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INSTITUTO TECNOLOGICO DE ORIZABA

FUNDAMENTOS DE INVESTIGACION
UNIDAD N 4
GESTION DE LA INFORMACION PARA LA
INVESTIGACION DOCUMENTAL
ACTIVIDAD N 1
EL TRANSISTOR COMO DESARROLLO DE
LA TECNOLOGA
GERARDO RASGADO ITURRIBARRIA

NDICE
TITULO

N DE PAG

INTRODUCCIN

PLANTEAMIENTO

JUSTIFICACIN

5
6

OBJETIVOS
1. TRANSISTORES

2. HISTORIA

3. DE QU ESTN HECHOS Y CMO FUNCIONAN?

4. TIPOS DE TRANSISTOR

4.1 TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL

4.2 TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR

4.2.1 FUNCIONAMIENTO

10

4.2.2 CONTROL DE TENSIN, CARGA Y CORRIENTE

11

4.2.3 TRANSISTOR BIPOLAR DE HETEROUNIN

11

4.2.4 REGIONES OPERATIVAS DEL TRANSISTOR

12

4.3 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

13

4.3.1 HISTORIA

14

4.3.2 TIPO DE TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO

14

4.3.3 CARACTERSTICAS

15

4.3.4 PRECAUCIONES

15

4.4 FOTOTRANSISTOR

15

4.4.1 APLICACIONES DE LOS FOTOTRANSISTORES.


2

16

GLOSARIO DE TRANSISTORES

17

CONCLUSIONES

23

BBIBLIOGRAFA

24

INTRODUCCIN
El transistor ha contribuido al desarrollo de la tecnologa. Despus de la aparicin de tan apreciado
dispositivo la tecnologa ha tomado nuevos enfoques. Gracias a este los diseos electrnicos son
ms compactos, econmicos y nos ofrecen ms opciones para diseos.
El transistor ha sido de gran desarrollo para la tecnologa por la razn de que se ha convertido en la
base de los microprocesadores y los microprocesadores a su vez son la base de todo dispositivo
electrnico moderno. Ejemplo: Celulares, computadores, televisores entre otros.
La implementacin del transistor en el campo de la tecnologa ha trado nuevos enfoques debido a
que es uno de los mayores logros de la ingeniera moderna por ser uno de los dispositivos ms voltil
creados con respecto a su velocidad de respuesta a la transicin o suicheo de corriente.
Los diseos electrnicos basados en el transistor son ms compactos y econmicos porque su
funcionamiento est sujeto a la unin de metales los cuales debido a sus propiedades elctricas han
convertido al transistor en el dispositivo de la nueva generacin basndose en la reduccin de
circuito, es decir, ms funcin en espaciaos ms pequeos los cuales se llamaron encapsulados o
chip.
El transistor sin duda es el dispositivo que ha marcado la nueva era de la tecnologa en todos los
dispositivos basados en la electrnica moderna asiendo as que el hombre piense ms haya a la hora
de disear una aplicacin basada en tecnologa.

PLANTEAMIENTO
Los transistores son fundamentales en los aparatos que utilizamos a diario, pero muy pocos se
detienen a intentar comprender su funcionamiento. Por esta razn es que se elabora esta
investigacin.
Este trabajo va dirigido principalmente a los alumnos que cursan la carrera de Ingeniera Electrnica,
ya que stos utilizan los transistores como base de la mayora de los proyectos que realizan, sin
siquiera entender realmente lo que sucede, a niveles atmicos, dentro de ste pequeo pero peculiar
dispositivo.

JUSTIFICACIN
El estudio de los dispositivos semiconductores de alta potencia tiene varias aportaciones originales
para solucionar la problemtica abordada y la necesidad de investigar sobre ellos tiene dos
importantes aspectos.

Analizar a fondo el funcionamiento del dispositivo para poder conocer las implicaciones al usar
dispositivos de alta potencia y su proceso de conmutacin para aprovechar al mximo sus

caractersticas en las diferentes aplicaciones de alta potencia.


Obtener informacin que nos permita entender hacia donde estn siendo orientadas las
mejoras que se han realizado en estos dispositivos.

