QU ES LA RESISTENCIA ELCTRICA

Resistencia elctrica es toda oposicin que encuentra la corriente a su paso por un circuito elctrico
cerrado, atenuando o frenando el libre flujo de circulacin de las cargas elctricas o electrones. Cualquier
dispositivo o consumidor conectado a un circuito elctrico representa en s una carga, resistencia u
obstculo para la circulacin de la corriente elctrica.

A.- Electrones fluyendo por un buen conductor elctrico, que ofrece

baja
resistencia. B.- Electrones
fluyendo
por
un
mal
conductor.elctrico, que ofrece alta resistencia a su paso. En ese
caso los electrones chocan unos contra otros al no poder circular
libremente y, como consecuencia, generan calor.

Normalmente los electrones tratan de circular por el circuito elctrico de una forma ms o menos
organizada, de acuerdo con la resistencia que encuentren a su paso. Mientras menor sea esa resistencia,
mayor ser el orden existente en el micromundo de los electrones; pero cuando la resistencia es elevada,
comienzan a chocar unos con otros y a liberar energa en forma de calor. Esa situacin hace que siempre
se eleve algo la temperatura del conductor y que, adems, adquiera valores ms altos en el punto donde
los electrones encuentren una mayor resistencia a su paso.
RESISTENCIA DE LOS METALES AL PASO DE LA CORRIENTE ELCTRICA
Todos los materiales y elementos conocidos ofrecen mayor o menor resistencia al paso de la corriente
elctrica, incluyendo los mejores conductores. Los metales que menos resistencia ofrecen son el oro y la
plata, pero por lo costoso que resultara fabricar cables con esos metales, se adopt utilizar el cobre, que
es
buen
conductor
y
mucho
ms
barato.
Con alambre de cobre se fabrican la mayora de los cables conductores que se emplean en circuitos de
baja y media tensin. Tambin se utiliza el aluminio en menor escala para fabricar los cables que vemos
colocados en las torres de alta tensin para transportar la energa elctrica a grandes distancias.

A.- Resistencia variable o restato fabricada con alambre nicromo (Ni-Cr)..

B.- Potencimetro de carbn, muy utilizado en equipos electrnicos
para.controlar, por ejemplo, el volumen o los tonos en los amplificadores de
audio. Este potencimetro de la figura se controla haciendo girar su eje hacia
la.derecha o hacia la izquierda, pero existen otros dotados de una
palanquita.deslizante
para
lograr
el
mismo
fin.
C.- Resistencia fija de carbn, muy empleada en los circuitos electrnicos.

Entre los metales que ofrecen mayor resistencia al paso de la corriente

elctrica se encuentra el alambre nicromo (Ni-Cr), compuesto por una
aleacin de 80% de nquel (Ni) y 20% de cromo (Cr). Ese es un tipo de
alambre ampliamente utilizado como resistencia fija o como resistencia
variable (restato), para regular la tensin o voltaje en diferentes dispositivos
elctricos. Adems se utilizan tambin resistencias fijas de alambre nicromo
de diferentes dimetros o grosores, para producir calor en equipos
industriales, as como en electrodomsticos de uso muy generalizado.
Entre esos aparatos o quipos se encuentran las planchas, los calentadores o
estufas elctricas utilizadas para calentar el ambiente de las habitaciones en
invierno, los calentadores de agua, las secadoras de ropa, las secadoras para
el pelo y la mayora de los aparatos elctricos cuya funcin principal es
generar calor.
Secadora elctrica para
el pelo.

Estufa
elctrica
emplea.alambre nicromo
calentar.una habitacin.

que
para

Otro elemento muy utilizado para fabricar resistencias es el carbn. Con ese elemento se fabrican
resistencias fijas y reostatos para utilizarlos en los circuitos electrnicos. Tanto las resistencias fijas como
los potencimetros se emplean para regular los valores de la corriente o de la tensin en circuitos
electrnicos, como por ejemplo, las corrientes de baja frecuencia o audiofrecuencia, permitiendo
controlar, enre otras cosas, el volumen y el tono en los amplificadores de audio.
QU ES EL OHM

El ohm es la unidad de medida de la resistencia que oponen los materiales al paso de la corriente
elctrica y se representa con el smbolo o letra griega " " (omega). La razn por la cual se acord utilizar
esa letra griega en lugar de la O del alfabeto latino fue para evitar que se confundiera con el nmero
cero 0.
El ohm se define como la resistencia que ofrece al paso de la corriente elctrica una columna de mercurio
(Hg) de 106,3 cm de alto, con una seccin transversal de 1 mm 2, a una temperatura de 0o Celsius.
De acuerdo con la Ley de Ohm, un ohm ( 1 ) es el valor que posee una resistencia elctrica cuando
al conectarse a un circuito elctrico de un volt ( 1 V ) de tensin provoca un flujo de corriente de un
amper ( 1 A ). La frmula general de la Ley de Ohm es la siguiente:

La resistencia elctrica, por su parte, se identifica con el smbolo o letra ( R ) y la frmula para despejar
su valor, derivada de la frmula genral de la Ley de Ohm, es la siguiente:.

