Laboratorio N 5

Transistor Bipolar de Juntura

Introduccin
Desde su invencin a fines de los 40, el transistor como elemento activo de los sistemas
electrnicos siempre ha estado presente, primero como elemento discreto y luego como
parte de un circuito integrado (IC). Es un dispositivo ampliamente utilizado en control
electrnico, amplificacin y en prcticamente todas las aplicaciones de la electrnica. El
objetivo de este documento es revisar los aspectos bsicos, sin adentrarse ms que lo
suficiente en la fsica de los semiconductores, con el fin de establecer las relaciones de
corriente y voltaje en el dispositivo.

El transistor de juntura bipolar (BJT)

Caractersticas generales El BJT
Es de naturaleza bipolar, pues la corriente producida es debido al aporte de los portadores
negativos (e-, electrones) y positivos (h +, hoyos). Consiste en dos junturas p-n y posee
tres terminales los que son llamados Emisor (E), Base (B) y Colector (C). El BJT puede
ser tipo npn o pnp, su estructura y smbolo se muestra en la Fig. 1, la flecha indica la
direccin normal de la corriente y define la polaridad de la tensin base-emisor. No es un
dispositivo simtrico, pues intercambiando el emisor por el colector se obtienen resultados
distintos.

Funcionamiento
En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa y la unin basecolector en inversa.1 Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden
atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos
los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y
el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la
unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores
generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea,
permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos
electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al

emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base
son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los
cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor al
ancho de difusin de los electrones.

Alfa y beta del transistor

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones capaces
de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje
de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean inyectados desde el
emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente
emisor comn est representada por

o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de

corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y es

tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de corriente base comn,
. La ganancia de corriente base comn es aproximadamente la ganancia de corriente
desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor
cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente
determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN):

Tipos de Transistor
NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a
que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la
base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.

Transistor NPN

PNP

El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a
las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores
usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la
mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre
dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el
colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a
travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la
que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

El smbolo de un transistor PNP.

Regiones operativas del transistor

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa en cuanto a la polaridad:

Corriente del emisor = ( + 1) Ib; corriente del colector= Ib

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte
entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la
corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si
lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.

Regin inversa:

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el

transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los
BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el
parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo
activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de
voltaje, ver La ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un
circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

Corriente de colector corriente de emisor = corriente mxima, (Ic Ie =

Imx)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del
circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos,
ver la ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y
el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el transistor est
en saturacin, la relacin lineal de amplificacin Ic=Ib (y por ende, la relacin
Ie=(+1)Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se comporta como un
cable, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a cero

Materiales
Una Fuente de Tensin
2 transistores 2N2222
Resistencias
Multmetro digital o analgico

Procedimiento
El circuito con el que se trabaj es el siguiente:

Si consideramos B=188
Tenemos
En la Malla de base:
Ib(470K)+0.7V+Ie(100) = 15V
Ib = (15V-0.7V)/(470K+100(188+1))
Ib = 29.25uA
Ic = Ib(188)
Ic = (29.25uA)(188)
Ic = 5.4 mA
En la malla de colector
Rc.Ic + Vce + Re.Ie = 15V
Vce = 15V (910)(5.4mA)-(100)(5.4mA)
Vce = 9.55 V
Ve = (100)(5.4mA)
Ve = 0.54 V

Vc = 9.55V + 0.54V
Vc = 10.09V
Vb = 0.7V + 0.54V
Vb = 1.24V
Prctico

Terico

VC

10V

10.09V

VB

1.2V

1.24V

VE

0.55V

0.54V

VCE

9.6V

9.55V

IC

5.1mA

5.4mA

Circuito siguiente:

Terico
Practico

300
300.9

Resistenci
a
200k IE
197k

CONCLUSIONES

Vbe

Vce

Vrb

747 5.1mA
m
0.067 5.4mA4.29
750 m
0.050
4.3

IB

27A

29.25uA

188.88

188

Vrc
4.98
5

La corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente del emisor. La corriente de base

es mucho ms pequea, generalmente menor que el 5% de la corriente de emisor.
La razn de la corriente de colector a la corriente de base se llama ganancia de corriente, y se le
denota por CD o bien por hFE.
Cuando el transistor se usa como amplificador, el transistor opera en la regin activa. Cuando se
usa en circuitos digitales, el transistor usualmente opera en las regiones de saturacin y/o corte.