OBJETIVO
Dar a conocer lo esencial del origen, la elaboracin, el funcionamiento y la aplicacin de los
transistores para realizar una correcta utilizacin de ste dispositivo.
OBJETIVOS ESPECFICOS:

Presentar orgenes del transistor


Dar a conocer:
o Tipos de transistores
Historia
Funcionamiento
Aplicaciones

1.- TRANSISTORES
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una seal de salida
en respuesta a una seal de entrada.
Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la
contraccin en ingls de transfer resistor (resistor de transferencia). Actualmente se encuentran
prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de
audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos
celulares, entre otros.1

2.- HISTORIA 2
1 CITA EXPLICATIVA: El transistor es de los inventos ms importantes para el desarrollo de
la tecnologa como la conocemos ahora. En la telefona acta como conmutador,
sustituyendo as el laborioso trabajo de los recepcionistas telefnicos, distribuyendo
automticamente las lneas telefnicas. En la radio y televisin su funcin de amplificador
es vital hoy en da para poder difundir las seales de las cadenas de radio y televisivas
nacionales.
2 http://www.electronica2000.com
7

El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de Estados Unidos en diciembre de 1947
por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados
con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos,
o triodo.
El transistor de efecto campo fue patentado antes que el transistor BJT (en 1930), pero no se
dispona de la tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente.
Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de
efecto de campo (FET). En los ltimos, la corriente entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje
(drain) se controla mediante el campo elctrico establecido en el canal.
Por ltimo, apareci el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-xido-Semiconductor). Los MOSFET
permitieron un diseo extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados
(CI).
Hoy la mayora de los circuitos se construyen con tecnologa CMOS. La tecnologa CMOS
(Complementary MOS MOS Complementario) es un diseo con dos diferentes MOSFET (MOSFET
de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un
funcionamiento sin carga.

3.- DE QU ESTN HECHOS Y CMO FUNCIONAN?


El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente
(contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones
bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est
intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base).3
A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se
obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento
activo, a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su
funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica.

3 PARAFRASIS: Loa transistores estn hechos normalmente de cilicio, dividido en tres secciones, y
para su mejor funcionamiento se contaminan con otra sustancia para lograr una conexin bipolar
entre dos de estas secciones, dejando a una tercera para regular el flujo de corriente.

De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es funcin amplificada de la que se
inyecta en el emisor, pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si
desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector,
segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de
colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y
que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base
Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas
donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector Emisor,
tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas (configuraciones) bsicos
para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET,
CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de base para modular la
corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta o reja de control
(graduador) y grada la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la
conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensin aplicada entre
Compuerta y Fuente, es el campo elctrico presente en el canal el responsable de impulsar los
electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al
Drenaje (D) ser funcin amplificada de la Tensin presente entre la Compuerta (Gate) y Fuente
(Source). Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con la salvedad que en eltriodo los equivalentes
a compuerta, drenador y fuente son reja (o Grilla Control), Placa y Ctodo.

4.- TIPOS DE TRANSISTOR


4.1 - TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL4
Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio,
semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que
se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de
base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer
resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas
4 COMENTARIO: En la actualidad el transistor de contacto puntual ah desaparecido del
mercado.
9

se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi
con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda.
4.2 -TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR5
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT fue inventado en
1947) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. El transistor bipolar
est formado por una unin PN y por otra NP, caracterstica que hace que un semiconductor de
determinado tipo se encuentre entre dos de tipo opuesto al primero. Lo que se obtiene con esta
configuracin es una seccin que proporciona cargas (de huecos o de electrones) que son captadas
por otra seccin a travs de la seccin media. El electrodo que proporciona las cargas es el emisor
yel que las recoge es el colector. La base es la parte de en medio y forma las dos uniones, una con el
colector y otra con el emisor. Adems, la base controla la corriente en el colector. Este tipo de
transistores recibe el nombre de transistores de unin.
Cuando el transistor bipolar, fue considerado una revolucin. Pequeo, rpido, fiable, poco costoso,
sobrio en sus necesidades de energa, reemplaz progresivamente a la vlvula termoinica durante la
dcada de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los aos 60, algunos fabricantes siguieron
utilizando vlvulas termoinicas en equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake; luego el
transistor desplaz a la vlvula de los

transmisores pero no del todo de los amplificadores de

radiofrecuencia. Otros fabricantes, de equipo de audio esta vez, como Fender, siguieron utilizando
vlvulas termoinicas en amplificadores de audio para guitarras.
Las razones de la supervivencia de las vlvulas termoinicas son varias:

El transistor no tiene las caractersticas de linealidad a alta potencia de la vlvula termoinica,


por lo que no pudo reemplazarla en los amplificadores de transmisin de radio profesionales y

de radioaficionados.
Los armnicos introducidos por la no-linealidad de las vlvulas resultan agradables al odo
humano, por lo que son preferidos por los audifilos

5 CITA EXPLICATIVA: Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se


usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones
de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
10

El transistor es muy sensible a los efectos electromagnticos de las explosiones nucleares,


por lo que se siguieron utilizando vlvulas termoinicas en algunos sistemas de controlcomando de cazas de fabricacin sovitica.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial6. En su funcionamiento normal, la


unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los
portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca
recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.
4.2.1 - FUNCIONAMIENTO
En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-colector en
inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera
de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron
son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En
una operacin tpica, la juntura base-emisor est polarizada en directa y la juntura base-colector est
polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en
la juntura base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico
repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente
inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de
alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos
electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con
material P, los cuales generan "hoyos" como portadores mayoritarios en la base.

La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores
puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario

6 CITA ACLARATORIA: La epitaxia o crecimiento epitaxial es uno de los procesos en la


fabricacin de circuitos integrados. La epitaxia se refiere a la deposicin de una
sobrecapa cristalina en un sustrato cristalino, donde hay registro entre la sobrecapa y el
sustrato.
11

del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar
la juntura base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.
4.2.2 - CONTROL DE TENSIN, CARGA Y CORRIENTE
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de
corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin tensincorriente de la juntura base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una
juntura PN (es decir, un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es
aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente veces la
corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la tensin base-emisor
es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No
obstante, para disear circuitos utilizando TBJ con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de
modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.
4.2.3 - TRANSISTOR BIPOLAR DE HETEROUNIN7
El transistor bipolar de heterounin (TBH) es una mejora del TBJ que puede manejar seales de muy
altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy comn hoyen da en
circuitos ultrarrpidos, generalmente en sistemas de radiofrecuencia.
Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores para los elementos del transistor.
Usualmente el emisor est compuesto por una banda de material ms larga que la base. Esto ayuda
a reducir la inyeccin de portadores minoritarios desde la base cuando la juntura emisor-base est
polarizada en directa y esto aumenta la eficiencia de la inyeccin del emisor. La inyeccin de
portadores mejorada en la base permite que esta pueda tener un mayor nivel de dopaje, lo que
resulta en una menor resistencia. Con un transistor de juntura bipolar convencional, tambin conocido
como transistor bipolar de homojuntura, la eficiencia de la inyeccin de portadores desde el emisor
hacia la base est principalmente determinada por el nivel de dopaje entre el emisor y la base.

7 COMENTARIO: Son utilizados hoy da en la realizacin de osciladores y amplificadores


en el rango de frecuencias de microondas, debido a que la presencia de una heterounin
en su constitucin permite realizar un mayor dopaje de la base, lo que conduce a una
reduccin de la resistencia de sta sin degradar la ganancia.
12

Debido a que la base debe estar ligeramente dopada para permitir una alta eficiencia de inyeccin de
portadores, su resistencia es relativamente alta.
4.2.4 - REGIONES OPERATIVAS DEL TRANSISTOR8
Los transistores bipolares de juntura tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente
por la forma en que son polarizados:

Regin activa:

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en


una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende
principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y
de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.