CLCULO DE LA RESISTENCIA ELCTRICA DE UN MATERIAL AL PASO DE LA

CORRIENTE (I)
Para calcular la resistencia ( R ) que ofrece un material al paso de la corriente elctrica, es necesario
conocer primero cul es el coeficiente de resistividad o resistencia especfica (rho) de dicho material,
la
longitud
que
posee
y
el
rea
de
su
seccin
transversal.
A continuacin se muestra una tabla donde se puede conocer la resistencia especfica en
algunos
materiales,
a
una
temperatura
de
20

Material

Resistividad (

mm2 / m ) a 20 C

Aluminio

0,028

Carbn

40,0

Cobre

0,0172

Constatan

0,489

Nicromo

1,5

Plata

0,0159

Platino

0,111

Plomo

0,205

Tungsteno

0,0549

mm2 / m,de
Celsius.

Para realizar el clculo de la resistencia que ofrece un material al paso de la corriente elctrica, se utiliza
la
siguiente
frmula:

FRMULA 1

De

donde:

R=
=

Resistencia
Coeficiente

de

,
l=

del
resistividad
a

Longitud

material
o

resistencia
una

del

en
especfica

ohm (
del

material

temperatura
material

en

).
en

dada.
metros.

s = Superficie o rea transversal del material en mm 2.

Veamos ahora un ejemplo prctico para hallar la resistencia que ofrece
al paso de la corriente elctrica un conductor de cobre de 500 metros
de longitud. Como la frmula 1 exige utilizar el valor del rea del
alambre del conductor, si no tenemos ese dato a mano, habr que medir
primero el dimetro del alambre de cobre con un pie de rey o vernier,
teniendo cuidado de no incluir en la medida el forro aislante, porque de
lo contrario se obtendra un dato falseado. En el caso de este ejemplo,
el supuesto dimetro de la parte metlica del conductor, una vez medido
con
el
pie
de
rey,
ser
de
1,6
mm.

Pie de rey o vernier

CLCULO DE LA RESISTENCIA ELCTRICA DE UN MATERIAL AL PASO DE LA

CORRIENTE (II) (Continuacin)
Para hallar a continuacin el rea del conductor de cobre, ser necesario utilizar la siguiente frmula:

FRMULA 2

De

donde:

A = rea de la circunferencia de la parte metlica del conductor (el alambre cobre en este caso).
=
r=

matemtica pi,

Constante
Radio

de

la

circunferencia

equivalente

(equivalente

la

a
mitad

3,1416
del

dimetro).

Antes de comenzar a sustituir los valores en la frmula 2, tenemos que hallar cul es el radio ( r ) de la
circunferencia del alambre de cobre. Como ya medimos su dimetro ( d ) con el pie de rey y sabemos
tambin que el radio siempre es igual a la mitad de esa medida, realizamos el siguiente clculo:

Elevamos despus al cuadrado el valor del radio hallado, para lo cual multiplicamos el nmero resultante
de
la
operacin
(0,8
mm)
por
s
mismo:
0,8

mm

0,8

mm

0,64

mm2

Sustituimos seguidamente, en la frmula 2, el resultado de este valor y lo multiplicamos por el valor de "
"
(
pi
)
.

A = 3,1416 0,64 mm2

A = 2 mm2

Por tanto, una vez finalizada esta operacin, obtenemos que el valor del rea del alambre de cobre es
igual
a
2
mm2.
A continuacin procedemos a sustituir valores en la frmula 1, para hallar la resistencia que ofrece al
paso de la corriente el conductor de alambre de cobre del ejemplo que estamos desarrollando:
=

l=
s=

0,0172
mm2 /
m
de
acuerdo
con
500
2

(coeficiente
la
tabla

metros
mm2 (rea

(longitud

de
de

resistencia
especfica
del
cobre,
valores
ms
arriba
expuesta)
del

del

alambre
alambre

de
de

cobre)
cobre)

Sustituyendo

estos

valores

ahora

en

la frmula

1, tendremos:

Por tanto, la resistencia ( R ) que ofrece al paso de la corriente elctrica un alambre de cobre de 2 mm2de
rea y 500 metros de longitud, a una temperatura ambiente de 20 C, ser de 4,3 ohm.
Veamos ahora otro ejemplo, donde calcularemos la resistencia que ofrece, igualmente, al paso de la
corriente elctrica, un alambre nicromo, de 1 metro de longitud, con una seccin transversal de 0,1 mm2,
sabiendo que la resistencia especfica del nicromo a 20 Celsius de temperatura es de 1,5 mm2 / m .
Volvemos

utilizar

la frmula

1y

sustituimos

estos

valores:

De esa forma hemos calculado que la resistencia ( R ) que ofrece al paso de la corriente elctrica un
alambre nicromo de 0,1 mm2 de rea y 1 metro de longitud, a una temperatura ambiente de 20 C, es
de15
ohm.
En estos dos ejemplos podrs notar que un alambre nicromo de slo un metro de largo, con una seccin
transversal 20 veces menor que la del conductor de cobre, tiene una resistencia mayor ( 15 ),
superando en 3,5 veces la resistencia que ofrecen al paso de la corriente elctrica los 500 metros de
alambre
de
cobre.

