el
ngulo
de
fase
entre
11
forma
fasorial
12
13
Z L Z *TH
Pmax
VTH
8RTH
1
P Vm I m cos( v i )
2
Potencia
v(t ) Vm cos(t v )
promedio: Es el
promedio de la potencia instantnea sobre un
determinado tiempo. Y est dada por la frmula:
i (t ) I m cos(t i )
p (t ) v(t )i (t ) Vm I m cos(t v ) cos(t i )
1
1
Vm I m cos( v i ) Vm I m cos( 2t v i )
2
2
Solucin:
del circuito,
V I
I2R V 2
P m m m m
2
2
2R
ZTH j5 [ 4 (8 j 6)] j 5
tambien : VTH
Vm I m
Cos(90o ) 0.0
2
**En
8 j6
(10) 7.454 10.3 V
4 8 j6
2.933 j 4.467
elementos
reactivos (bobinas y capacitores) el voltaje y la corriente
se encuentran en desfase con 90 o -90 segn sea el
caso, por lo tanto:
14
4(8 j 6)
2.933 j 4.467
4 8 j6
La
1
Q Vm I m sen( v i )
2
Potencia Reactiva: La
potencia reactiva no es una potencia realmente
consumida en el circuito, ya que no produce trabajo til
debido a que su valor medio es nulo. Aparece en una
instalacin elctrica en la que existen bobinas o
condensadores, y es necesaria para crear campos
magnticos y elctricos en dichos componentes. Se
representa por Q y se mide en
S=V
ef I ef =|S|
|S| cos ( )+ j|S|sen ( )
S=
Figura 20.
f . p .=cos ( )
El factor de potencia nos dice que tan efectiva es la
carga en una instalacin elctrica, este va en un rango
entre 0 y 1, si el factor de potencia es mayor al 0.9 se
dice que el F.P. es ptimo.
Cuando el ngulo de desfase es positivo, o sea que va
entre 0<<90 se dice que el factor de potencia esta en
atraso (-), lo que significa que la carga es inductiva.
Cuando el ngulo de desfase es negativo, o sea que va
entre -90<<0 se dice que el factor de potencia esta
en adelanto (+), lo que significa que la carga es
capacitiva.
Correccin del factor de potencia: La mayora de las
cargas domsticas y de las cargas industriales son
inductivas y operan con un factor de potencia bajo y
atrasado. Aunque la naturaleza inductiva de la carga no
puede modificarse, es posible incrementar su factor de
potencia. En este proceso de incrementar el F.P. sin
alterar la tensin o corriente de la carga original, se
conecta un capacitor o un pack de capacitores en
paralelo a la carga.
Qc=Q 1Q 2
Qc
C=
2
Vrms
L=
Vrms 2
QL
15
3.
Figura 23. Configuracin Y y sus voltajes de fase.
Para poder pasar de voltajes de fase a voltajes de lnea
en una configuracin Y, lo que se hace es multiplicar la
magnitud de la tensin por la raz cuadrada de 3, y al
ngulo de fase se le suman 30, por lo tanto quedara de
la siguiente manera:
Configuracin Estrella o Y.
En esta configuracin las corrientes de lnea son iguales
a las corrientes de fase.
16
1
Z =3 Z Y ; Z Y = Z
3
Vl= 3Vf
Recordando que en la transformacin de Y a delta (fase a lnea)
se le debe sumar 30 al ngulo de fase.
Conexin Y-
Vl= 3Vf
Il= 3If
17
4. COMPETENCIAS EXPERIMENTALES Y DE
SIMULACION (LABORATORIOS)
3.1 PRIMER PERIODO DE EVALUACION
CIRCUITO PARALELO
LEYES DE KIRCHHOFF
18
Mediciones V1.
IR1= 48.2mA
IR2= 31.9mA
IR3= 15.70mA
PotenciaV1= 1.1W
VR1= 14.4V
VR2= 9.6V
VR3= 9.6V
FUENTE V2.
Mediciones V2.
IR1= --32.07mA
IR2= -47.7mA
IR3= 15.56mA
PotenciaV2= 1.1W
VR1= -9.36V
VR2= -14.14V
VR3= 9.43V
FUENTE V1+V2
Mediciones V1+V2.