Regin inversa:

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra
en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian
roles. Debido a que la mayora de los TBJ son diseados para maximizar la ganancia de corriente en
modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0,(Ic = Ie = 0)


En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del
circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje,ver Ley de Ohm). Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0(Ib =0)

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima,(Ic = Ie = I mxima)

8 http: //areaelectronica.com/ Transistores/Transistores, transistor, teora..htm


13

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las
resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir
una corriente de colector veces ms grande (recordar que Ic = * Ib)

4.3 - TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO9


El transistor de efecto campo ield-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de
transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un
material semiconductor. Los FET, como todos los transistores, pueden plantearse como resistencias
controladas por voltaje.
La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores
habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la regin activa o canal. La
regin activa de los TFTs (thin-film transistores, o transistores de pelcula fina), por otra parte, es una
pelcula que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de
los TFTs es como pantallas de cristal lquido o LCDs).
Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect
Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator- Semiconductor
FET). Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La
puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta
como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que
fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta
no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a
ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser
despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay
que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos.
9COMENTARIO: Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la
integracin a gran escala disponible hoy en da; para tener una idea aproximada pueden
fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centmetro
cuadrado y en varias capas superpuestas.
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As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son
tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la
puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores
de efecto de campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el componente
fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.

4.3.1 - HISTORIA10
Desde 1953 se propuso su fabricacin por Van Nostrand (5 aos despus de los BJT).Aunque su
fabricacin no fue posible hasta mediados de los aos 60's.
4.3.2 - TIPO DE TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y
la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de modo mejorado, o
dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo agotamiento. Los transistores de
efecto de campo tambin son distinguidos por el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta. Los
tipos de FETs son: Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de
aislamiento entre el canal y la puerta:

El

(normalmente SiO2).
El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n
El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin PN del JFET con

MOSFET

(Metal-Oxide-Semiconductor

Field-Effect

Transistor)

usa

un

aislante

una barrera Schottky.

10 Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT, son ms estables con la
temperatura que los BJT, ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y
permiten integrar ms dispositivos en un CI, Los FET de potencia pueden disipar una
potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
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En el HEMT (High ElectronMobility Transistor), tambin denominado HFET (heterostructure


FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta el cuerpo del

transistor.
Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son
comnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a 3000V.
Aun as los Power MOSFET todava son los dispositivos ms utilizados en el rango de

tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.


Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin ultra rpida

del transistor.
Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor, usando una puerta
fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales. La
caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o del silicio poli
cristalino.

4.3.3 - CARACTERSTICAS

Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).


No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza Conmutador (Interruptor).
Hasta cierto punto inmune a la radiacin.
Es menos ruidoso.
Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.

4.3.4 - PRECAUCIONES11
Con los transistores FET hay que tener cuidados especiales, pues algunas referencias se daan con
solo tocar sus terminales desconectadas (Esttica). Por tal motivo, cuando nuevos traen sus patas en
corto-circuito mediante una espuma conductora elctrica o con algo metlico, esto no se debe quitar
hasta que estn soldados en la tableta de circuito impreso, hecho esto ya no hay problema.

4.4 - FOTOTRANSISTOR

11 Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la


alta capacidad de entrada.
16

Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide
sobre la regin de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al
estado de conduccin. El fototransistor es ms sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia
propio del transistor. Los fototransistores no son muy diferentes de un transistor normal, es decir,
estn compuestos por el mismo material semiconductor, tienen dos junturas y las mismas tres
conexiones externas: colector, base y emisor. Por supuesto, siendo un elemento sensible a la luz, la
primera diferencia evidente es en su cpsula, que posee una ventana o es totalmente transparente,
para dejar que la luz ingrese hasta las junturas de la pastilla semiconductora y produzca el efecto
fotoelctrico.
En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexin de base como sin ella y tanto en
cpsulas plsticas como metlicas (TO-72, TO-5) provistas de una lente.