Este resultado demuestra que el nicromo es peor conductor de la corriente elctrica que el cobre.
CMO INFLUYE LA TEMPERATURA EN LA RESISTENCIA DEL CONDUCTOR
La temperatura influye directamente en la resistencia que ofrece un conductor al paso de la corriente
elctrica. A mayor temperatura la resistencia se incrementa, mientras que a menor temperatura
disminuye.
Sin embargo, tericamente toda la resistencia que ofrecen los metales al paso de la corriente elctrica
debe desaparecer a una temperatura de 0 K (cero grado Kelvin), o "cero absoluto", equivalente a
273,16 C (grados Celsius), o 459,69 F (grados Fahreheit), punto del termmetro donde se supone
aparece la superconductividad o
"resistencia cero" en los materiales conductores.
En el caso de los metales la resistencia es directamente proporcional a la temperatura, es decir si la
temperatura aumenta la resistencia tambin aumenta y viceversa, si la temperatura disminuye la
resistencia tambin disminuye; sin embargo, si hablamos de elementos semiconductores, como el silicio
(Si) y el germanio (Ge), por ejemplo, ocurre todo lo contrario, pues en esos elementos la resistencia y la
temperatura se comportan de forma inversamente proporcional, es decir, si una sube la otra baja su valor
y
viceversa.
Mltiplos del ohm
Los

mltiplos

Kilohm (k ) =
Megohm (M )

Otro

del

ohm

ms

1
=

utilizados
000

000

dato

000

son:
ohm
ohm

interesante:

La unidad de medida de la resistencia elctrica lleva el nombre de ohm en honor al fsico y matemtico
alemn Georg Simon Ohm (1787 1854), quin descubri una de las leyes fundamentales que rigen el
comportamiento
de
los
circuitos
elctricos,
conocida
como
Ley
de
Ohm.

TEMAS RELACIONADOS

Qu son los conductores, semiconductores y aislantes

EL CONDUCTOR DE CORRIENTE ELCTRICA

Conductores son todos aquellos materiales o elementos que permiten que los atraviese el flujo de la
corriente o de cargas elctricas en movimiento. Si establecemos la analoga con una tubera que
contenga lquido, el conductor sera la tubera y el lquido el medio que permite el movimiento de las
cargas.

Caja preparada con conductores elctricos de cobre para

colocar.tomas de corriente en una instalacin elctrica domstica.

Cuando se aplica una diferencia de potencial a los extremos de un trozo de metal, se establece de
inmediato un flujo de corriente, pues los electrones o cargas elctricas de los tomos que forman las
molculas del metal, comienzan a moverse de inmediato empujados por la presin que sobre ellos ejerce
la
tensin
o
voltaje.
Esa presin procedente de una fuente de fuerza electromotriz (FEM) cualquiera (batera, generador, etc.)
es la que hace posible que se establezca un flujo de corriente elctrica a travs del metal.
BUENOS Y MALOS CONDUCTORES DE LA CORRIENTE ELCTRICA

Los mejores conductores de la corriente elctrica son los

metales, porque ceden ms fcil que otros materiales los
electrones que giran en la ltima rbita de sus tomos (la
ms alejada del ncleo). Sin embargo, no todos los metales
son buenos conductores, pues existen otros que, por el
contrario, ofrecen gran resistencia al paso de la corriente y
por ello se emplean como resistencia elctrica para producir
calor. Un ejemplo de un metal que se comporta de esa forma
es el alambre nicromo (NiCr).
Resistencia de alambre nicromo utilizada
como.elemento calefactor en una secadora de
pelo.

El ms utilizado de todos los metales en cualquier tipo de circuito elctrico es el cobre (Cu), por ser
relativamente barato y buen conductor de la electricidad, al igual que el aluminio (Al). Sin embargo, los
mejores metales conductores son el oro (Au) y la plata (Ag), aunque ambos se utilizan muy limitadamente
por
su
alto
costo.
El oro se emplea en forma de hilo muy fino para unir los contactos de los chips de circuitos integrados y
microprocesadores a los contactos que los unen con las patillas exteriores de esos elementos
electrnicos, mientras que la plata se utiliza para revestir los contactos elctricos de algunos tipos de

rels

diseados

para

interrumpir

el

flujo

de

grandes

cargas

de

corriente

en

amper.

El aluminio, por su parte, se emplea para fabricar cables gruesos, sin forro. Este tipo de cable se coloca,
generalmente, a la intemperie, colgado de grandes aislantes de porcelana situados en la parte ms alta
de las torres metlicas destinadas a la distribucin de corriente elctrica de alta tensin.

(A) cable o conductor compuesto por un solo alambre rgido

de.cobre.
(B) cable o conductor compuesto por varios alambres flexibles
de.cobre.
Ambos tipos de conductores poseen un forro aislante de PVC.

La mayora de los conductores que emplean los diferentes dispositivos o aparatos elctricos poseen un
solo hilo de alambre de cobre slido, o tambin pueden estar formado por varios hilos ms finos,
igualmente de cobre. Ambos tipos de conductores se encuentran revestidos con un material aislante,
generalmente PVC (cloruro de polivinilo). Mientras mayor sea el rea transversal o grosor que tenga un
conductor, mejor soportar el paso de la corriente elctrica, sin llegar a calentarse en exceso o quemarse.
MATERIALES SEMICONDUCTORES Y AISLANTES DE LA CORRIENTE ELCTRICA

Existen tambin otros elementos denominados metaloides, que actan como semiconductores de la
corriente elctrica. Entre esos elementos o materiales se encuentran el silicio (Si), el galio (Ga) y el
germanio
(Ge).
Los tomos de esos elementos son menos propensos a ceder electrones cuando los atraviesa una
corriente elctrica y su caracterstica principal es dejarla pasar en un solo sentido e impedirlo en sentido
contrario.
El cristal de silicio es el elemento ms utilizado en la
actualidad como material semiconductor para fabricar diodos,
transistores, circuitos integrados y los microprocesadores que
utilizan los ordenadores o computadoras personales, as como otros
dispositivos digitales. A la derecha se pueden ver las patillas de
conexin situadas en la parte inferior de un microprocesador Pentium
4.
Microprocesador Pentium 4

Por ltimo estn los materiales aislantes, que no conducen la corriente elctrica, cuyos tomos ni ceden
ni captan electrones. Entre esos materiales se encuentran el plstico, la mica, el vidrio, la goma, la
cermica, etc. Todos esos materiales y otros similares con iguales propiedades, oponen total resistencia
al
paso
de
la
corriente
elctrica.

