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Memorias Flash :

Las memorias flash son memorias de lectura/escritura de alta densidad (alta


densidad equivale a gran capacidad de almacenamiento de bits) no
voltiles, lo que significa que pueden almacenarse los datos
indefinidamente en ausencia de alimentacin. Estas memorias se utilizan
frecuentemente en lugar de las unidades de disquete o de las unidades de
disco duro de baja capacidad en las computadoras porttiles.
La caracterstica de alta densidad significa que puede incluirse un gran
nmero de celdas en un rea de superficie dada del chip; es decir, cuanta
ms alta sea la densidad, ms bits podrn almacenarse en un chip de un
tamao determinado. Esta alta densidad se consigue en las memorias flash
con una clula de almacenamiento compuesta por un nico transistor MOS
de puerta flotante. El bit de datos se almacena como una carga o una
ausencia de carga en la puerta flotante, dependiendo de si se desea
almacenar un 0 o un 1.

Funcionamiento bsico de la memoria flash


Hay tres operaciones principales en una memoria flash: la operacin de
programacin, la operacin de lectura y la operacin de borrado.
Programacin. Inicialmente, todas las clulas se encuentran en el estado 1,
porque la carga fue eliminada de las clulas en una operacin previa de
borrado. La operacin de programacin aade electrones (carga) a la puerta
flotante de aquellas clulas que deban almacenar un 0. No se aade carga a
aquellas clulas que deban almacenar un 1. La aplicacin a la puerta de
control de una tensin suficientemente positiva con respecto a la fuente,
durante la programacin, atrae electrones a la puerta flotante, como indica
la Figura 10.34. Una vez programada, una clula puede conservar la carga
durante 100 aos sin necesidad de aplicar una alimentacin externa.

Lectura. Durante una operacin de lectura, se aplica una tensin positiva a


la puerta de control. La cantidad de carga presente en la puerta flotante de
una clula determina si la tensin aplicada a la puerta de control activar, o
no, el transistor. Si hay almacenado un 1, la tensin de la puerta de control
es suficiente para activar el transistor. Si hay almacenado un 0, el transistor
no se activar, porque la tensin de la puerta de control no es suficiente
para contrarrestar la carga negativa almacenada en la puerta flotante.

Borrado. Durante una operacin de borrado, se elimina la carga de todas las


clulas de memoria. Para ello, se aplica a la fuente del transistor una
tensin suficientemente positiva con respecto a la puerta de control. Esta
polaridad es precisamente la opuesta a la utilizada durante la programacin.

Esta tensin atrae a los electrones de la puerta flotante y hace que sta se
vace de carga. Las memorias flash siempre se borran antes de volver a ser
programadas.

TIPOS ESPECIALES DE MEMORIAS


Memorias FIFO (First In-First Out) Este tipo de memoria est formado por
una disposicin de registros de desplazamiento. El trmino FIFO hace
referencia al funcionamiento bsico de este tipo de memoria, en la que el
primer bit de datos que se escribe es el primero que se lee.
En la Figura 4.5 se ilustra una diferencia importante entre un registro de
desplazamiento convencional y un registro FIFO. En un registro
convencional, un bit de datos se desplaza a travs del registro slo cuando
se introducen nuevos datos; en un registro FIFO, un bit de datos atraviesa el
registro hasta situarse en la posicin de bit ms a la derecha que est vaca.
La Figura 10.49 es el diagrama de bloques de una memoria serie FIFO. Esta
memoria en particular tiene cuatro registros de datos serie de 64 bits y un
registro de control de 64 bits (registro de marca). Cuando los datos se
introducen mediante un impulso de desplazamiento de entrada,
automticamente, bajo el control del registro de marca, se mueven a la
posicin vaca ms prxima a la salida. Los datos no pueden avanzar a las
posiciones que estn ocupadas. Sin embargo, cuando un bit de datos se
desplaza mediante un impulso de desplazamiento de salida, los bits de
datos que estn en los registros automticamente se mueven a la posicin
siguiente hacia la salida. En una memoria FIFO asncrona, los datos se
desplazan hacia fuera independientemente de la entrada de datos,
utilizando dos relojes separados.

Memorias LIFO (Last In-First Out)


Las memorias LIFO se encuentran en aplicaciones que utilizan
microprocesadores y otros sistemas de computacin. Permiten almacenar

datos y luego extraerlos en orden inverso; es decir, el ltimo byte de datos


almacenado es el primer byte de datos que se recupera.
Pilas de registros.
Pila RAM.

Memorias CCD
MEMORIAS PTICAS Y MAGNTICAS
Almacenamiento magntico
Disco duro magntico. Las computadoras emplean el disco duro como
dispositivo interno de almacenamiento masivo. Los discos duros son
placas rgidas de aleacin de aluminio o de una mezcla de vidrio y
cermica recubiertos con una capa magntica. Hay disponibles unidades de
disco duro, con dos tamaos principales de dimetro, 5,25 y 3,5 pulgadas,
aunque tambin existen de 2,5 y 1,75 pulgadas. Las unidades de disco duro
se sellan hermticamente para mantener al disco libre de polvo.