4.4.1 - APLICACIONES DE LOS FOTOTRANSISTORES.12


Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lpices pticos, etc. Para comunicaciones
con fibra ptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. Tambin se pueden utilizar en la
deteccin de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor de proximidad. Se utilizan
ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando interruptores pticos (opto-switch),
que detectan la interrupcin del haz de luz por un objeto.
Existen en dos versiones: de transmisin y de reflexin. Teniendo las mismas caractersticas de un
transistor normal, es posible regular su corriente de colector por medio de la corriente de base. Y
tambin, dentro de sus caractersticas de elemento optoelectrnico, el fototransistor conduce ms o
menos corriente de colector cuando incide ms o menos luz sobre sus junturas.
Los dos modos de regulacin de la corriente de colector se pueden utilizar en forma simultnea. Si
bien es comn que la conexin de base de los fototransistores no se utilice, e incluso que no se la
12http://www.itlalaguna.edu.mx/Academico/Carreras/electronica/opteca/OPTOPDF2_archi
vos/UNIDAD2TEMA
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conecte o ni siquiera venga de fbrica, a veces se aplica a ella una corriente que estabiliza el
funcionamiento del transistor dentro de cierta gama deseada, o lo hace un poco ms sensible cuando
se debe detectar una luz muy dbil. Esta corriente de estabilizacin (llamada bias, en ingls) cumple
con las mismas reglas de cualquier transistor, es decir, tendr una relacin de amplificacin
determinada por la ganancia tpica de corriente, o hfe. A esta corriente prefijada se le suman las
variaciones producidas por los cambios en la luz que incide sobre el fototransistor.
Los fototransistores, al igual que los fotodiodos, tienen un tiempo de respuesta muy corto, es decir
que pueden responder a variaciones muy rpidas en la luz. Debido a que existe un factor de
amplificacin de por medio, el fototransistor entrega variaciones mucho mayores de corriente elctrica
en respuesta a las variaciones en la intensidad de la luz.

GLOSARIO DE TRANSISTORES
Transistor: Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o ms electrodos. Los tres electrodos
principales son emisor, colector y base. La conduccin se realiza por medio de electrones y huecos.
El germanio y el silicio son los materiales ms frecuentemente utilizados para elementos
semiconductores. Los transistores pueden efectuar prcticamente todas las funciones de las vlvulas
electrnicas, incluyendo la amplificacin y la rectificacin. A continuacin vamos a observar algunos
tipos de transistores:
TRANSISTORES DE BARRERA SUPERFICIAL:
Transistor bidireccional: realiza la funcin de conmutacin en ambos sentidos del flujo de seales,
a travs de un circuito. Ampliamente utilizado en los circuitos conmutacin telefnica.
Transistor bipolar: transistor de punta en el que el emisor y el colector son electrodos de contacto de
punta que hacen presin en los centros de las caras de un disco delgado de material semiconductor
que sirve de base.
18

Transistor de aleacin-difusin: es el combinado de las tcnicas de aleacin y difusin de un modo


diferente a la de un transistor de difusin-aleacin.
Transistor de almacenamiento de carga: es el que la unin base-colector se carga cuando se
aplica polarizacin directa estando la base a nivel alto y el colector a nivel bajo.
Transistor de barrera de unin: construido por aleacin de la base con el material terminal de un
conductor.
Transistor de barrera intrnseca: transistor trodo en el que las barreras superficiales estn
constituidas sobre los lados opuestos de una lmina de germanio tipo n por depresiones grabadas, y
ulterior electromoldeo de los puntos de colector y emisor que funcionan como contactos
rectificadores.
TRANSISTORES DE BASE DIFUSA:
Transistor de base difusa: transistor en el que es obtenida una regin no uniforme de base por
difusin gaseosa. La unin base-colector est tambin formada por difusin gaseosa, por lo tanto la
unin base-emisor es una unin convencional de aleacin.
Transistor de base metlica: consistente en una base constituida por una pelcula metlica delgada
interpuesta entre dos semiconductores tipo n, estando el semiconductor de emisor ms dopado que
la base a fin de conseguir una mayor relacin entre la corriente de electrones y la corriente de
huecos. La respuesta de frecuencia es mucho ms elevada que la de los transistores convencionales.
Transistor de campo: transistor unipolar.
Transistor de campo interno: tiene dos uniones planas paralelas, con un apropiado gradiente de
resistividad en la regin base entre las uniones para mejorar las respuestas a elevadas frecuencias.
Transistor de capa de difusin: transistor de unin en las que las uniones finales estn constituidas
por difusin de impurezas cerca de una unin de crecimiento.
Transistor de cuatro capas: tiene cuatro regiones conductores pero solo tres terminales. Un ejemplo
de este tipo es el tiristor.
Transistor de difusin: transistor en el que el flujo de corrientes es resultado de la difusin de
portadores donadores o aceptadores, como en un transistor de unin.
Transistor de difusin microaleado: transistor en el que el cuerpo semiconductor es previamente
sometido a difusin gaseosa a fin de producir una regin de base no uniforme.