Si establecemos de nuevo una analoga con un lquido que circule a

travs del circuito hidrulico de una tubera, como se hizo al principio
de este tema con los conductores, el aislador sera el equivalente al
mismo tubo del circuito hidrulico, pero en este caso conteniendo
lquido congelado, lo cual obstruira por completo el movimiento de
los tomos del lquido a travs de la tubera. Esto sera algo similar
a lo que ocurre con las cargas elctricas cuando tropiezan con un
material aislante que le interrumpe el paso en un circuito elctrico.
Esa es, precisamente, la funcin de los aisladores que vemos
colgando de las torres de distribucin elctrica, para soportar los
cables y evitar que la corriente pase a la estructura metlica o de
cemento de la torre.
Aislador empleado para soportar los cables de aluminio que,
colgados de las torres de alta tensin, transmiten la
energa.elctrica hasta los lugares que la requieren.

TEMAS RELACIONADOS

Qu son los semiconductores

INTRODUCCIN. MATERIALES CONDUCTORES

Todos los cuerpos o elementos qumicos existentes en la naturaleza poseen caractersticas diferentes,
agrupadas todas en la denominada Tabla de Elementos Qumicos. Desde el punto de vista elctrico,
todos los cuerpos simples o compuestos formados por esos elementos se pueden dividir en tres amplias
categoras:

Conductores
Aislantes
Semiconductores

Los materiales conductores ofrecen una baja resistencia al paso de la corriente elctrica.
Los semiconductores se encuentran a medio camino entre los conductores y los aislantes,
pues en unos casos permiten la circulacin de la corriente elctrica y en otros no. Finalmente
los cuerpos aislantes ofrecen una alta resistencia al paso de la corriente elctrica. En la foto
superior se muestran algunos de esos materiales: A) Conductor de alambre de
cobre. B)Diodos
y C) transistor
(dispositivos
semiconductores
en
ambos
casos). D) Aislantes de porcelana instalados en un transformador distribuidor de energa

elctrica de bajo voltaje yE) Aislantes de vidrio soportando cables a la intemperie montados
en un poste para distribucin de energa elctrica de media tensin. Los aislantes, al
contrario de los conductores, constituyen materiales o cuerpos que ofrecen una alta
resistencia al paso de la corriente elctrica.

MATERIALES

CONDUCTORES

En la categora conductores se encuentran agrupados todos los metales que en mayor o menor medida
conducen o permiten el paso de la corriente elctrica por sus cuerpos. Entre los mejores conductores
por orden de importancia para uso en la distribucin de la energa elctrica de alta, media y baja tensin,
as como para la fabricacin de componentes de todo tipo como dispositivos y equipos elctricos y
electrnicos, se encuentran el cobre (Cu), aluminio (Al), plata (Ag), mercurio (Hg) y oro (Au).

Los conductores de cobre son los materiales ms utilizados en los

circuitos elctricos por la baja resistencia que presentan al paso de
la corriente.

En general el ncleo de los tomos de cualquier elemento que forman todos los cuerpos slidos, lquidos
y gaseosos que conocemos se encuentran rodeados por una nube de electrones que giran su alrededor,
distribuidos en una o en varias rbitas, capas o niveles de energa. Al tomo de cada elemento
contemplado en la Tabla de Elementos Qumicos le corresponde un nmero atmico que sirve para
diferenciar las propiedades de cada uno de ellos. Ese nmero coincide tambin con la cantidad total de
electrones que giran alrededor del ncleo de cada tomo en particular. No obstante, independientemente
de la cantidad total de electrones que le corresponda a cada elemento, en la ltima capa u rbita slo
pueden girar de uno a ocho electrones como mximo.
Diferentes formas de representar de forma grfica
un.mismo.tomo, en este caso de cobre (Cu): A) Normal,
en.la que. aparecen todos los electrones girando alrededor
del
ncleo de ese elemento en sus respectivas rbitas.
B) Representacin plana en la que se pueden observar,
de.forma
parcial,
las
cuatro
rbitas
o
niveles
de
energa
que
le corresponden a ese tomo con la distribucin numrica
de todos los electrones que posee en cada una de ellas.
( 29 en total ). C) La misma representacin plana, pero.
ms simplificada, en la que se muestra solamente la ltima rbita o banda de valencia,
identificada con.el nmero 1, o sea, el nico electrn que posee en esa posicin. D) El mismo tomo
mostrado ahora.en representacin plana, con la ltima rbita y el nico electrn que gira en la misma.
Banda

de

valencia

Como ya conocemos, todos tomos que integran cualquier cuerpo material poseen rbitas o capas,
denominadas tambin niveles de energa, donde giran electrones alrededor de sus ncleos. La ltima

