UNIVERSIDAD NACIONAL DE

INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA MECNICA

USO DEL GENERADOR DE ONDAS Y DEL OSCILOSCOPIO:

VALORES CARACTERSTICOS DE ONDAS PERIDICAS

CURSO: LABORATORIO DE CIRCUITOS ELCTRICOS.

DOCENTE: CHAVEZ VIVAR, JAVIER.

SECCIN: C

ALUMNOS: LOARTE CANALES, KATHERINE

20122127J

GALDS LINDAO HEINZ BILL

20132624F

MONDRAGN SILVA, SERGIO

20132597I

CONDORI PAREDES

Rmac, 24 septiembre de 2015

INDICE

PG.

Objetivos

Fundamento terico

Elementos a utilizar

10

Cuestionario

11

Observaciones

25

Conclusiones

26

Bibliografa

27

Anexo

28
Hoja de datos

OBJETIVOS
- Aprender a utilizar el osciloscopio digital.
P g i n a 3 | 27

- Comparar los valores medios y eficaces visualizados por el multmetro

y osciloscopio con los calculados tericamente.

FUNDAMENTO TERICO
DIODO SEMICONDUCTOR
P g i n a 4 | 27

Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el

silicio con impurezas en l para crear una regin que contenga portadores de
carga negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una regin en
el otro lado que contenga portadores de carga positiva (huecos), llamada
semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El lmite
dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la
importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de
electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es
decir, cuando una corriente convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al
flujo de los electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al
p (Je). Al establecerse una corriente de difusin, aparecen cargas fijas en una
zona a ambos lados de la unin, zona que recibe el nombre de regin de
agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de
tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V D) es de 0,7 V en el
caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.
La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele
ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms
dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el
diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.

P g i n a 5 | 27

Fig.1

POLARIZACIN DIRECTA DE UN DIODO

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga

espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin;
es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo
positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas
condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n,

con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal

p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es

mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los
electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a
los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la
unin p-n.

P g i n a 6 | 27

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando

la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p
convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es
atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo
conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo

electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente
elctrica constante hasta el final.

Fig. 2

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo

positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la
tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera,
tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n,

los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual
se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres
abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al
verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren
estabilidad
(8
electrones
en
la
capa
de
valencia,
ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se
convierten en iones positivos.

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos

trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3
electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces
covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de
valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que
cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p,
P g i n a 7 | 27

caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren
estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica
neta de -1, convirtindose as en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga
espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo,

debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco
(ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea
corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin.
Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual,
como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie
del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de
suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para
obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto
de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que
los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que
la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es
despreciable.

Fig 3.

Curva caracterstica del diodo

Tensin umbral, de codo o de partida (V).

P g i n a 8 | 27

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin

directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del
diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de
potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente,
alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa
supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que
para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de
la intensidad de corriente.

Corriente mxima (Imax).

Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin
fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor
que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.

Corriente inversa de saturacin (Is).

Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo
por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura,
admitindose que se duplica por cada incremento de 10 C en la
temperatura.

Corriente superficial de fugas.

Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver
polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al
diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de
fugas.

Tensin de ruptura (Vr).

Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el
efecto avalancha.

P g i n a 9 | 27

Fig. 4
INSTRUMENTOS A UTILIZAR

Generador de ondas

Multmetro

P g i n a 10 | 27

Osciloscopio digital

Panel de trabajo

Cables de conexin

CUESTIONARIO
1. OSCILOCOPIO Y GENERADOR DE ONDAS
1.1. FUNCIONAMIENTO DEL OSCILOSCOPIO
1.1.1 Osciloscopio Analgico
El funcionamiento del osciloscopio analgico se puede explicar de la siguiente
manare, la tensin que se desea medir se aplica a las placas de desviacin
vertical oscilante de un tubo de rayos catdicos mientras que a las placas de
desviacin horizontal se aplica una tensin en diente de sierra. Esta tensin es
producida mediante un circuito oscilador apropiado y su frecuencia puede
ajustarse dentro de un amplio rango de valores, lo que permite adaptarse a la
frecuencia de la seal a medir.
En la Figura 6 se puede ver una representacin esquemtica de un
osciloscopio con indicacin de las etapas mnimas fundamentales. El
funcionamiento es el siguiente:

P g i n a 11 | 27

Fig.5
En el tubo de rayos catdicos el rayo de electrones generado por el ctodo y
acelerado por el nodo llega a la pantalla, recubierta interiormente de una capa
fluorescente que se ilumina por el impacto de los electrones.
Si se aplica una diferencia de potencial a cualquiera de las dos parejas de
placas de desviacin, tiene lugar una desviacin del haz de electrones debido
al campo elctrico creado por la tensin aplicada. De este modo, la tensin en
diente de sierra, que se aplica a las placas de desviacin horizontal, hace que
el haz se mueva de izquierda a derecha y durante este tiempo, en ausencia de
seal en las placas de desviacin vertical, dibuje una lnea recta horizontal en
la pantalla y luego vuelva al punto de partida para iniciar un nuevo barrido.
Al estar los ejes de coordenadas divididos mediante marcas, es posible
establecer una relacin entre estas divisiones y el perodo del diente de sierra
en lo que se refiere al eje X y al voltaje en lo referido al Y. Con ello a cada
divisin horizontal corresponder un tiempo concreto, del mismo modo que a
cada divisin vertical corresponder una tensin concreta. De esta forma en
caso de seales peridicas se puede determinar tanto su perodo como su
amplitud.
1.1.2 Osciloscopio digital
En el osciloscopio digital la seal es previamente digitalizada por un conversor analgico
digital. Al depender la fiabilidad de la visualizacin de la calidad de este componente, esta
debe ser cuidada al mximo.
La principal caracterstica de un osciloscopio digital es la frecuencia de muestreo, la misma
determinara el ancho de banda mximo que puede medir el instrumento, viene expresada
generalmente en MS/s (millones de muestra por segundo).

P g i n a 12 | 27

La mayora de los osciloscopios digitales en la actualidad estn basados en control por

FPGA (del ingls Field Programmable Gate Array), el cual es el elemento controlador del
conversor analgico al digital de alta velocidad del aparato y dems circuitera interna,
como memoria, buffers, entre otros.

1.2. USOS DEL OSCILOSCOPIO DIGITAL

Estos osciloscopios aaden prestaciones y facilidades al usuario imposibles de obtener
con circuitera analgica, como los siguientes:
1. Medida automtica de valores de pico, mximos y mnimos de seal. Verdadero
valor eficaz.
2. Medida de flancos de la seal y otros intervalos.
3. Captura de transitorios.
4. Clculos avanzados, como la FFT para calcular el espectro de la seal. tambin
sirve para medir seales de tensin.
1.3. FUNCIONAMIENTO DEL GENERADOR DE FUNCIONES

La capacidad de un generador de funciones de fijar la fase de una fuente

externa de seal es una caracterstica importante y til. Un generador de
funciones puede fijar la fase de un generador de funciones con una armnica
de una onda senoidal del otro generador. Mediante el ajuste de fase y amplitud
de las armnicas permite general casi cualquier onda obteniendo la suma de la
frecuencia fundamental generada por un generador de funciones de los
instrumentos y la armnica generada por el otro. El generador de funciones
tambin se puede fijar en fase a una frecuencia estndar, con lo que todas las
ondas de salida generadas tendrn la exactitud y estabilidad en frecuencia de
la fuente estndar. El generador de funciones tambin puede proporcionar
ondas a muy bajas frecuencias. Ya que la frecuencia baja de un oscilador RC
es limitada, la figura ilustrada otra tcnica. Este generador entrega ondas
senoidales triangulares y cuadradas con un rango de frecuencias de 0.01 Hz
hasta 100 kHz. La red de control de frecuencia est dirigida por el selector fino
de frecuencia en el panel frontal del instrumento o por un voltaje de control
aplicado externamente. El voltaje de control de frecuencia regula dos fuentes
de corriente. La fuente de corriente superior aplica una corriente constante al

P g i n a 13 | 27

integrador, cuyo voltaje de salida se incrementa en forma lineal con el tiempo.

La conocida relacin da el voltaje de salida.
e sal =

1
idt
C

Un incremento o decremento de la corriente aplicada por la fuente de corriente

superior aumenta o disminuye la pendiente del voltaje de salida. El
multivibrador comparador de voltaje cambia de estado a un nivel
predeterminado sobre la pendiente positiva del voltaje de salida del integrador.
Este cambio de estado desactiva la fuente de corriente superior y activa la
fuente inferior. Dicha fuente aplica una corriente distinta inversa al integrador,
de modo que la salida disminuya linealmente con el tiempo. Cuando el voltaje
de salida alcanza un nivel predeterminado en la pendiente negativa de la onda
de la salida, el comparador de voltaje cambia de nuevo, desactiva la fuente de
corriente inferior y activa al mismo tiempo la fuente superior. El voltaje a la
salida del integrador tiene una forma de onda triangular cuya frecuencia est
determinada por la magnitud de la corriente aplicada por las fuentes de
corriente constante. El comparador entrega un voltaje de salida de onda
cuadrada de la misma frecuencia. La tercera onda de salida se deriva de la
onda triangular, la cual es sintetizada en oda senoidal por una red de diodos y
resistencias. En ese circuito la pendiente de la onda triangular se altera a
medida que su amplitud cambia resultado una onda senoidal con menos del
1% de distorsin. Los circuitos de salida del generador de funciones consisten
de dos amplificadores que proporcionen dos salidas simultneas seleccionadas
individualmente de cualquiera de las formas de onda. 1
1.4. USO DEL GENERADOR DE ONDAS
Se emplea normalmente en el diseo, prueba y reparacin de dispositivos
electrnicos; aunque tambin puede tener usos artsticos.

