UNIVERSIDAD NACIONAL JOS FAUSTINO SNCHEZ

CARRIN

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERA

TRABAJO DE INVESTIGACIN Y EXPOSICIN:

FET TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO. MOSFET.

JFET
CURSO

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

CDIGO

IE-305

DOCENTE

Ing. MATOS MELENDEZ, Luis

ALUMNO

LOPEZ PRINCIPE, Nstor Alberto

E.A.P.

INGENIERA ELECTRNICA

CICLO

AO ACADMICO

: 2011-II
HUACHO-PER

FET (Field Efect Transistor)

Transistor de efecto del campo. Est formado por una barra de semiconductor N o P que se
llama el canal, tiene un cinturn o estrechamiento del otro tipo de semiconductor, los

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extremos del canal se unen a terminales D(drain, drenaje) y S (Source, surtidor o fuente), el
cinturn se une al terminal G (Gate, compuerta).
Al aplicar voltaje entre D y S (VDS) se forma una corriente ID que depende de la resistencia
del canal, si se aplica un voltaje VGS negativo (G = -, S = +) el diodo formado por el cinturn y
el canal queda en inverso y no hay corriente de compuerta (IG = 0) pero el voltaje negativo es
G repele las cargas negativas que pasan por el canal que aparece como un aumento de
resistencia y la corriente ID disminuye, haciendo mayor o menor la magnitud de VGS haremos
que ID disminuya o aumente, as se obtiene un control de ID, siendo la variable de control del
voltaje VGS.
En el FET la relacin entre ID y VGS est dada por la ecuacin de
Schotkley:
ID = IDSS (1 - (VGS/VP))
IDSS y VP son constantes caractersticas de cada tipo o referencia de
transistor, se obtienen en las hojas de especificaciones del
fabricante. Los circuitos de polarizacin de FET y MOSFET se
encuentran en la Tabla No. 3 donde el punto de trabajo se da por el
corte de la parbola de la ecuacin de Schotkley y la recta de carga
del circuito.
Los transistores FET y MOSFET se usan como amplificadores, donde su caracterstica ms
importante es su alta impedancia de entrada por efecto de IG = 0.

Ventajas y desventajas del FET

Las ventajas del FET pueden resumirse como sigue:
1. Son dispositivos sensibles a la tensin con alta impedancia de entrada (del orden de
107 W). Como esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los
BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada de un amplificador
multietapa.
2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. Los FET so ms estables con la temperatura que los BJT.

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4. Los FET son, en general, ms fciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir
menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor nmero
de dispositivos en un circuito integrado (es decir, puede obtener una densidad de
empaque mayor).
5. Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensin para valores
pequeos de tensin de drenaje a fuente.
6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo
suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.
Existen varias desventajas que limitan la utilizacin de los FET en algunas aplicaciones:
1. Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de
entrada.
2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
3. Los FET se pueden daar al manejarlos debido a la electricidad esttica.

Tipos de FET
Se consideran tres tipos principales de FET:
1. FET de unin (JFET)
2. FET metal xido semiconductor de empobrecimiento (MOSFET de empobrecimiento)
3. FET metal xido semiconductor de enriquecimiento (MOSFET de enriquecimiento)

MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada.
Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado
MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P.
Una delgada capa de material aislante formada de dixido de silicio (SiO 2) (tambin llamada
"slice") es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de
la compuerta (GATE)
En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje(drain).
En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain).
En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la
corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los transistores FET, la corriente

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de salida es controlada por una tensin de entrada (un campo elctrico). En este caso no
existe corriente de entrada.
La tcnica de fabricacin MOS permite obtener dispositivos semiconductores como
transistores y circuitos integrados muy eficientes, con caractersticas especiales.
Entre ellas se destacan el bajo consumo de corriente y el fcil manejo en los circuitos. Por
esta razn este tipo de semiconductores se est utilizando mucho en todos los circuitos
electrnicos modernos.
Uno de los tipos de MOSFET, llamado MOSFET DE POTENCIA, que se utiliza para manejar
corrientes altas, se ha vuelto muy popular debido a su capacidad para controlar fcilmente
cargas grandes como motores, bobinas, amplificadores de audio de gran potencia, etc.
Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado.
Debido a que la capa de xido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta
tensin o hay electricidad esttica.