de esas capas se denomina banda de valencia y es donde giran los electrones que en unos casos el
tomo puede ser ceder, como ocurre con los metales y en otros casos puede atraer o captar de la banda
de valencia de otros tomos cercanos. La banda de valencia es el nivel de energa que determina que
un
cuerpo
se
comporte
como
conductor,
aislante
o
semiconductor.
En el caso de los metales en la ltima rbita o banda de valencia de sus tomos slo giran entre uno y
tres electrones como mximo, por lo que su tendencia es cederlos cuando los excitamos empleando
mtodos fsicos o qumicos. Las respectivas valencias de trabajo (o nmeros de valencia) de los metales
son
las
siguientes:
+1,
+2
y
+3.
Esos nmeros con signo positivo (+) delante, corresponden a la cantidad de electrones que pueden
ceder los tomos de los metales, de acuerdo con la cantidad que contiene cada uno en la ltima rbita.
En general la mayora de los elementos metlicos poseen conductividad elctrica, es decir, se comportan
como conductores de la electricidad en mayor o menor medida. Los que poseen un solo electrn (a los
que les corresponde el nmero de valencia +1, como el cobre), son los que conducen la corriente
elctrica con mayor facilidad.
En los conductores elctricos las bandas de energa,
formadas por la banda de conduccin y la banda de
valencia del elemento metlico, se superponen facilitando
que los electrones puedan saltar desde la ltima rbita de
un tomo a la de otro de los que integran tambin las
molculas del propio metal. Es por eso que cuando se
aplica corriente elctrica a un circuito formado por
conductores de cobre, por ejemplo, los electrones fluyen
con facilidad por todo el cuerpo metlico del alambre que
integra el cable.
Normalmente las bandas de energas se componen de: 1) una banda de valencia. 2) una banda de
conduccin y, 3) otra banda interpuesta entre las dos anteriores denominada banda prohibida. La
funcin de esta ltima es impedir o dificultar que los electrones salten desde la banda de valencia hasta
la banda de conduccin. En el caso de los metales la banda prohbida no existe, por lo que los electrones
en ese caso necesitan poca energa para saltar de una banda a la otra.
Debido a que en los metales conductores de corriente elctrica la banda de valencia o ltima rbita del
tomo pose entre uno y tres electrones solamente (de acuerdo con el tipo de metal de que se trate),
existe una gran cantidad de estados energticos vacos que permiten excitar los electrones, bien sea
por medio de una reaccin qumica, o una reaccin fsica como la aplicacin de calor o la aplicacin de
una diferencia de potencial (corriente elctrica) que ponga en movimiento el flujo electrnico.
En general los metales mejores conductores de electricidad como el cobre, la plata y el oro poseen una
alta densidad de electrones portadores de carga en la banda de valencia, as como una alta ocupacin
de niveles de energa en la banda de conduccin. Hay que destacar que aunque la plata y el oro son
mucho mejores conductores de la corriente elctrica que el cobre, la mayora de los cables se fabrican
con este ltimo metal o con aluminio en menor proporcin, por ser ambos metales buenos conductores
de la corriente elctrica, pero mucho ms baratos de producir y comercializar que la plata y el oro.
MATERIALES AISLANTES O DIELCTRICOS
A diferencia de los cuerpos metlicos buenos conductores de la corriente elctrica, existen otros como
el aire, la porcelana, el cristal, la mica, la ebonita, las resinas sintticas, los plsticos, etc., que ofrecen
una alta resistencia a su paso. Esos materiales se conocen como aislantes o dielctricos.

Los cuerpos aislantes ofrecen una alta resistencia al paso de la corriente elctrica. En la foto
izquierda. se pueden observar diferentes materiales aislantes de plstico utilizados comnmente en las
cajas de.conexin y en otros elementos propios de las instalaciones elctricas domsticas de baja
tensin, as.como el PVC (PolyVinyl Chloride Policloruro de Vinilo) empleado como revestimiento en
los cables.conductores. En la foto de la derecha aparece, sealado con una flecha roja, un aislante de
vidrio.utilizado en las torres externas de distribucin elctrica de alta tensin.

Al contrario de lo que ocurre con los tomos de los metales, que ceden sus electrones con facilidad y
conducen bien la corriente elctrica, los de los elementos aislantes poseen entre cinco y siete electrones
fuertemente ligados a su ltima rbita, lo que les impide cederlos. Esa caracterstica los convierte en
malos conductores de la electricidad, o no la conducen en absoluto.

En los materiales aislantes, la banda de

conduccin se encuentra prcticamente vaca de
portadores de cargas elctricas o electrones,
mientras que la banda de valencia est
completamente
llena
de
estos.

Como ya conocemos, en medio de esas dos

bandas se encuentra la banda prohibida, cuya
misin es impedir que los electrones de valencia,
situados en la ltima rbita del tomo, se exciten y
salten a la banda de conduccin.

La energa propia de los electrones de valencia equivale a unos 0,03 eV (electronvolt) aproximadamente,
cifra muy por debajo de los 6 a 10 eV de energa de salto de banda (Eg) que requeriran poseer los
electrones para atravesar el ancho de la banda prohibida en los materiales aislantes.