2. FUNCIONAMIENTO DEL DIODO Y DEL PUENTE DE DIODOS

2.1. FUNCIONAMIENTO DEL DIODO.
1 Para mayor informacin de la estructura de un generador de funciones
visitar
http://www.ptolomeo.unam.mx:8080/xmlui/bitstream/handle/132.248.52.10
0/619/A6.pdf?sequence=6

P g i n a 14 | 27

Tal y como se explica en el fundamento terico, un diodo esta hecho de un

semiconductor. Los semiconductores tienen dos portadores de carga los cuales
son los electrones y los huecos. De acuerdo al movimiento de estos y se
producir corriente. La caracterstica de un diodo de slo permitir la corriente
en un sentido de polarizacin directa es muy aplicable al querer rectificar una
onda.
Como sabemos los diodos pueden estar formados generalmente de Silicio o
Germanio. Se explicar a continuacin el funcionamiento de un diodo comn
de silicio. En la figura 6, se puede observar un eje horizontal X y otro vertical
Y que se intersectan en el centro. En ese punto el valor del voltaje y de la
intensidad de la corriente es igual a 0 volt. El eje vertical y muestra hacia
arriba su parte positiva (+Y) correspondiente al valor que puede alcanzar la
intensidad de la corriente (Id) que atraviesa al diodo cuando se polariza
directamente, mientras que hacia abajo su parte negativa (-Y) muestra cul
ser su comportamiento cuando se polariza de forma inversa (I i). El eje
horizontal x muestra hacia la derecha, en su parte positiva (+x), el incremento
del valor de la tensin o voltaje que se aplicada al diodo en polarizacin directa
(Vd). Hacia la izquierda del propio eje se encuentra la parte negativa ( X),
correspondiente al incremento tambin del valor de la tensin o voltaje, pero en
polarizacin inversa (Vi).

Fig.6

2.2 FUNCIONAMIENTO DEL PUENTE DE DIODOS

P g i n a 15 | 27

El puente de diodos o rectificador es un circuito electrnico usado en la

conversin
de corriente
alterna en corriente
continua.
Consiste
en
cuatro diodos comunes, que convierten una seal con partes positivas y
negativas en una seal nicamente positiva. Un simple diodo permitira
quedarse con la parte positiva, pero el puente permite aprovechar tambin la
parte negativa. El puente, junto con un condensador y un diodo Zener, permite
convertir la corriente alterna en continua. El papel de los cuatro diodos
comunes es hacer que la electricidad vaya en un solo sentido, mientras que el
resto de componentes tienen como funcin estabilizar la seal. Usualmente se
suele aadir una etapa amplificadora con un transistor BJT para solventar las
limitaciones que estos componentes tienen en la prctica en cuanto a
intensidad.

Fig.7
En la fig.8 se puede observar que al entrar una onda de corriente alterna, sin
importar la polaridad este puente de diodos puede convertirlo en ondas con
valor nicamente positivo.

P g i n a 16 | 27

Fig. 8
3. MTODOS PARA HALLAR EL DESFASAJE DEL CIRCUITO R-C
Se procedi a implementar el circuito de la Fig.9

Fig.9

Fig.10
El mtodo ms sencillo y usual es el mtodo de Superposicin de ondas
sinusoidales. De la Fig.9, se puede calcular por medio de proporciones.

P g i n a 17 | 27

Fig. 11

=w t

=2 f t
Del osciloscopio se conoce
=w t .

1800
.103

Medida del desfase entre dos seales por el mtodo de Lissajous

x=Asen(w t)
y=Asen(w t+)
La trayectoria como podemos comprobar es una elipse.
La medida de la interseccin de la elipse con los ejes X e Y nos permite medir
el desfase , entre dos seales x e y.

Fig.12
1. Interseccin con el eje Y
Cuando x=0, entonces t=0,

y0=Asen
y0=Asen( +

)=-Asen

Si medimos en la parte positiva del eje Y, tendremos que sen = y0/A

En la pantalla del "osciloscopio" el eje X y el eje Y est dividido en 20 partes,
cada divisin es una unidad.
P g i n a 18 | 27

Ejemplo: en la figura, A=10, e y0=5, el desfase =30, mejor =

/6

2. Interseccin con el eje X

Cuando y=0, entonces t=- , o
x0=-Asen
x0=Asen(

-.

