Repblica Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Defensa

Universidad Nacional Experimental Politcnica de la Fuerza Armada
Ncleo Gurico-Extensin Zaraza

REGISTRO DE CONTADORES Y
UNIDADES DE MEMORIAS

Profesor:

Integrantes:

Ing. Argenis Medina

Mayorga Jorge
Cabeza Juan
Cumarin Julio
Martnez Jesus

Zaraza, Abril 2015

UNIDAD DE MEMORIA

Parte de una computadora que almacena las instrucciones y datos recibidos

desde la unidad de entrada as como los resultados obtenidos por la unidad
aritmtica-lgica.
La memoria en informtica, se refiere a la parte de los componentes que
conforman un ordenador. Son dispositivos que retienen datos informticos
durante algn intervalo de tiempo. Las memorias proporcionan una de las
principales funciones de la computacin moderna, la retencin o
almacenamiento de informacin.
Una primera clasificacin, distingue entre dos grandes grupos de Memorias:
Memorias Centrales (RAM y ROM)
Memorias Auxiliares, que a su vez se dividen en: o pticas: DVD y CD o
Magnticas (disco rgido, pendrivers, Reproductores, tarjetas)
En la actualidad, memoria suele referirse a una forma de almacenamiento de
estado slido conocido como memoria RAM (memoria de acceso aleatorio), y
otras veces se refiere a otras formas de almacenamiento rpido pero temporal.
De forma similar, se refiere a formas de almacenamiento masivo como discos
pticos y tipos de almacenamiento magntico como discos duros y otros tipos
de almacenamiento ms lentos que las memorias RAM, pero de naturaleza
ms permanente. Estas distinciones contemporneas son de ayuda porque son
fundamentales para la arquitectura de ordenadores en general.
Adems, se refleja una diferencia tcnica importante y significativa entre
memoria y dispositivos de almacenamiento masivo, que se ha ido diluyendo por
el uso histrico de los trminos "almacenamiento primario" (a veces
"almacenamiento principal"), para memorias de acceso aleatorio, y
"almacenamiento secundario" para dispositivos de almacenamiento masivo.
La memoria principal (MP) o central, es una unidad dividida en celdas que se
identifican mediante una direccin. Est formada por bloques de circuitos
integrados o chips capaces de almacenar informacin digital, es decir, valores
binarios; a dichos bloques tiene acceso el microprocesador del ordenador.
La MP se comunica con el microprocesador de la CPU mediante el bus de
direcciones. El ancho de este bus determina la capacidad que posea el
microprocesador para el direccionamiento de direcciones en memoria.
Suele llamarse "memoria interna" a la MP, porque a diferencia de los
dispositivos de memoria secundaria, la MP no puede extraerse tan fcilmente
por usuarios no tcnicos.
La MP es el ncleo del sub-sistema de memoria de un ordenador, y posee una
menor capacidad de almacenamiento que la memoria secundaria, pero una
velocidad millones de veces superior.
MEMORIA ROM

La memoria de solo lectura, ROM (Read-only memory), es un medio de

almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos electrnicos, que
permite solo la lectura de la informacin y no su escritura, independientemente
de la presencia o no de una fuente de energa.
Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de
manera fcil. Se utiliza principalmente para contener el firmware (programa
estrechamente ligado a hardware especfico, que no requiere actualizaciones
frecuentes) u otro contenido vital para el funcionamiento del dispositivo, como
los programas que arrancan el ordenador y realizan los diagnsticos.
En su sentido ms estricto, se refiere solo a mscara ROM -en ingls, MROM(el ms antiguo tipo de estado slido ROM), que se fabrica con los datos
almacenados de forma permanente, y cuyo contenido no puede ser modificado
de ninguna forma. Sin embargo, las ROM ms modernas, como EPROM y
Flash EEPROM, se pueden borrar y volver a programar varias veces. La razn
de que se las contine llamando as es que el proceso de reprogramacin en
general es poco frecuente, lento y, a menudo, no permite la escritura en lugares
aleatorios de la memoria. A pesar de la simplicidad de la ROM, los dispositivos
reprogramables son ms flexibles y econmicos, por lo cual las antiguas
mscaras ROM no se suelen encontrar en hardware producido a partir de
2007.