MATERIALES SEMICONDUCTORES
Los primeros semiconductores utilizados para fines tcnicos fueron pequeos detectores diodos
empleados a principios del siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que se conocan como de galena.
Ese nombre lo tom el radiorreceptor de la pequea piedra de galena o sulfuro de plomo (PbS) que
haca la funcin de diodo y que tenan instalado para sintonizar las emisoras de radio. La sintonizacin
se obtena moviendo una aguja que tena dispuesta sobre la superficie de la piedra. Aunque con la
galena era posible seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca calidad auditiva, en realidad
nadie conoca que misterio encerraba esa piedra para que pudiera captarlas.
En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubri que si a ciertos cristales se le
aada una pequea cantidad de impurezas su conductividad elctrica variaba cuando el material se
expona a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas fotoelctricas o
solares. Posteriormente, en 1947 William Shockley, investigador tambin de los Laboratorios Bell, Walter
Brattain y John Barden, desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al que
denominaron transistor y que se convertira en la base del desarrollo de la electrnica moderna.
Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo, constituyen
elementos que poseen caractersticas intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo
que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos
elementos permiten la circulacin de la corriente elctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario.
Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar seales de
corriente elctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrnica digital, etc.

Lugar que ocupan en la Tabla Peridica los trece elementos

con.caractersticas
de
semiconductores,
identificados
con
su
correspondiente.nmero atmico y grupo al que
pertenecen.
Los
que
aparecen
con
fondo.
gris corresponden a metales, los de fondo verde a metaloides y los
de.fondo azul a no metales.
Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla Peridica constituyen la materia
prima principal, en especial el silicio (Si), para fabricar diodos detectores y rectificadores de corriente,
transistores,
circuitos
integrados
y
microprocesadores.
Los tomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en su
ltima rbita, de acuerdo con el elemento especfico al que pertenecen. No obstante, los elementos ms
utilizados por la industria electrnica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente cuatro
electrones en su ltima rbita. En este caso, el equilibrio elctrico que proporciona la estructura molecular
cristalina caracterstica de esos tomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones.
Normalmente los tomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no
permiten que la corriente elctrica fluya a travs de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de
potencial o corriente elctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad elctrica alguna, se
comportan de forma similar a un material aislante.

TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES

Nmero
Atmico

Nombre del
Elemento

Grupo en la
Tabla Peridica

Categora

Electrones en la
ltima rbita

Nmeros de
valencia

48

Cd (Cadmio)

B (Boro)

13

Al (Aluminio)

31

Ga (Galio)

49

In (Indio)

14

Si (Silicio)

32

Ge (Germanio)

15

P (Fsforo)

33

As (Arsnico)

51

Sb (Antimonio)

16

S (Azufre)

34

Se (Selenio)

52

Te (Telurio)

Incremento

de

Metal

2 e-

+2

Metaloide

3 e-

+3

4 e-

+4

5 e-

+3, -3, +5

6 e-

+2, -2 +4, +6

elemento

semiconductor

IIa

IIIa

IVa

Metal

Metaloide
No metal

Va

VIa

Metaloide

No metal
Metaloide

la

conductividad

en

un

La mayor o menor conductividad elctrica que pueden presentar los materiales semiconductores
depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales, a medida que la
temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente tambin aumenta, disminuyendo la
conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores, pues mientras su
temperatura
aumenta,
la
conductividad
tambin
aumenta.
En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de los
siguientes mtodos:

Elevacin de su temperatura
Introduccin de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina
Incrementando la iluminacin.

Con relacin a este ltimo punto, algunos tipos de semiconductores, como las resistencias dependientes de la luz
(LDR Light-dependant resistors), varan su conductividad de acuerdo con la cantidad de luz que reciben.

Resistencia dependiente de la luz (LDR), conocida tambin como fotorresistor o

clula fotoelctrica. Posee la caracterstica de disminuir el valor de su resistencia
interna cuando la intensidad de luz que incide sobre la superficie de la celda
aumenta. Como material o elemento semiconductor utiliza el sulfuro de cadmio
(CdS) y su principal aplicacin es en el encendido y apagado automtico del
alumbrado pblico en las calles de las ciudades, cuando disminuye la luz solar.

En dependencia de cmo varen los factores de los puntos ms arriba expuestos, los materiales semiconductores se
comportarn
como
conductores
o
como
aislantes.

La conductividad elctrica de los cuerpos materiales ( ) constituye la capacidad

que.tienen de conducir la corriente elctrica. La frmula matemtica para hallar
la.conductividad es la siguiente:

Como se puede apreciar en esta frmula, la conductividad ( ) se obtiene hallando

primeramente el resultado de la recproca de la resistencia (o sea, 1/R)
multiplicndolo a continuacin por el resultado que se obtiene de dividir la longitud
del material (L) entre su rea (A). En esa frmula se puede observar tambin que la
resistencia (R) es inversamente proporcional a ( ), por lo que, a menor resistencia
en ohm de un cuerpo, la conductividad resultante ser mayor.
SEMICONDUCTORES "INTRNSECOS"
Los materiales semiconductores, segn su pureza, se clasifican de la siguiente forma:

1. Intrnsecos
2. Extrnsecos
Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no
contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de
huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la
cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conduccin.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrnseco, algunos
de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan
de la atraccin que ejerce el ncleo del tomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda
de conduccin y all funcionan como electrones de conduccin, pudindose desplazar libremente de
un tomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se
estimule con el paso de una corriente elctrica.