IR1= 16.03mA
VR1= 4.80V
IR2= -15.77mA
VR2= -4.74V
IR3= 31.31mA
VR3= 18.87V
PotenciaV1+V2= 0.55W+0.55W=1.1W
En cuanto a la medicin de la potencia es muy
importante aclarar que no se cumple el principio de
superposicin dado que la potencia no es una dimensin
elctrica lineal, por lo cual la potencia suministrada por
cada fuente individual es la misma que al estar ambas
fuentes conectadas.
TEOREMA DE SUPERPOSICION
FUENTE V1.
19
Circuito RL en serie.
Figura 1. Circuito RL en serie.
Parmetro Elctrico
TOTAL=
Z
VR=
VL=
I total =
VR
Rmed =
IR
VL
X L=
IL
V
Z med = ac
I total
VL
=tan 1
VR
( )
Valores Simulados
116.27
33.11 V
11.35 V
0.301 A
110
37.7
116.27
18.92
Circuito RL paralelo.
1
Xc=
2 f
Parmetro
Elctrico
TOTAL=
Z
IR=
Valores Simulados
37.19
0.159 A
IL=
0.928 A
I total =
0.941 A
V ac
I total
IL
=tan 1
IR
Z med =
( )
37.19
80.27
SIMULACIONES
TOTAL=
Z
VR=
VC=
20
Valores Simulados
2671.75
1.45 V
34.97 V
I total =
V ac
I total
VC
=tan 1
VR
Z med =
( )
0.0131 A
2671.75
87.62
Circuito RC en Paralelo.
TOTAL=
Z
IR=
Valores Simulados
108.69
0.318 A
IC=
0.0527 A
I total =
0.322 A
V
Z med = ac
I total
IC
=tan 1
IR
( )
I total
0.1426
63.37 A
VR
15.69
63.37 V
VL
10.75
153.4 V
VC
42.04
-26.63 V
108.69
9.409
Valor
I total
IR
Valor
0.5909
0.4795
-35.77 A
0 A
IL
0.4642
-90 A
IC
0.1188
90 A
21
sinusoidales.
Matemticamente
es un
nmero
adimensional entre 0 y 1 que puede tomar su valor a
partir de un ngulo del sistema elctrico negativo o
positivo, segn sea un sistema capacitivo o inductivo,
respectivamente.
El valor del f.d.p. viene determinado por el tipo de cargas
conectadas en una instalacin. De acuerdo con su
definicin, el factor de potencia es adimensional y
solamente puede tomar valores entre 0 y 1. En un
circuito resistivo puro recorrido por una corriente alterna,
la intensidad y la tensin estn en fase (=0), esto es,
cambian de polaridad en el mismo instante en cada
ciclo,
lado, en un circuito reactivo puro, la intensidad y la
tensin estn en cuadratura (90) siendo el valor del
f.d.p. igual a cero.
En realidad los circuitos no pueden ser puramente
resistivos ni reactivos, observndose desfases, ms o
menos significativos, entre las formas de onda de la
corriente y el voltaje. As, si el f.d.p. est cercano a la
unidad, se dir que es un circuito fuertemente resistivo
por lo que su f.d.p. es alto, mientras que si est cercano
a cero que es fuertemente reactivo y su f.d.p. es bajo.
Cuando el circuito sea de carcter inductivo, caso ms
comn, se hablar de un f.d.p. en atraso, mientras que
se dice en adelanto cuando lo es de carcter capacitivo.
Conclusiones.
2.
BIOGRAFIAS
Andrea Elizabeth Pineda Hernndez, naci el 7 de
Noviembre de 1994 en Santa Ana, hija de Augusto
Alfredo Pineda Pernillo y Sonia Elizabeth Hernndez de
Pineda. La menor de tres hijos, su educacin primaria la
realizo en el Centro Escolar Cantn el Portezuelo, el
tercer ciclo lo culmin en el Instituto Mara Auxiliadora de
5. REFLEXION AUTODIAGNOSTICA
1.
22
23