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Transistor de doble difusin: est formado de dos uniones en la pastilla de semiconductor, por
difusin gaseosa de ambos de impurezas p y n. Puede tambin formarse una regin intrnseca.
Transistor de doble emisor: transistor epitaxial planal pasivado p-n-p de silicio que tiene dos
emisores para su utilizacin en interruptores de bajo nivel.
Transistor de doble superficie: transistor de puntas en los que buscadores de emisor y colector
estn en contacto con los lados opuestos de la base.
Transistor de efecto de campo: transistor en el que la resistencia al paso de la corriente desde el
electrodo fuente al electrodo drenador se modula por aplicacin de un campo elctrico transversal
entre los electrodos de graduador o puerta. El campo elctrico modifica la densidad de la capa
empobrecida entre las puertas, reduciendo por tanto la conductancia.
TRANSISTORES DE MODULACIN DE CONDUCTIVIDAD:
-Transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor: transistor de efecto de campo que
tiene una puerta aislada del sustrato semiconductor por una capa delgada de xido de sicilio. Cuando
en el modo de empobrecimiento, una tensin negativa de puerta reduce los portadores de carga
normalmente presentes en el canal conductor con polarizacin nula de puerta. Cuando funciona en el
sentido de enriquecimiento, la puerta se polariza en sentido directo para incrementar la carga del
canal y aumentar la conductancia de este. Se pueden obtener ambos tipos de funcionamientos de un
sustrato de tipo n o de tipo p, respectivamente.
Transistor de efecto de campo multicanal: es en el que se aplica tensiones adecuadas a la puerta
de entrada para controlar el espacio entre los canales de flujo de corriente. La utilizacin de ms de
un canal permite el empleo de corrientes ms intensas sin reducir la respuesta de frecuencia lo que
normalmente ocurre cuando se aumenta el tamao de un dispositivo de canal nico para acomodarlo
a mayor intensidad.
Transistor de emisor y conductor difusos: es el que tanto el emisor como el colector han sido
constituidos por difusin.
Transistor de difusin: transistor de unin, obtenido por enfriamiento brusco despus de la funcin
de una determinada regin.
Transistor de gancho: tiene cuatro capas alternadas tipo p y n, con una capa flotante entre la base y
el colector. Esta disposicin da lugar a altas ganancias de la corriente de entrada de emisor.
TRANSISTORES DE MULTIEMISOR:
Transistor de multiemisor: tiene uno o ms emisores adicionales. Utilizado principalmente en los
circuitos lgicos.
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Transistor de pelcula delgada: Transistor de efecto de campo construido enteramente mediante


tcnicas de pelculas delgadas para su utilizacin en circuitos de esta naturaleza. Un electrodo de
puerta, de metal delgado, est separado por una pelcula delgada semiconductor que por lo general
est constituida por sulfuro de cadmio la corriente circula a lo largo de un canal por la capa del
semiconductor. Entre dos electrodos denominados fuente y drenador. La intensidad de corriente se
consigue mediante la tensin aplicada a la puerta aislada.
Transistor de potencia: transistor de unin que puede trabajar con corrientes y potencias elevadas.
Se usa principalmente en circuitos de audio y conmutacin.
Transistor de precisin de aleacin de silicio: Es en el cual las tcnicas de aleacin y grabado se
combinan para producir una elevada frecuencia de respuesta y un estrecho control de los parmetros
de transistor, tal como se requiere para aplicaciones de conmutacin de bajo nivel y elevada
resolucin.
Transistor de puerta de control: Es en el que un electrodo de puerta cubre las uniones del emisor y
el colector, permitiendo la aplicacin de un campo electrnico a la superficie de la regin de la base.
Transistor de puntas: tiene un electrodo base y dos o ms puntos de contacto poco separadas entre
si, sobre la superficie del germanio tipo n. La presin de los contactos crea una pequea zona de
material tipo p bajo cada contacto produciendo las uniones necesarias para un transistor.
Transistor de punta y de unin: tiene un electrodo base y una punta de contacto adems de
electrodos de unin.
Transistor de fusin: transistor de unin en que esta se obtiene por fusin de un semiconductor
dopado en forma apropiada, permitiendo su solidificacin ulterior repetidamente.
Transistor de superficie pasivada: transistor cuya superficie semiconductoras han sido protegidas
contra el agua, los iones y otras condiciones ambientales por pasivacin, en la cual un compuesto
protector est qumicamente unido a la superficie del cristal semiconductor.
TRANSISTORES DE UNIN ELECTROQUMICA:
Transistor de unin: construido de un transistor de unin de aleacin que se fabrica colocando
grnulos de una impureza tipo p, tal como el indio, encima y debajo de una lmina de germanio
tipo n, y luego calentando la lmina hasta que la impureza se alee con el germanio dando lugar a un
transistor de tipo p-n-p.
Transistor de unin difusa: es en el que los electrodos del emisor y del colector han sido obtenidos
por difusin de una impureza metlica en el cuerpo del semiconductor sin calentamiento.