Como se puede observar en la ilustracin, en el caso de los

semiconductores el espacio correspondiente a la banda
prohibida es mucho ms estrecho en comparacin con los
materiales aislantes. La energa de salto de banda (Eg)
requerida por los electrones para saltar de la banda de
valencia a la de conduccin es de 1 eV aproximadamente.
En los semiconductores de silicio (Si), la energa de salto de
banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras
que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrnseco, compuesta

solamente por tomos de silicio (Si) que forman una celosa. Como
se puede observar en la ilustracin, los tomos de silicio (que slo
poseen cuatro electrones en la ltima rbita o banda de valencia),
se unen formando enlaces covalente para completar ocho
electrones y crear as un cuerpo slido semiconductor. En esas
condiciones el cristal de silicio se comportar igual que si fuera un
cuerpo aislante.

SEMICONDUCTORES "EXTRNSECOS"
Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteracin,
esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola
direccin. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los tomos
de silicio o de germanio con pequeas cantidades de tomos de otros elementos o "impurezas".
Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos semiconductores que,
en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o que
poseen cinco electrones tambin en su ltima rbita [como el antimonio (Sb) o el arsnico (As)]. Una vez
dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores extrnsecos y sern capaces de
conducir
la
corriente
elctrica.
En la actualidad el elemento ms utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria
electrnica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. La materia
prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena, uno de los materiales ms
abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una
oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un espejo.

A la izquierda se muestra la ilustracin de una oblea (wafer) o cristal semiconductor

de.silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la fabricacin de transistores y
circuitos.integrados. A la derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo
cientos de.minsculos dados o chips, que se pueden obtener de cada una. Esos chips
son los.que despus de pasar por un proceso tecnolgico apropiado se convertirn
en.transistores o circuitos integrados. Una vez que los chips se han convertido

en.transistores o circuitos integrados sern desprendidos de la oblea y colocados

dentro.de una cpsula protectora con sus correspondientes conectores externos.

El segundo elemento tambin utilizado como semiconductor, pero en menor proporcin que el silicio, es
el cristal de germanio (Ge).

Durante mucho tiempo se emple tambin el selenio (S) para fabricar diodos
semiconductores en forma de placas rectangulares, que combinadas y
montadas en una especie de eje se empleaban para rectificar la corriente
alterna y convertirla en directa. Hoy en da, adems del silicio y el germanio,
se emplean tambin combinaciones de otros elementos semiconductores
presentes en la Tabla Peridica.
Placa individual de 2 x 2 cm de rea, correspondiente
a un antiguo diodo de selenio.

Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsnico (As) utilizada para
obtener arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la fabricacin de diodos lser empleados como
dispositivos de lectura en CDs de audio.

Lente (sealada con la flecha) detrs de la cual se encuentra instalado un

diodo lser de arseniuro de galio (GaAs) empleado para leer datos de texto,
presentaciones multimedia o msica grabada en un CD. En esta ilustracin
el. CD se ha sustituido por un disco similar transparente de plstico comn.

En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es decir, como
elementos intrnsecos, los electrones de su ltima rbita tienden a unirse formando "enlaces covalentes",
para adoptar una estructura cristalina. Los tomos de cualquier elemento, independientemente de la
cantidad de electrones que contengan en su ltima rbita, tratan siempre de completarla con un mximo
de ocho, ya sea donndolos o aceptndolos, segn el nmero de valencia que le corresponda a cada
tomo
en
especfico.
Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen slo cuatro electrones en su ltima rbita,
sus tomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes, compartiendo entre s los cuatro
electrones que cada uno posee, segn la tendencia de completar ocho en su rbita externa. Al agruparse
de esa forma para crear un cuerpo slido, los tomos del elemento semiconductor adquieren una
estructura cristalina, semejante a una celosa. En su estado puro, como ya se mencion anteriormente,
esa estructura no conduce la electricidad, por lo que esos cuerpos semiconductores se comportan como
aislantes.
CONVERSIN DEL SILICIO EN SEMICONDUCTOR "TIPO-N" O EN "TIPO-P"

Tanto los cristales de silicio (Si) como los de germanio (Ge) en estado puro se pueden convertir en
dispositivos semiconductores, capaces de conducir la corriente elctrica si para ello alteramos su
estructura
molecular
cristalina
introduciendo
ciertas
cantidades
de
"impurezas".
Para realizar ese cambio ser necesario introducir tomos de otros elementos semiconductores
apropiados que posean tres electrones en su banda de valencia o ltima rbita (tomos trivalentes) o
tambin cinco electrones en esa propia rbita (tomos pentavalentes). A tales efectos se consideran
impurezas los siguientes elementos con tomos trivalentes: aluminio (Al), galio (Ga) e indio (In). Tambin
se consideran impurezas los tomos pentavalentes de arsnico (As), fsforo (P) o de antimonio (Sb).
Cuando aadimos a la estructura cristalina del silicio o del germanio una pequea cantidad de tomos
de un elemento pentavalente en funcin de impurezas, estos tomos adicionales reciben el nombre de
"donantes", porque cada uno dona o cede uno de sus cinco electrones a la estructura cristalina del
semiconductor. Si, por el contrario, los tomos que se aaden como impurezas son trivalentes, se
denominan entonces "aceptantes, porque cada uno tendr que captar o aceptar un electrn procedente
de
la
propia
estructura
cristalina
del
silicio
o
del
germanio.
La conductividad que presente finalmente un semiconductor dopado depender de la cantidad de
impurezas que contenga en su estructura cristalina. Generalmente para una proporcin de un tomo de
impureza que se aade por cada 100 millones de tomos del elemento semiconductor, la conductividad
aumenta en 16 veces.
SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-N"
Como ya conocemos, ni los tomos de silicio, ni los de germanio en su forma cristalina ceden ni aceptan
electrones en su ltima rbita; por tanto, no permiten la circulacin de la corriente elctrica, por tanto, se
comportan
como
materiales
aislantes.
Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la dopamos aadindole una
pequea cantidad de impurezas provenientes de tomos de un metaloide como, por ejemplo, antimonio
(Sb) (elemento perteneciente los elementos semiconductores del Grupo Va de la Tabla Peridica, con
cinco electrones en su ltima rbita o banda de valencia), estos tomos se integrarn a la estructura del
silicio y compartirn cuatro de sus cinco electrones con otros cuatro pertenecientes a los tomos de
silicio o de germanio, mientras que el quinto electrn restante del antimonio, al quedar liberado, se podr
mover libremente dentro de toda la estructura cristalina. De esa forma se crea un semiconductor
extrnseco tipo-N, o negativo, debido al exceso de electrones libres existentes dentro de la estructura
cristalina del material semiconductor.