MEMORIA RAM

La memoria de acceso aleatorio,(random-access memory) es la memoria

desde donde el procesador recibe las instrucciones y guarda los resultados.
Se usa como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la
mayora del software.
En ella se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras
unidades de cmputo.
Se denominan "de acceso aleatorio" porque se puede leer o escribir en una
posicin de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posicin, no
siendo necesario seguir un orden para acceder a la informacin de la manera
ms rpida posible.
Durante el encendido del computador, la rutina POST verifica que los mdulos
de memoria RAM estn conectados de manera correcta. En el caso que no
existan o no se detecten los mdulos, la mayora de tarjetas madres emiten
una serie de pitidos que indican la ausencia de memoria principal.

Terminado ese proceso, la memoria BIOS puede realizar un test bsico sobre
la memoria RAM indicando fallos mayores en la misma.

MEMORIA DRAM

DynamicRandom Access Memory: es un tipo de memoria dinmica de acceso

aleatorio que se usa principalmente en los mdulos de memoria RAM y en
otros dispositivos, como memoria principal del sistema.
Se denomina dinmica, porque para mantener almacenado un dato, se
requiere revisarlo y recargarlo, cada cierto perodo, en un ciclo de refresco.
Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran
densidad de posiciones y que todava funcionen a una velocidad alta: en la
actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de
acceso medidos en millones de bit por segundo.
Es una memoria voltil, es decir cuando no hay alimentacin elctrica, la
memoria no guarda la informacin. Inventada a finales de los sesenta, es una
de las memorias ms usadas en la actualidad.

MEMORIA SRAM

StaticRandom Access Memory - Memoria Esttica de Acceso Aleatorio, es un

tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria
DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras est alimentada, sin
necesidad de circuito de refresco. Sin embargo, son memorias voltiles, es
decir pierden la informacin si se les interrumpe la alimentacin elctrica. FPMRAM: Fast Page Mode RAM: Inspirado en tcnicas como el "BurstMode" usado
en procesadores como el Intel 486,3 se implant un modo de direccionamiento
en el que el controlador de memoria enva una sola direccin y recibe a cambio
esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto
supone un ahorro de tiempo en operaciones repetitivas, cuando se quiere
acceder a muchas posiciones consecutivas. Funciona como si quisisemos
visitar todas las casas en una calle: despus de la primera vez no seria
necesario decir el nmero de la calle, bastara con seguir la misma. Se
fabricaban con tiempos de acceso de 70 60 ns y fueron muy populares en
sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium.

MEMORIA EDO-RAM

Extended Data Output RAM: Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40

o 30 ns, supuso una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, tambin es
capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va a
utilizar mientras que se lee la informacin de la columna anterior, dando como
resultado una eliminacin de estados de espera, manteniendo activo el bfer
de salida hasta que comienza el prximo ciclo de lectura.BEDO-RAM: Burst
Extended Data Output RAM. Es la evolucin de la EDO RAM y competidora de
la SDRAM, presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba
generadores internos de direcciones y acceda a ms de una posicin de
memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeo un 50%
mejor que la EDO. Nunca sali al mercado, pues Intel y otros fabricantes se
decidieron por esquemas de memoria sincrnicos que aunque tenan mucho
del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como
seales de reloj.
La tecnologa de memoria actual usa una seal de sincronizacin para realizar
las funciones de lectura-escritura de manera que siempre esta sincronizada
con un reloj del bus de memoria, a diferencia de las antiguas memorias FPM y
EDO que eran asncronas. Hace ms de una dcada toda la industria se
decant por las tecnologas sncronas, porque permiten construir integrados
que funcionen a una frecuencia superior a 66 MHz.