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Transistor de tres uniones: tiene tres uniones y cuatro regiones de conductividad alternadas. La
conexin del emisor puede tener lugar en la regin p a la izquierda la conexin de la base en la
regin adyacente n.
Transistor de unin electroqumica: construido por ataques de las dos caras opuesto a una placa
de germanio tipo n por chorros de una solucin salina tal como cloruro de indio, la placa ,
primeramente positiva con respecto a los de proyeccin, pasa entonces a ser negativa con relacin al
deposito de indio sobre los caracteres formados.
TRANSISTORES DE UNIN GRADUAL:
Transistor de unin gradual: transistor por crecimiento variable.
Transistor de unin intrnseca: de cuatro capas una de las cuales est formada por
semiconductores de tipo i y situada entre la base y el colector, como los transistores
p-n-i-p, n-pi-n, p-n-i-n y n-p-i-p.
Transistor de zona desierta: transistor de capa agotada.
Transistor del tipo de empobrecimiento: transistor metal-xido de efecto de campo en el que los
portadores de carga existentes presentan una polarizacin de entrada nula, si bien estas cargas son
neutralizadas por la aplicacin de una polaridad inversa.
Transistor del tipo de enriquecimiento: transistor MOS de efecto de campo en el que la puerta est
polarizada en sentido directo y cubre todo el canal a fin de enriquecer su carga e incrementa su
conductancia.
Transistor doblemente dopado: transistor de unin por crecimiento, formado por adicin sucesiva
de impurezas tipo p y tipo n o la fusin durante el crecimiento del cristal.
Transistor epitaxial de unin difusa: transistor de unin obtenido por crecimiento por una capa
delgada de elevada pureza de un material semiconductor fuertemente dopada del mismo tipo.
Transistor epitaxial mesa difuso: en el que la capa epitaxial delgada de elevada resistividad est
depositada sobre el sustrato, sirviendo como colector.
Transistor filiforme: transistor de modulacin de conductividad cuya longitud es mucho mayor que
sus dimensiones transversales.
Transistor mesa: obtenido sometiendo una lmina o pastilla de germanio o sicilio a ataque qumico
de modo que las regiones correspondientes a la base y al emisor aparezcan escalonadamente como
mesetas por encima de la regin de colector.

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Transistor MOS de efecto de campo: Transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor.