Principio de operacin de un MOSFET

Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensin en la compuerta
no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)

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Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe aplicar en
la compuerta. As los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son
atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos.
El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para
los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la
cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.
En el caso del MOSFET de canal P, se da una situacin similar. Cuando se aplica una tensin
negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de
la fuente son atrados hacia la compuerta y pasan a travs del canal N que hay entre ellos,
creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad
de corriente) depende de la tensin aplicada a la compuerta.
Debido a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay
corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada
por la tensin aplicada a la compuerta.

Transistor de efecto campo

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una
familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de
un "canal" en un material semiconductor. Los FET, como todos los transistores, pueden
plantearse como resistencias controladas por voltaje.
La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores
habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la regin activa o canal.
La regin activa de los TFTs (thin-film transistores, o transistores de pelcula fina), por otra
parte, es una pelcula que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la
principal aplicacin de los TFTs es como pantallas de cristal lquido o LCDs).
P-channel

N-channel
Smbolos

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esquemticos para los

JFETs canal-n y canalp. G=Puerta (Gate),
D=Drenador (Drain) y
S=Fuente (Source).
Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect
Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-InsulatorSemiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La
puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se
comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta
permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la
puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la
base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no
siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento
capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son
tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin
positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin,
respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extenssimamente en
electrnica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips
digitales.
Tipo de transistores de efecto campo
Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento entre el
canal y la puerta:

El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect

Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2).

El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una

unin p-n

El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect

Transistor) usa una barrera Schottky

En el HEMT (High Electron Mobility Transistor),

tambin denominado HFET (heterostructure FET), la
banda de material dopada con "vacos" forma el
aislante.

La caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o del silicio
policristalino.
Tecnologa CMOS

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Un inversor en tecnologa CMOS

Oblea de CIs (Circuitos Integrados) CMOS

CMOS (ingls: Complementary Metal Oxide Semiconductor (Semiconductor complementario
del xido de metal), MOS Complementario) es una tecnologa utilizada para crear circuitos
integrados, como pueden ser compuertas lgicas, contadores (entre stos, muy populares los
Decimales Johnson), etc. Consiste bsicamente en dos transistores, uno PFET y otro NFET. De
esta configuracin resulta el nombre.
Los chips CMOS consumen menos potencia que aquellos que usan otro tipo de transistor.
Tienen especial atractivo para emplearlo en componentes que funcionen con bateras, como
los ordenadores porttiles. Los ordenadores de sobremesa tambin contienen dispositivos de
memoria CMOS de bajo consumo de potencia para almacenar la fecha, hora y configuraciones
(BIOS).
Existen diversos tipos de pros y contras contra estos circuitos, siendo el problema del dao
por electricidad esttica el fantasma que ms afecta el uso comercial de estos integrados.
Diversos estudios afirman que dicho planteamiento no es ms que un mito ya que deben darse
muchos factores tanto ambientales, fsicos aparte de lo elctrico para daarlos.
Dentro de las ventajas mayores que tienen los CMOS destacan las siguientes dos:
1. Funcionan con tensiones desde los 3 V hasta los 15 V,
por ende no necesitan una fuente de voltaje
dedicada para ellos.
2. Se ha demostrado que un CMOS determinado tiene
muchas ms aplicaciones (o dichas aplicaciones
trabajan mejor en CMOS) que en un TTL
Adems, su fabricacin es relativamente fcil y barata, en comparacin a otras tecnologas

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BIBLIOGRAFA
- BIBLIOGRAFA COMPLEMENTARIA
[1].SEDRA, Adel y KENNETH, Smith. Circuitos Microelectrnicos. Mxico: Oxford
University Press, 2001.
[2].MUHAMMAD, Rashid. Circuitos Microelectrnicos: Anlisis y diseo. Estados
Unidos: Internacional Thompson Editores, 1999.
[3].DATASHEET Catalog. Buscador de hojas de datos de dispositivos electrnicos,
Online,
http://www.datasheetcatalog.net/.

- BIBLIOGRAFA ELECTRNICA
1. http://perso.wanadoo.es/luis_ju/edigital/qnpn_pnp.html
2. http://www.mailxmail.com/curso-transistor-dispositivo-

electronico/circuitos-aplicativos-transistores
3. http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
4. http://tecnologiafuentenueva.wikispaces.com/file/view/transistores.pdf
5. http://www.unicrom.com/Tut_transistor_bipolar.asp