Estructura cristalina compuesta por tomos de silicio (Si)

formando una celosa. Como se puede observar, esta
estructura se ha dopado aadiendo tomos de antimonio
(Sb) para crear un material semiconductor extrnseco. Los
tomos de silicio (con cuatro electrones en la ltima rbita
o banda de valencia) se unen formando enlaces covalentes
con los tomos de antimonio (con cinco en su ltima rbita
banda de valencia). En esa unin quedar un electrn libre
dentro de la estructura cristalina del silicio por cada tomo
de antimonio que se haya aadido. De esa forma el
cristal.de silicio se convierte en material semiconductor tipoN (negativo) debido al exceso electrones libres con cargas
negativas presentes en esa estructura.

Si a un semiconductor tipo-N le aplicamos una diferencia de potencial o corriente elctrica en sus

extremos, los electrones libres portadores de cargas negativas contenidos en la sustancia impura
aumentan. Bajo esas condiciones es posible establecer un flujo de corriente electrnica a travs de la
estructura cristalina del semiconductor si le aplicamos una diferencia de potencia o corriente elctrica.
No obstante, la posibilidad de que al aplicrseles una corriente elctrica los electrones se puedan mover
libremente a travs de la estructura atmica de un elemento semiconductor es mucho ms limitada que
cuando la corriente fluye por un cuerpo metlico buen conductor.
SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-P"
Si en lugar de introducir tomos pentavalentes al cristal de silicio o de germanio lo dopamos
aadindoles tomos o impurezas trivalentes como de galio (Ga) (elemento perteneciente al Grupo IIIa
de la Tabla Peridica con tres electrones en su ltima rbita o banda de valencia), al unirse esa impureza
en enlace covalente con los tomos de silicio quedar un hueco o agujero, debido a que faltar un
electrn en cada uno de sus tomos para completar los ocho en su ltima rbita. En este caso, el tomo
de galio tendr que captar los electrones faltantes, que normalmente los aportarn los tomos de silicio,
como una forma de compensar las cargas elctricas. De esa forma el material adquiere propiedades
conductoras y se convierte en un semiconductor extrnseco dopado tipo-P (positivo), o aceptante, debido
al exceso de cargas positivas que provoca la falta de electrones en los huecos o agujeros que quedan
en su estructura cristalina.

Estructura cristalina compuesta por tomos de silicio

(Si).que forman, como en el caso anterior, una celosa,
dopada.ahora con tomos de galio (Ga) para formar
un.semiconductor extrnseco. Como se puede observar
en.la. ilustracin, los tomos de silicio (con cuatro
electrones en. la. ltima rbita o banda de valencia) se unen
formando.enlaces covalente con los tomos de galio (con
tres.electrones en su banda de valencia). En esas
condiciones.quedar un hueco con defecto de electrones
en la.estructura. cristalina de silicio, convirtindolo en
un.semiconductor tipo-P (positivo) provocado por el defecto
de.electrones en la estructura.
MECANISMO DE CONDUCCIN DE UN SEMICONDUCTOR
Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial o corriente elctrica, se
producen dos flujos contrapuestos: uno producido por el movimiento de electrones libres que saltan a la
banda de conduccin y otro por el movimiento de los huecos que quedan en la banda de valencia
cuando
los
electrones
saltan
a
la
banda
de
conduccin.

Cuando aplicamos una diferencia de potencial a

un.elemento
semiconductor,
se
establece
una.corriente de electrones en un sentido y
otra.corriente de huecos en sentido opuesto.

Si analizamos el movimiento que se produce dentro de la estructura cristalina del elemento

semiconductor, notaremos que mientras los electrones se mueven en una direccin, los huecos o
agujeros se mueven en sentido inverso. Por tanto, el mecanismo de conduccin de un elemento
semiconductor consiste en mover cargas negativas (electrones) en un sentido y cargas positivas (huecos
o
agujeros)
en
sentido
opuesto.
Ese mecanismo de movimiento se denomina "conduccin propia del semiconductor", que para las cargas
negativas (o de electrones) ser "conduccin N", mientras que para las cargas positivas (de huecos o
agujeros), ser "conduccin P".

Qu es la corriente elctrica

Qu es la conductancia y la conductividad
As funciona el circuito elctrico
Qu es la Ley de Ohm
Minibiografa de George Simon Ohm