MEMORIA SDR SDRAM

Memoria sncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se

presentan en mdulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los Pentium II
y III, y en los AMDK6, AMD Athlon K7 y Duron. Est extendida la creencia de
que se llama SDRAM a secas, y que la denominacin SDR SDRAM es para
diferenciarla de la memoria DDR, pero no es as, simplemente se extendi muy
rpido la denominacin incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM porque
ambas (la SDR como la DDR) son memorias sncronas dinmicas. Los tipos
disponibles son: PC100: SDR SDRAM, funciona a un mx de 100 MHz.
PC133: SDR SDRAM, funciona a un mx de 133 MHz.

MEMORIA DDR SDRAM

Memoria sncrona, enva los datos 2 veces por cada ciclo de reloj. De este
modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de
aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en mdulos DIMM de 184
contactos en el caso de ordenador de escritorio y en mdulos de 144 contactos
para los ordenadores porttiles. Los tipos disponibles son: PC2100 o DDR
266: funciona a un mx de 133 MHz. PC2700 o DDR 333: funciona a un mx
de 166 MHz. PC3200 o DDR 400: funciona a un mx de 200 MHz.

MEMORIA DDR2 SDRAM

Mdulos de memoria instalados de 256 MiB cada uno en un sistema con doble
canal. Las memorias DDR 2 son una mejora de las memorias DDR (Double
Data Rate), que permiten que los bferes de entrada/salida trabajen al doble de
la frecuencia del ncleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen
cuatro transferencias. Se presentan en mdulos DIMM de 240 contactos. Los
tipos disponibles son: PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un mx de 533 MHz.
PC2-5300 o DDR2-667: funciona a un mx de 667 MHz. PC2-6400 o DDR2800: funciona a un mx de 800 MHz. PC2-8600 o DDR2-1066: funciona a un
mx de 1066 MHz. PC2-9000 o DDR2-1200: funciona a un mx de 1200 MHz

MEMORIA DDR3 SDRAM

Son una mejora de las DDR 2, proporcionan significantes mejoras en el

rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminucin del
gasto global de consumo. Los mdulos DIMM DDR 3 tienen 240 pines, el
mismo nmero que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son fsicamente
incompatibles, debido a una ubicacin diferente de la muesca. Los tipos
disponibles son: PC3-8600 o DDR3-1066: funciona a un mx de 1066 MHz.
PC3-10600 o DDR3-1333: funciona a un mx de 1333 MHz. PC3-12800 o
DDR3-1600: funciona a un mx de 1600 MHz.

DIRECCION DE MEMORIA

Es un identificador de localizacin de memoria con la que un programa

informtico o un dispositivo de hardware pueden almacenar un dato para su
posterior reutilizacin. La memoria principal de un ordenador semeja una
coleccin de celdas que almacenan datos e instrucciones. Cada celda se
identifica unvocamente por un nmero o direccin de memoria. La informacin
que se almacena en cada celda es un byte (conjunto de ocho bits), que es la
unidad mnima de almacenamiento de datos e instrucciones. Para poder
acceder a una ubicacin especfica de la memoria, la CPU genera seales en
el bus de direccin. Un bus de direccin de 32 bits permite especificar a la CPU
232 = 4.294.967.296 direcciones de memoria distintas. Debido a la estructura
de 32 bits de un procesador comn como los de Intel, las direcciones de
memoria se expresan a menudo en hexadecimal.
El procesador enva la direccin para los datos. El controlador de la memoria
encuentra la ubicacin adecuada. Por ltimo, el procesador enva los datos a
escribir. El procesador enva la direccin de los datos solicitados. El controlador
de la memoria encuentra los bits de informacin contenidos en dicha direccin.
Posteriormente los enva al bus de datos del procesador.
La asignacin de memoria a cada nuevo registro se puede considerar desde 2
puntos: Fsico y Lgico. Dentro del Fsico podemos acceder a las posiciones de
memoria a travs de los medios electrnicos. Dentro del medio lgico
encontraremos como se expresan y guardan las direcciones.

ASIGNACIN LGICA DE MEMORIA

La asignacin lgica puede ser: Asignacin dinmica y Asignacin esttica.

Por ejemplo, cuando trabajamos en un lenguaje de programacin requerimos
de la asignacin de memoria y se hace de la siguiente forma, donde por lo
general comienza con algunas de las siguientes literales que son una parte de
la memoria: CS, SS, DS y ESB.

