MEMORIAS

CLASIFICACIN:
MEMORIAS DE ACCESO SECUENCIAL
MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO

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MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO:
Memorias de Lectura/Escritura (RAM)
Memorias de slo lectura (ROM)
Memorias de sobre todo lectura (PLDs)

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Memorias de Lectura/Escritura:
DRAM (Dynamic Random Access Memory): Los datos
se almacenan como en la carga de un capacitor. Tiende
a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de
refresco peridico. Son ms simples y baratas que las
SRAM.
SRAM (Static Random Access Memory): Los datos se
almacenan formando biestables, por lo que no require
refresco. Igual que DRAM es voltil. Son ms rpidas
que las DRAM y ms caras.

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Memorias de slo lectura:
ROM (Read Only Memory): se usan principalmente en
microprogramacin de sistemas. Los fabricantes las
suelen emplear cuando producen componentes de
forma masiva.
PROM (Programmable Read Only Memory): El
proceso de escritura es elctrico. Se puede grabar
posteriormente a la fabricacin del chip, a diferencia de
las anteriores que se graba durante la fabricacin.
Permite una nica grabacin y es ms cara que la ROM.
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Memorias de sobre todo lectura:
EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory):
Se puede escribir varias veces de forma elctrica, sin
embargo, el borrado de los contenidos es completo y a
travs de la exposicin a rayos ultravioletas (suelen tener
una pequea ventanita en el chip).
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read
Only Memory): Se puede borrar selectivamente byte a
byte con corriente elctrica. Es ms cara que la EPROM.
Memoria FLASH: Est basada en las memorias EEPROM
pero permite el borrado bloque a bloque y es ms barata y
densa.
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Unidad bsica de Memoria:

Bit (Binary digit). Puede tomar slo 2 valores: 0 1.

Celdas de Memoria:
Flip-Flops (biestables) pueden almacenar 1 bit.

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Organizacin en palabras de l bits (Data Bus: d lneas)
# lneas de datos d = l
Seleccin de las 2n palabras (Address Bus: n lneas)
# palabras m = 2n (n lneas de direcciones)
Capacidad de la memoria: 2n x d celdas bsicas
# total celdas c = m l
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Jerarquas de Memoria:

A medida que baja, aumentan los tiempos de acceso.

A medida que baja, aumenta la capacidad de almacenamiento.

A medida que baja, disminuyen los costos.

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Jerarquas de Memoria:

Registros: nanosegundos (1 ns= 10-9 s)

Cachs: nanosegundos

Memoria principal: decenas de nanosegundos

Disco magntico: milisegundos (1 ms= 10-3 s)

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