TRANSISTORES N-P-N:
Transistor n-p-n: Transistor de unin que tiene una base tipo p entre un emisor tipo n y un colector
tipo n. El emisor debe entonces ser negativo con respecto a la base , y el colector positivo.
Transistor n-p-i-n: Transistor de unin intrnseca en el que la regin intrnseca est interpuesta entre
la base tipo p y las capas tipo n del colector.
Transistor n-p-i-p: Transistor de unin intrnseca en el que la regin intrnseca est entre regiones p.
TRANSISTORES N-P-N-P:
Transistor n-p-n-p: Transistor de unin n-p-n que tiene adems una capa de transicin o flotante
entre los regiones p y n, en la que no se establece conexin hmica. Denominado tambin
transistor p-n-p-n.
Transistor pasivado: Protegido contra fallos prematuros por pasivacin.
Transistor pentodo de efecto de campo: tiene cinco terminales que tiene tres puertas. Puede
trabajar como pentodo, si se polarizan independientemente cada una de las puertas.
Transistor planar de silicio: Fabricado por la tcnica planar, que implica una serie de ataques
qumicos y difusiones, y que producen un transistor de silicio con una capa de xido.
Transistor planar de unin: parecido al de unin difusa, pero en el cual se consigue una penetracin
localizada de las impurezas recubriendo algunas partes de la superficie del cristal con un compuesto
de xido tal como dixido de silicio. Este proceso se llama pasivacin de superficie.
Transistor p-n-i-n: transistor de unin intrnseca en el que la regin intrnseca est situada entre
regiones n.
Transistor p-n-i-p: Transistor de unin intrnseca en la cual la regin intrnseca est entre la base
tipo n y el colector tipo p.
Transistor por crecimiento variable: de unin en la cual las impurezas (tales el galio y el antimonio)
se disuelven a la vez, y la temperatura asciende y desciende repentinamente para producir capas
alternas de tipo p y n. Se llama tambin transistor de unin gradual.
Transistor simtrico: de unin en lo que los electrodos emisor y colector son idnticos y sus
terminales intercambiables.

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Transistor tetrodo: transistor de cuatro electrodos, tal como un transistor tetrodo de puntas o un
transistor de unin de doble base.
Transistor tetrodo de efecto de campo: con cuatro conductores con dos puertas que permiten el
funcionamiento del tetrodo si se utiliza polarizacin separada para cada puerta.
Transistor tetrodo de puntas: transistor de puntas con un colector y dos emisores.
Transistor tetrodo de unin: transistor de unin de doble base.
Transistor unipolar: transistor que utiliza portadores de carga de una sola polaridad, tal como ocurre
en un transistor de efecto de campo.
Transistor uniunin: barra de semiconductor tipo n con una regin de aleacin tipo p en un lado.
Las conexiones se establecen en los contactos de las bases situados en ambos extremos de la barra
y en la regin p. El transistor tiene una caracterstica anloga a la de un tiratrn entre el terminal de la
regin p y el terminal de la base negativa.

TRANSISTOR COMPLEMENTARIOS:
Transistor complementario: dos transistores d opuesta conductividad (p-n-p y n-p-n) incorporados
en la misma unidad funcional.
TRANSISTORES EN CASCADA.
Transistor de cascada: dos transistores montados en una misma cpsula y conectados en serie.
Transistor en conexin compuesta: disposicin de dos transistores en la que la base de uno se
conecta al emisor del otro y los dos colectores se conectan entre s. La combinacin debe ser
considerada como un transistor simple que posee un elevado factor de amplificacin de corriente.

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CONCLUSION
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos
electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control.
Con el desarrollo de este trabajo adems de consolidar el trabajo en equipo, y consolidar nuestras
capacidades investigativas nos aport importantes conocimientos en algunos casos en forma de
cultura general, y otras ocasiones conocimientos especficos acerca de los transistores y cada uno de
los tipos ms conocidos.
Podemos decir que el surgimiento de los transistores ha proporcionado un gran avance a la ciencia
no solo a la electrnica sino a la ciencia de forma general porque casi todos equipos que tenemos en
la actualidad funcionan con componentes elctricos y con presencia de transistores.

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BIBLIOGRAFA.
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http://www.electronica2000.com
http: //areaelectronica.com/ Transistores/Transistores, transistor, teora..htm
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar
http://rinconfaduljorgealberto.blogspot.mx/2009/08/que-es-el-transistor-ventajas-y.html
https://es.wikipedia.org/wiki/Epitaxia
https://es.wikipedia.org/wiki/Deposici%C3%B3n_en_semiconductores
http://dialnet.unirioja.es/servlet/articulo?codigo=140559
http://www.itlalaguna.edu.mx/Academico/Carreras/electronica/opteca/OPTOPDF2_archivos/UNID
AD2TEMA4.PDF

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