ASIGNACIN FSICA DE MEMORIA

La asignacin fsica, permite el acceso a las distintas posiciones de memoria a

travs de los medios electrnicos. Los registros pueden ser clasificados en 2
tipos:

Circuito operacional: Capaz de acumular informacin binaria en sus flip-flop y

tiene compuertas capaces de realizar tareas de procesamiento de
datos.Registro de almacenamiento: usado slo para el almacenamiento
temporal de la informacin binaria, que no puede ser alterada cuando se
transfiere ya sea hacia dentro o fuera del registro. Una unidad de memoria es
una coleccin de registros de almacenamiento junto con los registros de
memoria (circuitos asociados necesarios para la transferencia de informacin);
la informacin se almacena en palabras, y cada palabra se almacena en un
registro de memoria. La informacin transferida a los elementos de salida se
toma de los registros en la unidad de memoria, se manda a los registros
operacionales yel resultado de esto se devuelve a los registros de memoria.
La asignacin fsica: Permite el acceso a las distintas posiciones de memoria
a travs de los medios electrnicos.. Los registros pueden ser clasificados en 2
tipos: Circuito operacional: capaz de acumular informacin binaria en sus flipflop y tiene compuertas capaces de realizar tareas de procesamiento de datos.
Registro de almacenamiento: usado slo para el almacenamiento temporal de
la informacin binaria, que no puede ser alterada cuando se transfiere ya sea
hacia dentro o fuera del registro. Una unidad de memoria es una coleccin de
registros de almacenamiento junto con los registros de memoria (circuitos
asociados necesarios para la transferencia de informacin); la informacin se
almacena en palabras, y cada palabra se almacena en un registro de
memoria. La informacin transferida a los elementos de salida se toma de los
registros en la unidad de memoria, se manda a los registros operacionales y el
resultado de esto se devuelve a los registros de memoria.

PROPIEDADES BSICAS DEL COMPONENTE QUE FORMA LAS CELDAS

BINARIAS EN LA UNIDAD DE MEMORIA:
Propiedad dependiente de dos estados para la representacin binaria.
Ser pequeo en tamao.
Bajo costo por bit de almacenamiento.
Tiempo de acceso eficaz.
Por ejemplos: Ncleos magnticos, CI semiconductores y superficies
magnticas de cintas, tambores y discos. Una palabra es una entidad de x bits
que se mueven hacia dentro y hacia fuera del almacenamiento como una
unidad; puede representar un operando, una instruccin, o un grupo de
caracteres alfanumricos o cualquier informacin codificada binariamente.

LA COMUNICACIN ENTRE UNA UNIDAD DE MEMORIA Y LO QUE LA

RODEA SE LOGRA POR MEDIO DE DOS SEALES:

Las seales de control: especifican la direccin de la trasferencia requerida,

cuando una palabra debe ser acumulada en un registro de memoria o cuando
una palabra almacenada previamente debe ser transferida hacia afuera del
registro de memoria.
Registros externos: Uno especifica el registro de memoria escogido entre los
miles disponibles; otro especifica la configuracin en bits de dicha palabra. El
registro de direcciones de memoria especifica la palabra de memoria
seleccionada. A cada una se le asigna un nmero de identificacin
comenzando desde 0 hasta el nmero mximo de palabras disponible,
posteriormente el nmero de localizacin o direccin se transfiere al registro de
direcciones..

MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO

La memoria de acceso aleatorio (Random-Access Memory, RAM) se utiliza

como memoria de trabajo de computadoras para el sistema operativo, los
programas y la mayor parte del software.
En la RAM se cargan todas las instrucciones que ejecutan la unidad central de
procesamiento (procesador) y otras unidades de cmputo.
Se denominan de acceso aleatorio porque se puede leer o escribir en una
posicin de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posicin, no
siendo necesario seguir un orden para acceder (acceso secuencial) a la
informacin de la manera ms rpida posible.
Durante el encendido de la computadora, la rutina POST verifica que los
mdulos de RAM estn conectados de manera correcta. En el caso que no
existan o no se detecten los mdulos, la mayora de tarjetas madres emiten
una serie de sonidos que indican la ausencia de memoria principal. Terminado
ese proceso, la memoria BIOS puede realizar un test bsico sobre la memoria
RAM indicando fallos mayores en la misma.