- )=Asen

Ejemplo: en la figura, A=10, e x0=5, el desfase =30, mejor =

/6

3. Interseccin con x=A el borde derecho de la pantalla del

"osciloscopio"
A=Asen ( t) por lo que t=
y1=Asen (

/2

/2+ )=A.cos

Ejemplo: en la figura A=10 y y1=8.75, el desfase 30, mejor =

/6

Podemos comprobar que se obtiene la misma trayectoria con el desfase 30 y

330 y tambin con 150 y 210. Pero podemos distinguir el desfase 30 de
150, por la orientacin de los ejes de la elipse.

MTODO EMPLEADO
Se realiza la ecuacin de cada curva, con respecto a un eje de coordenadas
dado. De donde se tendr que
y 1= Asen(wt )
y 2= Asen(wt + )
Hallando la interseccin de la ecuacin de la segunda onda con el eje Y
cuando t=0.
y 2= Asen(wt + )
A= Asen(0+ )
1=sen ( )

= /2
P g i n a 19 | 27

4. ELABORAR UN CUADRO DE LOS VALORES EFICACES Y

MEDIOS.
Del Circuito 1.

Tipo de
onda

Valores del
generador
v=5v
f=60 Hz
v=5v
f=200 Hz
Sinusoid v=5v
al
f=1000 Hz
v=5v
f=60 Hz
v=5v
f=200 Hz
Cuadrad v=5v
a
f=1000 Hz
Triangula v=5v
r
f=60 Hz

V max

Vmean
Exp

V mean
Teo

2.18

0.679

0.693936 2.152362
02
39

2.21

0.687

0.703485 2.343416
6
29

2.4

0.69

0.763966
26
9.681875

2.96

1.2

1.48

18.91891
89

2.92

1.125

1.46

22.94520
55

2.91
2.32

1.12
0.52

1.455
0.58

%Error

23.02405
5
10.34482
76

P g i n a 20 | 27

v=5v
f=200 Hz
v=5v
f=1000 Hz

2.36

0.525

0.59

11.01694
92

2.415

0.52

0.60375

13.87163
56

V max

Vmean
Exp

V mean
Teo

%Error

2.16

1.365

1.375139 0.737326
26
39

2.2

1.389

1.400604 0.828556
81
82

2.32

1.395

1.477001 5.551885
43
78

Del Circuito 2.

Tipo de
onda

Valores del
generador
v=5v
f=60 Hz
v=5v
f=200 Hz
Sinusoid v=5v
al
f=1000 Hz

IMGENES DE LAS ONDAS VISUALIZADAS

P g i n a 21 | 27

Fig.13

Fig.14

Fig.15

P g i n a 22 | 27

Fig.16

Fig.17

Fig.18

P g i n a 23 | 27

Fig.19

Fig.20

Fig.21

Fig. 22
P g i n a 24 | 27

Fig.23

P g i n a 25 | 27

OBSERVACIONES
1. Se observ que en el primer circuito armado hubo la mayor cantidad de
errores porcentuales. Estos errores se encontraron al formar la onda
cuadrada. Con un error mayor al 20%.
2. Se observ que al momento de armar el circuito se tena que tener en
cuenta el sentido (polarizacin) de los diodos y condensadores.
3. Se observ en el osciloscopio una lnea al armar el circuito dos usando
la onda cuadrada.

P g i n a 26 | 27

CONCLUSIONES
1. Se concluye que al momento de generarse la onda cuadrada haba
ciertos errores. Los posibles fallos en la generacin de esta onda
pudieron ser: la mala implementacin del circuito, los cables con poca
sujecin, etc.
2. Se concluye que los diodos poseen propiedades muy tiles en la
electrnica. Una de estas caractersticas es la forma en la que funciona
como un circuito cerrado. Cuando obtiene una debida polarizacin
(polarizacin inversa) es cuando permite el paso de la corriente elctrica.
3. Se concluye que al ser una onda cuadrada y al implementarla en el
circuito dos, el cual trata de que las medias ondas se junten, la
aproximacin de esta onda es una lnea si se ve con una pequea
escala. Se trat de aumentar la escala pero quizs el osciloscopio no
pudo detectarla bien.

P g i n a 27 | 27

BIBLIOGRAFA
1. Millman J.,Halkias Ch.C.,Dispositivos y circuitos Electrnicos.5ta edicin.
Mc. Graw Hill,1983.
2. Boylestad, R. y Nashelsky, L. (2009). Electrnica: teora de circuitos y
dispositivos electrnicos. 8 ed. Mxico: Prentice Hall.
3. Malvino, A. (2007). Principios de electrnica. (7 Ed.) McGraw Hill.
Capitulo 2 Semiconductores

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