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DISPOSITIVOS

OPTOELECTRNICOS
Autor: Nicolas Diestra Snchez

OPTOELECTRONICA

El inters en los dispositivos sensibles a la luz ha ido en aumento a


un ritmo exponencial inusitado en aos recientes. El nuevo campo
de la optoelectrnica ha despertado un gran inters y ha sido
objeto de mucha investigacin y se estn haciendo esfuerzos para
mejorar sus niveles de eficiencia. Las fuentes luminosas constituyen
una fuente nica de energa. sta, transmitida como paquetes
individuales llamados fotones, tiene un nivel directamente
relacionado con la frecuencia de la onda luminosa viajera
determinado por la siguiente ecuacin:

joules

donde
:constante de Planck _ 6.624 X10-34 joules por segundo.
Claramente establece que, la energa asociada con una onda de
luz incidente est en relacin directa con la frecuencia de sta.

OPTOELECTRONICA

La frecuencia, a su vez, est relacionada directamente con la


longitud de onda (distancia entre picos sucesivos) de la onda
por la siguiente ecuacin:

= donde longitud de onda, en metros

= velocidad de la luz, 3X108 m/s

f = frecuencia de la onda viajera, hertz

La longitud de onda normalmente se mide en angstroms o


micrmetros (mm), donde
1 = 10-10 m
1 m = 10-6 m

OPTOELECTRONICA

La longitud de onda es importante porque determina el material que se


tiene que utilizar en el dispositivo optoelectrnico. Las respuestas
espectrales relativas del germanio, silicio y selenio se dan en la figura. Se
incluye el espectro de luz visible junto con una indicacin de la longitud de
onda asociada con los diversos colores.
El nmero de electrones libres generados en cada material es
proporcional a la intensidad de la luz incidente. La intensidad luminosa
mide la cantidad de flujo luminoso que incide en un rea de superficie
particular. Por lo comn, el flujo luminoso se mide en lmenes (lm) o watts.
Las dos unidades estn relacionadas por
1 lm = 1.496 * 10-10 W

La intensidad luminosa se suele medir en lm/pie2, candelas-pie (fc) o


W/m2, donde
1 lm/pie2 = 1 fc = 1.609 * 10-9 W/m2

Respuestas espectrales relativas para


silicio, germanio y selenio,
comparadas con las del ojo humano

Fotodiodo

Dispositivo de unin
p-n semiconductor
cuya regin de
operacin se limita
a la regin de
polarizacin en
inversa.

Fotodiodo: configuracin de
polarizacin y construccin bsicas

Fotodiodo

La corriente de saturacin en
inversa est limitada a algunos
microamperes. Esto se debe
slo a los portadores
minoritarios trmicamente
generados en los materiales
tipo n y p. La aplicacin de luz a
la unin hace que se transfiera
energa de las ondas luminosas
viajeras incidentes (en forma de
fotones) a la estructura
atmica, y el resultado es una
cantidad incrementada de
portadores minoritarios y un
nivel incrementado de corriente
en inversa.

Caractersticas de fotodiodo

Fotodiodo

La corriente La corriente
oscura es la que se dar
sin iluminacin aplicada.
Observe que la
corriente slo regresar
a cero con una
polarizacin aplicada
positiva igual a VT.
Adems, se uso de una
lente para concentrar la
luz en la regin de la
unin.

Fotodiodo

La grfica de los dos para


demostrar esta relacin lineal
para un voltaje fijo Vl de 20
V. Con una base relativa,
podemos suponer que la
corriente en inversa es en
esencia cero sin luz incidente.
Como los tiempos de
levantamiento y cada
(parmetros de cambio de
estado) son muy pequeos
para este dispositivo (en el
intervalo de nanosegundos),
puede utilizarse el dispositivo
en aplicaciones de conteo o
conmutacin de alta
velocidad.

Vg. 1:

Muchas gracias.