HISTORIA

Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de ncleo

magntico, desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores
hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los aos 60 y principios
de los 70. Esa memoria requera que cada bit estuviera almacenado en

un toroide de material ferromgnetico de algunos milmetros de dimetro, lo

que resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequea.
Antes que eso, las computadoras usaban rels y lneas de retardo de varios
tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal con o
sin acceso aleatorio.
En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en
semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de
memoria y para el siguiente ao se present una memoria DRAM de
1024 bytes, referencia 1103 que se constituy en un hito, ya que fue la primera
en ser comercializada con xito, lo que signific el principio del fin para las
memorias de ncleo magntico. En comparacin con los integrados de
memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tena un
desempeo mayor que la memoria de ncleos
A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el
aumento en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias
DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una
serie de mejoras en el direccionamiento como las siguientes:

FPM RAM

Fast Page Mode RAM (FPM-RAM) fue inspirado en tcnicas como el Burst
Mode usado en procesadores como el Intel 486,3 se implant un modo
direccionamiento en el que el controlador de memoria enva una sola direccin
y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las
direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son
repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas.
Funciona como si deseramos visitar todas las casas en una calle: despus de
la primera vez no sera necesario decir el nmero de la calle nicamente seguir
la misma. Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 60 ns y fueron muy
populares en sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium.

EDO RAM

Extended Data Output RAM (EDO-RAM) fue lanzada al mercado en 1994 y con
tiempos de accesos de 40 o 30 ns supona una mejora sobre FPM, su
antecesora. La EDO, tambin es capaz de enviar direcciones contiguas pero
direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la informacin de la
columna anterior, dando como resultado una eliminacin de estados de espera,
manteniendo activo el bfer de salida hasta que comienza el prximo ciclo de
lectura.

BEDO RAM

Burst Extended Data Output RAM (BEDO-RAM) fue la evolucin de la EDORAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de
memoria que usaba generadores internos de direcciones y acceda a ms de
una posicin de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un
desempeo un 50% mejor que la EDO. Nunca sali al mercado, dado que Intel
y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrnicos que si
bien tenan mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades
distintas como seales de reloj.

Tipos de RAM:
Las dos formas principales de RAM moderna son:
SRAM (Static Random Access Memory), RAM esttica, memoria esttica de
acceso aleatorio.

voltiles.

no voltiles:

NVRAM (non-volatile random access memory), memoria de acceso aleatorio

no voltil

MRAM (magnetoresistive random-access memory), memoria de acceso

aleatorio magnetorresistiva o magntica
DRAM (Dynamic Random Access Memory), RAM dinmica, memoria dinmica
de acceso aleatorio.
DRAM Asincrnica (Asynchronous Dynamic Random Access
memoria de acceso aleatorio dinmica asincrnica)

FPM RAM (Fast Page Mode RAM)

EDO RAM (Extended Data Output RAM)

Memory,

SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory, memoria de acceso

aleatorio dinmica sincrnica)

Rambus:

RDRAM (Rambus

Dynamic

Random

Access

Memory)

XDR DRAM (eXtreme Data Rate Dynamic Random

Access Memory)

XDR2 DRAM (eXtreme Data Rate two Dynamic

Random Access Memory)

SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic

Random-Access Memory, SDRAM de tasa de datos simple)

DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic

Random-Access Memory, SDRAM de tasa de datos doble)

DDR2 SDRAM (Double Data Rate type two SDRAM,

SDRAM de tasa de datos doble de tipo dos)

DDR3 SDRAM (Double Data Rate type three SDRAM,

SDRAM de tasa de datos doble de tipo tres)

DDR4 SDRAM (Double Data Rate type four SDRAM,

SDRAM de tasa de datos doble de tipo cuatro)